JP5492667B2 - ナノインプリント用レジスト及びナノインプリントの方法 - Google Patents
ナノインプリント用レジスト及びナノインプリントの方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5492667B2 JP5492667B2 JP2010132465A JP2010132465A JP5492667B2 JP 5492667 B2 JP5492667 B2 JP 5492667B2 JP 2010132465 A JP2010132465 A JP 2010132465A JP 2010132465 A JP2010132465 A JP 2010132465A JP 5492667 B2 JP5492667 B2 JP 5492667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nanoimprint
- nano
- resist
- level pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 19
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 5
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanedithiol Chemical compound SCCS VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSUXYWPILZJGCC-UHFFFAOYSA-N pent-3-en-1-ol Chemical group CC=CCCO FSUXYWPILZJGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
- C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本発明は、レジスト及び該レジストを利用してナノインプリントを行う方法に関し、特にナノインプリントのレジスト及び該ナノインプリントのレジストを利用してナノインプリントを行う方法にするものである。
ナノインプリント技術は、所定のポリマーレジストを使用する必要がある。従来技術において、ナノインプリントのレジストは、主に、シリカゲル、エポキシ樹脂、アクリル酸エステル、ポリスチロールなどがある。
特許文献１は、ポリメタクリル酸メチル樹脂をナノインプリントのレジストとすることが開示されており、シリコン基材にポリメタクリル酸メチル樹脂を塗布して薄膜が形成された後、熱プレス法で前記シリコン基材にナノレベルのパターンを形成する。前記ナノインプリントの方法において、まず、前記ナノインプリントのレジストを加熱し、可塑性変形を生ませる。次に、該ナノインプリントのレジストを冷却し、該ナノインプリントのレジストを冷却する温度をポリメタクリル酸メチル樹脂のガラス転移温度Ｔｇより低くして、固化成型させる。最後に、金型を除去し、ナノレベルのパターンを形成する。しかし、前記ナノインプリントの方法において、ポリメタクリル酸メチル樹脂のガラス転移温度Ｔｇが高いので、前記ナノインプリントのレジストを加熱する温度が高くなる。従って、前記ナノインプリントのレジストの力学の安定性が悪くなり、型との粘着性が強いので、離型することが困難になり、形成されたナノレベルのパターンの解像度が低くなる。従来技術において、前記問題を解決するために、前記ナノインプリントを行う前に、前もって前記型を処理する必要があった。
しかし、前記ナノインプリントを行う前に、前もって前記型を処理することが複雑であるので、前記ナノインプリントの方法が複雑になり、コストが高くなる。従って、前記ナノインプリントの方法は、実際の応用に不便になる。
従って、本発明は、ナノインプリントのレジスト及び該ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供することを課題とする。
前記ナノインプリントのレジストは、化学式１で示される化合物と、化学式２で示されるフルオロポリエーテルと、メタクリル酸メチル樹脂と、有機希釈剤と、を含む。
前記ナノインプリントの方法は、基板の一つ表面に前記ナノインプリントのレジストを塗布して、レジスト層を形成するステップと、一つ表面がナノレベルのパターンを有する金型を提供し、前記ナノレベルのパターンを前記レジスト層に転写するステップと、前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板を加工し、該基板の前記一つの表面に前記ナノレベルのパターンを形成するステップと、を含む。
前記ナノインプリントの方法は、基板を提供し、該基板の一つ表面に、順次に第一犠牲層及び第二犠牲層を形成するステップと、一つ表面がナノレベルのパターンを有する金型を提供し、該金型のナノレベルのパターンを有する表面に、前記ナノインプリントのレジストを塗布するステップと、該基板の前記第二犠牲層を、前記金型のナノインプリントのレジストが被覆された表面に接触させ、前記金型及び基板を併せて熱プレスし、該基板にナノインプリントのレジストからなるナノレベルのパターンを形成するステップと、前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板を加工し、該基板の前記一つの表面に前記ナノレベルのパターンを形成するステップと、を含む。
従来のナノインプリントのレジスト及びナノインプリントの方法と比べると、本発明のナノインプリントのレジスト及びナノインプリントの方法は、下記の優れた点がある。第一に、前記ナノインプリントのレジストが化学式１で示される化合物を含み、低いガラス転移温度Ｔｇを有し、熱プレスを７５℃より小さい温度で行うことができるので、前記ナノインプリントのレジストが固化され、架橋反応を発生し、弾性率が高められ、変形が小さくなる。第二に、前記ナノインプリントのレジストが化学式２で示されるフルオロポリエーテルを含み、該フルオロポリエーテルが低い表面のエネルギーを有する材料であるので、該ナノインプリントのレジストが固化された後、粘着性が小さい。従って、前記ナノインプリントのレジストと前記基板とが粘着することを防止することができ、離型しやすく、ナノレベルのパターンの完全性及び解像度を高めることができる。第三に、前記メタクリル酸メチル樹脂及び前記有機希釈剤が前記ナノインプリントのレジストの粘着性及び流動性を調節することができるので、該ナノインプリントのレジストを前記ナノレベルのパターンに十分に充填させ、ナノレベルのパターンの欠点を減少し、ナノレベルのパターンの解像度を高めることができる。第四に、前記ナノインプリントの方法は、熱プレスの温度が低く、前もって前記型を処理する必要はないので、工程が簡単で、コストが減少する。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
本発明の実施例は、ナノインプリントのレジストを提供する。前記ナノインプリントのレジストは、化学式１で示される化合物（以下、「化合物１」と称する）、化学式２で示されるフルオロポリエーテル、メタクリル酸メチル樹脂（ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＭＭＡを略称する）及び有機希釈剤（ｄｉｌｕｅｎｔ ｓｏｌｖｅｎｔ）を含む。
前記有機希釈剤は、２−ヒドロキシエチル２−メチルエチレン（２−Ｈｙｄｒｏｘｙ Ｅｔｈｙｌ ２−ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌｅｎｅ）である。前記化合物１は、トリメリット酸無水物（ｔｒｉｍｅｌｌｉｔｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、エチレン−グリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）及びエポキシアクリル酸（ｅｐｏｘｙ ａｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ）が共重合し、又は、エチレンメルカプタン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｍｅｒｃａｐｔａｎ）及びエポキシアクリル酸が開環共重合して、形成されたものである。
本実施例において、前記化合物１の化学の構造は、下記のように示されている。
前記フルオロポリエーテルの化学式は、下記のように示されている。
前記ナノインプリントのレジストにおいて、前記化合物１の重量パーセンテージは、５０％〜６０％であり、前記フルオロポリエーテルの重量パーセンテージは、３％〜５％であり、前記メタクリル酸メチル樹脂の重量パーセンテージは、５％〜１０％であり、前記有機希釈剤の重量パーセンテージは、２５％〜３５％である。
前記ナノインプリントのレジストにおいて、前記フルオロポリエーテルの酸素の官能基が低い表面エネルギーを有し、前記メタクリル酸メチル樹脂が前記ナノインプリントのレジストの粘着性及び流動性を調節することができるので、該ナノインプリントのレジストが固化された後の変形が小さい。従って、離型する過程において、前記ナノインプリントのレジストと前記型とが粘着することを防止し、前記ナノインプリントのレジストを前記型から分離することを容易にさせ、ナノレベルの解像度を高めることができる。前記化合物１が低いガラス転移温度Ｔｇ（１５℃〜４５℃）を有するので、前記ナノインプリントの方法を利用して、ナノレベルのパターンを形成する場合、熱プレスの温度が低い。前記熱プレスの温度が７５℃より小さい時、前記ナノインプリントのレジストが固化され、架橋反応を発生することができる。従って、前記ナノインプリントのレジストが高い弾性率、低い熱膨張率を有するので、ナノパターンを形成しやすい。
前記ナノインプリントのレジストは、下記の方法で製作することができる。
重量パーセンテージが５０％〜６０％である化合物１、重量パーセンテージが３％〜５％である、化学式２で示されるフルオロポリエーテル、重量パーセンテージが５％〜１０％であるメタクリル酸メチル樹脂、重量パーセンテージが２５％〜３５％である有機希釈剤を混合し、１〜３時間に放置して、液体状態であるポリマー混合物を形成する。濾過装置で前記液体状態であるポリマー混合物を濾過させて、前記液体状態であるポリマー混合物における不純物を除去して、ナノインプリントのレジストを形成する。
更に、前記ナノインプリントのレジストに、重量パーセンテージが５％〜１０％であるポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｌｓｉｌｏｘａｎｅｓ、ＰＤＭＳを略称する）を添加することができる。前記ポリジメチルシロキサンは基材との接着性が強いので、前記ポリジメチルシロキサンを添加することにより、前記ナノインプリントのレジストと前記基材との接着性を高めることができる。更に、前記ナノインプリントのレジストに、重量パーセンテージが０．１％〜２％である開始剤を添加することができる。これにより、光又は熱によって、前期ナノインプリントのレジストを固化できる。
（実施例１）
図１及び図２を参照すると、本実施例は、前記ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供する。前記ナノインプリントの方法は、下記のステップを含む。
図１及び図２を参照すると、本実施例は、前記ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供する。前記ナノインプリントの方法は、下記のステップを含む。
ステップＳ１０１では、基板１０を提供し、該基板１０の一つ表面にレジスト層１３０を形成する。
まず、前記基板１０の一つ表面に、第一犠牲層１１０を形成する。
基板１０を洗浄し、該基板１０の一つ表面にポリマー材料層を形成する。該ポリマー材料層を加熱し、第一犠牲層１１０を形成する。前記基板１０の材料は、ガラス、シリコン、酸化珪素、ＩＴＯガラスなどの硬い材料、又はＰＳＰ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴなどの柔らかい材料である。前記第一犠牲層１１０の材料は、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡを略称する）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎｓ）、シリコンエステル樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎ ｅｔｈｅｒ ｒｅｓｉｎ）などのいずれか一種の熱硬化性樹脂である。前記ポリマー材料層を形成する方法は、シルクスクリーンの印刷法又は回転塗布法である。
本実施例において、前記基板１０の材料は、シリコンである。前記基板１０を洗浄した後、前記基板１０を回転させながら、該基板１０の一つ表面にポリマー材料のポリメタクリル酸メチル樹脂を塗布する。前記基板１０を回転させる速度が５４００回転／分〜７０００回転／分であり、回転時間が０．５分〜１．５分間である。その後、ポリマー材料のポリメタクリル酸メチル樹脂が塗布された前記基板１０を１４０℃〜１８０℃で３分〜５分間乾燥させる。
次に、前記第一犠牲層１１０を被覆するように、第二犠牲層１２０を形成する。
前記第二犠牲層１２０は、例えばクロム又はアルミニウムなどの金属からなり、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法又は化学気相堆積法によって、前記第一犠牲層１１０に形成される。
本実施例において、前記第二犠牲層１２０は、電子ビーム蒸着法で、前記第一犠牲層１１０に形成された、厚さが３０ナノメートル〜５０ナノメートルであるアルミニウムフィルムである。前記電子ビーム蒸着の速度は、０．３オングストローム／分〜０．６オングストローム／分である。
最後、前記第二犠牲層１２０を被覆するように、レジスト層１３０を形成する。
前記レジスト層１３０の材料は、前記ナノインプリントのレジストである。該ナノインプリントのレジストは、化合物１、化学式２で示されるフルオロポリエーテル、メタクリル酸メチル樹脂及び有機希釈剤を含む。前記レジスト層１３０は、シルクスクリーンの印刷法又は回転塗布法によって形成することができる。具体的には、まず、回転塗布法で、前記第二犠牲層１２０に前記ナノインプリントのレジストを形成する。前記回転塗布する回転速度が５４００回転／分〜７０００回転／分であり、回転時間が０．５分〜２分間である。次に、ナノインプリントのレジストが回転塗布された前記基板１０を１００℃〜１２０℃で２分〜４分間乾燥し、ナノインプリントのレジスト層１３０を形成する。該ナノインプリントのレジスト層１３０の厚さは１００ナノメートル〜３００ナノメートルである。
前記ナノインプリントの方法において、前記第一犠牲層１１０及び前記第二犠牲層１２０を形成するステップを省略し、前記基板１０の一つ表面にナノインプリントのレジスト層１３０を直接形成することができる。
ステップＳ１０２では、一つ表面にナノレベルのパターンを有する金型２０を提供し、前記ナノレベルのパターンを前記該ナノインプリントのレジスト層１３０に転写する。
まず、一つ表面にナノレベルのパターンを有する金型２０を提供する。
前記金型２０の材料は、シリコン、酸化珪素などの硬い材料、又はＰＳ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴなどの柔らかい材料である。本実施例において、前記金型２０の材料は、酸化珪素である。前記金型２０の一つ表面に複数の第一凸部２４及び複数の第一凹部２６からなるナノレベルのパターンを有する。
次に、前記金型２０のナノレベルのナノパターンが形成された表面と前記レジスト層１３０とを接触させ、前記金型２０及び前記基板１０を熱プレスした後、該基板１０を前記金型２０から分離する。
前記金型２０で前記基板１０に圧力を印加し、該基板１０を加熱することによって、前記金型２０のナノレベルのパターンを前記基板１０のナノインプリントのレジスト層１３０に転写する。具体的には、前記金型２０及び前記基板１０をそれぞれ、熱プレス装置（図示せず）に取り付け、前記金型２０のナノレベルのパターンが形成された表面と、前記基板１０に形成されたレジスト層１３０と、を接触させる。前記熱プレス装置の中の真空度を５．０Ｅ−０３ミリバール（ｍｂａｒ）に制御する。前記基板１０及び前記金型２０を前記ナノインプリントのレジストのガラス転移温度Ｔｇ以上（例えば、４５℃〜７５℃）まで加熱させることにより、該ナノインプリントのレジスト層１３０におけるレジストが優れた流動性を有させる。前記金型２０に１２ボンド／平方インチ（Ｐｓｉ）〜１５ボンド／平方インチの圧力を印加し、５分〜１０分間保持し、該金型２０の第一凸部２４を前記基板１０のナノインプリントのレジスト層１３０の中に圧入し、該ナノインプリントのレジスト層１３０におけるレジストを前記金型２０のナノレベルのパターンの複数の第一凹部２６に充填させる。その後、前記金型２０に３５ボンド／平方インチ〜６０ボンド／平方インチの圧力を印加して、温度を前記レジストのガラス転移温度Ｔｇまでに下げて、５分〜１０分間保持する。その後、前記温度を２５℃〜５０℃までに下げて、前記基板１０を前記金型２０から分離する。これにより、該基板１０のナノレベルのパターンが前記ナノインプリントのレジスト層１３０に転写される。前記ナノインプリントのレジスト層１３０に転写されたナノレベルのパターンは、複数の第二凹部１６及び複数の第二凸部１４を含む。
ステップＳ１０３では、前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板１０を加工し、該基板１０の前記表面に前記ナノレベルのパターンを形成する。
まず、前記ナノレベルのパターンの第二凹部１６の底部に残されたナノインプリントのレジストを除去し、該第二凹部１６の底部に位置された前記第二犠牲層１２０を露出させる。
プラズマエッチング法で前記ナノレベルのパターンの第二凹部１６の底部に残されたナノインプリントのレジストを除去する。
本実施例において、酸素プラズマで前記第二凹部１６の底部に残されたナノインプリントのレジストを除去する。具体的には、前記ナノレベルのパターンが形成された基板１０をマイクロ波プラズマ装置（図示せず）に置く。該マイクロ波プラズマ装置は、酸素プラズマを放出ことができる。前記酸素プラズマは、前記ナノレベルのパターンの第二凹部１６の底部に残されたナノインプリントのレジストをエッチングする。前記マイクロ波プラズマ装置の仕事率は、４０ワット〜６０ワットであり、酸素プラズマを導入する速度が４０ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ−ｓｔａｔｅ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）であり、気圧が２パスカルであり、エッチングする時間は５秒〜１５秒である。前記方法によって、前記第二凹部１６の底部に残されたナノインプリントのレジストを除去し、前記第二犠牲層１２０を露出させる。
次に、前記第二凹部１６の底部に設置された第二犠牲層１２０を除去し、前記第一犠牲層１１０を露出させる。
前記第二犠牲層１２０の材料によって、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を採用することができる。
前記第二犠牲層１２０の材料がアルミニウムである場合、ドライエッチング法を採用する。具体的には、前記第二凹部１６の底部に前記第二犠牲層１２０が露出した基板１０を、誘導結合プラズマ装置（図示せず）に置く。前記第二凹部１６の底部に設置された前記第二犠牲層１２０にナノインプリントのレジストが被覆されないので、酸素と塩素をエッチングガスとして、前記第二凹部１６の底部に設置された前記第二犠牲層１２０をエッチングし、前記第一犠牲層１１０を露出させることができる。本実施例において、前記誘導結合プラズマ装置の仕事率は５０ワットであり、塩素を導入する速度が２４ｓｃｃｍであり、気圧が２パスカル〜１０パスカルであり、エッチングする時間が４０秒〜５０秒である。
前記第二犠牲層１２０の材料がクロムである場合、ウェットエッチング法を採用する。具体的には、濃度が０．０６モル／リットル〜０．２５モル／リットルであるクロムエッチング液のＫ３［Ｆｅ（ＣＮ）６］を提供する。前記基板１０を前記クロムエッチング液の中に置き、４分〜１５分間浸漬する。前記第二凹部１６の底部に設置された前記第二犠牲層１２０がナノインプリントのレジストに被覆されないので、前記クロムエッチング液の作用で、前記第二凹部１６の底部に設置された前記第二犠牲層１２０が除去され、前記第一犠牲層１１０を露出させる。
その後、前記第二凹部１６の底部に設置された第一犠牲層１１０を除去し、基板１０を露出させる。
酸素プラズマ装置で前記第二凹部１６の底部に設置された第一犠牲層１１０を除去し、基板１０を露出させることができる。該酸素プラズマ装置の仕事率が４０ワット〜６０ワットであり、該酸素プラズマを導入する速度が４０ｓｃｃｍであり、気圧が２パスカル〜１０パスカルであり、エッチングする時間が３０秒〜５０秒である。前記方法によって、前記第二凹部１６の底部に設置された第一犠牲層１１０が除去され、基板１０を露出させる。
最後に、前記第二凹部１６の底部の一部の基板１０をエッチングし、有機溶剤で残された前記第一犠牲層１１０及び前記第二犠牲層１２０を除去し、ナノレベルのパターンを有する基板１００を形成する。
まず、前記基板１０を誘導結合プラズマ装置に置いて、四塩化ケイ素と塩素をエッチングガスとして、前記基板１０をエッチングする。前記第二凹部１６の底部の基板１０に前記第一犠牲層１１０が被覆されないので、前記第二凹部１６の底部の一部の基板１０が除去される。次に、アセトンで前記第一犠牲層１１０及び前記第二犠牲層１２０を除去し、ナノレベルのパターンを有する基板１００を形成する。本実施例において、該感応カップリングのプラズマ装置の仕事率は５０ワットであり、塩素を導入する速度が２０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍであり、四塩化ケイ素を導入する速度は２０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍであり、気圧が４パスカル〜１５パスカルである。
（実施例２）
図３及び図４を参照すると、本実施例は、前記ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供する。前記ナノインプリントの方法は、下記のステップを含む。
図３及び図４を参照すると、本実施例は、前記ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供する。前記ナノインプリントの方法は、下記のステップを含む。
ステップ２０１では、基板３０を提供し、該基板３０に、順次に第一犠牲層３１０及び第二犠牲層３２０を形成する。
本実施例において、前記基板３０の材料は、前記実施例１における基板１０の材料と同じである。前記第一犠牲層３１０及び第二犠牲層３２０の製造方法、構造、材料及び位置は、前記実施例１における第一犠牲層１１０及び第二犠牲層１２０の製造方法、構造、材料及び位置と同じである。
ステップ２０２では、一つ表面にナノレベルのパターンを有する金型６０を提供し、該金型６０のナノレベルのパターンを有する表面にナノインプリントのレジスト３３０を設置する。
本実施例において、一つ表面にナノレベルのパターンを有する金型６０は、前記実施例１における金型２０と、同じである。前記金型６０は、複数の第一凹部６６及び複数の第一凸部６４を含む。前記ナノインプリントのレジスト３３０は、前記実施例１におけるナノインプリントのレジストと、同じである。具体的には、ナノインプリントのレジスト３３０を、前記金型６０のナノレベルのパターンを有する表面に滴下し、真空雰囲気の下に１時間〜２時間放置する。
ステップ２０３では、前記基板３０の前記第二犠牲層３２０を、前記金型６０のナノインプリントのレジスト３３０が被覆された表面に接触させ、前記基板３０及び前記金型６０を併せて熱プレスした後、離型して該基板３０の第二犠牲層３２０に前記ナノインプリントのレジスト３３０からなるナノレベルのパターンを形成する。
具体的には、前記基板３０と前記金型６０とを合わせて、該基板３０の前記第二犠牲層３２０を、前記金型６０のナノインプリントのレジスト３３０が被覆された表面に接触させる。前記基板３０が被覆された金型６０を熱プレス装置に置き、前記熱プレス装置の真空度を５．０Ｅ−０３ミリバールに制御する。前記基板３０及び前記金型６０を前記ナノインプリントのレジスト３３０のガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱し、該ナノインプリントのレジストに優れた流動性を有させる。前記金型６０に１２ボンド／平方インチ〜１５ボンド／平方インチの圧力を印加し、５分〜１０分間保持し、前記ナノインプリントのレジスト３３０を前記金型６０のナノレベルのパターンの第一凹部６６の中に充填させ、前記基板３０の第二犠牲層３２０の表面に接着させる。その後、前記金型６０に３５ボンド／平方インチ〜６０ボンド／平方インチの圧力を印加し、温度を前記ナノインプリントのレジスト３３０のガラス転移温度Ｔｇに下げて、５分〜１０分間保持し、前記温度が２５℃〜５０℃に下がると、前記基板３０を前記金型６０から分離させ、該基板３０の第二犠牲層３２０に前記ナノインプリントのレジスト３３０からなるナノレベルのパターンを形成させる。前記ナノインプリントのレジスト３３０からなるナノレベルのパターンは、複数の第二凹部３６及び複数の第二凸部３４を含む。
ステップ２０４では、前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板３０を加工して、該基板３０の前記表面にナノレベルのパターンを形成する。
まず、ナノインプリントのレジストからなるナノレベルのパターンの第二凹部３６の底部に残されたナノインプリントのレジスト３３０を除去し、該第二凹部３６の底部に位置された前記第二犠牲層３２０を露出させる。次に、前記第二凹部３６の底部に位置された前記第二犠牲層３２０を除去し、前記第一犠牲層３１０を露出させる。その後、前記第二凹部３６の底部に位置された前記第一犠牲層３１０を除去し、前記基板３０を露出させる。最後、前記第二凹部３６の底部に位置された一部の基板３０を除去し、残された前記第一犠牲層３１０及び前記第二犠牲層３２０を有機溶剤で除去し、ナノレベルのパターンを有する基板３００を形成する。
本実施例において、前記ナノレベルのパターンを前記基板３０の表面に転写し、該基板３０の表面にナノレベルのパターンをエッチングする方法は、前記実施例１における方法と同じである。
本発明の実施例のナノインプリントのレジスト及びナノインプリントの方法は、下記の優れた点がある。第一に、前記ナノインプリントのレジストが化合物１を含み、低いガラス転移温度Ｔｇを有し、熱プレスを７５℃より小さい温度で行うことができるので、前記ナノインプリントのレジストが固化され、架橋反応を発生し、弾性率が高められ、変形が小さくなる。第二に、前記ナノインプリントのレジストが化学式２で示されるフルオロポリエーテルを含み、該フルオロポリエーテルが低い表面のエネルギーを有する材料であるので、該ナノインプリントのレジストが固化された後、粘着性が小さい。従って、前記ナノインプリントのレジストと前記基板とが粘着することを防止することができ、離型しやすく、ナノレベルのパターンの完全性及び解像度を高めることができる。第三に、前記メタクリル酸メチル樹脂及び前記有機希釈剤が前記ナノインプリントのレジストの粘着性及び流動性を調節することができるので、該ナノインプリントのレジストを前記ナノレベルのパターンに十分に充填させ、ナノレベルのパターンの欠点を減少し、ナノレベルのパターンの解像度を高めることができる。第四に、前記ナノインプリントの方法は、熱プレスの温度が低く、前もって前記型を処理する必要はないので、工程が簡単で、コストが減少する。
１０、３０ 基板
２０、６０ 金型
２４、６４ 第一凸部
２６、６６ 第一凹槽
１１０、３１０ 第一犠牲層
１２０、３２０ 第二犠牲層
１３０ レジスト層
３３０ レジスト
１４、３４ 第二凸部
１６、３６ 第二凹部
１００、３００ ナノレベルのパターンを有する基板
２０、６０ 金型
２４、６４ 第一凸部
２６、６６ 第一凹槽
１１０、３１０ 第一犠牲層
１２０、３２０ 第二犠牲層
１３０ レジスト層
３３０ レジスト
１４、３４ 第二凸部
１６、３６ 第二凹部
１００、３００ ナノレベルのパターンを有する基板
Claims (3)
- 化学式１で示される化合物と、化学式２で示されるフルオロポリエーテルと、メタクリル酸メチル樹脂と、有機希釈剤と、を含むことを特徴とするナノインプリントのレジスト。
- 基板の一つ表面に請求項１に記載の前記ナノインプリントのレジストを塗布して、レジスト層を形成するステップと、
一つ表面がナノレベルのパターンを有する金型を提供し、前記ナノレベルのパターンを前記レジスト層に転写するステップと、
前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板を加工し、該基板の前記一つの表面に前記ナノレベルのパターンを形成するステップと、
を含むことを特徴とするナノインプリントの方法。 - 基板を提供し、該基板の一つ表面に、順次に第一犠牲層及び第二犠牲層を形成するステップと、
一つ表面がナノレベルのパターンを有する金型を提供し、該金型のナノレベルのパターンを有する表面に、請求項１に記載の前記ナノインプリントのレジストを塗布するステップと、
該基板の前記第二犠牲層を、前記金型のナノインプリントのレジストが被覆された表面に接触させ、前記金型及び基板を併せて熱プレスし、該基板にナノインプリントのレジストからなるナノレベルのパターンを形成するステップと、
前記ナノレベルのパターンに対応して、前記基板を加工し、該基板の前記一つの表面に前記ナノレベルのパターンを形成するステップと、
を含む特徴とするナノインプリントの方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101080479A CN101923279B (zh) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 纳米压印模板及其制备方法 |
| CN2009101080464A CN101923283B (zh) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| CN2009101080445A CN101923282B (zh) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| CN200910108044.5 | 2009-06-09 | ||
| US12/712,178 US8202468B2 (en) | 2009-06-09 | 2010-02-24 | Nanoimprint resist, nanoimprint mold and nanoimprint lithography |
| US12/717,953 US8206639B2 (en) | 2009-06-09 | 2010-03-05 | Nanoimprint resist, nanoimprint mold and nanoimprint lithography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010284970A JP2010284970A (ja) | 2010-12-24 |
| JP5492667B2 true JP5492667B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=43300003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010132465A Active JP5492667B2 (ja) | 2009-06-09 | 2010-06-09 | ナノインプリント用レジスト及びナノインプリントの方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US8202468B2 (ja) |
| JP (1) | JP5492667B2 (ja) |
| CN (1) | CN101923282B (ja) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010049745A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体 |
| CN101923282B (zh) * | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| NL2005263A (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| DE112011102260T5 (de) * | 2010-07-02 | 2013-08-08 | Tokuyama Corp. | Photohärtbare Zusammensetzung zum Prägedruck und Verfahren zum Bilden eines Musters mittels der Zusammensetzung |
| JP5838160B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-12-24 | 綜研化学株式会社 | ナノインプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法 |
| JP5816625B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2015-11-18 | 日本碍子株式会社 | 成形型及びその製造方法 |
| KR101691157B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2017-01-02 | 삼성전자주식회사 | 나노임프린트용 스탬프 제조방법 |
| KR101775163B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2017-09-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 나노 임프린트용 몰드 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노 임프린트용 몰드 |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| CN102515091A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 哈尔滨工业大学 | 用于塑料功能性微结构表面批量化生产的采用软光刻技术复制塑料功能性微结构表面的方法 |
| US8921135B2 (en) | 2012-03-07 | 2014-12-30 | Ulvac, Inc. | Method for manufacturing device |
| JP5872369B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2016-03-01 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 微細凹凸パターン付き基材の製造方法 |
| KR102065324B1 (ko) * | 2012-04-27 | 2020-01-13 | 린텍 가부시키가이샤 | 열전 변환 재료 및 그 제조 방법 |
| US10126648B2 (en) | 2012-05-25 | 2018-11-13 | Micro Resist Technology Gesellschaft Für Chemische Materialien Spezieller Protoresistsysteme Gmbh | Composition suitable for use as a release-optimized material for nanoimprint processes and uses thereof |
| CN102709402B (zh) * | 2012-06-29 | 2015-11-18 | 中国科学院上海高等研究院 | 基于图形化金属衬底的薄膜太阳电池及其制作方法 |
| US9302424B2 (en) | 2013-01-03 | 2016-04-05 | Elwha, Llc | Nanoimprint lithography |
| US9561603B2 (en) | 2013-01-03 | 2017-02-07 | Elwha, Llc | Nanoimprint lithography |
| US9962863B2 (en) * | 2013-01-03 | 2018-05-08 | Elwha Llc | Nanoimprint lithography |
| JP2014225653A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-12-04 | 東洋合成工業株式会社 | 樹脂モールド |
| CN103279009B (zh) * | 2013-06-14 | 2015-09-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种柔性紫外光压印复合模板及其制备方法 |
| KR102160570B1 (ko) | 2013-10-02 | 2020-09-28 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN104562023A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 富泰华工业（深圳）有限公司 | 树脂与异质材料的复合体的制造方法 |
| CN106796911B (zh) * | 2014-07-20 | 2021-01-01 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 用于微转贴印刷的设备及方法 |
| CN104898371A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-09 | 河海大学常州校区 | 一种纳米压印易脱模方法 |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| EP3264144B1 (en) | 2015-07-24 | 2022-12-28 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Camera module and terminal |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| CN105097672A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 华南师范大学 | 一种电润湿显示下基板的制备方法 |
| US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
| US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| KR102097225B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2020-04-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 나노임프린트 리소그래피에서의 기재 전처리 및 식각 균일성 |
| US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10620539B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10103069B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-10-16 | X-Celeprint Limited | Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing |
| US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10222698B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with wicking posts |
| US11064609B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Printable 3D electronic structure |
| EP3559745B1 (en) * | 2016-12-22 | 2024-02-14 | Illumina, Inc. | Imprinting apparatus |
| US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
| CN110546734B (zh) | 2017-03-08 | 2024-04-02 | 佳能株式会社 | 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物 |
| KR102385158B1 (ko) | 2017-03-08 | 2022-04-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 임프린트 전처리 코팅 재료, 및 기판의 전처리 방법 |
| US11474429B2 (en) | 2017-06-09 | 2022-10-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of producing substrate with fine uneven pattern, resin composition, and laminate |
| EP3821456A4 (en) * | 2018-07-10 | 2022-03-16 | B.G. Negev Technologies and Applications Ltd., at Ben-Gurion University | NANOCOMPOSITE MOLD FOR THERMAL NANO-PRINTING AND METHOD FOR PRODUCTION |
| WO2020097319A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructured optical films and intermediates |
| US11018018B2 (en) * | 2018-12-05 | 2021-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Superstrate and methods of using the same |
| CN109750253B (zh) * | 2019-01-10 | 2020-11-10 | 江苏润祁项目管理有限公司 | 一种翘起结构的制备方法 |
| US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
| US11718580B2 (en) | 2019-05-08 | 2023-08-08 | Meta Platforms Technologies, Llc | Fluorene derivatized monomers and polymers for volume Bragg gratings |
| US11780819B2 (en) | 2019-11-27 | 2023-10-10 | Meta Platforms Technologies, Llc | Aromatic substituted alkane-core monomers and polymers thereof for volume Bragg gratings |
| US11062936B1 (en) | 2019-12-19 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Transfer stamps with multiple separate pedestals |
| US11879024B1 (en) * | 2020-07-14 | 2024-01-23 | Meta Platforms Technologies, Llc | Soft mold formulations for surface relief grating fabrication with imprinting lithography |
| US20220390839A1 (en) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Viavi Solutions Inc. | Method of replicating a microstructure pattern |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0003002B1 (de) * | 1977-12-22 | 1984-06-13 | Ciba-Geigy Ag | Verwendung von aromatisch-aliphatischen Ketonen als Photoinitiatoren, photopolymerisierbare Systeme enthaltend solche Ketone und neue aromatisch-aliphatische Ketone |
| GB9226527D0 (en) * | 1992-12-19 | 1993-02-10 | Ciba Geigy Ag | Liquid compositions |
| US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
| US20040036201A1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-02-26 | Princeton University | Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography |
| US8603386B2 (en) * | 1995-11-15 | 2013-12-10 | Stephen Y. Chou | Compositions and processes for nanoimprinting |
| US6814897B2 (en) * | 1998-03-27 | 2004-11-09 | Discovision Associates | Method for manufacturing a molding tool used for substrate molding |
| US6534600B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-03-18 | Michigan Molecular Institute | Hyperbranched polyureas, polyurethanes, polyamidoamines, polyamides and polyesters |
| US6788452B2 (en) | 2001-06-11 | 2004-09-07 | Sipix Imaging, Inc. | Process for manufacture of improved color displays |
| WO2004044654A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
| US7435074B2 (en) * | 2004-03-13 | 2008-10-14 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning |
| US7427441B2 (en) * | 2004-09-17 | 2008-09-23 | Eastman Kodak Co | Transparent polymeric coated conductor |
| WO2006084202A2 (en) | 2005-02-03 | 2006-08-10 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Low surface energy polymeric material for use in liquid crystal displays |
| JP4621036B2 (ja) | 2005-02-08 | 2011-01-26 | 太陽ホールディングス株式会社 | 感光性樹脂組成物、及びその硬化物並びに該硬化物からなる表示パネル用スペーサー |
| KR101137845B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 소프트 몰드의 제조방법 |
| JP5000112B2 (ja) | 2005-09-09 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法 |
| KR100889814B1 (ko) | 2006-07-25 | 2009-03-20 | 삼성전자주식회사 | 스탬퍼 및 그 제조방법과 스탬퍼를 이용한 기판의 임프린팅공정 |
| KR101463849B1 (ko) | 2006-09-27 | 2014-12-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 광 나노임프린트 리소그래피용 경화성 조성물 및 그것을사용한 패턴 형성 방법 |
| US7875313B2 (en) * | 2007-04-05 | 2011-01-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to form a pattern of functional material on a substrate using a mask material |
| KR20080105524A (ko) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | 삼성전자주식회사 | 마스크 몰드 및 그 제작방법과 제작된 마스크 몰드를이용한 대면적 미세패턴 성형방법 |
| KR20090027169A (ko) | 2007-09-11 | 2009-03-16 | 후지필름 가부시키가이샤 | 나노임프린트용 경화성 조성물, 경화물 및 그 제조 방법 |
| CN101923282B (zh) * | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
-
2009
- 2009-06-09 CN CN2009101080445A patent/CN101923282B/zh active Active
-
2010
- 2010-02-24 US US12/712,178 patent/US8202468B2/en active Active
- 2010-03-05 US US12/717,953 patent/US8206639B2/en active Active
- 2010-03-05 US US12/717,952 patent/US8344065B2/en active Active
- 2010-06-09 JP JP2010132465A patent/JP5492667B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-30 US US13/459,346 patent/US8282381B1/en active Active
- 2012-05-24 US US13/479,484 patent/US8574822B2/en active Active
- 2012-11-28 US US13/687,364 patent/US9120265B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100308008A1 (en) | 2010-12-09 |
| US20120232182A1 (en) | 2012-09-13 |
| CN101923282A (zh) | 2010-12-22 |
| JP2010284970A (ja) | 2010-12-24 |
| US20120244245A1 (en) | 2012-09-27 |
| US8206639B2 (en) | 2012-06-26 |
| US8344065B2 (en) | 2013-01-01 |
| CN101923282B (zh) | 2012-01-25 |
| US20100308009A1 (en) | 2010-12-09 |
| US9120265B2 (en) | 2015-09-01 |
| US8202468B2 (en) | 2012-06-19 |
| US20100308512A1 (en) | 2010-12-09 |
| US8574822B2 (en) | 2013-11-05 |
| US20130087528A1 (en) | 2013-04-11 |
| US8282381B1 (en) | 2012-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5492667B2 (ja) | ナノインプリント用レジスト及びナノインプリントの方法 | |
| TWI432892B (zh) | 供壓印微影術用之使用一黏著底層的方法 | |
| JP2005515617A (ja) | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 | |
| JP5292622B2 (ja) | 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法 | |
| WO2013084986A1 (ja) | テクスチャー構造を有するシリコン基板の製法 | |
| JPWO2013154075A1 (ja) | 微細パターンを表面に有する物品の製造方法 | |
| JP2010158805A (ja) | 光インプリント用モールドの製造方法 | |
| US20110303640A1 (en) | Nanoimprint method | |
| KR101797233B1 (ko) | 임프린트 방법과 이것에 사용하는 전사 기재 및 밀착제 | |
| US20070257396A1 (en) | Device and method of forming nanoimprinted structures | |
| JP2015131481A (ja) | ナノインプリント用レプリカ金型の製造方法 | |
| JP6008628B2 (ja) | 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターンの製造方法 | |
| CN101923283B (zh) | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 | |
| KR101636450B1 (ko) | 전도성 접착제 필름의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 전도성 접착제 필름 | |
| TW201403662A (zh) | 表面具有微細圖案的物品及其製造方法、以及光學物品、其製造方法及複製模具之製造方法 | |
| WO2011066450A2 (en) | Adhesion layers in nanoimprint lithography | |
| KR20050035134A (ko) | 비점착성 몰드를 이용한 패턴 구조의 재현 | |
| TWI389931B (zh) | 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法 | |
| JP5887871B2 (ja) | 被膜形成材料及びパターン形成方法 | |
| WO2024179027A1 (zh) | 玻璃制品的制作方法、玻璃制品及电子设备 | |
| CN115755541A (zh) | 基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法 | |
| TWI391418B (zh) | 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法 | |
| TWI386304B (zh) | 奈米壓印方法 | |
| MANSOUR | Tutorials and Tools | |
| TW200527500A (en) | Reverse photo-sensing imprint pattern-transferring process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130306 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131010 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140303 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5492667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |