JP5491247B2 - 光センサを用いた近接センサ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の近接センサの概略構成図である。図1は近接センサ100を側面から見た図であり、第1の光センサ101と、第2の光センサ102で構成される。
図2は、本発明の近接センサにおける第1の実施形態を示す概略回路図である。図2に示すように、第1の光センサ101は2つのフォトダイオードを並列に用いて構成しており、アノードが基準電源端子GNDへ接続され、カソードが出力端子203に接続されている。第2の光センサ102はアノードが出力端子203に接続され、カソードがプラス電源端子VDDに接続されている。
図3は、本発明の近接センサにおける第2の実施形態を示す概略回路図である。図3に示すように、第1の光センサ101は2つのフォトダイオードを並列に用いて構成しており、アノードが基準電源端子GNDへ接続され、カソードがレベルシフト回路301の入力端子302に接続されている。第2の光センサ102はアノードがレベルシフト回路301の入力端子302に接続され、カソードが基準電源端子GNDに接続されている。レベルシフト回路301の反転信号出力端子303は出力端子203に接続されている。
図4は、本発明の近接センサにおける第3の実施形態の概略回路図である。図4に示すように、第1の光センサ101のアノードがNチャネルMOSトランジスタ401のゲートおよびドレインに接続され、カソードがプラス電源端子VDDに接続されている。第2の光センサ102はアノードがNチャネルMOSトランジスタ402のドレインおよび出力端子203に接続され、カソードがプラス電源端子VDDに接続されている。NチャネルMOSトランジスタ401のソースは基準電源端子GNDに接続されている。NチャネルMOSトランジスタ402は、ソースは基準電源端子GNDに接続され、ゲートはNチャネルMOSトランジスタ401のゲートに接続される。
図5は、本発明の近接センサにおける第4の実施形態の概略回路図である。図5に示すように、第1の光センサ101のアノードがNチャネルMOSトランジスタ401のゲートおよびドレインに接続され、カソードが基準電源端子GNDに接続されている。第2の光センサ102はアノードがNチャネルMOSトランジスタ402のドレインおよびレベルシフト回路301の入力端子302に接続され、カソードが基準電源端子GNDに接続されている。NチャネルMOSトランジスタ401のソースは基準電源端子GNDに接続されている。NチャネルMOSトランジスタ402は、ソースは基準電源端子GNDに接続され、ゲートはNチャネルMOSトランジスタ401のゲートに接続される。レベルシフト回路301は反転信号出力端子303が出力端子203に接続される。なお、レベルシフト回路301は、前記した本発明の近接センサにおける第2の実施形態で用いたレベルシフト回路301と同じ構成であるので、構成と動作の説明は省略する。
図6は、本発明の近接センサにおける第5の実施形態の概略回路図である。図6に示すように、第1の光センサ101の光量変化を検出する構成を示している。なお、図6で示す構成と、図1で示す第2の光センサ102の光量変化を検出する構成も全く同じ構成で実現するため説明は省略する。
図7は、本発明の近接センサにおける第6の実施形態の概略回路図である。図6で示した本発明の近接センサにおける第5の実施形態との構成の違いは、第1の光センサ101のカソードを基準電源端子GNDに接続した点のみである。
23 動作表示灯
27 受光部
28 投光部
29 反射型の光センサ
30 照明器具
31 スイッチ回路
32 トライアック
33 スイッチ制御部
100 近接センサ
101 第1の光センサ
102 第2の光センサ
203 出力端子
301 レベルシフト回路
603 遅延回路
Claims (7)
- 入射された光量に対して異なった量の光電流を流す第一のPN接合素子と第二のPN接合素子を備えた光センサを用いた近接センサであって、
前記第一のPN接合素子を備えた第一の光センサと、
アノードが前記第一のPN接合素子のカソードと接続された前記第二のPN接合素子を備えた第二の光センサと、を備え、
前記第一の光センサと前記第二の光センサのどちらか一方が対象物を検知する場所に位置し、他方が前記対象物が検知されない場所に位置し、
前記第一のPN接合素子と前記第二のPN接合素子の接続点を前記近接センサの出力端子とする、
ことを特徴とする近接センサ。 - 前記第一のPN接合素子は、カソードを前記出力端子に接続され、アノードをグラウンド端子に接続され、
前記第二のPN接合素子は、カソードを電源端子に接続され、アノードを前記出力端子に接続される、ことを特徴とする請求項1記載の近接センサ。 - 前記近接センサは、前記第一のPN接合素子と前記第二のPN接合素子の接続点と前記出力端子の間にレベルシフト回路を備え、
前記第一のPN接合素子は、カソードを前記レベルシフト回路の入力に接続され、アノードをグラウンド端子に接続され、
前記第二のPN接合素子は、カソードをグラウンド端子に接続され、アノードを前記レベルシフト回路の入力に接続される、
ことを特徴とする請求項1記載の近接センサ。 - どちらか一方が対象物を検知する場所に位置し、他方が前記対象物が検知されない場所に位置する、第一の光センサと第二の光センサを備えた近接センサであって、
前記第一の光センサのPN接合素子は、アノードを第一のNチャネルMOSトランジスタのゲート及びドレインに接続され、カソードを電源端子に接続され、
前記第二の光センサのPN接合素子は、アノードを前記出力端子および第二のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続され、カソードを電源端子に接続され、
前記第一のNチャネルMOSトランジスタは、ソースはグラウンド端子に接続され、
前記第二のNチャネルMOSトランジスタは、ソースはグラウンド端子に接続され、ゲートは前記第一のNチャネルMOSトランジスタのゲートに接続される、
ことを特徴とする近接センサ。 - どちらか一方が対象物を検知する場所に位置し、他方が前記対象物が検知されない場所に位置する、第一の光センサと第二の光センサを備えた近接センサであって、
前記第一の光センサのPN接合素子は、カソードをグラウンド端子に接続され、アノードを第一のNチャネルMOSトランジスタのゲート及びドレインに接続され、
前記第二の光センサのPN接合素子は、カソードをグラウンド端子に接続され、アノードをレベルシフト回路の入力および第二のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続され、
前記第一のNチャネルMOSトランジスタは、ソースはグラウンド端子に接続され、
前記第二のNチャネルMOSトランジスタは、ソースはグラウンド端子に接続され、ゲートは前記第一のNチャネルMOSトランジスタのゲートに接続される、
ことを特徴とする近接センサ。 - 前記レベルシフト回路は、
第2のノードを放電する第2の定電流回路と、
ゲートにグラウンド端子の電圧が入力され、ソースに前記第2のノードの電圧が入力され、オン電流により第1のノードを放電するディプレッション型NチャネルMOSトランジスタと、
ゲートに前記第1のノードの電圧が入力され、オン電流により第3の定電流回路を介して、出力端子を充電する第1のPチャネルMOSトランジスタと、
ゲートに前記第2のノードの電圧が入力され、オン電流により出力端子を放電するNチャネルMOSトランジスタと、
ゲートに前出力端子の電圧が入力され、オン電流により第1の定電流回路を介して、前記第1のノードを充電する第2のPチャネルMOSトランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項3または5記載の近接センサ。 - 前記レベルシフト回路は、
第1のノードを放電する定電流回路と、
ゲートに前記第1のノードの電圧が入力され、オン電流により出力端子を放電するNチャネルMOSトランジスタと、
ゲートに前記第1のノードの電圧が入力されるPチャネルMOSトランジスタと、
ゲートに出力端子の電圧が入力され、オン電流により前記PチャネルMOSトランジスタを介して、前記出力端子を充電するディプレッション型NチャネルMOSトランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項3または5記載の近接センサ。
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