JP5488755B1 - 汚損監視装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で、湿度の影響を軽減して監視対象物の汚損度を監視する。
【解決手段】汚損度を監視する汚損監視装置は、所定の環境内に設置された監視対象物の汚損の程度を監視する汚損監視装置であって、２つの電極と該２つの電極間に跨る感湿材とを備える第１の電極部と、２つの他の電極と該２つの他の電極間に跨る他の感湿材とを備える第２の電極部と、２つの電極間に流れる第１の電流、及び２つの他の電極間に流れる第２の電流のそれぞれを計測する電流計測部と、第１の電流の計測結果と第２の電流の計測結果とを比較する比較部と、比較の結果に基づき、汚損の程度を判定し、監視する判定部とを備え、第１の電極部は、所定の環境と同じ湿度条件を備える第１の場所に設置され、第２の電極部は、第１の場所と同じ湿度条件の、汚損がないと見なすことのできる環境を備える第２の場所に設置されることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、所定の環境に設置され、該所定の環境での監視対象物の汚損の程度を監視する汚損監視装置に関する。

受配電設備等に設置されている各種電気機器では、その設置環境に応じて経年劣化が起こる。特に、電気機器を構成する各種絶縁物の表面は、塩分や塵埃の堆積による汚損により絶縁劣化が進行する。絶縁劣化が進行すると、電気機器の特性が変化したり、電気機器が正常に動作しなくなることがある。

このような絶縁劣化が起こったときに発生する電気機器の特性変化や動作不良を未然に防止するために、各種の異常診断装置が提案されている。

特許文献１には、絶縁物表面の汚損度を検出するための、次のような構成が開示されている。絶縁物に隣接して絶縁基板を設け、この絶縁基板の上面に、櫛形の一対の電極を互いに所定の距離離して対向させて設置する。一対の電極間には電圧が印加され、電極間に流れる電流を誘電特性検出器で検出することにより絶縁抵抗値を計測する。電極間の絶縁抵抗値が所定値以下になると、誘電特性検出器から出力した信号でアラームを表示する。

特許文献２には、機器の余寿命の算出を、高精度、かつ容易に行うことのできる絶縁診断センサが開示されている。絶縁診断センサは、受配電設備を構成する主回路部分に用いる固体絶縁材料と同等材料で、一方は未劣化状態の部位上に、他方は劣化した状態の部位上に、それぞれ一対の櫛形電極を設けたものである。絶縁診断センサを用いて、このセンサの劣化部位と未劣化部位の表面電気抵抗率の変化を測定し、予め測定された表面電気抵抗率の時間依存性基準曲線に基づいて受配電設備の余寿命を算出する。

特開平８−２２０１５８号公報 特開２００２−３７２５６１号公報

特許文献１及び２に開示された方法は、いずれも電極の設置された絶縁基板の電極間の沿面抵抗を測定し、その測定結果から、同じ環境に設置されている電気機器の絶縁物の絶縁劣化状態を監視する。

電極を設けた基板表面への塩分や塵埃の堆積等による汚損度が同程度であっても、沿面抵抗は周囲の湿度条件により大きな影響を受ける。従って、汚損度を精度良く評価するためには、沿面抵抗だけでなく、湿度も測定した上で、沿面抵抗の測定結果に対する湿度の影響を除外又は軽減する必要がある。

しかし、汚損度の評価に際して湿度の計測が必要になると、システムは構成要素が増え、複雑になる。更に、汚損度の評価において、湿度の測定結果に基づきその影響を除去又は軽減するための処理が必要となり、その処理も複雑になる。

本発明は、上記の事情の下になされたもので、簡単な構成及び処理により、湿度の影響を軽減した形で、所定の環境での監視対象物の汚損度を監視することができる汚損監視装置を提供することを目的とする。

本発明に係る汚損監視装置は、所定の環境内に設置された監視対象物の汚損の程度を監視する汚損監視装置であって、
２つの電極と、該２つの電極間に跨る感湿材とを備える第１の電極部と、
２つの他の電極と、該２つの他の電極間に跨る他の感湿材とを備える第２の電極部と、
前記２つの電極間に流れる第１の電流、及び前記２つの他の電極間に流れる第２の電流のそれぞれを計測する電流計測部と、
前記第１の電流の計測結果と前記第２の電流の計測結果とを比較する比較部と、
前記比較の結果に基づき、前記汚損の程度を判定し、監視する判定部と、
を備え、
前記第１の電極部は、前記所定の環境と同じ湿度条件を備える第１の場所に設置され、
前記第２の電極部は、前記第１の場所と同じ湿度条件の、前記汚損がないと見なすことのできる環境を備える第２の場所に設置される、
ことを特徴とする。

本発明に係る汚損監視装置によれば、簡単な構成及び処理により、湿度の影響を軽減した形で、所定の環境での監視対象物の汚損の程度を監視することができる。

本願の実施形態１に係る汚損監視装置の構成例を示すブロック図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の電極部の構成例を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の２つの電極部の設置される場所の複数の設定例を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の、電極部の汚損度の違いによる、通電電流の湿度依存性を示す図である。 感湿膜のない電極部を使用したときの、電極部の汚損度の違いによる、通電電流の湿度依存性を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の制御部のハードウェア構成例を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の電極部の変形例１を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の電極部の変形例２を示す図である。 実施形態１に係る汚損監視装置の他の構成例を示すブロック図である。 本願の実施形態２に係る汚損監視装置の構成例を示すブロック図である。 実施形態２に係る汚損監視装置の電極部と電極抵抗計測部の接続関係を示す図である。 本願の実施形態３に係る汚損監視装置の構成例を示すブロック図である。 本願の実施形態４に係る汚損監視装置の構成例を示すブロック図である。

（実施形態１）
本願の実施形態１に係る汚損監視装置を、図１〜６を参照して説明する。

図１に示すように、汚損監視装置１は、第１の電極部１０、第２の電極部１１、電源２０、電流計測部３０、及び制御部４０で構成される。第１の電極部１０は第１の場所５０に設置され、第２の電極部１１は第２の場所５１に設置される。

第１の電極部１０と第２の電極部１１は、同一の構成と形状を備えている。第１の電極部１０と第２の電極部１１は、共に、図２に示すように、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上に互いに対向して形成された２つの櫛形の電極１３と、櫛形の電極１３の上から電極１３と絶縁基板１２の表面を覆って形成される感湿膜１４とで構成される。２つの櫛形の電極１３は絶縁基板１２の表面に沿って、互いに距離Ｄ離れている。以下では、電極１３の形成された面を第１の電極部１０及び第２の電極部１１の表面と呼ぶ。

絶縁基板１２は、セラミック、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等の１つを含んで形成されている。

感湿膜１４は、イオン導電性高分子を材料として絶縁基板１２上に塗布又は蒸着などの成膜形成方法により形成される。より具体的には、イオン導電性高分子は、ポリイミド系、ポリアミド系、ポリアクリル酸系、シリコン系及びポリスチレン系のポリマー並びにセルロースからなる群から選択されるポリマーを主として含有するイオン導電性高分子である。

図２に示すように、２つの電極１３のそれぞれの一方の端部には、電源２０が接続され、その端部間に所定の交流電圧が印加される。２つの電極１３のそれぞれの他方の端部には出力信号の引き出し線が接続されている。引き出し線に流れる電流が２つの電極１３間の沿面抵抗の指標となる。

距離Ｄは、２つの櫛形の電極１３の間に印加する電圧に依存し、２つの電極１３の間の沿面に沿って３〜１５Ｖ／ｍｍの電界がかかるように設定される。印加電圧が±１Ｖの場合は、Ｄは、例えば０．１５ｍｍに設定される。

第１の電極部１０及び第２の電極部１１として、上記のような構成を有する市販の高分子抵抗型湿度センサを利用することができる。高分子抵抗型湿度センサは、湿度の指標として、２つの電極間の沿面抵抗の変化を、上記同様に２つの電極間に流れる電流により計測するためのセンサである。

第１の電極部１０は監視対象物の設置された環境における塩分や塵挨の堆積の程度を監視するための部位である。第２の電極部１１は、第１の電極部１０の出力から湿度に依存する分を補償するための部位である。これらの機能を達成するために、第１の電極部１０は、監視対象物の設置された環境、すなわち汚損の生じる環境である第１の場所５０に設置される。第２の電極部１１は、第１の場所５０と同じ湿度条件であって、汚損の生じにくい環境を備える第２の場所５１に設置される。

第１の電極部１０は、第１の場所５０内で、その表面を、汚損の生じやすい方向に向けて設置される。この方向は、通常、垂直上方である。

図３に、第１の電極部１０と第２の電極部１１の配置を含めて、第１の場所５０と第２の場所５１の５つの設定例を示す。

図３の設定例ａでは、第１の電極部１０及び第２の電極部１１はいずれも容器６０内に収納されている。容器６０は、その中に第１の電極部１０及び第２の電極部１１を設置する便宜のために、その上部が開閉可能に構成され、監視対象物の設置環境内に設置される。第１の電極部１０及び第２の電極部１１の表面は、いずれも垂直上方、すなわち図中矢印の方向Ｚに向くように設置されている。容器６０は、第１の電極部１０の上方に、第１の電極部１０の表面の領域を含む大きさの開口部６１を有している。容器６０の内側の高さは、第２の電極部１１を収納でき、容器６０内の湿度が、容器６０外の湿度と同じになるために必要な高さに設定されるとともに、第２の電極部１１の表面の上部空間ができるだけ小さくなるように設定される。この場合の第１の場所５０と第２の場所５１は、それぞれ図３の設定例ａに示す一点鎖線で囲まれた領域である。

図３の設定例ａに示す第１の場所５０は、開口部６１を介して監視対象物が設置される環境に対して開かれている。そのため湿度及び塩分・塵埃の各条件は、監視対象物が設置される環境と同じである。従って、第１の場所５０に設置された第１の電極部１０の表面では、監視対象物が設置される環境と同様に塩分や塵埃が堆積する。

第２の場所５１は、容器６０の、開口部６１から更に奥まったところに位置しており、第２の電極部１１の表面の上部空間が制限されている。そのため、第１の場所１０と異なり、塩分や塵挨が流入しにくく、第２の場所５１内に設置された第２の電極部１１の表面の上方に存在する塩分や塵埃の量は著しく少ない。そのため、第２の電極部１１の表面への塩分や塵埃の堆積の程度は第１の電極部１０の表面に比べて著しく小さくなる。一方、第１の場所１０と第２の場所１１の湿度は実質的には差がない。すなわち、第２の場所５１は、第１の場所５０と比べて、湿度は実質的に差がなく、塩分や塵埃の堆積の進行の程度が著しく小さい環境を備える。

なお、容器６０の上面は、塩分や塵埃が第２の電極部１１の表面に沈殿して堆積することを抑制する沈殿抑制板と言うことができる。容器という形態にこだわる必要はなく、第１の場所５０では、第１の電極部１０の上方が、監視対象物の設置されている環境に対して開放され、第２の場所５１では、第２の電極部１１の上方のそれほど離れていない位置に沈殿抑制板が配置されていればよい。

図３の設定例ｂは、第２の電極部１１の設置位置と表面の向きが、設定例ａの場合と逆であるが、それ以外については同じである。従って、第１の場所５０と第２の場所５１のそれぞれの環境は設定例ａの場合と同じである。

設定例ｂでは第２の電極部１１の表面が下方に向くように設置されている。そのため、第２の電極部１１の表面に対する塩分や塵埃の堆積の進行度は設定例ａの場合に比べて小さくなる。従って、第２の電極部１１の表面に対する塩分や塵埃の堆積の進行度は、設定例ａの場合よりも更に小さくなる。

図３の設定例ｃは設定例ｂの変形例である。第２の場所５１は設定例ｂの場合と同じく容器６０内に設定される。設定例ｃが、設定例ｂと異なる点は、第１の場所５０が容器６０の外にある支持部６２上に設定されていること、開口部６１の位置が容器６０の上面ではなく側面に形成されていること、及び開口部６１の開口の大きさがより小さくなったことである。容器６０の内側の高さと開口部６１の大きさは、容器６０の内部の湿度が、監視対象物が設置される環境と同じになるように決められる。なお、開口部６１は、監視対象物が設置される環境に対して開放された位置に形成され、側面でなく下面に形成されても良い。

このときの第１の場所５０は、監視対象物が設置される環境内に開放された状態で設定されていることになる。そのため、第１の場所５０は、湿度及び塩分や塵埃の各条件が、監視対象物が設置される環境と同じ環境を備える。一方、その内部に第２の場所５１が設定される容器６０は、開口部６１が上面ではない位置に形成され、開口部６１の開口が設置例ｂの場合よりも小さく形成されている。そのため、第２の場所５１は、設定例ｂの場合と同様に、湿度は、第１の場所５０と同じであるが、塩分や塵埃の堆積の進行の程度は、設定例ｂにおける第２の場所５１よりも更に小さくなる。従って、第２の場所５１は、第１の場所５０と比べて、塩分や塵埃の堆積の進行の程度が小さい環境を備える。

第２の電極部１１の表面は、上方、下方のいずれに向けて設置されてもよいが、図３の設置例ｃでは、下方に向けて設置された例を示す。設置例ｂで説明したように、下方に向けて設置したほうが、第２の電極部１１の表面への塩分や塵埃の堆積の進行の程度はより小さくなる。

図３の設定例ｄは設定例ｃの変形例である。異なる点は、第２の電極部１１の表面の向きと、容器６０が第１の電極部１１の表面の向きに合わせた形状を有していることである。容器６０を開口部６１を含めて設定例ｃの場合と同様に形成すれば、第２の場所５１は、第１の場所５０と比べて、湿度は実質的に差がなく、塩分や塵埃の堆積の進行の程度が著しく小さい環境を備える。

設定例ｄでは、第２の電極部１１は、その表面を水平方向に向けて設置される。このような向きに設置された場合は、上方に向けて設置された場合と比べて、第２の電極部１１の表面への塩分や塵埃の堆積の進行の程度は更に小さくなる。

図３の設定例ｅは設定例ｃの他の変形例である。第１の場所５０は容器６０の外面上部（上面）に設定されている点が設定例ｃと異なる。このような配置にすれば第１の場所５０と第２の場所５１の設定に必要な面積を合計した面積を低減することができる。容器６０の開口部６１は下方に設けてあるが側面に設けても良い。この場合も、第２の場所５１は、第１の場所５０と比べて、湿度は実質的に差がなく、塩分や塵埃の堆積の進行の程度が著しく小さい環境を備える。

図３の設定例ｆは設定例ｅの変形例である。設定例ｅと異なる点は、第２の場所５１が容器６０で囲われていない点である。第１の電極部１０は支持部６２の上方表面に、第２の電極部１１は支持部６２の裏面にそれぞれ設置される。

この場合も第２の場所５１は、第１の場所５０と比べて、湿度は実質的に差がなく、設定例ｅの場合よりも劣るものの、塩分や塵埃の堆積の進行の程度が小さい環境を備える。

なお、設定例ｃ〜ｅについては、開口部６１に例えばメッシュなどの塩分や塵埃に対するフィルタ手段を設置してもよい。これにより、第２の場所５１内への塩分や塵挨の流入が更に低減する。

第２の場所５１を、温度、湿度の計測を行う環境測定装置内に設定してもよい。環境測定装置内は図３に示す容器６０の内部と同様の環境条件を備える。

第１の場所５０と第２の場所５１の設定はこれらの設定例に限定されない。第１の場所５０は、監視対象物が設置される環境と同じ環境を備え、第２の場所５１は、湿度の条件が第１の場所５０と同じで、塩分や塵埃による汚損の進行の程度が、第１の場所５０に比べて著しく小さくなるような、塩分や塵埃の条件を備える場所であればどのように設定されてもよい。

図２に戻る。図２に示されているように、第１の電極部１０の２つの電極１３の間に電源２０により所定の交流電圧が印加される。第２の電極部１１においても同様である。すなわち、図１に示すように、第１の電極部１０と第２の電極部１１のそれぞれの２つの電極１３は、電源２０に並列に接続されている。

電流計測部３０は、図１に示すように、第１の電流計測部３１と第２の電流計測部３２とで構成される。第１の電流計測部３１は、第１の電極部１０の２つの電極１３の間の感湿膜１４の沿面抵抗の指標となる第１の電流を計測する。第２の電流計測部３２は、第２の電極部１１の２つの電極１３の間の感湿膜１４の沿面抵抗の指標となる第２の電流を計測する。具体的には、第１の電流計測部３１及び第２の電流計測部３２は、いずれも電流測定器である。図２に示すように、２つの櫛形の電極１３の間に、電源２０により電圧が印加されることによって、第１の電流計測部３１は、その２つの電極１３の間に感湿膜１４を介して流れる電流を第１の電流として計測する。この電流は、感湿膜１３の沿面抵抗に依存して変化するので、沿面抵抗の指標となる。第２の電流計測部３２においても同様に第２の電流を計測する。なお、電流計測部３０の第１の電流計測部３１と第２の電流計測部３２はそれぞれＡＤＣ（Analogue Digital Converter）を備え、計測結果をデジタル化して出力する構成にしてもよい。

制御部４０は、比較部４１と判定部４２とを備える。

比較部４１は、第１の電流計測部３１で計測された第１の電流の計測結果と第２の電流計測部３２で計測された第２の電流の計測結果とを入力する。第１の電流の計測結果と第２の電流の計測結果を比較部４１に入力する際には、例えばマルチプレクサを介して入力してもよい。比較部４１は、入力された第１の電流と第２の電流の計測結果を比較し比較結果を取得する。具体的には、第１の電流の計測結果から第２の電流の計測結果を差し引いた差分値を算定し、差分値を比較結果として取得する。比較部４１は、比較結果を判定部４２に送る。差分値の意義は次の通りである。

第１の場所５０に設置された第１の電極部１０の感湿膜１４の表面では、監視対象物に対する場合と同様に塩分や塵挨の堆積による汚損が進行する。この汚損により感湿膜１４の沿面抵抗は減少する。従って、第１の電流計測部３１で計測された第１の電流は、この沿面抵抗の減少、すなわち汚損度の指標となる。しかし、この第１の電流は、図４に通電電流として示すように、第１の電極部１０が設置された環境の湿度に依存して大きく変動する。

図４に示す曲線は、電極部表面の汚損度が条件１から４に対応したものであるとき、汚損度毎に、電極部の通電電流の湿度依存性を調べた実験結果を示したものである。なお、通電電流とは電極部の２つの電極１３の間に流れる電流であり、第１の電流や第２の電流に対応する。

図４に係る実験条件は、次の通りである。
（１）電極部
電極部は、図２に示すように、絶縁基板１２と、その上に形成された、相互間の距離がＤの２つの櫛形の電極１３と、感湿膜１４とで構成される。感湿膜１４は、２つの櫛形の電極１３及びその間の絶縁基板１２を含むように、電極１３の上から塗布して形成される。絶縁基板１２は材料はセラミック、感湿膜１４はポリマー樹脂で形成されている。Ｄは０．１５ｍｍである。
（２）電源
電源２０により２つの櫛形の電極１３の間に印加される電圧条件は、電圧波高値±１Ｖ、周波数１ＫＨz、波形は矩形波である。
（３）汚損の条件
汚損の条件は次の通りである。
条件１；汚損なし。
条件２；水道水に、重量０．１％の食塩を溶解し、重量５％のとの粉を懸濁させた液を電極部表面に塗布した。等価塩分量は０．００３ｍｇ／ｃｍ ^２ である。
条件３；水道水に、重量０．５％の食塩を溶解し、重量５％のとの粉を懸濁させた液を電極部表面に塗布した。等価塩分量は０．０１５ｍｇ／ｃｍ ^２ である。
条件４；水道水に、重量１％の食塩を溶解し、重量５％のとの粉を懸濁させた液を電極部表面に塗布した。等価塩分量は０．０３ｍｇ／ｃｍ ^２ である。
屋内盤の許容汚損度の目安は等価塩分量０．０１ｍｇ／ｃｍ ^２ 以下である。従って、条件２は、屋内盤の許容汚損度の目安より、汚損度が低い状態、条件３は、屋内盤の許容汚損度の目安より、やや汚損度が進行した状態、条件４は、かなり汚損度が進行した状態に対応する。
（４）湿度条件
相対湿度の範囲を５０〜９０％とした。

条件１は、第２の場所５１に設置した第２の電極部１１の汚損がないときに該当する。条件２〜４は、それぞれ、第１の場所５０に設置した第１の電極部１０の汚損度が異なるときに該当する。従って図４の条件１に対応した曲線は、第２の電極部１１で計測される第２の電流の湿度依存性を示し、図４の条件２〜４に対応した曲線は、異なる汚損度の第１の電極部１０で計測される第１の電流の湿度依存性を示す。

図４から、実験の結果を次のようにまとめることができる。
（１）条件１、すなわち汚損の無い状況下では、湿度が高くなるに従って通電電流が増加するという湿度依存性を示す曲線が得られた。この曲線は第２の電極部１１で計測される第２の電流の湿度依存性を示す。これは、電極部として使用できるとした高分子抵抗型湿度センサの原理からも予測できる特性である。
（２）条件２と、条件１とに対応するそれぞれの曲線間に有意差は認められなかった。すなわち汚損度が所定値より低い状態の第１の電極部１０の通電電流の湿度依存性は、汚損の無いときの第２の電極部１１の通電電流の湿度依存性と有意差がない。
（３）条件３では、条件１の場合の通電電流の湿度依存特性を示す曲線を約１０％低湿度側にシフトさせた特性を有する結果が得られた。すなわち、第１の電極部１０の表面の汚損度が、屋内盤の許容汚損度の目安よりも、ある程度大きくなった場合は、第１の電極部１０の通電電流の湿度依存特性は、汚損の無いときの第２の電極部１１の通電電流の湿度依存特性を約１０％低湿度側にシフトさせた特性となる。
（４）条件４では、条件１の場合の通電電流の湿度依存特性を示す曲線を約２０％低湿度側にシフトさせた特性を有する結果が得られた。すなわち、第１の電極部１０の表面の汚損度が更に大きくなった状態の第１の電極部１０の通電電流の湿度依存特性は、汚損の無いときの第２の電極部１１の通電電流の湿度依存特性を約２０％低湿度側にシフトさせた特性となる。

図４の条件１〜４に対応する曲線は、横軸方向のシフトによりほぼ重なるような同様な形状の曲線となっている。従って、第１の電極部１０を流れる第１の電流の計測結果から第２の電極部１１を流れる第２の電流の計測結果を差し引いて得られる差分値は、第１の電流から、湿度による影響分を少なくとも一部除去したものとなる。すなわち、差分値は、湿度の影響を軽減した形の汚損度の指標となる。

比較のために、感湿膜１４を備えていない第１の電極部１０及び第２の電極部１１を使用したときそれぞれの２つの電極１３間に流れる電流の湿度依存性を図５に示す。条件は、電極部が感湿膜を備えていないと言う点を除き、図４の場合と同じである。図５から、次のことがわかる。
（１）汚損がないときは通電電流はほとんどなく湿度依存性もない。
（２）汚損度が所定のレベルよりも低いときも、高湿度のときを除き、通電電流は小さくその湿度依存性も小さい。
（３）汚損度が所定のレベルよりも高いときは、汚損度に応じて通電電流は大きくなり、その湿度依存性は顕著になる。

すなわち、感湿膜１４を有していない場合には、第１の電極部１０の汚損度が所定のレベル以上になると第１の電極部１０の第１の電流は湿度に依存して大きく変化するが、汚損がないときに対応する第２の電極部１１の第２の電流は湿度による影響をほとんど受けない。

従って、従来、汚損度の監視に使用されていた、感湿膜１４を有しない第１の電極部１０と第２の電極部１１を使用して、第１の電流と第２の電流のそれぞれの計測結果から差分値を求めても、その差分値は、湿度の影響を軽減した形の汚損度の指標とはならない。

上述したように、感湿膜１４を備えた第１の電極部１０及び第２の電極部１１を使用することにより、第１の電流と第２の電流のそれぞれの計測結果から求めた差分値は、湿度の影響を軽減した形の汚損度の指標となる。

図１に戻る。判定部４２は、比較部４１で取得された比較結果、すなわち差分値に基づき、第１の電極部１０の汚損度、従って監視対象物の汚損度を判定する。また、判定の結果に応じて予め定めた出力を行う。具体的には、差分値が閾値以上かどうかを判定する。差分値が閾値以上であれば、図１では図示を省略した、例えば警報装置や表示装置等に絶縁異常信号を出力する。閾値は予め設定され、判定部４２がこれを保有している。差分値が閾値以上でなければ特に出力しない。

閾値は、例えば次のようにして予め設定される。監視対象物の絶縁物が絶縁異常と判定される程の劣化を引き起こす汚損度に対応する汚損度の第１の電極部１０の第１の電流を計測する。また、このときと同じ湿度条件下で、第２の場所に相当する場所に設置された第２の電極部１１の第２の電流を計測する。第１の電流の計測結果から第２の電流の計測結果を差し引いた差分値を閾値とする。

差分値が、このように設定された閾値以上である場合とは、監視対象物の絶縁物に対する汚損度が、その絶縁物が絶縁異常と判定される程の劣化を引き起こす程の汚損度が生じていると考えられる場合である。すなわち、判定部４２は、差分値が閾値以上であるかどうかを判定することにより、汚損度を監視し、その汚損度が異常とみなせるかどうかを判定する。

図６は、制御部４０のハードウェア構成例を示す。制御部４０は、入力部２００、ＣＰＵ（Central processing Unit）２１０、メモリ２２０、及び出力部２３０を備え、それらがバスライン２４０で相互に接続されている。

メモリ２２０はＣＰＵ２１０が実行するプログラムと閾値が格納されている。制御部４０の電源がＯＮとなった時点でＣＰＵ２１０はメモリ２２０からプログラムを読みだして実行することにより、入力部２００、メモリ２２０、及び出力部２３０を制御して、比較部４１と判定部４２の機能を達成する。具体的には次の通りである。

入力部２００は、第１の電流と第２の電流の計測結果を入力する。ＣＰＵ２１０は、入力された第１の電流と第２の電流のそれぞれの計測結果から差分値を算定する。以上が比較部４１の機能に対応する。

ＣＰＵ２１０は、メモリ２２０に格納されている閾値を読みだして、算定した差分値が閾値以上であるかどうかを判定する。差分値が閾値以上であれば絶縁異常を検知した旨の信号を外部に、例えば警報装置や表示装置に出力する。以上が判定部４２の機能に対応する。

次に、汚損監視装置１の動作について説明する。
第１の電極部１０は、汚損による経年劣化の監視対象物を設置する環境内の第１の場所５０に設置される。第２の電極部１１は、汚損による経年劣化の監視対象物を設置する環境内の、汚損の要因が第１の場所５０よりも著しく低減され、汚損が生じないと見なすことができる第２の場所５１に設置される。第２の場所５１の湿度の条件は第１の場所５０と同じである。

電源２０は、第１の電極部１０及び第２の電極部１１を構成するそれぞれ２つの電極１３の一端に所定の交流電圧を印加する。

電流計測部３０は、第１の電極部１０及び第２の電極部１１を構成するそれぞれの感湿膜１４を介して２つの電極１３の間に流れる電流を、第１の電極部１０により第１の電流として、第２の電極部１１により第２の電流としてそれぞれ計測する。

比較部４１は第１の電流の計測結果と第２の電流の計測結果を入力し、両者の差分値を算定する。

判定部４２は算定された差分値が閾値以上であるかどうかを判定する。判定結果に応じて予め定めた絶縁異常検知信号を外部に出力する。

実施形態１に係る汚損監視装置１は、以上のように構成され、動作するので、簡単な構成及び処理により、湿度の影響を軽減した形で、所定の環境での監視対象物の汚損度を監視することができる。

比較部４１は、第１の電流の計測結果から第２の電流の計測結果を差し引いた差分値を算定し、差分値を比較結果として取得するとしたが、これに限定されない。例えば、比較部４１は、第２の電流の計測結果に対する第１の電流の計測結果の比を算定し、算定した比を比較結果として取得してもよい。このような汚損監視装置１も、上記と同様の効果を奏することができる。このときの閾値は比に対応したものとする。

第１の電極部１０と第２の電極部１１においては、それぞれを構成する２つの電極は櫛形の電極１３であるとしたが、これに限定されない。図７に電極部の変形例１として示すように、互いに距離Ｄ離れた棒状の電極１３であってもよい。変形例１に示す第１の電極部１０及び第２の電極部１１を使用した場合であっても、その汚損監視装置は、簡単な構成及び処理により、湿度の影響を軽減した形で、所定の環境での監視対象物の汚損度を監視することができる。

第１の電極部１０と第２の電極部１１の、それぞれを構成する２つの電極１３間に印加する電圧波形は、これまで、矩形波とした場合の実験例に説明したが、これに限定されない。例えば、正弦波であっても同様な結果が得られる。

図８に電極部の変形例２を示す。図８に示す第１の電極部１０及び第２の電極部１１を構成する感湿膜１４は、電極１３の上に形成されているのではなく、絶縁基板１２の上に形成されている。２つの電極１３は感湿膜１４の上に形成される。

第１の電極部１０及び第２の電極部１１がこのような構成のものであっても、これまで説明した第１の電極部１０及び第２の電極部１１の場合と同様に、第１の電流及び第２の電流は、それぞれ、第１の電極部１０及び第２の電極部１１のそれぞれの２つの電極１３間に、感湿膜１４を介して流れる電流である。

また、図示しない変形例３に係る電極部は、絶縁基板１２を多孔質セラミックなどの吸湿性の素材としたものである。この場合は絶縁基板１２が変形例２の感湿膜１４の機能を併せ持つ。

従って、第１の電極部１０及び第２の電極部１１として変形例２及び３のいずれを使用したものであっても、その汚損監視装置１は、簡単な構成及び処理により、湿度の影響を軽減した形で、所定の環境での監視対象物の汚損度を監視することができる。

図９に汚損監視装置１の他の構成例を示す。図１の構成と異なる点は、次の通りである。第１のスイッチ７０が第１の電極部１０と電流計測部３０の間の電路に設けられ、その電路の開閉を行う。また、第２のスイッチ７１が第２の電極部１１と電流計測部３０の間の電路に設けられ、その電路の開閉を行う。電流計測部３０は１台のみで構成されている。また、制御部４０は、更にスイッチ制御部４３を備える。

スイッチ制御部４３は、第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１のスイッチの開閉を制御する開閉制御信号を、出力部２３０を介して、第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１に出力する。更に、開閉制御信号は比較部４１にも送られる。スイッチ制御部４３は、ハードウェアとしては図６のＣＰＵ２１０と出力部２３０とで構成される。ＣＰＵ２１０は所定のタイミングで開閉制御信号を発生すると共に出力部２３０を介して第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１に開閉制御信号を送信して第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１の開閉を制御する。更に、開閉制御信号を、ＣＰＵ２１０で具現化された比較部４１に送る。

開閉制御信号は、第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１の一方が開で他方が閉となるような制御信号である。

動作について説明する。
スイッチ制御部４３が、第１のスイッチ７０が閉、第２のスイッチ７１が開となるような開閉制御信号を第１のスイッチ７０、第２のスイッチ７１、及び比較部４１に送信する。電流計測部３０はこのとき第１の電流を計測することになる。比較部４１は、入力された開閉制御信号に基づき、電流計測部３０から比較部４１に入力された信号が、第１の電流の計測結果であることを認識する。次に、スイッチ制御部４３が、第１のスイッチ７０が開、第２のスイッチ７１が閉となるような開閉制御信号を第１のスイッチ７０、第２のスイッチ７１、及び比較部４１に送信する。電流計測部３０はこのとき第２の電流を計測することになる。比較部４１は、入力された開閉制御信号に基づき、電流計測部３０から比較部４１に入力された信号が、第２の電流の計測結果であることを認識する。このようにして比較部４１は電流計測部３０から入力された信号から第１の電流と第２の電流の計測結果を識別し、差分値を算定する。その後の判定部４２の処理はこれまでの説明と同様である。

この他の構成例に係る汚損監視装置１によれば簡単な第１のスイッチ７０と第２のスイッチ７１を付加するだけで、電流計測部を１台に減らすことができる。スイッチ制御部４３はすでに存在するＣＰＵ２１０を利用して実現することができる。したがって、この他の構成例によれば、これまで説明した効果を維持しつつ、汚損監視装置１の構成を簡略化することができる。

比較部４１と判定部４２は、ＣＰＵ２１０を使って構成される制御部４０の構成要素であるとして説明したが、図１に示す構成の汚損監視装置１の場合であれば、ＣＰＵ２１０を使用せずに構成することができる。この目的のためには、比較部４１は例えば差動回路で構成する。差動回路の一方の入力は第１の電流の信号、他方の入力は第２の電流の信号とする。このときの差動回路の出力は、第１の電流と第２の電流の差に相当する。また、判定部４２は例えば弁別回路で構成する。このときの入力は差分値、すなわち差動回路の出力であり、弁別レベルを閾値に設定する。差分値が閾値以上であるときは所定の信号が出力され、これが絶縁異常検知信号となる。

第１の電極部１０と第２の電極部１１は同一構成と形状を有しているとしたが、必ずしもこれに限定されない。両電極部は、感湿膜又は感湿材を装備していればよく、それ以外については異なる構成や形状であってもよい。第１の電極部１０と第２の電極部１１のそれぞれの２つの電極１３の間に印加する電圧条件も必ずしも同じでなくてもよい。異なる点があることによる両電極部の特性の差については、その差を予め把握しておくことで、その差を補正することができる。両電極部における条件が異なる場合であっても、両電極の特性の差を補正することにより、その汚損監視装置１はこれまで述べた効果と同様の効果を奏することができる。

（実施形態２）
実施形態２に係る汚損監視装置１は、腐食ガスによる腐食に起因する金属の汚損度を監視対象に加えたものである。図１０に実施形態２に係る汚損監視装置１の構成例を示す。この汚損監視装置１は図１に示す汚損監視装置１に対して、電極抵抗計測部８０が追加されている。電極抵抗計測部８０は第１の電極部１０に接続されている。第１の電極部１０と第２の電極部１１はいずれも、感湿膜１４が絶縁基板１２の表面に形成され、２つの電極１３が感湿膜１４の上に形成されたもの、又は絶縁基板１２が感湿材で形成されたもの、のいずれかであり、電極１３は電極部表面に露出している。電極抵抗計測部８０に関連する部分以外についてはその構成は実施形態１の場合と同じであるため、ここでは説明を省略する。

電極抵抗計測部８０は、第１の電極部１０を構成する２つの電極１３の少なくとも一方の両端間の電極抵抗を計測する。電極抵抗の計測結果は判定部４２に出力される。

図１１に、電極抵抗計測部８０と第１の電極部１０、及び両者の接続関係を示す。図示の簡略化のために第１の電極部１０の２つの電極１３は棒状電極としている。第２の電極部１１も同じ形状を有する。図１１は、２つの電極１３の両方について、それぞれの電極抵抗ａと電極抵抗ｂとを計測する例を示す。そのため、電極抵抗計測部８０は、第１の抵抗計測部８１と、第２の抵抗計測部８２とを備える。

第１の抵抗計測部８１は、一方の電極１３の両端間に接続され、両端間の電極抵抗ａを計測する。第２の抵抗計測部８２は、他方の電極１３の両端間に接続され、両端間の電極抵抗ｂを計測する。一方の電極１３についてのみ電極抵抗を計測する場合は、第１の抵抗計測部８１、及び第２の抵抗計測部８２のいずれか一方だけで良い。

判定部４２は、入力した電極抵抗ａと電極抵抗ｂのいずれかの計測値が所定の抵抗閾値以上であるかどうかを判定し、判定結果に応じて腐食異常検知信号を出力する。

第１の場所５０が腐食ガスの存在する環境である場合、表面に露出している電極１３は、腐食ガスにより腐食が進行する。腐食が進行すると電極１３が細くなったり電極１３で断線が生じることがある。

判定部４２は、電極抵抗計測部８０による電極抵抗の計測結果が所定の抵抗閾値以上であれば、電極１３が腐食により異常に細くなったか又は断線したと判断する。そして、判定部４２は、そのような環境に設置されている監視対象物は、腐食性異常が生じている恐れが高いとして腐食性異常検知信号を出力する。

実施形態２に係る汚損監視装置１によれば、塩分や塵埃などの堆積による絶縁物の汚損度を、湿度の影響を軽減して監視できると共に、金属の腐食による汚損度も合わせて監視することができる。

電極１３を、電気化学的マイグレーションの起こりやすい金属、例えば銀等で形成してもよい。このような電極１３は腐食ガスの影響を強く受ける。従って、このような電極１３を使用した汚損監視装置は、腐食ガスによる汚損度を高感度に監視することができる。

電極抵抗計測部８０は、電極の両端間の電気抵抗ではなく導通の有無を計測してもよい。導通無しという計測結果が得られたときは、腐食による汚損度が所定の程度進行していることが担保されるので、判定部４２は、入力信号、すなわち導通無しという計測結果と、抵抗閾値との比較は行わずに、腐食異常検知信号を出力する。

(実施形態３)
図１２に実施形態３に係る汚損監視装置の構成を示す。この例では、実施形態１で説明した第２の場所５１に設置した第２の電極部１１を、湿度センサとして兼用し、湿度を計測する。図１と異なる点は、制御部４０が湿度評価部４４と湿度制御部４５とを備えることである。

湿度評価部４４は、第２の電流計測部３２で計測された第２の電極部１１の第２の電流を入力する。湿度評価部４４は、入力した第２の電流の計測結果と、図４に示す条件１の曲線から相対湿度を求める。図４に示す条件１の曲線に対応するデータは予めメモリ２２０に格納されている。湿度評価部４４はこのデータをメモリ２２０から読み出して利用する。

湿度制御部４５は、湿度評価部４４で求めた相対湿度を入力し、この相対湿度に基づき予め設定された要領で監視対象物の設置されている環境の湿度を制御する。具体的には、相対湿度が予め設定された湿度閾値以上となったとき、湿度制御信号を出力する。湿度低減手段３００は湿度制御信号により動作する。湿度制御部４５は、湿度制御信号により、湿度低減手段３００を動作させることにより、当該環境の湿度を所定の湿度以下になるように制御する。湿度低減手段３００は、例えばスペースヒータ又は除湿装置などで構成される。

湿度評価部４４は、ハードウェアとしては図６の入力部２００と、ＣＰＵ２１０と、メモリ２２０とで構成される。すなわち、入力部２００は第２の電流の計測値を入力する。メモリ２２０は制御プログラムと図４に示す条件１の曲線に対応するデータを格納する。ＣＰＵ２１０はメモリ２２０から制御プログラムを読み出して実行する。これにより実施形態３に係る機能を実現するように各部を制御する。更にＣＰＵ２１０は、メモリ２２０から図４に示す条件１の曲線に対応するデータを読み出し、このデータと入力された第２の電流の計測値とから相対湿度を求める。

湿度制御部４５は、ハードウェアとしては図６のＣＰＵ２１０と、メモリ２２０と、出力部２３０とで構成される。メモリ２２０は湿度閾値を更に格納する。ＣＰＵ２１０は湿度評価部４４で求めた相対湿度と、メモリ２２０から読み出した湿度閾値とを比較し、相対湿度が湿度閾値以上のとき湿度制御信号を、出力部２３０を介して出力する。

このように湿度を所定値以下に制御するのは、監視対象物の設置環境の湿度が所定値よりも上昇すると、汚損による絶縁劣化が急激に進行するなど電気機器に対する悪影響が増大するためである。

実施形態３に係る汚損監視装置１によれば、第２の場所５１に設置した第２の電極部１１を湿度センサとして兼用することにより、湿度センサを別途増設することなく湿度情報を得ることができる。更に、得られた湿度情報から、監視対象物の設置環境の湿度を所定値以下に制御する必要性を判定することができる。従って、実施形態３に係る汚損監視装置１によれば、簡便な装置構成により、電気機器の設置環境の湿度制御の要否を判定できる。湿度の制御を実行すれば、監視対象物の設置環境の湿度を所定値以下に制御することができ、汚損による絶縁物の劣化を低減することができる。実施形態３の構成は実施形態１又は２の構成と併せて実現することができる。そのように組み合わせた構成を有する汚損監視装置１は、それぞれの実施形態において述べた効果も備える。

(実施形態４)
実施形態４に係る汚損監視装置１は、実施形態１〜３に記載した絶縁劣化の監視、腐食性ガスによる腐食の評価、湿度の評価に加えて、温度に関係する他の異常に関するリスクについても評価する。

図１３に実施形態４に係る汚損監視装置１の構成例を示す。図１３に示す汚損監視装置１は図１に示す汚損監視装置１に実施形態４に特有の構成要素を付加している。図１に示す構成例と異なる点は温度センサ９０とタイマ１００とを新たに備え、制御部４０は、コンデンサ劣化判定部４６とグリス固着リスク判定部４７とを新たに備える。図１と共通の構成要素は実施形態１での説明と同様である。

温度センサ９０は、監視対象物の設置環境と同じ温度環境の場所に設置され、その場所の温度を計測する。具体的には、温度センサ９０は、例えば配電盤内に設置される。

タイマ１００は時刻又は所定の基準時からの経過時間を計測し時間情報として取得する。

コンデンサ劣化判定部４６と固着リスク判定部４７とは、温度センサ９０から温度計測値を所定の頻度で入力するとともに、その入力の都度、タイマ１００からそのときの時間情報を入力する。

コンデンサ劣化判定部４６は、所定の頻度で入力された温度計測値と時間情報から、例えばよく知られたアレニウスの式により、例えば配電盤内で使用される電解コンデンサの劣化状況を評価する。コンデンサ劣化判定部４６は、評価結果がコンデンサ劣化に係る所定の閾値を超えるかどうかによりコンデンサ劣化検知信号を出力する。

固着リスク判定部４７は、所定の頻度で入力された温度計測値と時間情報から、例えば配電盤内の遮断器機構部などに使用されるグリスの固着のリスクを評価する。固着リスク判定部４７は、リスクの評価結果がグリスの固着のリスクに係る所定の閾値を超えるかどうかによりグリス固着リスク検知信号を出力する。

グリスの固着は、グリス中の油分の蒸発により起こる。蒸発速度は１５°Ｋの上昇により２倍に増加する。固着リスク判定部４７は、この関係を利用して、所定の頻度で入力された温度計測値と時間情報から、グリス中の油分の蒸発量を推定し、グリス固着のリスクを評価する。

コンデンサ劣化判定部４６は、ハードウェアとしては図６の入力部２００と、ＣＰＵ２１０と、メモリ２２０とで構成される。すなわち、入力部２００は温度センサ９０の温度計測値を入力する。メモリ２２０は制御プログラムとアレニウスの式に係る情報、及びコンデンサ劣化に関する閾値を格納する。ＣＰＵ２１０はメモリ２２０から制御プログラムを読み出して実行する。これにより実施形態４に係る機能を実現するように各部を制御する。更にＣＰＵ２１０は、メモリ２２０からアレニウスの式に係る情報を読み出し、読み出したアレニウスの式に係る情報と、入力された温度計測値及び時間情報とから電解コンデンサの劣化状況を評価する。更に、メモリ２２０からコンデンサ劣化に関する閾値を読み出し、コンデンサの劣化状況の評価値とコンデンサ劣化に関する閾値とを比較し劣化状態が閾値以上であればコンデンサ劣化検知信号を、出力部２３０を介して出力する。

固着リスク判定部４７は、ハードウェアとしては図６のＣＰＵ２１０と、メモリ２２０と、出力部２３０とで構成される。メモリ２２０は、蒸発速度に関する情報と、グリスの固着のリスクに係る所定の閾値を更に格納する。ＣＰＵ２１０は入力された温度計測値及び時間情報と、メモリ２２０から読み出した蒸発速度に関する情報とから、グリス中の油分の蒸発量を算定する。更に算定結果をメモリ２２０から読み出した閾値と比較して閾値以上であればグリス固着リスク検知信号を、出力部２３０を介して出力する。

実施形態４に係る汚損監視装置１は、図１３の構成に限らない。図１３は実施形態１の図１に示す構成を組み合わせているが、図１に示す構成以外の実施形態１〜３に記載したいずれの汚損監視装置１をも組み合わせてもよい。

実施形態４に係る汚損監視装置１は、実施形態１〜３で説明した効果に加えて温度に起因する異常の診断を実現できる。

コンデンサ劣化判定部４６は、評価結果がコンデンサ劣化に係る所定の閾値を超えるかどうかによりコンデンサ劣化検知信号を出力する、としたが、これに限定されない。評価結果と閾値との比が所定値を超えるかどうかによりコンデンサ劣化検知信号を出力してもよい。

上記の実施形態１〜４の一部は、以下の付記のようにも記載できる。ただし、以下には限定されない。

（付記１）
所定の環境内に設置された監視対象物の汚損の程度を監視する汚損監視装置であって、
２つの電極と、該２つの電極間に跨る感湿材とを備える第１の電極部と、
２つの他の電極と、該２つの他の電極間に跨る他の感湿材とを備える第２の電極部と、
前記２つの電極間に流れる第１の電流、及び前記２つの他の電極間に流れる第２の電流のそれぞれを計測する電流計測部と、
前記第１の電流の計測結果と前記第２の電流の計測結果とを比較する比較部と、
前記比較の結果に基づき、前記汚損の程度を判定し、監視する判定部と、
を備え、
前記第１の電極部は、前記所定の環境と同じ湿度条件を備える第１の場所に設置され、
前記第２の電極部は、前記第１の場所と同じ湿度条件の、前記汚損がないと見なすことのできる環境を備える第２の場所に設置される、
ことを特徴とする汚損監視装置。

（付記２）
前記第２の電極部の前記２つの電極が形成された面が、前記第１の電極部の前記２つの他の電極が形成された面とは異なる方向に向くように前記第２の電極部が設置される、
ことを特徴とする付記１に記載の汚損監視装置。

（付記３）
前記第１の電極部が備える感湿材及び前記第２の電極部が備える他の感湿材はそれぞれ感湿膜である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の汚損監視装置。

（付記４）
前記感湿膜はイオン導電性高分子で形成された膜である、
ことを特徴とする付記３に記載の汚損監視装置。

（付記５）
前記第１の電極部は、前記２つの電極が形成される絶縁基板を備え、
前記第２の電極部は、前記２つの他の電極が形成される他の絶縁基板を備え、
前記感湿材は、感湿性の材料で形成された、前記絶縁基板あり、
前記他の感湿材は、感湿性の材料で形成された、前記他の絶縁基板である、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の汚損監視装置。

（付記６）
前記感湿性の材料は、多孔質セラミックである、
ことを特徴とする付記５に記載の汚損監視装置。

（付記７）
前記電流計測部は、
前記第１の電流を計測する第１の電流計測部と、
前記第２の電流を計測する第２の電流計測部と、を備える、
ことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の汚損監視装置。

（付記８）
前記電流計測部に対して前記第１の電流の入力をオン／オフする第１のスイッチと、
前記電流計測部に対して前記第２の電流の入力をオン／オフする第２のスイッチと、
前記第１及び第２のスイッチの一方がオンで他方がオフとなるように前記オン／オフを制御するとともに、該オン／オフを制御する情報を、前記比較部に送るスイッチ制御部と、を備え、
前記比較部は、前記スイッチ制御部から送られて来た前記オン／オフを制御する情報に基づき、前記電流計測部で計測された結果が、前記第１の電流であるか、前記第２の電流であるかを判定する機能を備えている、
ことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の汚損監視装置。

（付記９）
前記２つの電極の少なくともいずれか一方の両端間の抵抗を計測する電極抵抗計測部を備え、
前記２つの電極は、外部環境に露出するように形成され、
前記判定部は、更に、前記電極抵抗計測部の計測結果に基づき、腐食による汚損の程度を判定し、監視する、
ことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載の汚損監視装置。

（付記１０）
前記電極抵抗計測部による計測対象となる前記２つの電極を銀で形成した、
ことを特徴とする付記９に記載の汚損監視装置。

（付記１１）
前記第２の電流の計測結果に基づき、前記所定の環境内の湿度値を評価し取得する湿度評価部と、
取得した前記湿度値に基づき、前記所定の環境内の湿度を制御する信号を出力する湿度制御部と、
を備えることを特徴とする付記１乃至１０のいずれか１項に記載の汚損監視装置。

１ 汚損監視装置
１０ 第１の電極部
１１ 第２の電極部
１２ 絶縁基板
１３ 電極
１４ 防湿膜
２０ 電源
３０ 電流計測部
３１ 第１の電流計測部
３２ 第２の電流計測部
４０ 制御部
４１ 比較部
４２ 判定部
４３ スイッチ制御部
４４ 湿度評価部
４５ 湿度制御部
４６ コンデンサ劣化判定部
４７ グリス固着リスク判定部
５０ 第１の場所
５１ 第２の場所
６０ 容器
６１ 開口部
６２ 支持部
７０ 第１のスイッチ
７１ 第２のスイッチ
８０ 電極抵抗計測部
８１ 第１の抵抗計測部
８２ 第２の抵抗計測部
９０ 温度センサ
１００ タイマ
３００ 湿度低減手段

Claims (4)

1. 所定の環境内に設置された監視対象物の汚損の程度を監視する汚損監視装置であって、
   ２つの電極と、該２つの電極間に跨る感湿材とを備える第１の電極部と、
   ２つの他の電極と、該２つの他の電極間に跨る他の感湿材とを備える第２の電極部と、
   前記２つの電極間に流れる第１の電流、及び前記２つの他の電極間に流れる第２の電流のそれぞれを計測する電流計測部と、
   前記第１の電流の計測結果と前記第２の電流の計測結果とを比較する比較部と、
   前記比較の結果に基づき、前記汚損の程度を判定し、監視する判定部と、
   を備え、
   前記第１の電極部は、前記所定の環境と同じ湿度条件を備える第１の場所に設置され、
   前記第２の電極部は、前記第１の場所と同じ湿度条件の、前記汚損がないと見なすことのできる環境を備える第２の場所に設置される、
   ことを特徴とする汚損監視装置。
2. 前記第１の電極部が備える感湿材及び前記第２の電極部が備える他の感湿材はそれぞれ感湿膜である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の汚損監視装置。
3. 前記２つの電極の少なくともいずれか一方の両端間の抵抗を計測する電極抵抗計測部を備え、
   前記２つの電極は、外部環境に露出するように形成され、
   前記判定部は、更に、前記電極抵抗計測部の計測結果に基づき、腐食による汚損の程度を判定し、監視する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の汚損監視装置。
4. 前記第２の電流の計測結果に基づき、前記所定の環境内の湿度値を評価する湿度評価部と、
   取得した前記湿度値に基づき、前記所定の環境内の湿度を制御する信号を出力する湿度制御部と、
   を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の汚損監視装置。

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