JP5482257B2 - 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 - Google Patents
識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5482257B2 JP5482257B2 JP2010023728A JP2010023728A JP5482257B2 JP 5482257 B2 JP5482257 B2 JP 5482257B2 JP 2010023728 A JP2010023728 A JP 2010023728A JP 2010023728 A JP2010023728 A JP 2010023728A JP 5482257 B2 JP5482257 B2 JP 5482257B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- identification symbol
- power module
- module substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
20 セラミックス基板
30,40 金属板
31 第1金属層
32 第2金属層
33 接合部
34 識別記号
50,51 ろう箔
51a,32a 接合妨害部
100 パワーモジュール
101 電子部品
102 ヒートシンク
102a 流路
103 はんだ材
104 ボンディングワイヤ
Claims (6)
- セラミックス基板と、
このセラミックス基板に接合され、ろう付により互いに接合された第1金属層および第2金属層からなる金属板とを備え、
前記第1金属層と前記第2金属層との間に、これら前記第1金属層と前記第2金属層とが互いに接合されている接合部と、前記第1金属層と前記第2金属層とが互いに接合されていない部分により形成された識別記号とが設けられていることを特徴とする識別記号付パワーモジュール用基板。 - 前記識別記号は、前記第1金属層および前記第2金属層のいずれかの表面に形成された凹部であることを特徴とする請求項1に記載の識別記号付パワーモジュール用基板。
- 前記識別記号は、前記第1金属板と前記第2金属板との間に介在する異物であることを特徴とする請求項1に記載の識別記号付パワーモジュール用基板。
- セラミックス基板に、第1金属層および第2金属層が接合されてなる金属板をろう付してパワーモジュール用基板を製造する方法であって、
前記第1金属層と、前記第2金属層と、これら第1金属層および第2金属層を接合するろう付用のろう箔との少なくともいずれかの表面に接合妨害部を設けておき、
前記接合妨害部が前記第1金属層と前記第2金属層との間に位置するように、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記ろう箔を前記セラミックス基板に積層し、
この積層方向に加圧しながら加熱して、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記セラミックス基板を接合し、
前記金属板の内部に、前記第1金属層と前記第2金属層とが互いに接合されている接合部と、前記接合妨害部によって前記第1金属層と前記第2金属層とが互いに接合されていない部分とを設け、この接合されていない部分による識別記号を形成することを特徴とする識別記号付パワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記接合妨害部は、塗料により形成された塗膜であることを特徴とする請求項4に記載の識別記号付パワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記接合妨害部は、第1金属層および第2金属層の少なくともいずれかの前記表面に形成された凹部であることを特徴とする請求項4に記載の識別記号付パワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010023728A JP5482257B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010023728A JP5482257B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011165728A JP2011165728A (ja) | 2011-08-25 |
JP5482257B2 true JP5482257B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44596095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010023728A Active JP5482257B2 (ja) | 2010-02-05 | 2010-02-05 | 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5482257B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3134234B2 (ja) * | 1991-11-29 | 2001-02-13 | 株式会社トーキン | メタライズ基板及びその製造方法 |
JP2002246706A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板とそのトリミング方法 |
JP2004095828A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板および製品管理方法 |
JP2005210028A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
-
2010
- 2010-02-05 JP JP2010023728A patent/JP5482257B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011165728A (ja) | 2011-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5892281B2 (ja) | ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
US8391011B2 (en) | Cooling device | |
JP4998404B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュール | |
WO2014136683A1 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
WO1985002515A1 (en) | Printed-circuit board for mounting electronic element and method of manufacture thereof | |
TW201727851A (zh) | 具有散熱片的電源模組用基板及電源模組 | |
JP6492645B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6468028B2 (ja) | 放熱板付パワーモジュール用基板 | |
JP6638284B2 (ja) | 放熱板付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP5884291B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット | |
JP2010050164A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5914968B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP6503796B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP6681660B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP5299303B2 (ja) | 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 | |
JP6607105B2 (ja) | 回路基板及び半導体モジュール、回路基板の製造方法 | |
JP5482257B2 (ja) | 識別記号付パワーモジュール用基板およびその製造方法 | |
JP5299304B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板の製造中間体 | |
JP2011029319A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体 | |
JP5146296B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6565735B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5056811B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法、製造装置、および製造中間体 | |
JP2004336046A (ja) | 特定用途向けヒートシンク素子 | |
JP6908859B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5131205B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20120927 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130723 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140203 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5482257 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |