JP5478825B2 - 半導体層の再結晶化及びドーピングを同時に行うための方法並びにこの方法によって製造される半導体層構造 - Google Patents
半導体層の再結晶化及びドーピングを同時に行うための方法並びにこの方法によって製造される半導体層構造 Download PDFInfo
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Description
1.基板を製造すること。
2.導電性中間層を堆積すること。
3.シード層を堆積すること。シード層は通常、そのシード層においてn型又はp型の電気伝導を引き起こすドーパントを添加される。
4.堆積又は熱酸化によって「キャッピング」層を被着すること。
5.シード層を加熱し、再結晶化すること。
6.キャッピング層を除去すること。
7.光起電活性吸収体層を堆積すること。
8.ドーパントを活性吸収体層内に導入することによってpn遷移を形成すること。
9.メタライゼーションを適用すること。
・0.1〜5μmの範囲内のBSF層の層厚(拡散プロファイルによって与えられる)。
・約1017〜1021原子/cm3の範囲内のBSF層内のドーパント濃度。
これは通常数分間続き、シリコンの場合の最終的な温度は通常900℃〜1,300℃の範囲内にある(他の材料の場合、材料に応じて、温度を変更しなければならない)。この段階中の制御パラメータは時間、温度推移、平坦域温度、平坦域時間及び/又はプロセスガス雰囲気である。
ここでシリコン層の溶融が達成され、保持される。ゾーン溶融工程中に、加熱容量の分布、供給量、及び或る程度プロセスガス雰囲気も、加熱容量によって決定される。他の溶融方法の場合、それらのパラメータは異なるようにする、すなわち選択することができる。一般的な持続時間は、十分の数秒〜数十秒である。レーザ再結晶化又は電子ビーム再結晶化中には、その時間ははるかに(ナノ秒単位まで)短くなる。
ZMR工程(ゾーン溶融再結晶化工程)中に、供給量、加熱容量及び加熱容量分布、エネルギー散逸(熱伝導、放射及び対流)、並びにエネルギー結合の方向も再結晶化を決定する。これは、再凝固中に生じる偏析のために重要である(後に説明される)。
この段階では、温度及び焼戻し時間を調整することによってのみ、すなわち経時的な温度プロファイルによってのみ制御を行うことができる。ここで、ドーピングが導入され、結晶内の歪みの緩和が達成される。この段階における制御パラメータは、温度(複数可)、保持時間(複数可)及び/又は冷却速度(複数可)(ランプ)である。
ここでは、基板構造の室温への冷却が達成される。ここでの制御用パラメータはランプ持続時間及びランプ形状である。詳細には、溶融段階及び再結晶段階は、所望の最終プロファイルが生成されるような拡散、溶解度及び偏析の相互作用において構成されなければならない。
Claims (34)
- 電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法であって、
第1の工程において、基板ベース層(1)が製造され、
第2の工程において、該基板ベース層(1)上に、少なくとも1つの部分層を含む中間層構造(2)が堆積され、該中間層構造(2)の該部分層のうちの少なくとも1つは、第1の濃度で第1のドーパントを添加され、
第3の工程において、ドープされないか、又は第2の濃度で第2のドーパントをドープされる吸収体層(3)が前記中間層構造(2)の上に堆積され、
再結晶化工程において、前記吸収体層(3)が加熱され、溶融状態にされて、その後、凝固させるために冷却され、
前記再結晶化工程は、加熱、冷却及び焼戻しを生じさせることを含み、
前記再結晶化工程の前記加熱において、前記吸収体層(3)を溶融させて前記中間層構造(2)から前記第1のドーパントを溶融状態の前記吸収体層(3)の中に拡散し、
前記再結晶化工程の前記冷却において、前記吸収体層(3)を再凝固させ、
前記再結晶化工程の前記焼戻しにおいて、前記中間層構造(2)から前記第1のドーパントを固体状態の前記吸収体層(3)の中に拡散し、前記基板ベース(1)に面する前記吸収体層(3)の一部の中に、BSF層(背面電界)を形成することを特徴とする、
電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。 - 前記第3の工程の後に、且つ前記再結晶化工程の前に、ドープされないキャッピング層構造(4)が前記吸収体層(3)上に被着されることを特徴とし、該キャッピング層構造(4)は前記再結晶化工程の後に再び除去されることを特徴とする、請求項1に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第3の工程の後に、且つ前記再結晶化工程の前に、少なくとも1つの部分層を含むキャッピング層構造(4)が前記吸収体層(3)上に被着され、該キャッピング層構造(4)の該部分層のうちの少なくとも1つは、第3の濃度で第3のドーパントを添加されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記キャッピング層構造(4)は、前記再結晶化工程の後に再び除去されることを特徴とする、請求項3に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記半導体層構造の前記基板の反対側にある表面上に、pn遷移又は放出体層が形成されることを特徴とし、前記吸収体層(3)が溶融されるときに、且つ/又は該吸収体層(3)が再凝固しているときに、且つ/又は該吸収体層(3)が凝固した後に、前記第3のドーパントが前記キャッピング層構造(4)から前記吸収体層(3)の中に拡散するように、前記再結晶化工程が制御されるか、又は前記吸収体層(3)が加熱され、冷却され、焼き戻されることを特徴とする、請求項3又は4に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 内部に拡散される第3のドーパントの量は、前記吸収体層(3)に面する側に配置され、ドープされないか、又は低濃度にドープされる、前記キャッピング層構造(4)の部分層の助けによって制御されることを特徴とする、請求項5に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記吸収体層(3)が凝固しているとき、且つ/又は凝固した後に、前記吸収体層(3)の中に拡散する前記第3のドーパントの量及び/又は前記第1のドーパントの量は偏析過程によって調整されることを特徴とする、請求項5又は6に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記基板の反対側にあるか、又は該基板に面する側にある、前記半導体層構造の表面又は前記吸収体層(3)の表面上に、pn遷移又は放出体層が形成されることを特徴とし、前記第1のドーパント及び前記第2のドーパントに対して相補的である第3のドーパントが前記吸収体層(3)の中に導入されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第2のドーパントは前記第1のドーパントに対して相補的であることを特徴とするか、又は該第2のドーパントは該第1のドーパントに対して相補的でないことを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第1のドーパント及び前記第2のドーパントは同じであることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第3のドーパントは前記第2のドーパントに対して相補的であることを特徴とするか、又は該第3のドーパントは該第2のドーパントに対して相補的でないことを特徴とする、請求項3から7のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第2のドーパント及び前記第3のドーパントは同じであることを特徴とする、請求項3、4、5、6、7及び11のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第2のドーパントは前記第1のドーパント及び前記第3のドーパントに対して相補的であることを特徴とするか、又は該第1のドーパントは該第2のドーパント及び該第3のドーパントに対して相補的であることを特徴とするか、又は該第3のドーパントは該第1のドーパント及び該第2のドーパントに対して相補的であることを特徴とする、請求項3、4、5、6,7、11及び12のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 相補的なドーピングが前記再結晶化工程において過剰ドープされるように、前記吸収体層(3)は前記中間層構造(2)に対して相補的にドープされることを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記中間層構造(2)の部分層のうちの少なくとも1つの層厚は、10nmより厚く且つ/もしくは10,000nmより薄いことを特徴とし、且つ/又は該中間層構造はSi、O、C、N、B、P、Al、Ga、Sb、As及び/もしくはInの化合物を含むことを特徴とし、且つ/又は該中間層構造(2)は導電性であることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記キャッピング層構造(4)の部分層のうちの少なくとも1つの層厚は、10nmより厚く且つ/もしくは10,000nmより薄いことを特徴とし、且つ/又は該キャッピング層構造はSi、O、C、N、B、P、Al、Ga、Sb、As及び/もしくはInの化合物を含むことを特徴とする、請求項2、3、4、5、6、7、11、12及び13のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 加熱容量、及び/又は該加熱容量の分布、及び/又は供給量、及び/又は少なくとも1つの加熱ランプ、及び/又は少なくとも1つの冷却ランプ、及び/又は焼戻し平坦域(tempering plateau)の温度、及び/又は焼戻し時間を介して制御が行われることを特徴とする、請求項1から16のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 温度及び/又は焼戻し時間を介して、又は経時的な温度プロファイルによって制御が行われることを特徴とする、請求項1から17のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記吸収体層(3)内の温度勾配、及び/又は前記キャッピング層構造(4)内の温度勾配、及び/又は該吸収体層(3)と該キャッピング層構造(4)との間の温度勾配に関して制御が達成されることを特徴とする、請求項2から7、11から13および16のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記pn遷移又は前記放出体層が形成されることを特徴とし、前記第3のドーパントを添加される供給源層が、前記吸収体層(3)に被着されるか、該吸収体層(3)上に印刷、噴霧、又は堆積され、その後、又はそれと同時に、前記第3のドーパントは焼戻しによって前記吸収体層(3)の中に導入されることを特徴とする、請求項5から8のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第2の濃度は、前記製造するための方法の終了後に前記吸収体層(3)において達成されるべきドーパント濃度以下になるように選択されることを特徴とする、請求項1から20のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記吸収体層(3)の前記ドープは、再結晶化速度及び/又は再結晶化温度を介して制御されることを特徴とする、請求項1から21のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記吸収体層(3)の前記ドープは、前記キャッピング層構造(4)及び/又は前記中間層構造(2)の個々の層の数、厚み及び/又はドーパント含量を介して制御されることを特徴とする、請求項2から7、11から13、16、および19のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 付加的な再結晶化工程の結果として、前記吸収体層(3)は、所定の厚み領域において、前記基板の反対側において溶融されることを特徴とする、請求項1から23のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記溶融される厚み領域は、前記吸収体層(3)の厚みより薄いことを特徴とし、且つ/又は放出体層が0.1μmより厚く且つ/もしくは10μmより薄い厚みで形成されることを特徴とする、請求項24に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記再結晶化工程もしくは前記溶融の前の前記吸収体層(3)内の前記第3のドーパントの濃度は、0原子/cm3より高く且つ/もしくは1018原子/cm3より低いことを特徴とし、且つ/又は該再結晶化工程もしくは該溶融の後の該濃度は、1016原子/cm3より高く且つ/もしくは1023原子/cm3より低いことを特徴とする、請求項3から7、11、12、および20のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記再結晶化工程もしくは前記溶融の前の前記中間層構造(2)内の前記第1のドーパントの濃度は、0原子/cm3より高く且つ/もしくは1023原子/cm3より低いことを特徴とし、且つ/又は該再結晶化工程もしくは該溶融の後の該濃度は、1016原子/cm3より高いことを特徴とする、請求項1から26のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記再結晶化工程もしくは前記溶融の前の前記吸収体層(3)内の前記第2のドーパントの濃度は、0原子/cm3より高く且つ/もしくは1017原子/cm3より低いことを特徴とし、且つ/又は該再結晶化工程もしくは該溶融の後の該濃度は、1014原子/cm3より高く且つ/もしくは1019原子/cm3より低いことを特徴とする、請求項1から27のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記第1のドーパント及び前記第2のドーパントはn型の電気伝導を生じる(n+np構造)ことを特徴とし、且つ前記第3のドーパントはp型の電気伝導を生じることを特徴とし、又はその逆に該第1のドーパント及び該第2のドーパントはp型の電気伝導を生じることを特徴とし、且つ該第3のドーパントはn型の電気伝導を生じる(p+pn構造)ことを特徴とし、又は該第1のドーパント及び該第3のドーパントはn型の電気伝導を生じることを特徴とし、且つ該第2のドーパントはp型の電気伝導を生じる(npn構造)ことを特徴とし、又はその逆である(pnp構造)ことを特徴とし、又は該第2のドーパント及び該第3のドーパントはn型の電気伝導を生じることを特徴とし、且つ該第1のドーパントはp型の電気伝導を生じる(pnn+構造)か、又はその逆である(npp+構造)ことを特徴とする、請求項3から7、11、12、20、および26のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記基板ベース層(1)上及び/又は前記吸収体層(3)上に金属コンタクト層が被着されるか又はメタライゼーションが適用されることを特徴とする、請求項1から29のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記放出体層上に放出体コンタクトが被着されることを特徴とする、請求項5から8、20、および25のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記基板ベース層(1)及び/又は前記吸収体層(3)はシリコン(Si)を含み、且つ/又は導電性であることを特徴とする、請求項1から31のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 前記キャッピング層(4)又は前記キャッピング層構造(4)は堆積又は熱酸化によって形成されることを特徴とする、請求項2から7、11から13、16、19、および24のいずれか一項に記載の電子部品及び太陽電池のためのドープされた半導体層構造を製造するための方法。
- 電子部品の製造の分野における、又は薄層太陽電池を製造するための、又はその分野における、請求項1から33のいずれか一項に記載の製造方法。
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