JP5464665B2 - X線結晶方位測定装置及びx線結晶方位測定方法 - Google Patents
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Description
本発明の測定原理はラウエ法である。一般にラウエ法は、未知試料(すなわち結晶方位が分らない試料)に適用されて来た。その測定精度は0.3°程度である。それは、広域のラウエパターンを取得したいので、カメラ長を短く設定する必要上やむを得ないことである。例えば、カメラ長を40mmにしてラウエ斑点を1画素=0.2mm精度で捕えたとすると、斑点位置の読み取り精度は0.2/40=0.005radian≒0.3°と計算される。このような事情で、ラウエ法では、あまり高精度を期待できないというのが一般的な考えであった。
により格子面法線ベクトルVを計算できる。
上述した格子面法線ベクトルの計算法、すなわち面方位の計算法をさらに具体的に説明する。
<2−1.入射X線ベクトルk0の計算>
ラウエ法に基づくX線光学系に関して図2に示す(xyz)座標系を考える。
入射角をωとすると、図2よりベクトルk0は直交座標系(xyz)で、
と表すことができる。
X線検出器のX線受光面に関して図4に示す(XYZ)座標系を考える。
カメラ長をL、ラウエ像の検出器面における座標を(X,Y)とすると、直交座標系(XYZ)でベクトルkは、
で与えられる。
以下、本発明の原理について説明する。なお、本明細書では、アルファベット「L」の小文字「l」を数字「1」と区別するために「l(エル)」と表記する。
3−1. 本発明に係る結晶方位測定装置は、上述した格子面法線ベクトルVを求めるための面方位測定を2つの格子面に対して行うものである。同じ基準座標でその2つの格子面の法線ベクトルが求められると、空間が固定され、方位が決定される。このようにすると、Siインゴット等といった単結晶物質の端面方位とノッチ方位等といった方位マークの方位が同時に測定できる。
4−1. 以上が本発明の原理であるが、以下にその具体例を説明する。図5に、より具体的な装置原理を示す。測定対象であるSi結晶インゴットは、棒軸が<001>である。すなわち、面方位が{100}で方位マーク(例えばノッチ)を{110}に付けたウエハの方位検査、あるいはウエハ加工過程の方位測定を想定する。
で計算される。
ベクトルV001の計算法は、特許文献8に記載された計算式と同じである。計算は、単位ベクトルで扱う。
001反射を捕えるCCD検出器に固定した直交座標系(XYZ)を図7のように定める。ここで、カメラ長をL、ラウエ像の検出器面にける座標を(XY)とすると、直交座標系(XYZ)でベクトルk001は、図7より、
で与えられる。
ベクトルk001をω回転による座標変換し、試料の外形を代表する座標(xyz)で表すと、
で与えられる。
次に、ベクトルVhhl(エル)の計算法を説明する。
<6−1.入射X線ベクトルk0の計算>
上記の式(2)と同じである。
hhl(エル)反射を捕えるCCD検出器に固定した直交座標系(X’Y’Z’)を図8のように定める。ここで、カメラ長をL、ラウエ像の検出器面における座標を(X’、Y’)とすると、直交座標系(X’Y’Z’)でベクトルkhhl(エル) は、図8より、
ベクトルkhhl(エル)をρ回転による座標変換を行い、試料の外形を代表する座標(xyz)で表すと、
で与えられる。
本発明に係るX線結晶方位測定装置は、連続X線を発生するX線源と、前記連続X線を平行化して単結晶試料位置へ導くコリメータと、前記単結晶試料の格子面(001)に対応したラウエ像を検出できる第1の位置に配置された第1の2次元検出器と、前記単結晶試料の格子面(hhl(エル))に対応したラウエ像を検出できる第2の位置に配置された第2の2次元検出器と、前記第1の2次元検出器の出力に基づいて格子面(001)の法線ベクトルV001を演算し、前記第2の2次元検出器の出力に基づいて格子面(hhl(エル))の法線ベクトルVhhl(エル)を演算し、ベクトルV001とベクトルVhhl(エル)とに基づいて方位マークの方向を演算する演算手段と、を有しており、前記2つの格子面(001)及び(hhl(エル))は方位マークを付けようとしている結晶方位を晶帯軸とするときにその晶帯軸に属する格子面であることを特徴とする。
また、ラウエ法に基づく本発明において、カメラ長を適切に設定すれば、実用上要求される測定精度、例えば0.05°程度の測定精度を確実に達成できる。
以下、本発明に係る結晶方位測定装置及び結晶方位測定方法を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を参照するが、その図面では特徴的な部分を分かり易く示すために実際のものとは異なった比率で構成要素を示す場合がある。
本実施形態に係る結晶方位測定装置を用いた単結晶物質の加工処理方法は、例えば図9に示す一連の工程によって実現される。図9では、単結晶物質として直径300〜450mmのSi単結晶インゴットを適用し、このSi単結晶インゴットからSiウエハを作製するものとする。また、インゴットの棒軸は<001>であり、面方位が{100}でノッチを{110}に付けたウエハを作製するものとする。
図9の工程P5の第1の結晶方位測定装置について説明する。図11は第1の結晶方位測定装置の一実施形態の平面図を示している。図12はその結晶方位測定装置の正面図を示している。
で計算できる。修正の方向は、ベクトルのy成分が正のときは時計回りに修正回転し、負のときは反時計回りに修正回転する。
で計算できる。δx,δyの値が正のとき座標軸の回りに時計回りに修正回転する。値が負のときは反時計回りに修正する。
(1)X線発生部
出力:3kW
X線管球:W(タングステン)ターゲット
ターゲット:空冷冷却水装置付き
コリメータ:φ0.5mm、ダブルピンホールコリメータ、
X線源−第2ピンホール間距離:250mm程度
X線入射角:70°(20°傾ける)
001反射:出射角70°
hhl(エル)反射:n−112
カメラ長:250mm程度
方式:蛍光板で可視光に変換する。イメージインテンシファイヤで光増幅する。レンズカップリングでCCDカメラに結像する。
イメージインテンシファイヤ:近接型とする。イメージングエリアはφ40mmである。例えば、浜松ホトニクス製のV5180U−04を使用する。
CCD:浜松ホトニクス製のC8484型又は同等品を使用する。ビニングで512×512画素で撮像する。1秒露出とアナログインテグレーションにより画質改善する。
電動スライダ27と距離センサ34とによりX線測定ヘッド部26の位置決めをする。画像取得を行い、画像処理を行う。画像処理として、例えばピークサーチを行う。方位解析を行い、解析結果を出力する。出力結果は、例えばディスプレイ上に表示する。測定時間は10〜30秒であり、そのほとんどは画像の蓄積時間である。
図9の工程P7で用いる第2の結晶方位測定装置について説明する。図15は第2の結晶方位測定装置の一実施形態であるウエハ検査装置40を示している。このウエハ検査装置40はX線シールドカバー41を有し、その中に筐体42が設けられ、筐体42の上に試料テーブル43が設けられている。試料テーブル43は水平に設置されている。試料テーブル43の適所、本実施形態では略中央位置には、X線を通過させるための開口47が設けられている。
図16は、サファイヤ結晶を試料として適用する場合の実施形態を示している。この実施形態では、サファイヤ結晶62でc面(=(0001)面)に従ってウエハ加工を行う。よって、第1X線CCDカメラによって0001反射を検出するようにセットする。方位マークとしてオリエンテーションフラット64をサファイヤ結晶62に付けるものとする。オリエンテーションフラットは(11−20)面に付けられるので、これと直交する格子面(−1104)を第2の反射として選択する。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記実施形態では直径450mmのSi結晶に本発明を適用したが、本発明は450mmよりも小径の結晶にも適用できる。また、Siやサファイヤ以外の電子材料単結晶にも適用可能である。例えば、GaAs結晶にも適用可能である。
以下、本発明者が行った実験について説明する。この実験は、(1)X線源をメインテナンスに手間のかかるロータに代えて、封入X線管にすること、及び(2)封入X線管パワーでも回折斑点を数秒で取得できる2次元X線検出器を開発すること、を目標とした。
弱いX線回折像が観察できるかどうかをテストした。コリメータの直径は0.5mmである。テストの結果、Acquire mode 積算時間が1秒(最長)で何とか像が観察できた。Binning により感度アップを図ることができる。Binning とは、CCDのチップ上で隣り合う素子(ピクセル)のいくつかをひとまとめにすることにより受光面積を仮想的に大きくして信号を増幅する機能である。Binning により感度を上げることができるが、解像度は低下する。必要な画素数を考えるとBinning は2×2(672×512pixels)までである。必要な画素数は方位計算の精度上、必要十分な値である。
アナログ積分(Analog Integration)による画質改善を検討した。必要十分な画素数の2×2binningで Analog Integration の効果を見た。1回の積算時間は1秒(最長値)に設定して回数を1,2,4,8,16回に設定して画像を得た。その結果を図20に示す。積算回数を増すにつれて画質が改善されるのが分る。
CCDの暗電流+イメージインテンシファイヤのthermal noise+散乱X線
により形成される。積算時間を増すごとにピーク強度も上がるがバックグランドも上がる。
イメージインテンシファイヤ56とC4848CCDカメラ59を組み合わせたXICCDを用いることにより、封入X線管で動作可能な結晶方位測定装置の製作が可能である。
本発明に係る結晶方位測定装置に関して、ベクトルVhhl(エル)として112反射を利用して確認実験を行った。角度配置は図21のようにした。試料結晶は、結晶表面が略(001)のブロックを用意し、オリエンテーションフラットをx軸方向に向けた。試料表面に対して70°でX線を入射させた。入射X線のピンホール径は0.5mmである。001反射と112反射が、それぞれ回折角2θで140°付近と−149°付近とに現れることが期待できる。これをイメージングプレート(蓄積性蛍光体プレート)IPによる回折斑点の撮影と受光スリット付SCのスキャンで確認した。
Claims (7)
- 連続X線を発生するX線源と、
前記連続X線を平行化して単結晶試料位置へ導くコリメータと、
前記単結晶試料の格子面(001)に対応したラウエ像を検出できる第1の位置に配置された第1の2次元検出器と、
前記単結晶試料の格子面(hhl(エル))に対応したラウエ像を検出できる第2の位置に配置された第2の2次元検出器と、
前記第1の2次元検出器の出力に基づいて格子面(001)の法線ベクトルV001を演算し、前記第2の2次元検出器の出力に基づいて格子面(hhl(エル))の法線ベクトルVhhl(エル)を演算し、ベクトルV001とベクトルVhhl(エル)とに基づいて方位マークの方向を演算する演算手段と、
を有し、
前記2つの格子面(001)及び(hhl(エル))は方位マークを付けようとしている結晶方位を晶帯軸とするときにその晶帯軸に属する格子面である
ことを特徴とするX線結晶方位測定装置。 - 前記第1の2次元検出器と前記第2の2次元検出器は、個別の検出器であるか又は1つの検出器の配置位置を前記第1の位置と前記第2の位置とで切り換えたものであることを特徴とする請求項1記載のX線結晶方位測定装置。
- 前記第1の2次元検出器及び前記第2の2次元検出器は、
X線を光に変換する蛍光体と、
前記蛍光体の光を電子に変換して増倍するイメージインテンシファイヤと、
前記イメージインテンシファイヤからの光を受光する2次元CCD素子と、を有し、
前記2次元CCD素子の出力をビニング2×2で感度向上処理する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のX線結晶方位測定装置。 - 前記2次元CCD素子の出力を複数回、アナログ積分することを特徴とする請求項3記載のX線結晶方位測定装置。
- 平行化された連続X線を単結晶試料に照射し、
第1の2次元検出器によって捕えられたラウエ像に基づいて前記単結晶試料の格子面(001)の反射を検出して格子面法線ベクトルV001を求め、
第2の2次元検出器によって捕えられたラウエ像に基づいて前記単結晶試料の格子面(hhl(エル))の反射を検出して格子面法線ベクトルVhhl(エル)を求め、
前記2つの格子面は方位マークを付けようとしている結晶方位を晶帯軸とするときにその晶帯軸に属する格子面であり、
ベクトルV001とベクトルVhhl(エル)とに基づいて方位マークの方向を求める
ことを特徴とするX線結晶方位測定方法。 - 前記第1の2次元検出器と前記第2の2次元検出器は個別の検出器であるか、又は1つの検出器の配置位置を切り換えたものであることを特徴とする請求項5記載のX線結晶方位測定方法。
- 単結晶試料はSi単結晶インゴットであり、
(hhl(エル))は(113)、(112)、(111)、又は(221)であり、
方位マークは{110}に付けられる
ことを特徴とする請求項5又は請求項6記載のX線結晶方位測定方法。
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Family Cites Families (8)
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JP3904543B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2007-04-11 | 株式会社リガク | X線結晶方位測定装置及びx線結晶方位測定方法 |
JP2005233718A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Rigaku Corp | 試料の結晶方位のカラーマッピング方法及び装置 |
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