JP5463373B2 - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5463373B2
JP5463373B2 JP2012037209A JP2012037209A JP5463373B2 JP 5463373 B2 JP5463373 B2 JP 5463373B2 JP 2012037209 A JP2012037209 A JP 2012037209A JP 2012037209 A JP2012037209 A JP 2012037209A JP 5463373 B2 JP5463373 B2 JP 5463373B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
solid
transfer unit
state imaging
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012037209A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013172136A (ja
Inventor
健雄 牛永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2012037209A priority Critical patent/JP5463373B2/ja
Priority to CN201380010621.1A priority patent/CN104115272B/zh
Priority to PCT/JP2013/054316 priority patent/WO2013125631A1/ja
Priority to US14/379,061 priority patent/US10186547B2/en
Priority to EP13752556.4A priority patent/EP2819171A1/en
Publication of JP2013172136A publication Critical patent/JP2013172136A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5463373B2 publication Critical patent/JP5463373B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14616Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサやCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサなどに代表される固体撮像素子に関する。
CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子が、デジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの撮像装置や、カメラ付き携帯電話機、スキャナ、複写機、ファクシミリなどの撮像機能を備えた様々な電子機器に搭載されている。
固体撮像素子は、基板中に例えばフォトダイオードなどの光電変換部を備え、基板中に入射する光を光電変換することで電荷を発生する。発生した電荷は、基板中の蓄積領域に蓄積され、その後転送部によって基板中の読出領域に転送される。そして、読出領域に転送された電荷に基づいて、画像を構成する1つの信号が生成される。
近年、このような固体撮像素子において、高感度化が求められている。しかしながら、固体撮像素子の高感度化のために蓄積領域を大型化すると、転送部による電荷の転送速度が低下するため、問題となる。
この問題について、図21を参照して説明する。図21は、従来の固体撮像素子について示す図である。なお、図21(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図21(b)は、図21(a)のX−X断面を示す断面図である。また、図21(c)は、図21(a)のX−X断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
図21(a)及び図21(b)に示すように、固体撮像素子100は、基板101と、基板101中に形成されて光電変換によって生じた電子を蓄積する蓄積領域102と、基板101中に形成されて蓄積領域102が蓄積する電子が転送される読出領域103と、蓄積領域102から読出領域103に電子を転送する転送部104と、基板101の表面に形成される絶縁膜105と、を備える。転送部104は、絶縁膜105上に形成されるゲート電極であり、蓄積領域102及び読出領域103の間に形成されている。
基板101はP型(P−sub)であり、蓄積領域102はN型(N)であり、読出領域103はN型(N)である。また、固体撮像素子100では、蓄積領域102内であり転送部104に近接する注入領域106に対して、N型不純物を別途注入することで、N型(N)のN型不純物高濃度領域1021が形成されている。そのため、本例の固体撮像素子100では、基板101と蓄積領域102とでフォトダイオードが形成され、蓄積領域102には電子が蓄積される。
固体撮像素子100において、転送部104に所定の電位を与えると、転送部104の直下となる基板101内のポテンシャルが低下し、蓄積領域102が蓄積する電子が読出領域103に転送される。このとき、上述のように蓄積領域102の面積が大きいと、蓄積領域102内の転送部104から遠く離れた位置にも電子が蓄積されることになり、当該電子が転送部104に移動するまでに長い時間を要することになる。
固体撮像素子100は、蓄積領域102内にN型不純物高濃度領域1021を設けることによって、蓄積領域102内の電子を集積する。しかしながら、図21(c)に示すように、N型不純物高濃度領域1021におけるポテンシャルは、N型不純物の注入によって周囲よりも低くなっているが、平坦である。そのため、N型不純物高濃度領域1021内に蓄積されている電子は、転送部104への移動が特段促進されることがなく、転送部104に移動するまでに長い時間を要することになる。
そして、所定の読出期間内に、蓄積領域102が蓄積する全ての電子を読出領域103に転送することができなければ、蓄積領域102に電子が残留することになり、当該電子が次に光電変換によって生成される電子に加えられることで、得られる画像中に残像が生じるため、問題となる。
そこで、例えば特許文献1では、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることで、転送部への電子の移動を促進する固体撮像素子が提案されている。この固体撮像素子について、図22を参照して説明する。図22は、従来の固体撮像素子について示す図である。なお、図22(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図22(b)は、図22(a)のY−Y断面を示す断面図である。また、図22(c)は、図22(a)のY−Y断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
図22(a)及び図22(b)に示すように、固体撮像素子200は、基板201と、基板201中に形成されて光電変換によって生じた電子を蓄積する蓄積領域2021〜2024と、基板201中に形成されて蓄積領域2021〜2024が蓄積する電子が転送される読出領域203と、蓄積領域2024から読出領域203に電子を転送する転送部204と、基板201の表面に形成される絶縁膜205と、を備える。転送部204は、絶縁膜205上に形成されるゲート電極であり、蓄積領域2024及び読出領域203の間に形成される。
基板201はP型(P−sub)であり、蓄積領域2021〜2024はN型であり、読出領域203はN型(N)である。そのため、本例の固体撮像素子200では、基板201と蓄積領域2021〜2024とでフォトダイオードが形成され、蓄積領域2021〜2024には電子が蓄積される。蓄積領域2021〜2024は、N型不純物を注入領域2051〜2054に対して順次注入することで形成される。また、注入領域2051〜2054は、それぞれが転送部204に近接するとともに、注入領域2051,2052,2053,2054の順で面積が小さくなっている。
固体撮像素子200では、転送部204から最も遠い蓄積領域2021におけるN型不純物の濃度(N―――)が最も低く、その次に遠い蓄積領域2022におけるN型不純物の濃度(N――)がその次に低く、その次に遠い蓄積領域2023におけるN型不純物の濃度(N)がその次に低く、転送部204に最も近い蓄積領域2024におけるN型不純物の濃度が最も高くなる(N)。そのため、図22(c)に示すように、蓄積領域2021〜2024におけるポテンシャルを、転送部204に近づくほど低くなるように傾斜させることができる。これにより、蓄積領域2021〜2024内の電子は、転送部204への移動が促進される。そのため、蓄積領域2021〜2024の面積を大きくしたとしても、蓄積領域2021〜2024が蓄積する電子を、迅速に読出領域203に転送することが可能になる。
特開2000−236081号公報
しかしながら、図22に示したように、特許文献1で提案されている固体撮像素子200では、N型不純物の濃度が異なる蓄積領域2021〜2024を形成するために、N型不純物を、注入領域2051〜2054のそれぞれに対して注入条件(ドーズ量、注入エネルギーなど)を異ならせつつ順次注入する必要がある。さらに、注入領域2051〜2054のそれぞれに対してN型不純物を注入する度に、位置合わせを行う必要があるが、位置合わせの精度をよほど高めない限り、製造される固体撮像素子200の特性に大きなばらつきが生じる。したがって、特許文献1で提案されている固体撮像素子200では、製造工程が煩雑であるとともに高い精度が必要であるため、問題となる。
また、N型不純物を複数回注入することで製造される固体撮像素子200では、必然的に蓄積領域2021〜2024におけるN型不純物の濃度制御が段階的になるため、蓄積領域2021〜2024のポテンシャルが階段状になる(図22(c)参照)。しかしながら、このような階段状のポテンシャルでは、電子の移動を精度よく制御することができないため、問題となる。
そこで、本発明は、簡易的に製造可能であるとともに、蓄積領域における電荷の移動を精度よく制御可能な固体撮像素子と、その製造方法とを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、第1導電型の基板と、前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備え、前記蓄積領域内の一部に、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域が形成され、前記不純物濃度変調領域の前記転送部に対する単位距離当たりの面積、または、分散して設けられる前記不純物濃度変調領域の密集度が、前記転送部に近いほど大きいことを特徴とする固体撮像素子を提供する。
この固体撮像素子によれば、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。特に、蓄積領域中に形成する不純物濃度変調領域(蓄積領域に対する第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の注入領域)の転送部に対する単位距離当たりの面積または密集度を調整するのみで、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
なお、「第1導電型」及び「第2導電型」とは、P型及びN型である。例えば、「第1導電型」がP型であれば、「第2導電型」はN型である。また例えば、「第1導電型」がN型であれば、「第2導電型」はP型である。また、「第1導電型の基板」とは、基板の素子構造が形成される部分が第1導電型であることを示したものであり、全体が第1導電型である基板のみに限られず、ウエルが第1導電型である基板(例えば、全体が第2導電型である基板に第1導電型の不純物を注入することで第1導電型のウエルが形成された基板)も、当然に含まれる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大すると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、不純物濃度変調領域の転送部に対する単位距離当たりの面積が、転送部に近いほど大きくなる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大すると、好ましい。例えば、前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大すると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、蓄積領域のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷を、円滑に転送部に移動させることができる。
なお、上記特徴の固体撮像素子において、前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大するようにしてもよい。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2つ以上に枝分かれしていると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、蓄積領域の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動を、効果的に促進することが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して平行に延びていると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、複数の不純物濃度変調領域の全体において、転送部に対する単位距離当たりの面積(総面積)または密集度が大きくなるようにすることで、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記転送部の中心に近い前記不純物濃度変調領域ほど、隣接する前記不純物濃度変調領域間の間隔が狭いと、好ましい。
この固体撮像素子によれば、転送部に近いほど、不純物濃度変調領域の密集度が大きくなる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して放射状に延びていると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、転送部に近いほど、不純物濃度変調領域の密集度が大きくなる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、複数の前記不純物濃度変調領域を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大すると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、複数の不純物濃度変調領域の全体において、転送部に近いほど、転送部に対する単位距離当たりの面積(総面積)が大きくなる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大すると、好ましい。例えば、前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大すると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、蓄積領域のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷を、円滑に転送部に移動させることができる。
なお、上記特徴の固体撮像素子において、前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大するようにしてもよい。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記輪郭領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2つ以上に枝分かれしていると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、蓄積領域の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動を、効果的に促進することが可能になる。
さらに、上記特徴の固体撮像素子において、前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い場合、前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が一様であり、前記不純物濃度変調領域内における前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い場合、前記蓄積領域内であり前記不純物濃度変調領域以外の領域における前記第1導電型の不純物の濃度が一様であると、好ましい。
この固体撮像素子によれば、第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の一度の注入で、全ての不純物濃度変調領域を形成することが可能になる。そのため、不純物濃度変調領域を、簡易的に形成することが可能になる。
また、本発明は、第1導電型の基板と、前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記蓄積領域内の一部に、選択的に前記第1導電型の不純物または前記第2導電型の不純物を注入することで、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域を形成し、前記不純物濃度変調領域の前記転送部に対する単位距離当たりの面積、または、分散して設けられる前記不純物濃度変調領域の密集度が、前記転送部に近いほど大きいことを特徴とする固体撮像素子の製造方法を提供する。
この固体撮像素子の製造方法によれば、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動が促進されるように、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。特に、蓄積領域に対する第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の注入領域(蓄積領域中に形成する不純物濃度変調領域)の転送部に対する単位距離当たりの面積または密集度を調整するのみで、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
上記特徴の固体撮像素子及びその製造方法によれば、蓄積領域中に形成する不純物濃度変調領域(蓄積領域に対する第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の注入領域)の転送部に対する単位距離当たりの面積または密集度を、転送部に近いほど大きくなるように調整するだけで、蓄積領域のポテンシャルを傾斜させ、蓄積領域が蓄積する電荷の転送部への移動を促進することが可能になる。そのため、この固体撮像素子は、簡易的に製造することが可能である。
さらに、蓄積領域中に形成する不純物濃度変調領域(蓄積領域に対する第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の注入領域)の転送部に対する単位距離当たりの面積または密集度は、無段階で調整することが可能である。そのため、上記特徴の固体撮像素子及びその製造方法によれば、蓄積領域のポテンシャルを任意に傾斜させることが可能になり、蓄積領域における電荷の移動を精度よく制御することが可能になる。
P型の基板の表面全体にN型不純物を注入した状態を示す模式図。 P型の基板の一部表面にN型不純物を注入した状態を示す模式図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図。 本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図。 本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図。 従来の固体撮像素子について示す図。 従来の固体撮像素子について示す図。
以下、本発明の各実施形態に係る固体撮像素子について、図面を参照して説明する。なお、以下では説明の具体化のため、本発明の各実施形態に係る固体撮像素子が、P型の基板中にN型の蓄積領域が形成されて成るCMOSイメージセンサである場合について例示する。
なお、「P型の基板」とは、素子構造が形成される部分がP型である基板を示したものであり、全体がP型となる基板のみに限られず、ウエルがP型である基板(例えば、全体がN型となる基板にP型不純物を注入してP型のウエルが形成された基板)も当然に含まれる。ただし、以下の説明において参照する各図では、基板の全体がP型であるかのように図示するものとする。
また、基板の材料として、シリコンを用いることができる。この場合、P型不純物として、ホウ素などを用いることができる。またこの場合、N型不純物として、リンやヒ素などを用いることができる。さらに、これらの不純物は、例えばイオン注入などの方法を適用することで、基板内に注入することができる。
<<基本原理>>
本発明の各実施形態に係る固体撮像素子について説明する前に、本発明の各実施形態に係る固体撮像素子の基本原理について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、P型の基板の表面全体にN型不純物を注入した状態を示す模式図である。また、図2は、P型の基板の一部表面にN型不純物を注入した状態を示す模式図である。
図1及び図2に示すように、アクセプタAを有するP型の基板に、N型不純物であるドナーDを注入すると、ドナーDが拡散した領域の境界付近において、イオン化したアクセプタAI及びイオン化したドナーDIから成る空乏層DLが生じる。
このとき、図1に示すように基板の表面全面に対してドナーDを注入すると、空乏層DLは、基板の深さ方向(基板の表面に対して垂直な方向)に対して拡がり、平面方向(基板の表面に対して平行な方向)に対して平行な薄板状となる。また、この空乏層DLの厚さや、空乏層DLが形成される深さ方向の位置は、基板の全面において等しくなる。したがって、図1に示す空乏層DLが形成される場合は、図21(c)に示したような平坦なポテンシャルが形成される。
一方、図2に示すように、基板の一部表面に対してドナーDを限定的に注入すると、空乏層DLが、深さ方向だけでなく、平面方向にも拡がる。そして、この図2に示す状態よりも、ドナーDが存在する領域をさらに増大させると、図1に示した状態に近づき、空乏層DLが深さ方向に対してより深く拡がるようになる。即ち、ドナーDが存在する領域を増大させることで、空乏層DLをより深く形成し、それによってポテンシャルを低くすることが可能である。
本発明の各実施形態に係る固体撮像素子は、ドナーDが存在する領域を徐々に増大させるとそれに応じてポテンシャルが徐々に低くなることを利用して、転送部に向かってポテンシャルが低くなるように傾斜した蓄積領域を形成し、蓄積領域が蓄積する電子の転送部への移動を促進することを可能にする。
なお、図1及び図2では、説明の簡略化のために、P型の基板にN型不純物を直接的に注入する場合について例示しているが、P型の基板中に形成したN型の領域に対して、N型不純物をさらに注入する場合でも、同様の原理によってポテンシャルを傾斜させることが可能である(後述する本発明の第1実施形態)。反対に、P型の基板中に形成したN型の領域に対して、P型不純物を注入する場合でも、同様の原理によってポテンシャルを傾斜させることが可能である(後述する本発明の第2実施形態)。
<<第1実施形態>>
<第1例>
本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子について、以下図面を参照して説明する。最初に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について、図3を参照して説明する。図3は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図である。なお、図3(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のQ−Q断面を示す断面図である。また、図3(c)は、図3(a)のQ−Q断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
図3(a)及び図3(b)に示すように、固体撮像素子1aは、基板11と、基板11中に形成されて光電変換によって生じた電子を蓄積する蓄積領域12と、基板11中に形成されて蓄積領域12が蓄積する電子が転送される読出領域13と、蓄積領域12から読出領域13に電子を転送する転送部14と、基板11の表面に形成される絶縁膜15と、を備える。転送部14は、絶縁膜15上に形成されるゲート電極であり、蓄積領域12及び読出領域13の間に形成されている。
基板11はP型(P−sub)であり、蓄積領域12はN型(N)であり、読出領域13はN型(N)である。また、固体撮像素子1aでは、蓄積領域12内であり転送部14に近接する注入領域16aに対して、N型不純物を別途注入することで、N型(N)のN型不純物高濃度領域121(不純物濃度変調領域)が形成されている。そのため、本例の固体撮像素子1aでは、基板11と蓄積領域12とでフォトダイオードが形成され、蓄積領域12には電子が蓄積される。
図3(a)に示すように、本例の固体撮像素子1aでは、注入領域16aが、転送部14に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16aと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、図3(c)に示すように、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1aでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。
この固体撮像素子1aにおいて、転送部14に所定の電位を与えると、転送部14の直下となる基板11内のポテンシャルが低下し、蓄積領域12が蓄積する電子が読出領域13に転送される。このとき、上述のように蓄積領域12のポテンシャルが傾斜しているため、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動が促進される。したがって、固体撮像素子1aは、蓄積領域12が大型であったとしても、蓄積領域12が蓄積する電子を迅速に(所定の読出期間内に)読出領域13に転送することができるため、得られる画像中に残像が生じることを防止することが可能となる。
<第2例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第2例について、図4を参照して説明する。図4は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図である。なお、図4は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16bについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図4に示すように、本例の固体撮像素子1bでは、注入領域16bが、転送部14に近づくに従って離散的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16bと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
<第3例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第3例について、図5を参照して説明する。図5は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図である。なお、図5は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16cについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図5に示すように、本例の固体撮像素子1cでは、注入領域16cが、転送部14に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16cと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1cでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。
<第4例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第4例について、図6を参照して説明する。図6は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図である。なお、図6は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16dについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図6に示すように、本例の固体撮像素子1dでは、注入領域16dが、転送部14から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部14に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16dと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1dでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子1dでは、蓄積領域12の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第5例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第5例について、図7を参照して説明する。図7は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図である。なお、図7は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16eについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図7に示すように、本例の固体撮像素子1eでは、注入領域16eが、転送部14から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部14に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16eと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1eでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子1eでは、蓄積領域12の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第6例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第6例について、図8を参照して説明する。図8は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図である。なお、図8は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16fについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図8に示すように、本例の固体撮像素子1fでは、注入領域16fが、転送部14から遠ざかる方向に対して3つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部14に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16fと同様の形状になる。
そして、このようなN型不純物高濃度領域121を有する蓄積領域12を形成することによって、蓄積領域12のポテンシャルを、転送部14に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1fでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子1fでは、蓄積領域12の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第7例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第7例について、図9を参照して説明する。図9は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図である。なお、図9は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16gについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図9に示すように、本例の固体撮像素子1gでは、複数の注入領域16gが、転送部14から遠ざかる方向に対して平行に延びた棒状の形状となっている。さらに、複数の注入領域16gは、転送部14の中心に近い注入領域16gほど、隣接する注入領域16g間の間隔が狭くなっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16gと同様の形状になる。なお、図9では、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16g)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域17gを、併せて示している。
本例の固体撮像素子1gでは、輪郭領域17gが、転送部14に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する。このように、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16g)の全体において、転送部14に近いほど転送部14に対する単位距離当たりの面積(総面積)が大きくなるようにすることで、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動が促進されるように、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子1gでは、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1gでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。
また、本例の固体撮像素子1gでは、転送部14に近いほど、N型不純物高濃度領域121の密集度が大きくなる。このように、複数のN型不純物高濃度領域121の密集度が転送部14に近いほど大きくなるようにすることで、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動が促進されるように、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子1gでは、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
<第8例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第8例について、図10を参照して説明する。図10は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図である。なお、図10は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16hについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図10に示すように、本例の固体撮像素子1hでは、複数の注入領域16hが、転送部14から遠ざかる方向に対して平行に延びた棒状の形状となっている。さらに、隣接する注入領域16hのそれぞれの間隔は、等しくなっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16hと同様の形状になる。なお、図10では、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16h)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域17hを、併せて示している。
本例の固体撮像素子1hでは、輪郭領域17hが、転送部14から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部14に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。このように、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16h)の全体において、転送部14に近いほど転送部14に対する単位距離当たりの面積(総面積)が大きくなるようにすることで、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動が促進されるように、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子1hでは、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子1hでは、蓄積領域12のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子を、円滑に転送部14に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子1hは、蓄積領域12の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第9例>
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第9例について、図11を参照して説明する。図11は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図である。なお、図11は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16iについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図11に示すように、本例の固体撮像素子1iでは、複数の注入領域16iが、転送部14から遠ざかる方向に対して放射状に延びた棒状の形状となっている。また、N型不純物高濃度領域121は、注入領域16iと同様の形状になる。なお、図11では、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16i)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域17iを、併せて示している。
本例の固体撮像素子1iでは、転送部14に近いほど、N型不純物高濃度領域121の密集度が大きくなる。このように、複数のN型不純物高濃度領域121の密集度が転送部14に近いほど大きくなるようにすることで、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動が促進されるように、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子1iでは、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を、促進することが可能になる。
<第1実施形態の各例について>
以上のように、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iでは、蓄積領域12中に形成するN型不純物高濃度領域121(蓄積領域12に対するN型不純物の注入領域16a〜16i)の転送部14に対する単位距離当たりの面積または密集度を、転送部14に近いほど大きくなるように調整するだけで、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させ、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を促進することが可能になる。そのため、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iは、簡易的に製造することが可能である。
さらに、蓄積領域12中に形成するN型不純物高濃度領域121(蓄積領域12に対するN型不純物の注入領域16a〜16i)の転送部14に対する単位距離当たりの面積または密集度は、無段階で調整することが可能である。そのため、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iは、蓄積領域12のポテンシャルを任意に傾斜させることが可能であり、蓄積領域12における電子の移動を精度よく制御することが可能である。
なお、第1例〜第9例(図3〜図11)において、注入領域16a〜16iを、その一部が蓄積領域12の外部(例えば、活性領域の外部、素子分離領域上)にはみ出すように設定してもよい。
また、第4例〜第6例(図6〜図8)において、注入領域16d〜16fが2つまたは3つに枝分かれする場合について例示しているが、4つ以上に枝分かれさせてもよい。また、枝分かれした注入領域が、転送部14に近づくに従って離散的に幅が増大する形状(第1実施形態の第2例、図4参照)であってもよい。また、枝分かれした注入領域は、必ずしも全て同様の形状にする必要はなく、異なる形状としてもよい。
また、第7例〜第9例(図9〜図11)における輪郭領域17g〜17iの形状として、どのような形状を採用してもよい。例えば、輪郭領域17g〜17iの形状を、第1実施形態の第1例〜第6例(上記のように変形した場合を含む)におけるN型不純物高濃度領域121(注入領域16a〜16f)の形状と同様にしてもよい。また、複数のN型不純物高濃度領域121(注入領域16g〜16i)の形状が、棒状である場合について例示したが、棒状以外の形状であってもよい。
<<第2実施形態>>
<第1例>
本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子について、以下図面を参照して説明する。最初に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について、図12を参照して説明する。図12は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図である。なお、図12(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図12(b)は、図12(a)のR−R断面を示す断面図である。また、図12(c)は、図12(a)のR−R断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
図12(a)及び図12(b)に示すように、固体撮像素子2aは、基板21と、基板21中に形成されて光電変換によって生じた電子を蓄積する蓄積領域22と、基板21中に形成されて蓄積領域22が蓄積する電子が転送される読出領域23と、蓄積領域22から読出領域23に電子を転送する転送部24と、基板21の表面に形成される絶縁膜25と、を備える。転送部24は、絶縁膜25上に形成されるゲート電極であり、蓄積領域22及び読出領域23の間に形成されている。
基板21はP型(P−sub)であり、蓄積領域22はN型(N)であり、読出領域23はN型(N)である。また、固体撮像素子2aでは、蓄積領域22内であり転送部24に近接する非注入領域261a(第1実施形態の第1例における注入領域16aに対応する領域、図3参照)を除いた注入領域262aに対して、P型不純物を別途注入することで、P型不純物が注入されていないN型(N)のP型不純物低濃度領域(不純物濃度変調領域)221と、P型不純物が注入されたP型(P)のP型不純物高濃度領域222と、が形成されている。そのため、本例の固体撮像素子2aでは、基板21と蓄積領域22とで埋込型のフォトダイオードが形成され、蓄積領域22には電子が蓄積される。
図12(a)に示すように、本例の固体撮像素子2aでは、非注入領域261aが、転送部24に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261aと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262aと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、図12(c)に示すように、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2aでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。
この固体撮像素子2aにおいて、転送部24に所定の電位を与えると、転送部24の直下となる基板21内のポテンシャルが低下し、蓄積領域22が蓄積する電子が読出領域23に転送される。このとき、上述のように蓄積領域22のポテンシャルが傾斜しているため、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動が促進される。したがって、固体撮像素子2aは、蓄積領域22が大型であったとしても、蓄積領域22が蓄積する電子を迅速に(所定の読出期間内に)読出領域23に転送することができるため、得られる画像中に残像が生じることを防止することが可能となる。さらに、本例の固体撮像素子2aでは、埋込型のフォトダイオードを形成すると同時に、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。
<第2例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第2例について、図13を参照して説明する。図13は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図である。なお、図13は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261b及び注入領域262bについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図13に示すように、本例の固体撮像素子2bでは、非注入領域261b(第1実施形態の第2例における注入領域16bに対応する領域、図4参照)が、転送部24に近づくに従って離散的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261bと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262bと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
<第3例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第3例について、図14を参照して説明する。図14は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図である。なお、図14は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261c及び注入領域262cについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図14に示すように、本例の固体撮像素子2cでは、非注入領域261c(第1実施形態の第3例における注入領域16cに対応する領域、図5参照)が、転送部24に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261cと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262cと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2cでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。
<第4例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第4例について、図15を参照して説明する。図15は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図である。なお、図15は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261d及び注入領域262dについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図15に示すように、本例の固体撮像素子2dでは、非注入領域261d(第1実施形態の第4例における注入領域16dに対応する領域、図6参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部24に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261dと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262dと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2dでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子2dでは、蓄積領域22の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第5例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第5例について、図16を参照して説明する。図16は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図である。なお、図16は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261e及び注入領域262eについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図16に示すように、本例の固体撮像素子2eでは、非注入領域261e(第1実施形態の第5例における注入領域16eに対応する領域、図7参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部24に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261eと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262eと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2eでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子2eでは、蓄積領域22の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第6例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第6例について、図17を参照して説明する。図17は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図である。なお、図17は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261f及び注入領域262fについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図17に示すように、本例の固体撮像素子2fでは、非注入領域261f(第1実施形態の第6例における注入領域16fに対応する領域、図8参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して3つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部24に近づくに従って連続的かつ線形的に幅が増大する形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261fと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262fと同様の形状になる。
そして、このようなP型不純物低濃度領域221を有する蓄積領域22を形成することによって、蓄積領域22のポテンシャルを、転送部24に近づくほど低下するように傾斜させることが可能になる。したがって、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2fでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子2fでは、蓄積領域22の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第7例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第7例について、図18を参照して説明する。図18は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図である。なお、図18は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域262g及び注入領域262gについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図18に示すように、本例の固体撮像素子2gでは、複数の非注入領域261g(第1実施形態の第7例における注入領域16gに対応する領域、図9参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して平行に延びた棒状の形状となっている。さらに、複数の非注入領域261gは、転送部14の中心に近い非注入領域261gほど、隣接する非注入領域261g間の間隔が狭くなっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261gと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262gと同様の形状になる。なお、図18では、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261g)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域27gを、併せて示している。
本例の固体撮像素子2gでは、輪郭領域27gが、転送部24に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する。このように、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261g)の全体において、転送部24に近いほど転送部24に対する単位距離当たりの面積(総面積)が大きくなるようにすることで、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動が促進されるように、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子2gでは、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2gでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。
また、本例の固体撮像素子2gでは、転送部24に近いほど、P型不純物低濃度領域221の密集度が大きくなる。このように、複数のP型不純物低濃度領域221の密集度が転送部24に近いほど大きくなるようにすることで、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動が促進されるように、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子2gでは、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
<第8例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第8例について、図19を参照して説明する。図19は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図である。なお、図19は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261h及び注入領域262hについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図19に示すように、本例の固体撮像素子2hでは、複数の非注入領域261h(第1実施形態の第8例における注入領域16hに対応する領域、図10参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して平行に延びた棒状の形状となっている。さらに、隣接する非注入領域261hのそれぞれの間隔は、等しくなっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261hと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262hと同様の形状になる。なお、図19では、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261h)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域27hを、併せて示している。
本例の固体撮像素子2hでは、輪郭領域27hが、転送部24から遠ざかる方向に対して2つに枝分かれしており、枝分かれしたそれぞれが転送部24に近づくに従って連続的かつ指数関数的に幅が増大する形状となっている。このように、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261h)の全体において、転送部24に近いほど転送部24に対する単位距離当たりの面積(総面積)が大きくなるようにすることで、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動が促進されるように、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子2hでは、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
さらに、本例の固体撮像素子2hでは、蓄積領域22のポテンシャルを、滑らかに傾斜させることができる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子を、円滑に転送部24に移動させることが可能になる。また、本例の固体撮像素子2hは、蓄積領域22の広範囲において、ポテンシャルを傾斜させることが可能になる。そのため、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、効果的に促進することが可能になる。
<第9例>
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第9例について、図20を参照して説明する。図20は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図である。なお、図20は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261i及び注入領域262iについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
図20に示すように、本例の固体撮像素子2iでは、複数の非注入領域261i(第1実施形態の第9例における注入領域16iに対応する領域、図11参照)が、転送部24から遠ざかる方向に対して放射状に延びた棒状の形状となっている。また、P型不純物低濃度領域221は、非注入領域261iと同様の形状になる。一方、P型不純物高濃度領域222は、注入領域262iと同様の形状になる。なお、図20では、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261i)を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域27iを、併せて示している。
本例の固体撮像素子2iでは、転送部24に近いほど、P型不純物低濃度領域221の密集度が大きくなる。このように、複数のP型不純物低濃度領域221の密集度が転送部24に近いほど大きくなるようにすることで、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動が促進されるように、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させることが可能になる。したがって、本例の固体撮像素子2iでは、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を、促進することが可能になる。
<第2実施形態の各例について>
以上のように、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iでは、蓄積領域22中に形成するP型不純物低濃度領域221(蓄積領域22に対するP型不純物の非注入領域261a〜261i)の転送部24に対する単位距離当たりの面積または密集度を、転送部24に近いほど大きくなるように調整するだけで、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させ、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を促進することが可能になる。そのため、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iは、簡易的に製造することが可能である。
さらに、蓄積領域12中に形成するP型不純物低濃度領域221(蓄積領域22に対するP型不純物の非注入領域261a〜261i)の転送部24に対する単位距離当たりの面積または密集度は、無段階で調整することが可能である。そのため、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iは、蓄積領域22のポテンシャルを任意に傾斜させることが可能であり、蓄積領域22における電子の移動を精度よく制御することが可能である。
なお、第1例〜第9例(図12〜図20)において、注入領域262a〜262iを、その一部が蓄積領域22の外部(例えば、活性領域の外部、素子分離領域上)にはみ出すように設定してもよい。
また、第4例〜第6例(図15〜図17)において、非注入領域261d〜261fが2つまたは3つに枝分かれする場合について例示しているが、4つ以上に枝分かれさせてもよい。また、枝分かれした注入領域が、転送部24に近づくに従って離散的に幅が増大する形状(第1実施形態の第2例、図13参照)であってもよい。また、枝分かれした注入領域は、必ずしも全て同様の形状にする必要はなく、異なる形状としてもよい。
また、第7例〜第9例(図18〜図20)における輪郭領域27g〜27iの形状として、どのような形状を採用してもよい。例えば、輪郭領域27g〜27iの形状を、第2実施形態の第1例〜第6例(上記のように変形した場合を含む)におけるP型不純物低濃度領域221(非注入領域261a〜261f)の形状と同様にしてもよい。また、複数のP型不純物低濃度領域221(非注入領域261g〜261i)の形状が、棒状である場合について例示したが、棒状以外の形状であってもよい。
<<変形等>>
P型の基板11,21中に、N型の蓄積領域12,22を形成する場合(蓄積領域12,22に電子を蓄積する場合)について例示したが、これらのP型及びN型を逆にしてもよい。即ち、N型の基板中に、P型の蓄積領域を形成(蓄積領域に正孔を蓄積)してもよい。この場合、上述した本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iにおける、注入領域16a〜16iに相当する注入領域に、P型不純物を注入することで、P型不純物高濃度領域(不純物濃度変調領域)を形成すればよい。またこの場合、上述した本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iにおける、注入領域262a〜262iに相当する注入領域に、N型不純物を注入することで、N型不純物低濃度領域(不純物濃度変調領域)及びN型不純物高濃度領域を形成すればよい。
本発明の各実施形態に係る固体撮像素子1a〜1i,2a〜2iとして、CMOSイメージセンサについて例示したが、本発明は、CMOSイメージセンサ以外の固体撮像素子(例えば、CCDイメージセンサ)に対しても、適用可能である。
本発明に係る固体撮像素子は、例えば撮像機能を有する各種電子機器に搭載されるCMOSイメージセンサやCCDイメージセンサ等に、好適に利用され得る。
1a〜1i : 固体撮像素子
11 : 基板
12 : 蓄積領域
121 : N型不純物高濃度領域(不純物濃度変調領域)
13 : 読出領域
14 : 転送部
15 : 絶縁膜
16a〜16i : 注入領域
17g〜17i : 輪郭領域
2a〜2i : 固体撮像素子
21 : 基板
22 : 蓄積領域
221 : P型不純物高濃度領域
222 : P型不純物低濃度領域(不純物濃度変調領域)
23 : 読出領域
24 : 転送部
25 : 絶縁膜
261a〜261i : 非注入領域
262a〜262i : 注入領域
27g〜27i : 輪郭領域

Claims (15)

  1. 第1導電型の基板と、
    前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
    前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
    前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備え、
    前記蓄積領域内の一部に、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域が形成され、
    複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して平行に延びており、前記転送部の中心に近い前記不純物濃度変調領域ほど、隣接する前記不純物濃度変調領域間の間隔が狭いことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 第1導電型の基板と、
    前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
    前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
    前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備え、
    前記蓄積領域内の一部に、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域が形成され、
    複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して放射状に延びていることを特徴とする固体撮像素子。
  3. 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子。
  4. 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  5. 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  6. 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  7. 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2つ以上に枝分かれしていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  8. 複数の前記不純物濃度変調領域を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大することを特徴とする請求項のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  9. 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  10. 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  11. 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大することを特徴とする請求項に記載の固体撮像素子。
  12. 前記輪郭領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2本以上に枝分かれしていることを特徴とする請求項11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  13. 前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い場合、前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が一様であり、
    前記不純物濃度変調領域内における前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い場合、前記蓄積領域内であり前記不純物濃度変調領域以外の領域における前記第1導電型の不純物の濃度が一様であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  14. 第1導電型の基板と、
    前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
    前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
    前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
    前記蓄積領域内の一部に、選択的に前記第1導電型の不純物または前記第2導電型の不純物を注入することで、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域を形成し、
    複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して平行に延びており、前記転送部の中心に近い前記不純物濃度変調領域ほど、隣接する前記不純物濃度変調領域間の間隔が狭いことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  15. 第1導電型の基板と、
    前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
    前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
    前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
    前記蓄積領域内の一部に、選択的に前記第1導電型の不純物または前記第2導電型の不純物を注入することで、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域を形成し、
    複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して放射状に延びていることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
JP2012037209A 2012-02-23 2012-02-23 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 Active JP5463373B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012037209A JP5463373B2 (ja) 2012-02-23 2012-02-23 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
CN201380010621.1A CN104115272B (zh) 2012-02-23 2013-02-21 固体摄像元件以及固体摄像元件的制造方法
PCT/JP2013/054316 WO2013125631A1 (ja) 2012-02-23 2013-02-21 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
US14/379,061 US10186547B2 (en) 2012-02-23 2013-02-21 Solid-state imaging element and method of manufacturing the same
EP13752556.4A EP2819171A1 (en) 2012-02-23 2013-02-21 Solid-state imaging element and method of manufacturing solid-state imaging element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012037209A JP5463373B2 (ja) 2012-02-23 2012-02-23 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013172136A JP2013172136A (ja) 2013-09-02
JP5463373B2 true JP5463373B2 (ja) 2014-04-09

Family

ID=49005809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012037209A Active JP5463373B2 (ja) 2012-02-23 2012-02-23 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10186547B2 (ja)
EP (1) EP2819171A1 (ja)
JP (1) JP5463373B2 (ja)
CN (1) CN104115272B (ja)
WO (1) WO2013125631A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015026679A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 株式会社東芝 固体撮像装置
JP6348272B2 (ja) 2013-11-05 2018-06-27 浜松ホトニクス株式会社 電荷結合素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置
WO2016157910A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 国立大学法人静岡大学 測長素子及び固体撮像装置
JP6799739B2 (ja) * 2016-03-30 2020-12-16 株式会社ブルックマンテクノロジ 光検出素子及び固体撮像装置
JP2019046995A (ja) 2017-09-04 2019-03-22 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
WO2020037455A1 (zh) * 2018-08-20 2020-02-27 西安飞芯电子科技有限公司 光电二极管以及制造方法、传感器、传感阵列

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347401A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Matsushita Electron Corp 固体撮像素子
JP4258875B2 (ja) 1999-02-15 2009-04-30 株式会社ニコン 光電変換素子及び光電変換装置
JP2002231926A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置
JP2005294398A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Shimadzu Corp 撮像素子およびそれを用いた撮像素子用装置
JP5283216B2 (ja) * 2008-07-31 2013-09-04 国立大学法人静岡大学 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
JP4832541B2 (ja) * 2009-03-17 2011-12-07 シャープ株式会社 固体撮像素子および電子情報機器
JP5564909B2 (ja) * 2009-11-30 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013125631A1 (ja) 2013-08-29
US10186547B2 (en) 2019-01-22
CN104115272B (zh) 2017-07-21
CN104115272A (zh) 2014-10-22
JP2013172136A (ja) 2013-09-02
EP2819171A1 (en) 2014-12-31
US20150014749A1 (en) 2015-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5463373B2 (ja) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
US9818794B2 (en) Solid-state image sensor and camera
RU2502155C1 (ru) Твердотельное устройство захвата изображения
US8530947B2 (en) Solid-state image sensor
US7154137B2 (en) Image sensor and pixel having a non-convex photodiode
US20140191290A1 (en) Solid-state imaging element
US20180247969A1 (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
CN102263115A (zh) 固态图像传感器的制造方法
CN102956657A (zh) 半导体装置及其制造方法、固体摄像装置及其制造方法以及电子单元
JP2016051896A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法ならびにカメラ
CN103413817B (zh) Cmos图像传感器的像素结构及其形成方法
KR100834300B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
CN1758442A (zh) 固体摄像装置
US20150380458A1 (en) Solid-state image pickup device, method of fabricating the same, and camera module
EP1748490A1 (en) Fabrication method for epitaxially grown solid-state image sensing devices and such devices
CN113013187A (zh) 像素装置的负偏置隔离结构
JP6739891B2 (ja) 固体撮像装置
JP2011054596A (ja) Ccdイメージセンサ
KR20140001906A (ko) 고체 촬상 장치
JP2013008782A (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR20210047008A (ko) 이미지 센서
JP2020113823A (ja) 光電変換装置およびカメラ
CN114078896B (zh) 具有穿硅鳍片转移门的图像传感器
KR20110075955A (ko) 이미지 센서의 제조 방법
JP4474829B2 (ja) 固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5463373

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250