JP5463373B2 - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の各実施形態に係る固体撮像素子について説明する前に、本発明の各実施形態に係る固体撮像素子の基本原理について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、P型の基板の表面全体にN型不純物を注入した状態を示す模式図である。また、図2は、P型の基板の一部表面にN型不純物を注入した状態を示す模式図である。
<第1例>
本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子について、以下図面を参照して説明する。最初に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について、図3を参照して説明する。図3は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図である。なお、図3(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のQ−Q断面を示す断面図である。また、図3(c)は、図3(a)のQ−Q断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第2例について、図4を参照して説明する。図4は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図である。なお、図4は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16bについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第3例について、図5を参照して説明する。図5は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図である。なお、図5は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16cについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第4例について、図6を参照して説明する。図6は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図である。なお、図6は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16dについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第5例について、図7を参照して説明する。図7は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図である。なお、図7は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16eについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第6例について、図8を参照して説明する。図8は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図である。なお、図8は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16fについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第7例について、図9を参照して説明する。図9は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図である。なお、図9は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16gについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第8例について、図10を参照して説明する。図10は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図である。なお、図10は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16hについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第9例について、図11を参照して説明する。図11は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図である。なお、図11は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図3(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の注入領域16iについてのみ説明し、それ以外については上述した第1実施形態の第1例の説明及び図3を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
以上のように、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iでは、蓄積領域12中に形成するN型不純物高濃度領域121(蓄積領域12に対するN型不純物の注入領域16a〜16i)の転送部14に対する単位距離当たりの面積または密集度を、転送部14に近いほど大きくなるように調整するだけで、蓄積領域12のポテンシャルを傾斜させ、蓄積領域12が蓄積する電子の転送部14への移動を促進することが可能になる。そのため、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iは、簡易的に製造することが可能である。
<第1例>
本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子について、以下図面を参照して説明する。最初に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について、図12を参照して説明する。図12は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示す図である。なお、図12(a)は、固体撮像素子が有する1つの画素の平面図であり、図12(b)は、図12(a)のR−R断面を示す断面図である。また、図12(c)は、図12(a)のR−R断面におけるポテンシャルを示すグラフである。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第2例について、図13を参照して説明する。図13は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第2例について示す図である。なお、図13は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261b及び注入領域262bについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第3例について、図14を参照して説明する。図14は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第3例について示す図である。なお、図14は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261c及び注入領域262cについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第4例について、図15を参照して説明する。図15は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第4例について示す図である。なお、図15は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261d及び注入領域262dについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第5例について、図16を参照して説明する。図16は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第5例について示す図である。なお、図16は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261e及び注入領域262eについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第6例について、図17を参照して説明する。図17は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第6例について示す図である。なお、図17は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261f及び注入領域262fについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第7例について、図18を参照して説明する。図18は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第7例について示す図である。なお、図18は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域262g及び注入領域262gについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第8例について、図19を参照して説明する。図19は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第8例について示す図である。なお、図19は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261h及び注入領域262hについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第9例について、図20を参照して説明する。図20は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第9例について示す図である。なお、図20は、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子の第1例について示した図12(a)に相当するものである。また、本例と第1例とは、非注入領域及び注入領域のみが異なっており、それ以外は同様である。そのため、以下では、本例の非注入領域261i及び注入領域262iについてのみ説明し、それ以外については上述した第2実施形態の第1例の説明及び図12を適宜参酌するものとして、その説明を省略する。
以上のように、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iでは、蓄積領域22中に形成するP型不純物低濃度領域221(蓄積領域22に対するP型不純物の非注入領域261a〜261i)の転送部24に対する単位距離当たりの面積または密集度を、転送部24に近いほど大きくなるように調整するだけで、蓄積領域22のポテンシャルを傾斜させ、蓄積領域22が蓄積する電子の転送部24への移動を促進することが可能になる。そのため、本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iは、簡易的に製造することが可能である。
P型の基板11,21中に、N型の蓄積領域12,22を形成する場合(蓄積領域12,22に電子を蓄積する場合)について例示したが、これらのP型及びN型を逆にしてもよい。即ち、N型の基板中に、P型の蓄積領域を形成(蓄積領域に正孔を蓄積)してもよい。この場合、上述した本発明の第1実施形態に係る固体撮像素子1a〜1iにおける、注入領域16a〜16iに相当する注入領域に、P型不純物を注入することで、P型不純物高濃度領域(不純物濃度変調領域)を形成すればよい。またこの場合、上述した本発明の第2実施形態に係る固体撮像素子2a〜2iにおける、注入領域262a〜262iに相当する注入領域に、N型不純物を注入することで、N型不純物低濃度領域(不純物濃度変調領域)及びN型不純物高濃度領域を形成すればよい。
11 : 基板
12 : 蓄積領域
121 : N型不純物高濃度領域(不純物濃度変調領域)
13 : 読出領域
14 : 転送部
15 : 絶縁膜
16a〜16i : 注入領域
17g〜17i : 輪郭領域
2a〜2i : 固体撮像素子
21 : 基板
22 : 蓄積領域
221 : P型不純物高濃度領域
222 : P型不純物低濃度領域(不純物濃度変調領域)
23 : 読出領域
24 : 転送部
25 : 絶縁膜
261a〜261i : 非注入領域
262a〜262i : 注入領域
27g〜27i : 輪郭領域
Claims (15)
- 第1導電型の基板と、
前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備え、
前記蓄積領域内の一部に、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域が形成され、
複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して平行に延びており、前記転送部の中心に近い前記不純物濃度変調領域ほど、隣接する前記不純物濃度変調領域間の間隔が狭いことを特徴とする固体撮像素子。 - 第1導電型の基板と、
前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備え、
前記蓄積領域内の一部に、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域が形成され、
複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して放射状に延びていることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子。
- 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
- 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2つ以上に枝分かれしていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 複数の前記不純物濃度変調領域を包含する輪郭線によって囲まれる輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って幅が増大することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って連続的に幅が増大することを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子。
- 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って線形的または指数関数的に幅が増大することを特徴とする請求項9に記載の固体撮像素子。
- 前記輪郭領域が、前記転送部に近づくに従って離散的に幅が増大することを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子。
- 前記輪郭領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して、2本以上に枝分かれしていることを特徴とする請求項8〜11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い場合、前記不純物濃度変調領域内における前記第2導電型の不純物の濃度が一様であり、
前記不純物濃度変調領域内における前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い場合、前記蓄積領域内であり前記不純物濃度変調領域以外の領域における前記第1導電型の不純物の濃度が一様であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 第1導電型の基板と、
前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記蓄積領域内の一部に、選択的に前記第1導電型の不純物または前記第2導電型の不純物を注入することで、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域を形成し、
複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して平行に延びており、前記転送部の中心に近い前記不純物濃度変調領域ほど、隣接する前記不純物濃度変調領域間の間隔が狭いことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 第1導電型の基板と、
前記基板内の、前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域であり、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積領域と、
前記基板内の、前記第2導電型の領域であり、前記蓄積領域が蓄積する電荷が転送される読出領域と、
前記基板の前記蓄積領域及び前記読出領域の間となる領域の上方に形成され、前記蓄積領域から前記読出領域に電荷を転送する転送部と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記蓄積領域内の一部に、選択的に前記第1導電型の不純物または前記第2導電型の不純物を注入することで、前記第2導電型の不純物の濃度が局所的に高い、または、前記第1導電型の不純物の濃度が局所的に低い不純物濃度変調領域を形成し、
複数の前記不純物濃度変調領域が、前記転送部から遠ざかる方向に対して放射状に延びていることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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