JP5461472B2 - 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5856991B2 (ja) * 2012-05-21 2016-02-10 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法
JP2014156530A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Dic Corp フッ素系界面活性剤及びポジ型レジスト組成物。

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001318465A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP2002139838A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
TWI266146B (en) * 2001-03-31 2006-11-11 Samyang Ems Co Ltd Resist composition for column spacer of liquid crystal display element
JP2002351079A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
KR20020090489A (ko) * 2001-05-28 2002-12-05 금호석유화학 주식회사 화학증폭형 레지스트용 중합체 및 이를 함유한 화학증폭형레지스트 조성물
JP4083399B2 (ja) * 2001-07-24 2008-04-30 セントラル硝子株式会社 含フッ素重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物
JP4522628B2 (ja) * 2001-11-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物
JP4030313B2 (ja) * 2002-01-18 2008-01-09 三菱レイヨン株式会社 アダマンタン誘導体の製造方法
JP2004220009A (ja) * 2002-12-28 2004-08-05 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2005017729A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4258645B2 (ja) * 2003-10-23 2009-04-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2005189712A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4525912B2 (ja) * 2004-01-30 2010-08-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4651283B2 (ja) * 2004-02-04 2011-03-16 ダイセル化学工業株式会社 不飽和カルボン酸ヘミアセタールエステル、高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP2005234449A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2005111097A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料

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