JP5458686B2 - 降圧型コンバータ - Google Patents

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Description

本発明は、降圧型コンバータに関し、特に、軽負荷時等の出力リップルを抑制する回路に関する。
携帯電話機や車載用電子機器に用いられる半導体デバイスの小型化および低消費電力化に伴い、動作電圧の低下が進んでいる。降圧型DC/DCコンバータは、典型的に、PWM制御によりスイッチングされるトランジスタを用いてインダクタに電力を供給することで入力電圧よりも低い出力電圧を生成する。こうした降圧型コンバータは、スイッチング電源に広く利用されている。例えば、特許文献1は、高速で動作可能なPWMコントローラを開示している。
米国特許第6924633号
図1は、従来の降圧型コンバータを用いたスイッチングレギュレータの回路図、図2は、図1の回路のタイミングチャートである。図1において、出力電圧VOは、抵抗R1、R2にて分圧され、フィードバック電圧VFBとして、PWMコンパレータCOMP1のマイナス端子に入力される。PWMコンパレータCOMP1のプラス端子には、基準電圧Refが印加される。
出力電圧VOが抵抗R3およびR4にて分圧され、分圧されたノードN1の電圧がTONコンパレータCOMP2のプラス端子に入力され、そのマイナス端子には、抵抗R5とコンデンサC1を接続するノードN2が印加される。抵抗R5は、入力電圧VINに接続される。コンデンサC1の一端は、ノードN2に接続され、他端はGNDに接続される。コンデンサC1の両端には、それと並列になるようにNMOSトランジスタQN1のドレインおよびソースが接続される。
ONコンパレータCOMP2の出力は、フリップフロップ回路FFのリセット入力に接続される。PWMコンパレータCOMP1の出力は、ノードN4を形成し、ノードN4は、インバータを介して後段のフリップフロップ回路FFに接続される。フリップフロップ回路FFの出力は、インバータを介してNMOSトランジスタQN1のゲートに接続される。フリップフロップ回路FFの出力ノードN5はまた出力バッファBF1に接続される。出力バッファBF1の出力ノードN7は、NMOSトランジスタQN2のゲートに接続される。トランジスタQN2のドレインは、入力端子VINに接続され、NMOSトランジスタQN2のソースは、ノードSWに接続される。ノードVBSTは、ブートストラップ用に使用される。ノードSWは、インダクタL1に接続され、コンデンサCO1は、インダクタL1とともに平滑フィルタを構成する。インダクタL1の出力は、出力電圧VOに接続され、これはスイッチングレギュレータの出力となる。コンパレータCOMP3のプラス端子は、ノードSWに接続され、マイナス端子は、NMOSトランジスタQN3のGND側ノード電圧に近い電圧に設定される。なお、Dは、遅延素子、BF2は、出力バッファである。
次に、図1の回路の動作について説明する。PWMコンパレータCOMP1のマイナス端子に入力されるフィードバック電圧VFBが基準電圧Refよりも低くなると(図2の時刻t1)、コンパレータCOMP1の出力であるノードN4がHレベルに反転し、後段のフリップフロップ回路FFがセットされ、同時にTONタイマーを構成するトランジスタQN1がオフ状態となり、TONコンパレータCOMP2のタイマーがスタートする。
ONコンパレータCOMP2のマイナス端子に接続された抵抗R5およびコンデンサC1において、抵抗R5とコンデンサC1とが入力電圧VINと接地電位との間に接続されているため、ノードN2がGND電圧より徐々に上昇し始め、TONコンパレータCOMP2のプラス入力の電圧に到達する時刻t2までの間、TON時間を生成する。TON時間は、入力電圧VIに反比例し、出力電圧VOに比例する。TON時間に達すると、すなわち時刻t2になると、TONコンパレータCOMP2の出力を形成するノードN3がLレベルに反転し、ノードN3に接続されたフリップフロップ回路FFはリセットされ、ノードN6がHレベルとなり、トランジスタQN1がオン状態になり、ノードN2の電位が降下し、TON時間は終了する。
フリップフロップ回路FFの出力ノードN5にTON時間が生成され、これが、出力バッファBF1に供給され、その出力ノードN7によってトランジスタQN2がスイッチされることで、TON時間がノードSWに反映されることになる。TON時間は、TON ∽VO / VINが成り立つ。
図1に示す降圧型スイッチング電源において、待機時の電源の変換効率が最近重視される。軽負荷の効率を上げるためには、スイッチング電源の発振周波数を下げることが効果的である。また、同期整流方式にて軽負荷となった場合、DCM(Discontinuous Current Mode)方式とし、コンパレータCOMP3の出力に基づき出力バッファBF2の出力ノードN8をLレベルにして、ロー側(Low side)トランジスタQN3をオフ状態とすることにより、軽負荷時の効率を上げることができる。しかし、ロー側トランジスタQN3をオフ状態にして発振周波数を下げることで軽負荷時の効率を上げることはできるが、その反面、出力電圧VOに反映されるリップル電圧が大きくなってしまうという課題がある。
次に、軽負荷時のリップル電圧について説明する。ここで、図3に、トランジスタQN2のオン時間、出力電圧VO、およびフィードバック電圧VFBの電圧波形図を示す。通常の電圧降下型のスイッチングレギュレータでは、オン時間は、入力電圧VI、出力電圧VOにより決まり、オン時間は、式(1)、(2)で表される。ここで、周期をT、オンデューティ(On duty)をD、オン時間をTONとする。
Figure 0005458686
Figure 0005458686
ON時間にインダクタL1に流れるピーク電流は、式(3)、(4)で表される。
Figure 0005458686
Figure 0005458686
軽負荷モード時のリップル電圧は、ロー側トランジスタQN3がオフとし、TONの時間にインダクタL1に蓄えられるエネルギーをPLとすると、エネルギーPLは、式(5)で表される。
Figure 0005458686
このエネルギーPLは、コンデンサCO1に移動されると、コンデンサCO1のリップル電圧は、式(6)により表される。
Figure 0005458686
式(3)および(4)からリップル電圧は、式(7)、(8)のように表される。
Figure 0005458686
Figure 0005458686
式(7)、(8)に示すように、ピーク電圧Vpeakは、TON時間による影響を受ける。実際に、L=2.2μH、入力電圧V1=12V、出力電圧=1V、C=22μF、TON=0.1μsとすると、ピーク電圧Vpeakは、式(7)より、Vpeak=1/L×(VI-VO)×TON× √(L/C)=0.158Vとなり、リップル電圧としてはかなり大きくなってしまう。
本発明は、上記従来の課題を解決し、リップル電圧を抑制した降圧型コンバータおよびスイッチングレギュレータを提供することを目的とする。
本発明に係る降圧型コンバータは、入力電圧よりも低い出力電圧を生成するものであって、入力電圧と第1の基準電位との間に直列に接続された第1および第2のMOSトランジスタと、第1および第2のMOSトランジスタを接続する接続ノードに接続されたインダクタと、少なくとも第1のMOSトランジスタのオン時間を制御するスイッチング制御回路と、前記インダクタから前記接続ノードおよび第2のMOSトランジスタを介して第1の基準電位に流れる電流を検出する電流検出回路とを有し、前記スイッチング制御回路は、前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して第1のMOSトランジスタのオン時間が短くなるように第1のMOSトランジスタのスイッチングを制御する。
好ましくは前記電流検出回路は、前記接続ノードに接続された第1の入力と第2の基準電位に接続された第2の入力から印加される各電圧を比較することで電流の検出を行う第1のコンパレータを含み、前記スイッチング制御回路は、第1のコンパレータの検出結果に基づき第1のMOSトランジスタのオン時間を短くする。好ましくは電流検出回路はさらに、第1のコンパレータに接続されたカウンターを含み、前記カウンターは、第1のコンパレータの検出結果が予め決められた回数に到達したとき、電流の検出を示す信号を前記スイッチング制御回路に出力する。好ましくは前記スイッチング制御回路は、第1のノードと第2のノードから印加される各電圧を比較することにより第1のMOSトランジスタのオン時間を決定する第2のコンパレータと、第1のノードに接続されかつ第1のノードの電圧を可変する可変回路と、第2のノードに接続されかつ前記接続ノードからの電荷を充電可能なコンデンサとを含み、前記可変回路は、前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して第1のノード電圧を降下させ、第2のコンパレータは、第1のMOSトランジスタのオン時間を短くする。好ましくは前記可変回路は、第1のノードと第3の基準電位との間に直列に接続された第3のMOSトランジスタを含み、第3のMOSトランジスタのゲートは、前記電流検出回路の出力に接続される。好ましくは第1のノードは、前記インダクタに接続される出力電圧と第3の基準電位との間に直列に接続された第1および第2の抵抗の接続点であり、前記可変回路は、第1のノードと第3の基準電位との間に直列に接続された第3の抵抗と第3のMOSトランジスタとを含む。好ましくは第1のMOSトランジスタのオン時間の短縮は、第1のノードの電圧降下量によって決定され、電圧降下量は、第1、第2、第3の抵抗によって決定される。好ましくは前記スイッチング制御回路は、前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して第2のMOSトランジスタをオフさせる回路を含む。
本発明に係るスイッチングレギュレータは、上記した降圧型コンバータと、前記インダクタに接続された出力コンデンサと、前記インダクタに接続された出力電圧をフィードバックさせるフィードバックループを含み、前記スイッチング制御回路は、フィードバックされた出力電圧に基づき前記第2のノードの電位を制御する。好ましくは前記スイッチング制御回路は、出力電圧に基づき生成されたフィードバック電圧と第4の基準電位とを比較する第3のコンパレータと、第3のコンパレータの比較結果に基づき前記第2のノードに接続されたコンデンサの充放電を制御するトランジスタとを含む。
さらに本発明に係る降圧型コンバータは、第1の電源端子と入力ノードとの間に接続された第1のトランジスタと、第2の電源端子と上記入力ノードとの間に接続された第2のトランジスタと、上記入力ノードと出力ノードとの間に接続されたインダクタ素子と、上記出力ノードに接続された出力コンデンサとを含むものであって、出力電圧に応じた第1の電圧と第1の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じた第1の信号を出力する第1の比較回路と、上記第1のトランジスタのオン時間を制御するための第2の信号を出力する時間幅制御回路と、上記入力ノードに流れる逆電流を検出する逆電流検出回路と、上記第1の信号と上記第2の信号とに応答して上記第1のトランジスタの導通を制御するための第1の制御信号を出力する第1の論理回路と、上記第1の制御信号と上記逆電流検出回路の検出信号とに応答して上記第2のトランジスタの導通を制御するための第2の制御信号を出力する第2の論理回路と、上記検出信号と上記第2の制御信号とに応答して上記第1のトンラジスタのオン時間を短くするための調整信号を出力する時間幅調整回路と、を含み、上記時間幅制御回路は、上記第1の制御信号に応答して上記第2の信号を出力し、そして、上記調整信号を受けると、上記第1のトランジスタのオン時間が短くなるように上記第2の信号の出力タイミングを制御する。
好ましくは上記時間幅制御回路が、上記第1の制御信号に応答して、経時的に変化する電圧信号と第2の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じて上記第2の信号を出力する第2の比較回路を含み、上記逆電流検出回路が、上記入力ノードの電位と第3の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じた上記検出信号を出力する第3の比較回路を含み、上記時間幅調整回路が、上記検出信号と上記第2の制御信号との論理積信号を出力する論理積回路と、上記論理積信号が連続してN回入力された際に上記調整信号を出力するカウンタ回路とを含む。好ましくは、上記時間幅制御回路が、上記出力ノードに接続され、当該出力ノードの電圧を分圧した電圧を上記第2の基準電圧として出力する第1の抵抗分圧回路と、上記第1の抵抗分圧回路に接続され、上記調整信号に応答して上記第2の基準電圧を変化させるための第3のトランジスタと、経時的に変化する充電電圧を上記電圧信号として供給する第1のコンデンサと、上記コンデンサに並列に接続され、上記第1の制御信号に応答して上記コンデンサの電荷を放電させる第4のトランジスタとを含む。
本発明によれば、接続ノードから第2のMOSトランジスタを介して基準電位に流れる電流を検出したとき、第1のMOSトランジスタのオン時間を短くするようにしたので、接続ノードのリップル電圧を抑制することができる。
従来の降圧型コンバータを用いたスイッチングレギュレータの回路図である。 図1の回路のタイミングチャートである。 図1の回路のノードSWとフィードバック電圧VFBの電圧波形図である。 本発明の第1の実施例に係るスイッチングレギュレータの回路図である。 本発明の第2の実施例に係るスイッチングレギュレータの回路図である。 図5に示すスイッチングレギュレータのタイミングチャートである。 図5に示すスイッチングレギュレータの他の回路構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図4は、本発明の第1の実施例に係る降圧型コンバータを用いたスイッチングレギュレータの回路図である。なお、図1のスイッチングレギュレータと同一構成については同一参照番号を付してある。好ましい実施例では、スイッチングレギュレータは、入力電圧V1Nとグランド電位との間に直列に接続された2つのNMOSトランジスタQN2、QN3と、トランジスタQN2とトランジスタQN3を接続するノードSWに接続されたインダクタL1と、インダクタL1に接続された出力コンデンサCO1と、トランジスタQN2のオン時間を制御するTONコンパレータCOMP2を含むスイッチング制御回路と、インダクタL1からノードSWおよびトランジスタQN3を介してグランド電位に流れる逆電流Igを検出する電流検出回路100とを含んでいる。スイッチング制御回路は、電流検出回路100が、逆電流Igを検出したことに応答してトランジスタQN2のオン時間が短くなるようにTONコンパレータCOMP2のノードN1の電圧を可変する可変回路110を含んでいる。
待機時や出力に接続された負荷が小さいとき、インダクタL1で逆電流が発生する。電流検出回路100は、インダクタL1で発生する逆電流Igを検出する。電流検出回路100は、例えば、ノードSWあるいはトランジスタQN3のソース(図中、破線で示す)に電気的に接続され、インダクタL1で発生した逆電流Igを検出する。電流検出回路100は、逆電流Igを検出すると、その検出結果を示す信号を可変回路110に出力する。可変回路110は、ノードN1に接続され、電流検出回路100の検出結果に応答して、ノードN1の電位を降下させる。これにより、ノードN2の電位がノードN1の電位に到達するまでの時間が短縮され、これにより、トランジスタQN2のTON時間が短くなる。その結果、式(7)に示したように、リップル電圧が抑制される。
好ましくは、電流検出回路100によって逆電流Igが検出されたとき、電流検出回路100からの信号Sによりフリップフロップ回路FF1をリセットし、出力バッファBF2の出力であるノードN8をLレベルにし、NMOSトランジスタQN3をオフさせるようにしてもよい。軽負荷時にトランジスタQN3をオフさせることで、変換効率をより改善することができる。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第2の実施例は、第1の実施例の電流検出回路100および可変回路110の好ましい回路構成を含むものである。図5は、第2の実施例に係る降圧型コンバータを用いたスイッチングレギュレータの回路図であり、図1と同一のものについては同一参照番号を付してある。第2の実施例において、電流検出コンパレータCOMP3、カウンターCNT、N型トランジスタQN4、抵抗R6が新たに加えられている。
電流検出コンパレータCOMP3のプラス入力端子には、ノードSWが接続され、マイナス入力端子には、基準電位またはグランド電位PGNDが接続される。電流検出コンパレータCOMP3の出力は、AND回路の一方の入力に接続され、AND回路の他方の入力には、L側のトランジスタQN3のゲートに接続されるノードN8の電位が印加される。AND回路の出力であるノードN9は、カウンターCNTに入力され、カウンターCNTの出力であるノードN10は、NMOSトランジスタQN4のゲートに接続される。カウンターCNTは、電流検出コンパレータCOMP3からHレベルのパルス信号を規定回数nだけ受け取ると、Hレベルの検出信号を出力する。トランジスタQN4のドレインは、抵抗R6に接続され、ソースは、グランドに接続される。抵抗R6は、ノードN1に接続される。
次に、第2の実施例の回路動作を図6のタイミングチャートを参照して説明する。時刻t1から時刻t2の間、インダクタL1につながる出力電圧VOには、比較的大きな負荷が接続され、この間、トランジスタQN2およびトランジスタQN3が交互にオン、オフ状態にスイッチングされ、インダクタL1に供給された電力が出力コンデンサCO1によって平滑化され、所望の出力電圧VOが生成される。
時刻t2において、インダクタL1につながる出力電圧VOに比較的小さな負荷が接続されると、インダクタL1に逆電流Igが発生し、この逆電流Igは、トランジスタQN3がオン状態のときにグランドに流れる。従って、逆電流IgがトランジスタQN3を流れるとき、トランジスタQN3のオン抵抗により、ノードSWの電位がプラス電圧となる。このノードSWの電位は、電流検出コンパレータCOMP3のプラス入力端子に供給される。時刻t3に示すように、トランジスタQN3がオン状態でありかつノードSWの電圧がプラスになると、ノードSWの電位がゼロ(グランド電位)を越えてそれよりも大きくなるため、電流検出コンパレータCOMP3の出力が反転し、Hレベルの信号が出力される。また、コンパレータCOMP3の出力信号Sは、インバータを介してフリップフロップ回路FF1に入力され、出力バッファBF2のノードN8がLレベルとなり、トランジスタQN3がオフされる。これにより、アンド回路の出力は、Lレベルになり、その出力であるノードN9には、一定のパルス幅のパルス信号が生成され、このパルス信号がカウンターCNTに入力される。
カウンターCNTは、アンド回路で生成されたパルス信号をカウントし、時刻t4に示すように、パルス信号が連続して規定回数nを超えると、出力を反転させ、Hレベルの検出信号を出力する。カウンターCNTの出力であるノードN10がHレベルになると、トランジスタQN4がオン状態になり、ノードN1の電位が降下される。これにより、TONコンパレータCOMP2のしきい値(ノードN1の電位)が低下するため、時刻t5に示すように、トランジスタQN2のTON時間が短くなり、ノードSWの電位が降下する。以後、逆電流Igが連続して検出され続けると、カウンターCNTの出力はHレベルが維持され、時刻t6、t7に示すように、トランジスタQ2のオン時間は短縮される。出力電圧VOに高負荷が接続され、逆電流Igの検出が途絶えると、カウンターCNTの出力は、Lレベルに反転し、トランジスタQN4はオフ状態になり、ノードN1の電圧がもとの出力電圧VOに応じた電圧に上昇する。
ノードN1の電圧をVN1とすると、VN1 = VO × (R6//R4 / (R3+ R6//R4)となり、この電圧は、トランジスタQN4がオンすることで降下する。従来のスイッチングレギュレータのオン時間、あるいは、トランジスタQN4がオンしないときのオン時間をTON1、本実施例の回路のオン時間をTON2とすると、TON1、TON2時間は、ノードN1の電圧に比例する。TON1およびTON2におけるノードN1の電圧を、それぞれVTON1、VTON2とすると、両者の関係は、式(9)および(10)で表される。
Figure 0005458686
式(8)、(9)、(10)により、出力リップル電圧は、式(11)によって表される。
Figure 0005458686
実際に、L=2.2uH、VI=12V、VO=1V、C=22uF、TON=0.1usとすると、従来のリップル電圧は、0.158Vであったのに対し、本実施例のリップル電圧は、便宜上、R3=R6=R4とすると、以下に示すように、0.105Vとなり、かなり減少させることができる。
Figure 0005458686
本実施例のスイッチングレギュレータによれば、次のような効果を得ることができる。
(1)インダクタL1の逆電流Igを利用してカウンターCNTを動作させ、容易にトランジスタQN2のTON時間を短縮し、軽負荷時や待機時等のの出力リップル電圧を抑えることができる。
(2)カウンターCNT用いて逆電流Igの発生を連続的に監視することで、動作の安定性を保つことができる。
(3)リップル電圧を小さくすることで、出力コンデンサCO1の容量を小さくすることができ、電源システムのコストを低減することができる。
次に、第2の実施例の他の変形例を図7に示す。この変形例では、コンパレータCOMP2のノードN1の電圧を可変するために、P型のMOSトランジスタQP1とこれに直列に接続される抵抗R6を、抵抗R3と並列になるように接続する。カウンターCNTからの検出信号は、バッファを介してトランジスタQP1のゲートに接続される。従って、カウンターCNTからHレベルの検出信号が出力されると、トランジスタQP1がオフ状態になり、ノードN1の電圧が降下され、トランジスタQN2のオン時間が短縮される。
上記実施例において、図4および図5に示すスイッチングレギュレータでは、ノードN2が抵抗R5を介して入力電圧VINに接続される構成であるが、ノードN2は、トランジスタQN2を介してノードSWに電気的に接続されるようにしてもよい。これにより、特性を改善することができる。
また、上記実施例では、抵抗R3=R4=R6のときのリップル電圧の具体例を示したが、a<1となる関係であれば、抵抗R3、R4、R6の値は、適宜選択することが可能である。さらに上記実施例では、動作を安定化させるためにカウンターCNTが規定回数nをカウントしたとき検出信号を出力するようにしたが、カウンターCNTは必ずしも必須ではなく、電流検出コンパレータCOMP3の出力に応答してノードN1の電位を降下させるようにしてもよい。さらに、TONコンパレータCOMP2のノードN2に接続されたトランジスタは、バイポーラトラジスタを用いることも可能である。
以上のように、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
QN1、QN2、QN3、QN4:NMOSトランジスタ
QP1:PMOSトランジスタ
N1〜N10:ノード
SW:ノード
100:電流検出回路
110:可変回路

Claims (13)

  1. 入力電圧よりも低い出力電圧を生成する降圧型コンバータであって、
    入力電圧と第1の基準電位との間に直列に接続された第1および第2のMOSトランジスタと、
    第1および第2のMOSトランジスタを接続する接続ノードに接続されたインダクタと、
    少なくとも第1のMOSトランジスタのオン時間を制御するスイッチング制御回路と、
    前記インダクタから前記接続ノードおよび第2のMOSトランジスタを介して第1の基準電位に流れる電流を検出する電流検出回路と
    含み
    前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して、前記スイッチング制御回路が第1のMOSトランジスタのオン時間が短くなるように第1のMOSトランジスタのスイッチングを制御する、降圧型コンバータ。
  2. 請求項1に記載の降圧型コンバータであって、
    前記電流検出回路、前記接続ノードに接続された第1の入力と第2の基準電位に接続された第2の入力から印加される各電圧を比較することで電流の検出を行う第1のコンパレータを含み、
    前記スイッチング制御回路、第1のコンパレータの検出結果に基づき第1のMOSトランジスタのオン時間を短くする
    降圧型コンバータ。
  3. 請求項2に記載の降圧型コンバータであって、
    前記電流検出回路が、更に、第1のコンパレータに接続されたカウンターを含み、
    前記カウンター、第1のコンパレータの検出結果が予め決められた回数に到達したとき電流の検出を示す信号を前記スイッチング制御回路に出力する
    降圧型コンバータ。
  4. 請求項1に記載の降圧型コンバータであって、
    前記スイッチング制御回路
    第1のノードと第2のノードからそれぞれ印加される各電圧を比較することにより第1のMOSトランジスタのオン時間を決定する第2のコンパレータと、
    第1のノードに接続されかつ第1のノードの電圧を可変する可変回路と、
    第2のノードに接続されかつ前記接続ノードからの電荷を充電可能なコンデンサと
    を含み、
    前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して、前記可変回路が第1のノード電圧を降下させ、
    第2のコンパレータ第1のMOSトランジスタのオン時間を短くする
    降圧型コンバータ。
  5. 請求項4に記載の降圧型コンバータであって、
    前記可変回路、第1のノードと第3の基準電位との間に接続された第3のMOSトランジスタを含み、
    第3のMOSトランジスタのゲート前記電流検出回路の出力に接続される、
    降圧型コンバータ。
  6. 請求項4に記載の降圧型コンバータであって、
    第1のノード、前記インダクタに接続される出力電圧と第3の基準電位との間に直列に接続された第1および第2の抵抗の接続点であり、
    前記可変回路、第1のノードと第3の基準電位との間に直列に接続された第3の抵抗と第3のMOSトランジスタとを含む
    降圧型コンバータ。
  7. 請求項6に記載の降圧型コンバータであって、
    第1のMOSトランジスタのオン時間の短縮、第1のノードの電圧降下量によって決定され、
    電圧降下量、第1、第2、第3の抵抗によって決定される
    降圧型コンバータ。
  8. 請求項1乃至7の何れかに記載の降圧型コンバータであって、
    前記スイッチング制御回路は、前記電流検出回路が電流を検出したことに応答して第2のMOSトランジスタをオフさせる回路を含む
    降圧型コンバータ。
  9. 請求項1乃至の何れか1つに記載の降圧型コンバータと、
    前記インダクタに接続された出力コンデンサと、
    前記インダクタに接続された出力電圧をフィードバックさせるフィードバックループと、
    を含む、スイッチングレギュレータであって
    前記スイッチング制御回路、フィードバックされた出力電圧に基づき前記第2のノードの電位を制御する、
    スイッチングレギュレータ。
  10. 請求項9に記載のスイッチングレギュレータであって、
    前記スイッチング制御回路
    出力電圧に基づき生成されたフィードバック電圧と第4の基準電位とを比較する第3のコンパレータと、
    第3のコンパレータの比較結果に基づき前記第2のノードに接続されたコンデンサの充放電を制御するトランジスタと
    を含む
    スイッチングレギュレータ。
  11. 第1の電源端子と入力ノードとの間に接続された第1のトランジスタと、
    第2の電源端子と上記入力ノードとの間に接続された第2のトランジスタと、
    上記入力ノードと出力ノードとの間に接続されたインダクタ素子と、
    上記出力ノードに接続された出力コンデンサと、
    出力電圧に応じた第1の電圧と第1の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じた第1の信号を出力する第1の比較回路と、
    上記第1のトランジスタのオン時間を制御するための第2の信号を出力する時間幅制御回路と、
    上記入力ノードに流れる逆電流を検出する逆電流検出回路と、
    上記第1の信号と上記第2の信号とに応答して上記第1のトランジスタの導通を制御するための第1の制御信号を出力する第1の論理回路と、
    上記第1の制御信号と上記逆電流検出回路の検出信号とに応答して上記第2のトランジスタの導通を制御するための第2の制御信号を出力する第2の論理回路と、
    上記検出信号と上記第2の制御信号とに応答して上記第1のトランジスタのオン時間を短くするための調整信号を出力する時間幅調整回路と、
    を含み、
    上記時間幅制御回路が、上記第1の制御信号に応答して上記第2の信号を出力し、そして、上記調整信号を受けると、上記第1のトランジスタのオン時間が短くなるように上記第2の信号の出力タイミングを制御する、
    降圧型コンバータ。
  12. 請求項11に記載の降圧型コンバータであって、
    上記時間幅制御回路が、上記第1の制御信号に応答して、経時的に変化する電圧信号と第2の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じて上記第2の信号を出力する第2の比較回路を含み、
    上記逆電流検出回路が、上記入力ノードの電位と第3の基準電圧とを比較して当該比較結果に応じた上記検出信号を出力する第3の比較回路を含み、
    上記時間幅調整回路が、上記検出信号と上記第2の制御信号との論理積信号を出力する論理積回路と、上記論理積信号が連続してN回入力された際に上記調整信号を出力するカウンタ回路とを含む、
    降圧型コンバータ。
  13. 請求項12に記載の降圧型コンバータであって、
    上記時間幅制御回路が、
    上記出力ノードに接続され、当該出力ノードの電圧を分圧した電圧を上記第2の基準電圧として出力する第1の抵抗分圧回路と、
    上記第1の抵抗分圧回路に接続され、上記調整信号に応答して上記第2の基準電圧を変化させるための第3のトランジスタと、
    経時的に変化する充電電圧を上記電圧信号として供給する第1のコンデンサと、
    上記コンデンサに並列に接続され、上記第1の制御信号に応答して上記コンデンサの電荷を放電させる第4のトランジスタと
    更に含む、
    降圧型コンバータ。
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