JP5448110B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
一方、特開2000-69766号公報には、コンバータやインバータにおけるスイッチング損失を低減する技術が開示されている。この文献には、例えば、インバータとコンデンサを平行平板を用い、相互インダクタンスの効果によって配線の低インダクタンス化を図る技術が開示されている。即ち、この技術はコンバータやインバータの半導体素子外の回路部配線の低インダクタンス化の技術であり、MOSFET内部の低インダクタンス化については記載されていない。
(1)オン抵抗及びスイッチング損失の低減を図ることができる高速駆動が可能な縦型構造のトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。
(実施形態1)
本実施形態1では縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(縦型高耐圧MOSFET)に本発明を適用した例について説明する。
本実施形態1の半導体装置10は、図3に示すような外観形状をしている。図3は本実施形態1の半導体装置の一部を切り欠いた状態の平面図である。絶縁性樹脂で形成される封止体(パッケージ)11の一端から3本のリード12が並んで突出している。中央のリード12がドレインリード(D)となり、左側のリード12がゲートリード(G)となり、右側のリード12がソースリード(S)となっている。
図11は本発明の他の実施形態(実施形態2)である半導体装置10の一部を示す模式的平面図である。本実施形態2では、ゲートワイヤ14Gとソースワイヤ14Sが交互に配置されるように半導体チップ1におけるゲート用ワイヤボンディングパッド2とソース用ワイヤボンディングパッド15が選択的に配置されるとともに、これに対応してゲートリード12Gとソースリード12Sも交互に配置されている。そしてゲートリード12Gの先端延長上にゲート用ワイヤボンディングパッド2が位置し、ソースリード12Sの先端延長上にソース用ワイヤボンディングパッド15が位置し、それぞれゲートワイヤ14G及びソースワイヤ14Sで電気的に接続されている。
図12乃至図14は本発明の他の実施形態(実施形態3)である半導体装置に係わる図である。図12は半導体装置の一部を示す模式的平面図、図13は図12のA−A線に沿う断面図、図14は図12のB−B線に沿う断面図である。
Claims (1)
- 封止体と、前記封止体内に位置する半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、前記半導体チップの電極と前記封止体内に位置するリードの内端を電気的に接続する導電性の金属板とを有し、前記半導体チップには縦型電界効果トランジスタセルが並列接続状態で複数組み込まれ、前記半導体チップの表面にはゲート電極及びソース電極並びにドレイン電極が配置され、前記半導体チップの一端側にはソースリードとドレインリードが並ぶとともに他端側にはソースリードとゲートリードが並び、前記一端側のソースリード及びドレインリードにそれぞれ接続される前記金属板は相互に一部で所定の間隔を隔てて重なり、前記他端側のソースリード及びゲートリードにそれぞれ接続される前記金属板は相互に一部で所定の間隔を隔てて重なるように構成されていることを特徴とする半導体装置。
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