JP5435798B2 - 乱流制御装置及び乱流制御用アクチュエータの製造方法 - Google Patents
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また、前記目的を達成するために以下の発明態様を提供する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る境界層制御装置の平面図である。本例の乱流制御装置10は、流体と接触する壁面12に複数個の圧電薄膜ダイアフラム型MEMSアクチュエータ20を配列させてなるアクチュエータ群21を備える。以下、符号20を単に「アクチュエータ」と表記し、アクチュエータ群の全体を符号21で示す。ここでは、説明を簡単にするために、壁面12は略平坦な平面とするが、本発明の実施に際して、壁面12は曲率を持つ壁面(曲面)であってもよい。
次に、圧電薄膜ダイアフラム型MEMSアクチュエータアレイの作製方法の例について説明する。図4は図1乃至図3で説明したアクチュエータアレイの作製に好適な製造プロセスの工程図である。
図4で説明した製造プロセスによって得られたアクチュエータ20に50Vの電圧を印加したところ、12μmの凸の変位が得られた。さらに、同アクチュエータ20を、当該アクチュエータ20の共振周波数(ダイアフラムの共振周波数)で駆動することにより、150μmの変位が得られた。
圧電膜は低消費電力、高トルク、低電圧駆動などの利点を有しており、乱流制御用MEMSアクチュエータ用として好ましい駆動方式である。従来の薄膜の圧電体は、焼成されたバルク体の圧電体と比較し、圧電定数が劣るという弱点があったが、近年は高圧電定数の薄膜圧電体が開発され、薄膜でありながら、高ストローク出力が可能なアクチュエータ作製が可能である。圧電薄膜により形成されたアクチュエータは、最表面での構造凹凸が少ないため、流体において抵抗が少ないという利点がある。さらに圧電薄膜は、スパッタリングなどの成膜方法を用いることにより、任意の流線形状表面に形成できるという利点がある。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態ではリング型の上部電極46を有するアクチュエータ20を説明したが、これに代えて、図5に示すような円形の上部電極246を有するアクチュエータ220を用いることも可能である。図5中、図2で説明した構成と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
本発明の実施に用いることができる圧電体膜として、下記一般式(P)で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜(不可避不純物を含んでいてもよい。)が挙げられる。かかる圧電体膜は、プラズマを用いるスパッタリング法により基板上に成膜することができる。
式中、AはPbを主成分とするAサイト元素、BはBサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、Oは酸素であるa≧1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。
式(P−1)中、XはV族及びVI族の元素群より選ばれた少なくとも1種の金属元素である。a>0、b1>0、b2>0、b3≧0。a≧1.0であり、かつb1+b2+b3=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。
本発明の実施に際しては、上述した実施例における、圧電体の材料、電極の材料、成膜条件、膜厚寸法、駆動電圧等の条件に限定されず、様々な条件で実施することが可能である。また、シリコンウエハ基板100に代えて、SOI基板を用いることも可能である。
図1では、同じ大きさ、同じ形状のアクチュエータ20を多数配列させたアクチュエータ群21を説明したが、サイズや変位量が異なる複数種類のアクチュエータを組み合わせて配置してもよい。例えば、大きい乱流に対しては大きいアクチュエータ(変位量が大きいもの)を作動させ、小さい乱流に対しては小さいアクチュエータを作動させるという制御形態を採用してもよい。ただし、同じアクチュエータを配列させる形態の方がシステムをシンプルに構成することができる。
図1では、アクチュエータ20を二次元配列させたアクチュエータ群21を説明したが、一次元配列(例えば、z方向にそってアクチュエータ20を1列に並べたもの)であっても、ある程度の乱流制御効果は得られる。ただし、より効果的な乱流制御を実現するためには、x方向及びz方向にそれぞれ位置を異ならせて複数のアクチュエータを配置する形態(二次元的に配列する形態)が好ましい。
図5で説明した第2実施形態では、図5において振動板30の上面に下部電極40、圧電体膜244、上部電極246を積層した構造を説明したが、これに代えて、振動板30の下面(キャビティ22側)に下部電極、圧電体膜、上部電極を積層する形態も可能である。この場合、製造プロセスはやや複雑になるが、壁面12に対して凸方向の変位が可能となる。
Claims (7)
- 流体との境界面を形成する壁に設置される乱流制御装置であって、
振動板の面上に第1電極、圧電体膜及び第2電極が積層されて成るダイアフラム型圧電アクチュエータ群を備え、
前記境界面は前記ダイアフラム型圧電アクチュエータ群の可動部の表面を含んで構成され、
前記第1電極及び前記第2電極間への電圧印加により前記可動部を変位させて前記境界面を変形させるように構成されており、
前記振動板の可動部の領域に対応したキャビティを有する構造体を備え、
前記キャビティは平面視で円形の開口を有し、
前記振動板は、前記キャビティの開口面を覆って前記構造体に接合され、
前記第2電極として、リング型、又はC字型の電極を備え、
前記リング型、又はC字型の電極は、平面視で前記キャビティの開口円に沿って形成されるとともに、当該リング型、又はC字型の電極の一部は、平面視で前記キャビティの開口円よりも外側に張り出していることを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1において、
前記圧電体膜は、圧電定数d31の絶対値が200pm/V以上であることを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1又は2において、
前記第2電極として、円型の電極を備え、当該円型電極の直径は、前記キャビティの開口径の50〜75%の範囲内であり、平面視で前記キャビティの開口円の内側に形成されていることを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記圧電体膜は、ペロブスカイト型強誘電体であることを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記ダイアフラム型圧電アクチュエータ群の各アクチュエータを、そのダイアフラム構造の共振周波数で駆動する駆動信号を出力する駆動制御回路を備えたことを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項において、
前記ダイアフラム型圧電アクチュエータ群の配置位置よりも前記流体の流れの上流側に配置され、当該流体の流れの状態を検知するセンサ群と、
前記センサ群から得られる情報に基づいて前記ダイアフラム型圧電アクチュエータ群の駆動を制御する制御回路と、
を備えたことを特徴とする乱流制御装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の乱流制御装置における前記ダイアフラム型圧電アクチュエータ群を構成する乱流制御用アクチュエータの製造方法であって、
第1基板の片面にキャビティを形成する工程と、
前記キャビティの開口面を覆うように第2基板を前記第1基板に接合する工程と、
前記第1基板に接合された前記第2基板を薄層化し、その残部により振動板を形成する工程と、
前記振動板上に第1電極、圧電体膜、第2電極をこの順で成膜する工程と、
前記第2電極の一部を除去して所定の電極形状にパターニングする工程と、
前記圧電体膜の一部を除去して所定の圧電体形状にパターニングする工程と、
を有することを特徴とする乱流制御用アクチュエータの製造方法。
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