JP5432637B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、可変成形された電子ビームを試料上の所望の位置に偏向することによってパターンを描画する際の偏向量データの転送機構を備えた電子ビーム描画装置及びかかる偏向量データの転送方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図３は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。

電子ビーム描画装置では、レイアウトデータとなる描画データを複数段の変換処理によって描画装置固有のフォーマットで構成されるショットデータを生成する。そして、ショットデータとステージ位置の情報に基づいて、電子ビームを偏向するための偏向量データを生成し、偏向器のアンプユニット側に向けて転送している。その際、描画すべき試料３４０の位置をレーザ測長装置等によって極めて高精度に測定し、この測定結果を電子ビームの偏向器側にフィードバックすることにより、試料上の所定位置に電子ビームを導くようにしている。

ここで、従来の描画装置では、偏向量データを偏向器のアンプユニット側に向けて転送する際に金属配線ケーブルを用いていたが昨今のパターンの微細化に伴いノイズの影響が無視できないようになり、かかる問題を解決すべく、近年、光ケーブルを用いて転送することが検討されている。

ここで、偏向量データを偏向器のアンプユニット側に向けて転送する転送手法とは直接関係ないが、偏向補正情報を、第１クロック発生回路から発生される商用電源の周波数に対応する５０Ｈｚ又は６０Ｈｚクロックに同期させて、加算回路を介して描画データに加えることにより、定常的ハムノイズによる描画誤差を低減させるという技術が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１０−３１２９５９号公報

偏向量データを偏向器のアンプユニット側に向けて転送する際に光ケーブルを用いることにより、金属配線ケーブルを用いる場合に比べてノイズの影響を排除できるようになったが、新たに以下のような問題が発生している。偏向量データを偏向器のアンプユニット側に向けて転送する際には、偏向量データと共に偏向量データを同期させるクロック（ＣＬＫ）信号も一緒に転送することで、時間的なずれを防止している。

図４は、偏向量データの光転送に伴う装置構成を示す概念図である。なお、図４の構成はまだ公知になっていないと思われる。図４において、偏向量データを光転送するために、偏向量データを生成する偏向制御回路３２０と偏向器のアンプユニット側のインターフェース回路３３０との間を光ケーブル３５４で接続している。偏向制御回路３２０内で、パケット化回路３２４が、生成された偏向量データと偏向量データを同期させるクロック（ＣＬＫ）信号とを共にパケット化する。そして、かかるパケット信号を光出力回路３５８から出力し、光ケーブル３５４を介して光受信回路３５９で受信する。光受信回路３５９で受信されたパケット信号は、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ ｉｎ Ｆｉｒｓｔ ｏｕｔ）回路３３２にて受信され、受信されたパケット信号はデコーダ３３４で復元（デコード）されることで、偏向量データとＣＬＫ信号が取り出される。ここで、かかるデコード処理を行なう際に、例えば１６ｎｓのジッタが発生してしまうことが判明した。図４の構成では、ＣＬＫ信号自体もパケット信号としてデコード処理されるため、ＣＬＫ信号自体もジッタを持つことになり、ジッタ分の遅れが生じることになる。この時間の遅れはステージ移動時のトラッキング時間に影響を与えるため小さいことが求められる。従来の描画装置では、例えば、ステージ速度が最大２０ｍｍ／ｓ程度であったため、ジッタに起因した描画位置の誤差が０．３２ｎｍ程度であり、レーザ測長装置で用いたレーザの分解能（０．３２ｎｍ程度）と同等であったため、問題が発生しなかった。

しかし、昨今の描画時間の短縮化の要求に応えるべく、例えば、ステージ速度を最大５０ｍｍ／ｓにするとジッタに起因した描画位置の誤差は０．８ｎｍと大きくなってしまう。そのため、レーザ測長装置で用いたレーザの分解能よりも大きくなり所望する位置にパターンを描画することが困難になってしまう。そして、さらに、ステージ位置の測定精度を向上させるためレーザ測長装置のレーザの分解能を２倍にあげて０．１６ｎｍ程度にすると、レーザの分解能との差がさらに大きくなり、さらに所望する位置にパターンを描画することが困難になってしまう。そこで、偏向器のアンプユニット側のインターフェース回路でのサンプリング周波数を例えば１５６ＭＨｚにあげてジッタを１２．８ｎｓに抑えることも検討したが、かかる場合でも、ジッタに起因した描画位置の誤差は０．６ｎｍ程度までしか抑えられず、レーザ分解能よりも４倍程度大きくなってしまう。以上のように、図４に示す構成では、ジッタに起因した描画位置の誤差がレーザの分解能よりも数倍も大きくなり所望する位置にパターンを描画することが困難になってしまう。よって、昨今の高速化、高精度化に応えようとしても、上述した光ケーブルでのパケット転送では、デコードの際に生じるジッタにより描画精度が劣化してしまうといった問題があった。

そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、光ケーブルを用いて偏向量データをパケット転送する際でも、描画精度の劣化を防止することが可能な描画装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向する偏向器と、
偏向器の偏向量を制御するための偏向量データに基づいて、偏向器に偏向電圧を印加するアンプユニットと、
偏向量データを生成し、生成された偏向量データをパケット化してパケット信号として送信すると共に、パケット信号と並列的に偏向量データを同期させるクロック信号をパケット化せずに連続的に送信する偏向制御部と、
偏向制御部からパケット信号とクロック信号とを受信し、受信された信号のうちのパケット信号を偏向量データに復元するデコード部を有し、復元された偏向量データをかかるクロック信号でラッチして、アンプユニットに出力するインターフェース回路と、
偏向制御部とインターフェース回路とを接続する光ケーブルと、
を備えたことを特徴とする。

また、インターフェース回路は、クロック信号の周波数よりも高いサンプリング周波数を用いて、受信されたクロック信号をサンプリングすると好適である。

また、試料を載置するステージと、
ステージの位置を測定する測定部と、
をさらに備え、
クロック信号は、測定部がステージの位置を測定する際に使用されたクロックであると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
偏向器の偏向量を制御するための偏向量データを生成する工程と、
生成された偏向量データがパケット化されたパケット信号と偏向量データを同期させるパケット化されていないクロック信号とを光ケーブルを介して並列的に送信する工程と、
パケット信号を受信して、偏向量データに復元する工程と、
復元された偏向量データをクロック信号でラッチして、偏向器に偏向電圧を印加するアンプユニットに出力する工程と、
アンプユニットを用いて、クロック信号でラッチされた偏向量データに基づいて偏向器に偏向電圧を印加する工程と、
偏向器によって、荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、復元された前記偏向量データをラッチする前に、光ケーブルを介して送信されたクロック信号をクロック信号の周波数よりも高いサンプリング周波数を用いてサンプリングする工程をさらに備えると好適である。

本発明の一態様によれば、クロック信号自体のジッタを低減できる。よって、光ケーブルを用いて偏向量データをパケット転送する際でも、描画精度の劣化を防止できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における第１の成形アパーチャの開口部の一例を示す概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。 偏向量データの光転送に伴う装置構成を示す概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置される位置とは異なる位置に位置測定用のミラー２０９が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。

制御部１６０は、磁気ディスク装置等の記憶装置１０９、描画データ処理部１１０、偏向制御回路１２０（偏向制御部）、インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１３０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプユニット１４０、ステージ位置測定回路１７０（測定部）、及びレーザ干渉計等のレーザ測長装置１７２を有している。記憶装置１０９、制御計算機１１０、偏向制御回路１２０、及びステージ位置測定回路１７０は、図示しない金属配線ケーブルを用いたバスを介して互いに接続されている。

偏向制御回路１２０とＩ／Ｆ回路１３０間は、光ケーブル１５２，１５４で接続されている。また、Ｉ／Ｆ回路１３０は図示しない金属配線ケーブルでＤＡＣアンプユニット１４０に接続される。ＤＡＣアンプユニット１４０は金属配線ケーブルで偏向器２０８に接続される。ステージ位置測定回路１７０は金属配線ケーブルでレーザ測長装置１７２に接続される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用の偏向器２０８は１段の偏向器によって位置偏向を行なう場合が示されているが、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いても好適である。かかる場合には、主偏向器で描画領域を仮想分割した小領域となるサブフィールド（ＳＦ）の基準位置にステージ移動に追従しながら電子ビーム２００を偏向し、副偏向器でＳＦ内の各照射位置にかかるビームを偏向すればよい。例えば、主副２段の多段偏向を用いる場合には、実施の形態１で示す偏向器２０８は偏向範囲が広い主偏向器とすると好適である。また、その他の偏向器やレンズ等の制御回路は省略されている。

そして、描画装置１００は、以下のように動作して描画する。電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、ＤＡＣアンプユニット１４０によって制御された偏向器２０８によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料の所望する位置に照射される。ＤＡＣアンプユニット１４０は偏向制御回路１２０から出力されたデジタルの偏向量データをＩ／Ｆ回路１３０を介して受信し、アナログ信号に変換の上、増幅して偏向電圧として偏向器２０８に印加する。偏向電圧が印加された偏向器２０８によって、電子ビーム２００は偏向され、試料１０１の所望する位置に照射される。

また、ＸＹステージ１０５の位置は、レーザ測長装置１７２によって測長される。具体的には、レーザ測長装置１７２から出力されたレーザは、ＸＹステージ１０５上のミラー２０９で反射され、レーザ測長装置１７２はかかる反射光を受信して、ＸＹステージ１０５の位置を測長する。レーザ測長装置１７２で測長されたステージ位置を示すアナログデータはステージ位置測定回路１７０に出力され、ステージ位置測定回路１７０内でデジタル信号に変換される。その際、ステージ位置測定回路１７０内のクロック発生回路１７１が発生した所定の周波数（例えば１０ＭＨｚ）のクロック（ＣＬＫ）信号（第１のＣＬＫ信号）でサンプリングされる。そして、かかるステージ位置データは第１のＣＬＫ信号と共に偏向制御回路１２０に出力される。

一方、外部から入力され、記憶装置１０９に格納された描画データは、描画データ処理部１１０によって、複数段のデータ変換処理が行なわれ、描画装置固有のフォーマットのショットデータが生成される。そして、ショットデータは偏向制御回路１２０に出力される。

図２は、実施の形態１における偏向制御回路とＩ／Ｆ回路の内部構成の一部と両者の接続構成を示す概念図である。図２において、偏向制御回路１２０内には、偏向量データ生成回路１２２、パケット化回路１２４、及び光転送用の光出力回路１５６，１５８が配置されている。偏向量データ生成回路１２２及びパケット化回路１２４は、ハードウェアによる電気的な回路で構成されても良いし、計算機で実行されるソフトウェアで構成されても構わない。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせによって構成されてもよい。また、Ｉ／Ｆ回路１３０内には、光転送用の光受信回路１５７，１５９、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ ｉｎ Ｆｉｒｓｔ ｏｕｔ）回路１３２、サンプリング回路１３６、クロック（ＣＬＫ）発生回路１３７、及びラッチ回路１３８が配置されている。ＦＩＦＯ回路１３２内には、デコーダ１３４が配置される。デコーダ１３４は、ハードウェアによる電気的な回路で構成されても良いし、計算機で実行されるソフトウェアで構成されても構わない。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせによって構成されてもよい。ＣＬＫ発生回路１３７は、図１で示したＣＬＫ発生回路１７１で発生させる第１のＣＬＫ信号のサンプリング周波数よりも高い周波数のクロック信号（第２のＣＬＫ信号）を発生させる。例えば、１５６ＭＨｚの第２のＣＬＫ信号を発生させる。偏向制御回路１２０とＩ／Ｆ回路１３０は、２本の光ケーブル１５２，１５４で接続される。光出力回路１５６と光受信回路１５７間には偏向量データを同期させるための第１のＣＬＫ信号を転送する光ケーブル１５２が接続される。光出力回路１５８と光受信回路１５９間には偏向量データがパケット化されたパケット信号を転送する光ケーブル１５４が接続される。

ショットデータとステージ位置データが偏向制御回路１２０内に入力されると、偏向量データ生成回路１２２がかかる両データを用いて偏向量データを生成し、パケット化回路１２４に出力する。パケット化回路１２４は、偏向量データをパケット化してパケット信号を生成し、光出力回路１５８に出力する。そして、光出力回路１５８は、生成されたパケット信号を光ケーブル１５４に載せて光受信回路１５９に向けて転送する。一方、ステージの位置を測定する際に使用された第１のＣＬＫ信号がステージ位置測定回路１７０から偏向制御回路１２０内に入力されると、光出力回路１５６が受信して、光ケーブル１５２に載せて光受信回路１５７に向けて転送する。このように、実施の形態１では、偏向制御回路１２０が、偏向量データを生成し、生成された偏向量データをパケット化してパケット信号として送信すると共に、パケット信号と並列的に偏向量データを同期させる第１のＣＬＫ信号をパケット化せずに連続的に送信する。

そして、Ｉ／Ｆ回路１３０内では、光受信回路１５９がパケット信号を受信すると、パケット信号はＦＩＦＯ回路１３２に出力される。ＦＩＦＯ回路１３２はパケット信号を受信するとデコーダ１３４（デコード部）でパケット信号を元々の偏向量データに復元（デコード）する。一方、光受信回路１５７が第１のＣＬＫ信号を受信すると、第１のＣＬＫ信号はサンプリング回路１３６に出力される。実施の形態１では、第１のＣＬＫ信号をパケット化せずに１ビットの信号として転送しているためデコード処理が不要となる。よって、デコードする際に生じたジッタの発生を抑制できる。そして、サンプリング回路１３６は、ＣＬＫ発生回路１３７から第２のＣＬＫ信号を入力し、第１のＣＬＫ信号の１０ＭＨｚに比べて高い例えば、１５６ＭＨｚのサンプリング周波数の第２のＣＬＫ信号を用いて第１のＣＬＫ信号をサンプリングする。光転送により第１のＣＬＫ信号のジッタを完全に無くすことは困難であるが、１５６ＭＨｚのサンプリング周波数の第２のＣＬＫ信号を用いて第１のＣＬＫ信号をサンプリングすることで、デコーダ１３４でデコードする際に生じる例えば１２．８ｎｓのジッタに比べて大幅に低減された２〜３ｎｓのジッタに抑えることができる。

そして、ラッチ回路１３８は、復元された偏向量データとサンプリングされた第１のＣＬＫ信号を入力し、復元された偏向量データを第１のＣＬＫ信号でラッチして、ＤＡＣアンプユニット１４０に出力する。

以上のように、実施の形態１によれば、偏向量データと第１のＣＬＫ信号とを分離して、偏向量データだけをパケット化して転送することで、デコードの際のジッタが第１のＣＬＫ信号に発生することを抑制できる。よって、ＸＹステージ１０５の移動速度を例えば最大５０ｍｍ／ｓにしてもジッタに起因した描画位置の誤差を０．１〜０．１５ｎｍに低減することができる。その結果、レーザ測長装置１７２のレーザの分解能を０．１６ｎｍにしても、レーザの分解能と同程度に抑えることができる。よって、描画位置ずれの問題が無くなり、所望する位置にパターンを描画することができる。

ＤＡＣアンプユニット１４０は、ラッチされた偏向量データを入力するとアナログ信号に変換の上、増幅して偏向器２０８に偏向電圧として印加する。偏向量データは、第１のＣＬＫ信号でラッチされているため、偏向器２０８は、ステージ位置の移動に同期して、電子ビーム２００を偏向することができる。よって、所望する位置にビームを照射でき、位置誤差が低減したパターンを試料１０１に描画できる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、上述した例では、２本の光ケーブルで転送しているが、パケット信号とパケット化されていない第１のＣＬＫ信号とをまとめて１本の光ケーブルで転送しても構わない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。

１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０９ 記憶装置
１１０ 描画データ処理部
１２０，３２０ 偏向制御回路
１２２ 偏向量データ生成回路
１２４，３２４ パケット化回路
１３０，３３０ Ｉ／Ｆ回路
１３２，３３２ ＦＩＦＯ回路
１３４，３３４ デコーダ
１３６ サンプリング回路
１３７，１７１ ＣＬＫ発生回路
１３８ ラッチ回路
１４０ ＤＡＣアンプユニット
１５０ 描画部
１５２，１５４，３５４ 光ケーブル
１５６，１５８，３５８ 光出力回路
１５７，１５９，３５９ 光受信回路
１６０ 制御部
１７０ ステージ位置測定回路
１７２ レーザ測長装置
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０９ ミラー
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向する偏向器と、
   前記偏向器の偏向量を制御するための偏向量データに基づいて、前記偏向器に偏向電圧を印加するアンプユニットと、
   前記偏向量データを生成し、生成された偏向量データをパケット化してパケット信号として送信すると共に、前記パケット信号と並列的に前記偏向量データを同期させるクロック信号をパケット化せずに連続的に送信する偏向制御部と、
   前記偏向制御部から前記パケット信号と前記クロック信号とを受信し、受信された信号のうちの前記パケット信号を前記偏向量データに復元するデコード部を有し、復元された前記偏向量データを前記クロック信号でラッチして、前記アンプユニットに出力するインターフェース回路と、
   前記偏向制御部と前記インターフェース回路とを接続する光ケーブルと、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記インターフェース回路は、前記クロック信号の周波数よりも高いサンプリング周波数を用いて、受信された前記クロック信号をサンプリングすることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記試料を載置するステージと、
   前記ステージの位置を測定する測定部と、
   をさらに備え、
   前記クロック信号は、前記測定部が前記ステージの位置を測定する際に使用されたクロックであることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 偏向器の偏向量を制御するための偏向量データを生成する工程と、
   生成された偏向量データがパケット化されたパケット信号と前記偏向量データを同期させるパケット化されていないクロック信号とを光ケーブルを介して並列的に送信する工程と、
   前記パケット信号を受信して、前記偏向量データに復元する工程と、
   復元された前記偏向量データを前記クロック信号でラッチして、前記偏向器に偏向電圧を印加するアンプユニットに出力する工程と、
   前記アンプユニットを用いて、前記クロック信号でラッチされた偏向量データに基づいて前記偏向器に偏向電圧を印加する工程と、
   前記偏向器によって、荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
5. 復元された前記偏向量データをラッチする前に、前記光ケーブルを介して送信された前記クロック信号を前記クロック信号の周波数よりも高いサンプリング周波数を用いてサンプリングする工程をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画方法。

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