JP5429201B2 - 光センサ - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
図1は、光センサ装置の概略構成を示す回路図である。図2は、規定部と受光素子とを説明するための断面図である。図3は、制御信号を説明するためのタイミングチャートである。なお、図1では規定部20の記載を省略し、図2では、受光素子10の中心と、受光素子10に対応する開口部22の中心とを結ぶ仮想直線を破線で示している。
20・・・規定部
30・・・リセットスイッチ
40・・・転送スイッチ
50・・・制御部
60・・・増幅回路
100・・・光センサ
Claims (7)
- 受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、
全ての前記受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、
全ての前記受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、
対応する前記受光素子と前記共通配線との間に設けられた転送スイッチと、
各受光素子に対して設けられ、前記受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、
前記転送スイッチの開閉、及び、前記リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、
前記リセット部は、前記受光素子とグランドとの間に配置されたリセットスイッチであり、
前記制御部は、各受光素子に対応する前記リセットスイッチそれぞれに、前記リセットスイッチを開閉制御するリセット信号を異なるタイミングで出力し、各受光素子に対応する前記転送スイッチそれぞれに、前記転送スイッチを開閉制御する転送信号を同時に出力することで、各受光素子から前記共通配線に出力される電荷の量を調整することを特徴とする光センサ。 - 前記リセットスイッチは、Pチャネル型MOSFETであることを特徴とする請求項1に記載の光センサ。
- 受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、
全ての前記受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、
全ての前記受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、
対応する前記受光素子と前記共通配線との間に設けられた転送スイッチと、
各受光素子に対して設けられ、前記受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、
前記転送スイッチの開閉、及び、前記リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、
前記リセット部は、前記受光素子と電源との間に配置されたリセットスイッチであり、
前記制御部は、各受光素子に対応する前記リセットスイッチそれぞれに、前記リセットスイッチを開閉制御するリセット信号を異なるタイミングで出力し、各受光素子に対応する前記転送スイッチそれぞれに、前記転送スイッチを開閉制御する転送信号を同時に出力することで、各受光素子から前記共通配線に出力される電荷の量を調整することを特徴とする光センサ。 - 前記リセットスイッチは、Nチャネル型MOSFETであることを特徴とする請求項3に記載の光センサ。
- 前記受光素子は、半導体基板の一面側に形成され、
前記規定部は、前記一面上に、透光膜を介して形成された遮光膜と、該遮光膜に形成された投光用の開口部とから成ることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の光センサ。 - 複数の前記開口部それぞれの開口面積が異なることを特徴とする請求項5に記載の光センサ。
- 前記遮光膜は、前記透光膜に層状に複数形成されており、複数の前記遮光膜それぞれに形成された開口部によって、前記受光面に入射する光の角度が規定されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の光センサ。
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