JP5426115B2 - 熱物性測定方法 - Google Patents
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- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
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Description
前記熱伝導率の測定の中で、測定対象の表面を周期的に加熱する装置と検出器とを用いる方法として、例えば、光周期加熱法(特許文献1、非特許文献1)、3ω法(非特許文献2)や2ω法(特許文献2、非特許文献3)がある。
光周期加熱法は、測定対象物に対して、強度を周期的に変調させた熱流エネルギーを与えた時の加熱領域からある距離だけ離れた位置における温度応答の振幅又は位相差から熱物性値を求める方法である。前記熱流エネルギーとして、レーザ光のジュール熱を周期的に変調したものを使用し、温度応答の検出には、温度センサやサーモリフレクタンス法等を使用するものである。
2ω法及び3ω法は、電気抵抗に対して、電圧を周波数ωで印加した際に2ω又は3ωで振動する電圧が生じることを利用した方法であり、前記電圧の振幅及び位相差からin-phase amplitude(Acosθ)を求め、測定対象物の熱抵抗と熱伝導率とを評価するものである。尚、2ω法は、1次元伝熱モデルに基づいたものであり、3ω法は、2次元伝熱モデルに基づいたものである。
即ち、本発明の熱物性測定方法は、請求項1に記載の通り、基板上に測定対象となる薄膜と金属薄膜とを順に積層して形成された試料に対して、(a)前記金属薄膜の温度応答を測定することにより、前記金属薄膜の温度変化の振幅A及び位相差θを求める工程、(b)前記金属薄膜の熱伝導率λ0,体積比熱容量C0及び膜厚d0、前記基板の熱伝導率λ2及び体積比熱容量C2、並びに、前記測定対象となる薄膜の膜厚d1を、下記数1に代入して、前記金属薄膜の表面上の温度の時間依存性を示す関数を導出する工程、及び、
(c)Acosθを、上記数1における実数部にフィッティングして、前記測定対象となる薄膜の熱伝導率λ1と体積比熱容量C1を求める工程を含み、前記工程(a)における前記金属薄膜の温度応答は、各周波数ωの電気的又は光学的な周期加熱による前記金属薄膜の温度変化を、サーモリフレクタンス法により測定することにより行うことを特徴とする。
また、請求項2に記載の本発明は、請求項1記載の熱物性測定方法において、上記工程(c)において、更に、Asinθを、上記数1における虚数部にフィッティングすることを特徴とする。
金属薄膜43に加えられる単位時間当たりの熱量Q(t)[W]は、周波数2f[Hz]に依存するので、角周波数ω[s−1]で加えられる単位時間当たりの熱量熱量Q(t)[W]は次式の通りとなる。
ここで、1次元伝熱モデルによる表面上の温度の時間依存性T0(0,t)[K]は次式となる。
上記式3を簡略化すると下記式(4)となる。
尚、m及びn中には、未知数であるλ1及びC1が含まれている
一方、表面上の温度は、振幅A[K]と、位相差θ[rad]を用いると以下の式になる。
式5と式3とを比較すると、以下の式6の関係が成立する。
前記フィッティングは、具体的には、複数の周波数fに対して、それぞれ、複数の振幅A及び位相差θを測定し、各周波数においてAcosθをそれぞれ求め、求められたAcosθの値が、式6(q・m/(2ωC0))の関係と近似又は最小となるように、補正又は近似させることにより行う。
また、更に、Acosθに加えて、Asinθの値が、式6(q・n/(2ωC0))の関係と近似又は最小となるように、フィッティングを行うことが好ましい。より、精度を高めることができるからである。
尚、近似や最小となる方法については、最小二乗法等の公知の方法を用いることができる。
上記のようにフィッティングすることにより、測定薄膜42の熱伝導率λ1及び体積比熱容量C1を極めて誤差を少なくして測定することができる。
また、本実施形態では、試料表面におけるレーザ光のスポット径を100μmとしているが、本発明のレーザ光のスポット径はこれに限られるものではなく、金属薄膜43の幅の十分の一以下になっていればよい。
尚、基板41の寸法は、長さ10[mm]、幅20[mm]であり、金属薄膜43は測定薄膜42上の中央部に長さ1.7[mm]×幅15[mm]で成膜した。
尚、図7(a)の横軸は、(2ω)−0.5[s0.5]であり、図7(b)の横軸は、2f[Hz]の対数である。また、図7(a)の左側の縦軸は、Acosθを(2ω)−0.5[0.01780.5]で規格化したものであり、右側の縦軸は、Asinθを(2ω)−0.5[0.01780.5]で規格化したものである。また、図7(b)の左側の縦軸は、Acosθを2f=500[Hz]で規格化したものであり、右側の縦軸は、Asinθを2f=500[Hz]で規格化したものである。
この結果から、測定薄膜43の熱伝導率λ1が0.23[Wm−1・K−1]、体積比熱容量C1が1.55×106[J・K−1・m−3]であることがわかった。
2 測定室
3 レーザ光源
4 集光レンズ
6 光学フィルタ
7 受光装置
12 レーザ照射装置
13 光検出装置
21 交流電源
22 測定装置
23 XYステージ
25 移動制御装置
24 プローブ
33 同期検波器
34 信号発生器
35 演算装置
40 試料
41 基板
42 薄膜
43 金属薄膜
Claims (2)
- 基板上に測定対象となる薄膜と金属薄膜とを順に積層して形成された試料に対して、
(a)前記金属薄膜の温度応答を測定することにより、前記金属薄膜の温度変化の振幅A及び位相差θを求める工程、
(b)前記金属薄膜の熱伝導率λ0,体積比熱容量C0及び膜厚d0、前記基板の熱伝導率λ2及び体積比熱容量C2、並びに、前記測定対象となる薄膜の膜厚d1を、下記数1に代入して、前記金属薄膜の表面上の温度の時間依存性を示す関数を導出する工程、及び、
(c)Acosθを、上記数1における実数部にフィッティングして、前記測定対象となる薄膜の熱伝導率λ1と体積比熱容量C1を求める工程
を含み、
前記工程(a)における前記金属薄膜の温度応答は、各周波数ωの電気的又は光学的な周期加熱による前記金属薄膜の温度変化を、サーモリフレクタンス法により測定することにより行うことを特徴とする熱物性測定方法。 - 上記工程(c)において、更に、Asinθを、上記数1における虚数部にフィッティングすることを特徴とする請求項1記載の熱物性測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008151353A JP5426115B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 熱物性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008151353A JP5426115B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 熱物性測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009300086A JP2009300086A (ja) | 2009-12-24 |
JP5426115B2 true JP5426115B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=41547165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008151353A Active JP5426115B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 熱物性測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5426115B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7093944B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-07-01 | 国立大学法人大阪大学 | 熱物性測定方法 |
CN112229538B (zh) * | 2020-09-14 | 2022-12-02 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于热力学的方法测量飞秒激光加工材料温度的装置和方法 |
CN112613152B (zh) * | 2020-11-26 | 2023-11-10 | 安徽工业大学 | 一种套管式地埋管岩土热物性参数估算方法 |
CN113533424B (zh) * | 2021-07-29 | 2022-12-09 | 东南大学 | 一种测试多层薄膜结构热物理性质的无损电测方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2591570B2 (ja) * | 1991-11-01 | 1997-03-19 | 三井東圧化学株式会社 | 温度波による熱分析方法および装置 |
JPH07103921A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Shinku Riko Kk | 交流カロリメトリによる熱定数測定方法及び装置 |
JP2976015B2 (ja) * | 1997-01-28 | 1999-11-10 | 名古屋大学長 | 熱容量測定方法 |
JPH10318953A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 交流加熱による熱拡散率の測定方法およびこれに用いる測定サンプルの構造 |
JP4658366B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2011-03-23 | アルバック理工株式会社 | 熱物性測定方法 |
-
2008
- 2008-06-10 JP JP2008151353A patent/JP5426115B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009300086A (ja) | 2009-12-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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