JP5425719B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded Download PDF

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded.

従来より、半導体ウエハ等の基板(以下、単にウエハと記す)を、薬液槽に貯留されたSPM液(硫酸と過酸化水素水の混合溶液)に浸漬して洗浄処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、複数(例えば、50枚)のウエハが、ウエハボードにより略垂直状態に保持されて、薬液槽に貯留された高温(例えば、約130℃)のSPM液に浸漬されて、ウエハに付着された有機性の汚れや金属不純物が除去されるようになっている。ウエハが洗浄処理されている間、薬液槽の上方に設けられたファンフィルターユニット(FFU)から薬液槽に向かって清浄な空気が吐出され(ダウンフロー)、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止している。   2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus that performs a cleaning process by immersing a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) in an SPM solution (a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) stored in a chemical bath. ing. In such a substrate processing apparatus, a plurality of (for example, 50) wafers are held in a substantially vertical state by a wafer board and immersed in a high-temperature (for example, about 130 ° C.) SPM solution stored in a chemical bath. Thus, organic dirt and metal impurities attached to the wafer are removed. While the wafer is being cleaned, clean air is discharged (down flow) from the fan filter unit (FFU) provided above the chemical tank toward the chemical tank, and the gas vaporized from the chemical rises and diffuses. Is prevented.

特開2000−164550号公報JP 2000-164550 A

しかしながら、このような基板処理装置において、SPM液により洗浄処理されたウエハを引き上げる際、ウエハ間にファンフィルターユニットから吐出された空気が流れ込むことがある。この場合、ウエハの上端部(具体的には、ウエハを搬送する搬送機構との接触点)に付着し、高温のSPM液によって溶解された有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハの表面上に垂れて、筋状のパーティクルが形成されるという問題がある。   However, in such a substrate processing apparatus, when the wafer cleaned with the SPM liquid is pulled up, air discharged from the fan filter unit may flow between the wafers. In this case, the organic matter adhering to the upper end portion of the wafer (specifically, the contact point with the transfer mechanism that transfers the wafer) and dissolved by the high-temperature SPM liquid is affected by the downflow, and is affected on the surface of the wafer. There is a problem that streaky particles are formed.

本発明は、このようなことを考慮してなされたものであり、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and executes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and this substrate processing method capable of preventing particles from being formed on the surface of the substrate. An object of the present invention is to provide a recording medium in which a computer program for recording is recorded.

本発明は、処理液を貯留して、複数の基板を処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して処理液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、前記基板の空き状態を検出する検出部と、前記処理槽を収容する収容ケースと、前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置である。   The present invention includes a processing tank that stores a processing liquid and processes a plurality of substrates, and a substrate holding part that is provided so as to be movable up and down relative to the processing tank and that holds the substrate and immerses it in the processing liquid. A processing unit, a gas supply unit that is provided above the processing unit and supplies gas to the processing tank, a detection unit that detects an empty state of the substrate, a storage case that stores the processing tank, and the storage An exhaust unit that is provided in a lower part of the case and exhausts the gas supplied from the gas supply unit; and a control unit that controls the gas supply unit and the exhaust unit. A substrate processing apparatus that controls the gas supply unit and the exhaust unit so as to adjust a flow rate of a gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit based on the detected empty state of the substrate. It is.

本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を処理する際に、第1の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第1の流量より小さい第2の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, the control unit sets the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit as a first flow rate when the substrate is processed, and is detected by the detection unit. When the gap between the substrates is calculated based on the empty state of the substrate and the gap between the at least one set of the substrates is within a predetermined range, the processed substrate is raised by the substrate holding unit. The gas supply unit and the exhaust unit may be controlled so that the second flow rate is smaller than the first flow rate.

本発明による基板処理装置において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する第2の処理部と、前記処理部から前記第2の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第2の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, a second processing unit that further processes the substrate processed by the processing unit, and the substrate raised by the substrate holding unit from the processing unit to the second processing unit. A transport mechanism for transporting, and when the control unit raises the substrate by the substrate holding unit, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, When the substrate is transported from the processing unit to the second processing unit by the transport mechanism, the gas supply is performed so that the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate. And the exhaust section may be controlled.

本発明による基板処理装置において、前記第2の処理部は、前記ケースに収容され、第2の処理液を貯留して、前記基板を処理する第2の処理槽と、当該第2の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第2の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合に、前記第2の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御するようにしてもよい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, the second processing section is housed in the case, stores a second processing liquid, and processes the substrate, and the second processing tank. A substrate holding unit that receives and holds the substrate and immerses it in a second processing liquid, and the control unit transfers the substrate by the transfer mechanism. When the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, when the substrate is lowered by the gas holding unit of the second processing unit, the exhaust from the gas supply unit The exhaust unit may be controlled from the gas supply unit so that the flow rate of the gas flowing through the unit is the second flow rate.

本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第2の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、0.5m/秒以下であるようにしてもよい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, the flow rate of the gas between the substrates is 0.5 m / second or less. May be.

本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第2の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、0.3m/秒以下であるようにしてもよい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, the flow rate of the gas between the substrates is set to 0.3 m / second or less. May be.

本発明は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする基板処理方法である。   The present invention provides a step of holding a plurality of substrates by a substrate holding unit of a processing unit, a step of detecting an empty state of the substrate, and a processing tank of the processing unit in which a processing liquid is stored, by the substrate holding unit. The substrate detected in the step of raising the substrate, comprising the steps of immersing the held substrate in a processing solution and processing, and raising the treated substrate by the substrate holding unit. Based on the empty state, the gas supply unit is provided above the processing tank and supplies a gas to the processing tank. The gas supply unit is provided at a lower part of a storage case that stores the processing tank and is supplied from the gas supply unit. The substrate processing method is characterized in that the flow rate of the gas flowing in the exhaust section for exhausting the gas is adjusted.

本発明による基板処理方法において、前記基板を処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第1の流量とし、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第1の流量より小さい第2の流量とするようにしてもよい。   In the substrate processing method according to the present invention, in the step of processing the substrate, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is set to a first flow rate, and the substrate is detected in the step of raising the substrate. The gap between the substrates is calculated based on the vacant state, and when the gap between at least one set of the substrates is in a predetermined range, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is set as the first flow rate. You may make it be the 2nd flow volume smaller than this flow volume.

本発明による基板処理方法において、第2の処理部において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する工程と、前記処理部から前記第2の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするようにしてもよい。   In the substrate processing method according to the present invention, in the second processing unit, the substrate processed by the processing unit is further processed, and the substrate holding unit raises the processing unit to the second processing unit. A step of transporting the substrate, and a step of transporting the substrate when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit in the step of raising the substrate is the second flow rate. You may make it make the flow volume of the gas which flows into the said exhaust part from the said gas supply part into the said 2nd flow volume.

本発明による基板処理方法において、前記第2の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第2の処理部の第2の処理槽に貯留された第2の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするようにしてもよい。   In the substrate processing method according to the present invention, a step of lowering the substrate transported from the processing unit by the substrate holding unit of the second processing unit, wherein the substrate is transferred to the second processing tank of the second processing unit. The method further includes the step of immersing the substrate in the stored second processing liquid, and when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit in the step of transporting the substrate is the second flow rate, In the step of lowering the substrate, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit may be the second flow rate.

本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第2の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、0.5m/秒以下であるようにしてもよい。   In the substrate processing method according to the present invention, when the gas flows from the gas supply unit to the exhaust unit at the second flow rate, the flow rate of the gas flowing between the substrates may be 0.5 m / second or less. Good.

本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第2の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、0.3m/秒以下であるようにしてもよい。   In the substrate processing method according to the present invention, when the gas flows from the gas supply unit to the exhaust unit at the second flow rate, the flow rate of the gas flowing between the substrates may be 0.3 m / second or less. Good.

本発明は、基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、この基板処理方法は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板間の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする記録媒体である。   The present invention is a recording medium on which a computer program for executing a substrate processing method is recorded. The substrate processing method includes a step of holding a plurality of substrates by a substrate holding unit of a processing unit, and an empty space for the substrate. A step of detecting a state, a step of immersing the substrate held by the substrate holder in the treatment tank of the treatment unit in which the treatment liquid is stored, and a process by the substrate holding unit; And raising the substrate, and in the step of raising the substrate, the gas is supplied to the treatment tank provided above the treatment tank based on the detected empty state between the substrates. The flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit for exhausting the gas supplied from the gas supply unit is adjusted. Which is a recording medium to be.

本発明によれば、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent particles from being formed on the surface of the substrate.

図1は、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram showing a cleaning processing unit of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施の形態において、図2とは異なる方向から見た基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram showing the cleaning processing unit of the substrate processing apparatus viewed from a direction different from that in FIG. 2 in the first embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施の形態における基板処理方法のフローチャートを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a flowchart of the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention. 図5(a)、(b)、(c)は、本発明の第2の実施の形態において、ウエハ間における気体の流れを説明するための図である。FIGS. 5A, 5B, and 5C are views for explaining a gas flow between wafers in the second embodiment of the present invention. 図6は、本発明の第2の実施の形態の変形例として、基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram showing a cleaning processing unit of a substrate processing apparatus as a modification of the second embodiment of the present invention. 図7は、本発明の第2の実施の形態の変形例として、基板処理方法のフローチャートを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a flowchart of a substrate processing method as a modification of the second embodiment of the present invention. 図8は、本発明の実施例において、ウエハ間の空気の流速の測定ポイントを示す正面図である。FIG. 8 is a front view showing measurement points of the flow velocity of air between wafers in the embodiment of the present invention.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1の実施の形態
まず、図1乃至図4を用いて、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1乃至図4は、第1の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
First Embodiment First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 are diagrams for explaining an embodiment of a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded in the first embodiment. FIG.

まず、基板処理装置1の全体構成について説明する。   First, the overall configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described.

図1に示すように、基板処理装置1は、ウエハWが収納された収納容器100を搬入出すると共に、保管する収納容器搬入出部2と、ウエハWに所定の薬液を用いて洗浄処理を行う洗浄処理ユニット3と、洗浄処理後のウエハWの乾燥処理を行う乾燥処理ユニット4と、収納容器搬入出部2と洗浄処理ユニット3および乾燥処理ユニット4との間でウエハWを搬送するインターフェース部5とを備えている。このうち、乾燥処理ユニット4は、インターフェース部5と洗浄処理ユニット3との間に配置されている。ここで、上述した収納容器100は、各々が1枚のウエハWを略水平方向に収納するような複数の収納部分(図示せず)を有し、これらの収納部分が、上下方向に並ぶように、所定間隔を空けて設けられている。また、収納容器100は、その一側面がウエハWの搬入出口となっている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 carries in and out a storage container 100 in which a wafer W is stored, and also performs a cleaning process on the storage container carrying-in / out unit 2 to be stored and a predetermined chemical solution on the wafer W. An interface for transporting the wafer W between the cleaning processing unit 3 to be performed, a drying processing unit 4 for drying the wafer W after the cleaning processing, and the storage container loading / unloading unit 2, the cleaning processing unit 3 and the drying processing unit 4. Part 5. Among these, the drying processing unit 4 is disposed between the interface unit 5 and the cleaning processing unit 3. Here, the storage container 100 described above has a plurality of storage portions (not shown) each storing a single wafer W in a substantially horizontal direction, and these storage portions are arranged in the vertical direction. Are provided at predetermined intervals. Further, one side of the storage container 100 is a loading / unloading port for the wafer W.

収納容器搬入出部2は、収納容器100を上下方向に並ぶように載置するための収納容器搬入出ステージ2aと、収納容器100に対するウエハWの授受を行うウエハ出し入れステージ2bと、収納容器搬入出ステージ2aと出し入れステージとのの間で収納容器100を搬送する収納容器搬送装置2cとを有している。また、収納容器搬入出部2には、収納容器100を保管する収納容器ストック部2dが設けられている。   The storage container loading / unloading unit 2 includes a storage container loading / unloading stage 2a for placing the storage containers 100 so as to be arranged in the vertical direction, a wafer loading / unloading stage 2b for transferring the wafer W to / from the storage container 100, and a storage container loading / unloading stage. A storage container transport device 2c that transports the storage container 100 between the take-out stage 2a and the take-in / out stage is provided. In addition, the storage container carry-in / out section 2 is provided with a storage container stock section 2 d for storing the storage container 100.

収納容器搬入出部2とインターフェース部5との間は壁部6により仕切られており、この壁部6のウエハ出し入れステージ2bに対応する位置に、開口6aが上下2段に形成されている。このうち下側の開口6aは、収納容器100から洗浄処理前のウエハWを搬出するためのウエハ搬出用になっており、上側の開口6aは、収納容器100に洗浄処理後のウエハWを搬入するためのウエハ搬入用になっている。   The storage container loading / unloading section 2 and the interface section 5 are partitioned by a wall section 6, and openings 6a are formed in two upper and lower stages at positions corresponding to the wafer loading / unloading stage 2b of the wall section 6. Of these, the lower opening 6a is used for unloading the wafer W before the cleaning process from the storage container 100, and the upper opening 6a carries the wafer W after the cleaning process into the storage container 100. It is intended for carrying in wafers.

インターフェース部5の下側の開口6aの近傍には、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100内の洗浄処理前のウエハWの空き状態を検出する第1の検出部7が設けられている。この第1の検出部7は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器100の各収納部分に収納されたウエハWのスキャンを行い、収納容器100のウエハWの空き状態、すなわち各収納部分にウエハWが収納されているか否かを検出すると共に、各収納部分に収納された各ウエハWの収納状態、例えば、ウエハWが斜めに収納されていないか否か等、を検出するようになっている。   Near the opening 6a on the lower side of the interface unit 5, there is provided a first detection unit 7 for detecting an empty state of the wafer W before the cleaning process in the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2b. The first detection unit 7 has a sensor portion including at least a pair of light emitting elements and light receiving elements, and the sensor portion scans the wafer W stored in each storage portion of the storage container 100 to store the storage container. It is detected whether or not 100 wafers W are empty, that is, whether or not the wafers W are stored in the storage portions, and the storage states of the wafers W stored in the storage portions, for example, the wafers W are stored obliquely. Whether it is not or not is detected.

また、インターフェース部5の上側の開口6aの近傍には、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100内の洗浄処理後のウエハWの検出を行う第2の検出部8が設けられている。この第2の検出部8は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器100の各収納部分に収納されたウエハWのスキャンを行い、収納容器100のウエハWの空き状態、すなわち、各収納部分にウエハWが収納されているか否かを検出するようになっている。   Further, in the vicinity of the opening 6 a on the upper side of the interface unit 5, a second detection unit 8 that detects the wafer W after the cleaning process in the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2 b is provided. The second detection unit 8 includes a sensor portion including at least a pair of light emitting elements and light receiving elements, and the sensor portion scans the wafer W stored in each storage portion of the storage container 100 to store the storage container. It is detected whether the 100 wafers W are empty, that is, whether or not the wafers W are stored in the respective storage portions.

インターフェース部5には、ウエハWを搬送するウエハ搬送装置9が設けられ、このウエハ搬送装置9は、インターフェース部5から乾燥処理ユニット4を通って洗浄処理ユニット3へ延びるガイドレール9aに沿って移動可能に構成されている。また、インターフェース部5には、ウエハ出し入れステージ2bとウエハ搬送装置9との間でウエハWの移載を行うためのウエハ移載装置5aが設けられている。このウエハ移載装置5aは、収納容器100に対して略水平状態でウエハWを授受すると共に、ウエハ搬送装置9に対して略垂直状態でウエハWを授受するようになっている。   The interface unit 5 is provided with a wafer transfer device 9 for transferring the wafer W. The wafer transfer device 9 moves along a guide rail 9 a extending from the interface unit 5 through the drying processing unit 4 to the cleaning processing unit 3. It is configured to be possible. The interface unit 5 is provided with a wafer transfer device 5a for transferring the wafer W between the wafer loading / unloading stage 2b and the wafer transfer device 9. The wafer transfer device 5 a is configured to transfer the wafer W to the storage container 100 in a substantially horizontal state and to transfer the wafer W to the wafer transfer device 9 in a substantially vertical state.

次に、基板処理装置の洗浄処理ユニット3について詳述する。   Next, the cleaning processing unit 3 of the substrate processing apparatus will be described in detail.

すなわち、図2および図3に示すように、基板処理装置1の洗浄処理ユニット3は、複数の基板(例えば、半導体ウエハ、以下単にウエハWと記す)を薬液処理する薬液処理部(処理部)10と、薬液処理されたウエハWをリンス処理するリンス処理部(第2の処理部)20と、薬液処理部10からリンス処理部20に、ウエハWを搬送するユニット内搬送機構(搬送機構)50とを備えている。   That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the cleaning processing unit 3 of the substrate processing apparatus 1 is a chemical processing unit (processing unit) that performs chemical processing on a plurality of substrates (for example, semiconductor wafers, hereinafter simply referred to as wafers W). 10, a rinsing processing unit (second processing unit) 20 that performs rinsing processing on the wafer W that has been subjected to chemical processing, and an intra-unit transport mechanism (transporting mechanism) that transports the wafer W from the chemical processing unit 10 to the rinsing processing unit 20. 50.

このうち、薬液処理部10は、高温(約130℃)の薬液(処理液、SPM液)を貯留して、ウエハWを薬液処理する薬液槽(処理槽)11と、この薬液槽11に対して昇降自在に設けられ、ウエハWを略垂直状態に保持して薬液に浸漬させるウエハボード(基板保持部)12とを有している。このうちウエハボード12は、複数の溝(図示せず)を有し、各溝にウエハWが係合して、ウエハWが略垂直状態に保持されるようになっている。なお、SPM液は、硫酸(HSO)と過酸化水素水(H)が各々所定濃度で混合された溶液をいう。 Among these, the chemical processing unit 10 stores a high-temperature (about 130 ° C.) chemical (processing liquid, SPM liquid) and performs chemical processing on the wafer W (processing tank) 11. And a wafer board (substrate holding part) 12 for holding the wafer W in a substantially vertical state and immersing it in a chemical solution. Among these, the wafer board 12 has a plurality of grooves (not shown), and the wafer W is engaged with each groove to hold the wafer W in a substantially vertical state. The SPM solution refers to a solution in which sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) are mixed at a predetermined concentration.

薬液槽11は、薬液を貯留する内槽11aと、この内槽11aの周囲に設けられ、内槽11aからオーバーフローする薬液を受ける外槽11bとを含んでいる。このうち、内槽11aには、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部が連結され、外槽11bと内槽11aとの間に、外槽11bにオーバーフローした薬液を内槽11aに戻す循環ライン(図示せず)が連結されている。また、内槽11aには、貯留された薬液を加熱するヒータ(図示せず)が設けられ、このヒータは、制御部60に接続されている。   The chemical tank 11 includes an inner tank 11a for storing the chemical liquid and an outer tank 11b provided around the inner tank 11a and receiving the chemical liquid overflowing from the inner tank 11a. Among them, the inner tank 11a is connected to a sulfuric acid supply unit and a hydrogen peroxide solution supply unit (not shown), and the chemical solution overflowed to the outer tank 11b is returned to the inner tank 11a between the outer tank 11b and the inner tank 11a. A circulation line (not shown) is connected. The inner tank 11 a is provided with a heater (not shown) for heating the stored chemical solution, and this heater is connected to the control unit 60.

薬液処理部10のウエハボード12に、ボード駆動部13が連結され、ウエハボード12が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部13は、後述する制御部60に接続され、制御部60からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。   A board driving unit 13 is connected to the wafer board 12 of the chemical processing unit 10 so that the wafer board 12 is raised and lowered. The board driving unit 13 is connected to a control unit 60 described later, and is driven based on a control signal from the control unit 60.

リンス処理部20は、図2に示すように、リンス液(第2の処理液、例えば、純水)を貯留して、ウエハWをリンス処理するリンス槽(第2の処理槽)21と、このリンス槽21に対して昇降自在に設けられ、ウエハWを略垂直状態に保持してリンス液に浸漬させるウエハボード22とを有している。   As shown in FIG. 2, the rinsing processing unit 20 stores a rinsing liquid (second processing liquid, for example, pure water), and rinses the wafer W (second processing tank) 21. A wafer board 22 is provided so as to be movable up and down with respect to the rinsing tank 21 and holds the wafer W in a substantially vertical state and is immersed in a rinsing liquid.

リンス槽21は、リンス液を貯留する内槽21aと、この内槽21aの周囲に設けられ、内槽21aからオーバーフローするリンス液を受ける外槽21bとを含んでいる。このうち、内槽21aには、図示しないリンス液供給部が連結され、外槽21bと内槽21aとの間に、外槽21bにオーバーフローしたリンス液を内槽21aに戻す循環ライン(図示せず)が連結されている。   The rinsing tank 21 includes an inner tank 21a for storing a rinsing liquid and an outer tank 21b provided around the inner tank 21a and receiving a rinsing liquid overflowing from the inner tank 21a. Among them, a rinsing liquid supply unit (not shown) is connected to the inner tank 21a, and a circulation line (not shown) for returning the rinsing liquid overflowed to the outer tank 21b to the inner tank 21a between the outer tank 21b and the inner tank 21a. Are connected).

リンス処理部20のウエハボード22に、ボード駆動部23が連結され、ウエハボード22が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部23は、制御部60に接続され、制御部60からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。   A board driving unit 23 is connected to the wafer board 22 of the rinsing processing unit 20 so that the wafer board 22 moves up and down. The board driving unit 23 is connected to the control unit 60 and is driven based on a control signal from the control unit 60.

薬液槽11およびリンス槽21は、収容ケース30に収容されている。この収容ケース30の下部には、後述するファンフィルターユニット40から供給された空気を排気する第1排気部(排気部)31が設けられている。この第1排気部31は、収容ケース30の下部に連結された第1排気ライン32と、この第1排気ライン32に設けられ、第1排気ライン32を通る空気の流量を調整する第1排気開閉弁33とを有している。このうち第1排気開閉弁33は、制御部60に接続され、制御部60によりその開度が調整されるようになっている。   The chemical tank 11 and the rinse tank 21 are housed in the housing case 30. A lower part of the housing case 30 is provided with a first exhaust part (exhaust part) 31 for exhausting air supplied from a fan filter unit 40 described later. The first exhaust unit 31 includes a first exhaust line 32 connected to a lower portion of the housing case 30, and a first exhaust that is provided in the first exhaust line 32 and adjusts the flow rate of air passing through the first exhaust line 32. And an on-off valve 33. Among these, the 1st exhaust on-off valve 33 is connected to the control part 60, and the opening degree is adjusted by the control part 60.

薬液処理部10およびリンス処理部20の上方に、薬液槽11に清浄な空気をダウンフローとして供給するファンフィルターユニット(気体供給部、FFU)40が設けられている。このファンフィルターユニット40から供給された清浄な空気(気体)は、薬液槽11に貯留された薬液の上方に向かって吐出され、収容ケース30内を流れて、第1排気部31に排気されるようになっている。このようにして、薬液から蒸発して気化したガスを、ファンフィルターユニット40から供給された清浄な空気と共に第1排気部31に案内し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。また、ファンフィルターユニット40から吐出された清浄な空気は、リンス槽21に貯留されたリンス液の上方にも向かって吐出されており、リンス処理部20に搬送されてリンス処理前のウエハWに残存している薬液から気化したガスを、ファンフィルターユニット40から供給された清浄な空気と共に収容ケース30内を流れて、第1排気部31に排気し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。なお、ファンフィルターユニット40は、制御部60に接続され、制御部60により、吐出される清浄な空気の流量が制御されるようになっている。   A fan filter unit (gas supply unit, FFU) 40 that supplies clean air as a downflow to the chemical solution tank 11 is provided above the chemical solution processing unit 10 and the rinse processing unit 20. The clean air (gas) supplied from the fan filter unit 40 is discharged toward the upper side of the chemical solution stored in the chemical solution tank 11, flows in the storage case 30, and is exhausted to the first exhaust unit 31. It is like that. In this way, the gas evaporated and evaporated from the chemical solution is guided to the first exhaust unit 31 together with the clean air supplied from the fan filter unit 40, and the gas evaporated from the chemical solution is prevented from rising and diffusing. doing. The clean air discharged from the fan filter unit 40 is also discharged toward the upper side of the rinsing liquid stored in the rinsing tank 21, and is transferred to the rinsing processing unit 20 to the wafer W before the rinsing process. The gas vaporized from the remaining chemical liquid flows in the housing case 30 together with the clean air supplied from the fan filter unit 40 and is exhausted to the first exhaust part 31, and the gas vaporized from the chemical liquid rises and diffuses. To prevent it. The fan filter unit 40 is connected to the control unit 60, and the control unit 60 controls the flow rate of the discharged clean air.

ユニット内搬送機構50は、搬送アーム51と、この搬送アーム51を駆動する搬送駆動部52とを有している。このうち搬送駆動部52は、収容ケース30の外方に配置されたボックス53に覆われ、搬送アーム51は、ボックス53から薬液槽11またはリンス槽21の上方に延びている。また、ファンフィルターユニット40から吐出された空気の一部が、ボックス53内にも流れ込むようになっている。このボックス53内に流れ込んだ空気は、ボックス53の下部に設けられた第2排気部54により排気されるようになっている。この第2排気部54は、ボックス53の下部に連結された第2排気ライン55と、この第2排気ライン55に設けられ、第2排気ライン55を通る空気の流量を調整する第2排気開閉弁56とを有している。なお、搬送駆動部52および第2排気開閉弁56は、制御部60に接続され、制御部60により制御されるようになっている。   The intra-unit transport mechanism 50 includes a transport arm 51 and a transport driving unit 52 that drives the transport arm 51. Among these, the conveyance drive part 52 is covered with the box 53 arrange | positioned on the outer side of the storage case 30, and the conveyance arm 51 is extended above the chemical | medical solution tank 11 or the rinse tank 21 from the box 53. FIG. A part of the air discharged from the fan filter unit 40 also flows into the box 53. The air flowing into the box 53 is exhausted by a second exhaust part 54 provided at the lower part of the box 53. The second exhaust part 54 is provided in the second exhaust line 55 connected to the lower part of the box 53, and the second exhaust line 55 is provided in the second exhaust line 55 to adjust the flow rate of air passing through the second exhaust line 55. And a valve 56. The transport driving unit 52 and the second exhaust opening / closing valve 56 are connected to the control unit 60 and controlled by the control unit 60.

上述したように、ファンフィルターユニット40および第1排気開閉弁33に、これらを制御する制御部60が接続されている。この制御部60は、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、ウエハWを薬液処理する際に、第1の流量とすると共に、薬液処理されたウエハWを薬液処理部10のウエハボード12により上昇させる際に、第1の流量より小さい第2の流量とするように、ファンフィルターユニット40および第1排気開閉弁33を制御する。   As described above, the control unit 60 that controls these components is connected to the fan filter unit 40 and the first exhaust opening / closing valve 33. The control unit 60 sets the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 as the first flow rate when the wafer W is subjected to the chemical solution processing, and the chemical solution processed wafer W is processed into the chemical solution processing unit. When the 10 wafer boards 12 are raised, the fan filter unit 40 and the first exhaust opening / closing valve 33 are controlled so that the second flow rate is smaller than the first flow rate.

また、洗浄処理ユニット3には、図1に示すように、他の薬液を用いてウエハWを洗浄するための薬液処理部3a、3dと、リンス処理部3b、3eと、ユニット内搬送機構3c、3fとが設けられている。   Further, as shown in FIG. 1, the cleaning processing unit 3 includes chemical processing units 3a and 3d, rinse processing units 3b and 3e for cleaning the wafer W using other chemicals, and an in-unit transfer mechanism 3c. 3f.

乾燥処理ユニット4は、ウエハ搬送装置9のチャックを洗浄するチャック洗浄機構と、洗浄処理されたウエハWを水洗する水洗槽と、水洗槽の上部に設けられ、例えばイソプロピルアルコール(IPA)の蒸気が供給されて、水洗されたウエハWを乾燥する乾燥室(図示せず)と、水洗槽と乾燥室との間でウエハWを搬送するユニット内搬送機構とを有している。   The drying processing unit 4 is provided in a chuck cleaning mechanism for cleaning the chuck of the wafer transfer device 9, a water rinsing tank for rinsing the cleaned wafer W, and an isopropyl alcohol (IPA) vapor, for example. A drying chamber (not shown) for drying the supplied and washed wafer W and an in-unit transfer mechanism for transferring the wafer W between the washing tank and the drying chamber are provided.

制御部60は、図2に示すように、ユニット内搬送機構50により薬液処理部10からリンス処理部20にウエハWを搬送する際に、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、上述した第2の流量とするように、ファンフィルターユニット40および第1排気開閉弁33を制御する。   As shown in FIG. 2, when the wafer W is transferred from the chemical solution processing unit 10 to the rinse processing unit 20 by the in-unit transfer mechanism 50, the control unit 60 moves the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31. The fan filter unit 40 and the first exhaust opening / closing valve 33 are controlled so that the flow rate is the second flow rate described above.

さらに、制御部60は、ユニット内搬送機構50により搬送されたウエハWを、リンス処理部20のウエハボード22により保持して下降する際においても、ファンフィルターユニット40から薬液処理部10の第1排気部31に流れる空気の流量を、上述した第2の流量に維持するように、ファンフィルターユニット40および第1排気開閉弁33を制御する。   Furthermore, the control unit 60 also holds the wafer W transferred by the in-unit transfer mechanism 50 by the wafer board 22 of the rinse processing unit 20 and descends the fan W from the fan filter unit 40 to the first of the chemical processing unit 10. The fan filter unit 40 and the first exhaust opening / closing valve 33 are controlled so that the flow rate of the air flowing through the exhaust unit 31 is maintained at the second flow rate described above.

具体的には、制御部60は、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量、および薬液処理部10の第1排気開閉弁33の開度の両方(あるいは一方)を調整して、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を制御する。   Specifically, the control unit 60 adjusts both (or one) of the flow rate of the air discharged from the fan filter unit 40 and the opening degree of the first exhaust opening / closing valve 33 of the chemical treatment unit 10, and thereby the fan filter. The flow rate of the air flowing from the unit 40 to the first exhaust part 31 is controlled.

また、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が第2の流量となっている場合、薬液処理部10により保持されたウエハW間における空気の流速は、0.5m/秒以下、とりわけ0.3m/秒以下であることが好ましい。   When the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is the second flow rate, the flow rate of air between the wafers W held by the chemical processing unit 10 is 0.5 m / sec. Hereinafter, it is particularly preferably 0.3 m / sec or less.

ところで、図2に示すように、制御部60には、工程管理者等が基板処理装置1を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置1の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置61が接続されている。また、制御部60は、基板処理装置1で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体62にアクセス可能となっている。記録媒体62は、ROMおよびRAM等のメモリ、ハードディスク、CD−ROM、DVD−ROM、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体62から構成され得る。このようにして、制御部60が、記録媒体62に予め記録されたプログラム等を実行することによって、基板処理装置1においてウエハWの処理が行われるようになっている。   By the way, as shown in FIG. 2, in order to manage the substrate processing apparatus 1 by the process manager or the like, the control unit 60 visualizes a keyboard for performing a command input operation or the like, an operation status of the substrate processing apparatus 1, and the like. An input / output device 61 comprising a display or the like for display is connected. Further, the control unit 60 can access a recording medium 62 in which a program for realizing processing executed by the substrate processing apparatus 1 is recorded. The recording medium 62 can be configured from a known recording medium 62 such as a memory such as a ROM and a RAM, a disk-shaped recording medium such as a hard disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, and a flexible disk. In this way, the processing of the wafer W is performed in the substrate processing apparatus 1 by the control unit 60 executing a program or the like recorded in advance on the recording medium 62.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理方法について説明する。なお、以下に説明する基板処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体62に記録されたプログラムに基づいた制御部60からの制御信号によって制御される。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration, that is, the substrate processing method according to the present embodiment will be described. The operation of each component for executing the substrate processing method described below is controlled by a control signal from the control unit 60 based on a program recorded in the recording medium 62 in advance.

まず、図1に示すように、収納部分によって複数のウエハWが略水平状態で収納された収納容器100が、収納容器搬入出ステージ2aに載置される。収納容器搬入出ステージ2aに載置された収納容器100が、収納容器搬送装置2cにより搬入用のウエハ出し入れステージ2bに搬送される。次に、ウエハ出し入れステージ2bに載置された収納容器100について、第1の検出部7により、壁部6の下側の開口6aを介して収納容器100内のウエハWの検出が行われる。   First, as shown in FIG. 1, the storage container 100 in which a plurality of wafers W are stored in a substantially horizontal state by the storage portion is placed on the storage container carry-in / out stage 2a. The storage container 100 placed on the storage container loading / unloading stage 2a is transferred to the loading / unloading stage 2b for loading by the storage container transfer device 2c. Next, with respect to the storage container 100 placed on the wafer loading / unloading stage 2b, the first detection unit 7 detects the wafer W in the storage container 100 through the opening 6a on the lower side of the wall part 6.

その後、ウエハ移載装置5aにより、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100からウエハ搬送装置9にウエハWが受け渡される。   Thereafter, the wafer transfer device 5a transfers the wafer W from the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2b to the wafer transfer device 9.

ウエハWを受け取ったウエハ搬送装置9は、ガイドレール9aに沿って洗浄処理ユニット3の薬液槽11の位置に移動し、ウエハWが洗浄処理ユニット3のユニット内搬送機構50に渡され、ウエハWが、後述するように、洗浄処理される。その後、各薬液処理部3a、3d、各リンス処理部3b、3eにより、ウエハWは順次洗浄処理される。   The wafer transfer apparatus 9 that has received the wafer W moves along the guide rail 9 a to the position of the chemical tank 11 of the cleaning processing unit 3, and the wafer W is transferred to the in-unit transfer mechanism 50 of the cleaning processing unit 3. However, as will be described later, the cleaning process is performed. Thereafter, the wafers W are sequentially cleaned by the chemical solution processing units 3a and 3d and the rinse processing units 3b and 3e.

洗浄処理が終了したウエハWは、ウエハ搬送装置9により乾燥処理ユニット4に搬送され、乾燥処理される。その後、ウエハ搬送装置9によって、インターフェース部5に戻される。   The wafer W that has been subjected to the cleaning process is transferred to the drying processing unit 4 by the wafer transfer device 9 and dried. Thereafter, the wafer is returned to the interface unit 5 by the wafer transfer device 9.

インターフェース部5において、ウエハ移載装置5aにより、ウエハ搬送装置9からウエハ出し入れステージ2bに載置された搬出用の空の収納容器100に引き渡され、第2の検出部8によりウエハWの検出が行われる。   In the interface unit 5, the wafer transfer device 5 a delivers the wafer W from the wafer transfer device 9 to the empty storage container 100 mounted on the wafer loading / unloading stage 2 b, and the second detection unit 8 detects the wafer W. Done.

その後、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100が、収納容器搬送装置2cにより、収納容器搬入出ステージ2aに搬送される。   Thereafter, the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2b is transferred to the storage container loading / unloading stage 2a by the storage container transfer device 2c.

次に、洗浄処理ユニット3の薬液処理部10およびリンス処理部20におけるウエハWの処理方法について説明する。   Next, a method for processing the wafer W in the chemical processing unit 10 and the rinse processing unit 20 of the cleaning processing unit 3 will be described.

この場合、まず、図4に示すように、ファンフィルターユニット40から、薬液槽11およびリンス槽21に向かって、清浄な空気が吐出される(ステップS1)。この際、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が第1の流量(通常時の流量)となるように、ファンフィルターユニット40が駆動されると共に、第1排気部31の第1排気開閉弁33の開度が調整される。なお、ファンフィルターユニット40から吐出された空気の一部は、収容ケース30の外方に設けられたボックス53内に流れ込むが、制御部60により第2排気開閉弁56の開度が調整され、第2排気ライン55を通って排気される。   In this case, first, as shown in FIG. 4, clean air is discharged from the fan filter unit 40 toward the chemical solution tank 11 and the rinse tank 21 (step S1). At this time, the fan filter unit 40 is driven so that the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 becomes the first flow rate (normal flow rate), and the first exhaust unit 31 The opening degree of the first exhaust opening / closing valve 33 is adjusted. A part of the air discharged from the fan filter unit 40 flows into a box 53 provided outside the housing case 30, but the opening degree of the second exhaust opening / closing valve 56 is adjusted by the control unit 60, The air is exhausted through the second exhaust line 55.

ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が第1の流量で安定した後、薬液処理部10の薬液槽11に薬液が貯留されると共に、リンス処理部20のリンス槽21にリンス液が貯留される(ステップS2)。この場合、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部から薬液槽11の内槽11aに、硫酸および過酸化水素水が、所定濃度で混合されるように、供給される。この際、硫酸および過酸化水素水は、薬液槽11の内槽11aから外槽11bにオーバーフローするまで供給され、薬液槽11に設けられた図示しないヒータにより加熱される。その後、以下の工程を行っている間、薬液槽11の内槽11aに貯留された硫酸および過酸化水素水は、所定濃度に維持される。また、リンス槽21の内槽21aには、図示しないリンス液供給部から、リンス液が、リンス槽21の内槽21aから外槽21bにオーバーフローするまで供給される。   After the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is stabilized at the first flow rate, the chemical solution is stored in the chemical solution tank 11 of the chemical solution processing unit 10, and also in the rinse tank 21 of the rinse treatment unit 20. The rinse liquid is stored (step S2). In this case, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are supplied from a sulfuric acid supply unit and a hydrogen peroxide solution supply unit (not shown) to the inner tank 11a of the chemical solution tank 11 so as to be mixed at a predetermined concentration. At this time, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are supplied from the inner tank 11 a of the chemical tank 11 to the outer tank 11 b until they overflow and are heated by a heater (not shown) provided in the chemical tank 11. Thereafter, during the following steps, the sulfuric acid and hydrogen peroxide solution stored in the inner tank 11a of the chemical tank 11 are maintained at a predetermined concentration. Moreover, the rinse liquid is supplied to the inner tank 21a of the rinse tank 21 from a rinse liquid supply unit (not shown) until the overflow from the inner tank 21a of the rinse tank 21 to the outer tank 21b.

次に、ユニット内搬送機構50により搬送された複数のウエハWが、薬液処理部10のウエハボード12に引き渡されて保持される(ステップS3)。   Next, the plurality of wafers W transferred by the in-unit transfer mechanism 50 are delivered to and held by the wafer board 12 of the chemical processing unit 10 (step S3).

ウエハWが薬液処理部10のウエハボード12に保持された後、薬液処理部10のボード駆動部13が駆動されて、ウエハWを保持したウエハボード12が下降する(ステップS4)。   After the wafer W is held on the wafer board 12 of the chemical processing unit 10, the board driving unit 13 of the chemical processing unit 10 is driven, and the wafer board 12 holding the wafer W is lowered (step S4).

このウエハボード12の下降により、薬液が貯留された薬液処理部10の薬液槽11において、ウエハボード12により保持されたウエハWが、薬液に浸漬して、所定時間、薬液処理される(ステップS5)。なお、上述したステップS2〜S5においては、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量は第1の流量に維持される。   As the wafer board 12 is lowered, the wafer W held by the wafer board 12 is immersed in the chemical solution in the chemical solution tank 11 of the chemical solution processing unit 10 in which the chemical solution is stored, and the chemical solution processing is performed for a predetermined time (step S5). ). In steps S2 to S5 described above, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is maintained at the first flow rate.

次に、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が、第1の流量より小さい第2の流量となるように、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量および第1排気部31の第1排気開閉弁33の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が低減される(ステップS6)。なお、このステップS6は、上述したステップS5におけるウエハWの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の1分前に行うことが好ましい。このことにより、後述するステップS7におけるウエハWを上昇させる前に、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を安定させることができる。   Next, the flow rate of the air discharged from the fan filter unit 40 and the first exhaust so that the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 becomes a second flow rate smaller than the first flow rate. The opening degree of the first exhaust on-off valve 33 of the unit 31 is adjusted. As a result, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 is reduced (step S6). In addition, it is preferable to perform this step S6 immediately before the chemical | medical solution process of the wafer W in step S5 mentioned above is complete | finished, for example, 1 minute before completion | finish. Thus, the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 can be stabilized before raising the wafer W in step S7 described later.

その後、薬液処理部10のボード駆動部13が駆動されて、薬液処理されたウエハWが上昇する(ステップS7)。   Thereafter, the board driving unit 13 of the chemical processing unit 10 is driven, and the wafer W that has been subjected to the chemical processing rises (step S7).

次に、薬液処理部10のウエハボード12により上昇したウエハWが、ユニット内搬送機構50に引き渡され、薬液処理部10からリンス処理部20に搬送される(ステップS8)。   Next, the wafer W raised by the wafer board 12 of the chemical solution processing unit 10 is transferred to the in-unit transfer mechanism 50 and transferred from the chemical solution processing unit 10 to the rinse processing unit 20 (step S8).

ユニット内搬送機構50によりリンス処理部20に搬送されたウエハWは、リンス処理部20のウエハボード22に引き渡されて保持される(ステップS9)。   The wafer W transferred to the rinse processing unit 20 by the in-unit transfer mechanism 50 is transferred to and held by the wafer board 22 of the rinse processing unit 20 (step S9).

ウエハWがリンス処理部20のウエハボード22に保持された後、リンス処理部20のボード駆動部23が駆動されて、ウエハWを保持したウエハボード22が下降する(ステップS10)。   After the wafer W is held on the wafer board 22 of the rinse processing unit 20, the board drive unit 23 of the rinse processing unit 20 is driven, and the wafer board 22 holding the wafer W is lowered (step S10).

このウエハボード22の下降により、リンス液が貯留されたリンス処理部20のリンス槽21において、ウエハボード22により保持されたウエハWが、リンス液に浸漬して、所定時間、リンス処理される(ステップS11)。なお、上述したステップS7〜S11において、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量は、第2の流量に維持される。   When the wafer board 22 is lowered, the wafer W held by the wafer board 22 is immersed in the rinse liquid in the rinse tank 21 of the rinse processing unit 20 in which the rinse liquid is stored, and is rinsed for a predetermined time ( Step S11). In steps S7 to S11 described above, the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is maintained at the second flow rate.

ここで、ウエハW全体が、リンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が第1の流量となるように、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量および第1排気部31の第1排気開閉弁33の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が、通常時の第1の流量に戻る(ステップS12)。   Here, after the entire wafer W is immersed in the rinsing liquid, the flow rate of air discharged from the fan filter unit 40 is set so that the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 becomes the first flow rate. The flow rate and the opening degree of the first exhaust opening / closing valve 33 of the first exhaust part 31 are adjusted. As a result, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 returns to the normal first flow rate (step S12).

ウエハWのリンス処理が終了した後、リンス処理部20のボード駆動部23が駆動されて、リンス処理されたウエハWが上昇する(ステップS13)。なお、この間、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量は、第1の流量に維持される。   After the rinsing process for the wafer W is completed, the board driving unit 23 of the rinsing process unit 20 is driven to raise the rinsed wafer W (step S13). During this time, the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 is maintained at the first flow rate.

その後、リンス処理部20のウエハボード22により上昇したウエハWが、ユニット内搬送機構50に引き渡され、下流の工程へ搬送される。   Thereafter, the wafer W lifted by the wafer board 22 of the rinse processing unit 20 is transferred to the in-unit transfer mechanism 50 and transferred to a downstream process.

上述した工程を繰り返すことにより、複数のウエハWを、順次、薬液処理してリンス処理し、洗浄することができる。   By repeating the above-described steps, a plurality of wafers W can be sequentially subjected to chemical treatment, rinse treatment, and cleaning.

このように本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハWを薬液から引き上げる際のファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、ウエハWを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハW間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハWの上端部から、溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受けて、ウエハ表面上を垂れてパーティクルが形成されることを防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 when the chemical-treated wafer W is pulled up from the chemical solution is determined from the flow rate when the wafer W is subjected to the chemical treatment. Can be small. As a result, the flow velocity of air flowing between the wafers W can be reduced, and dissolved organic matter hangs down on the wafer surface from the upper end portion of the wafers W due to the downflow, and particles are formed. This can be prevented.

また、本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハWを、薬液処理部10からリンス処理部20に搬送する際、およびリンス処理部20のウエハボード22によりリンス槽21に向けて下降させる際においても、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、ウエハWを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、薬液処理されたウエハWがリンス処理されるまでの間、ウエハW間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハWの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。   In addition, according to the present embodiment, when the chemical-treated wafer W is transferred from the chemical treatment unit 10 to the rinse treatment unit 20 and is lowered toward the rinse tank 21 by the wafer board 22 of the rinse treatment unit 20. Even in this case, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 can be made smaller than the flow rate when the wafer W is subjected to the chemical treatment. Thus, the flow velocity of the air flowing between the wafers W can be reduced until the chemical-treated wafer W is rinsed, and particles are prevented from being formed on the surface of the wafer W. Can do.

第2の実施の形態
次に、図5により、本発明の第2の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体について説明する。ここで図5は、第2の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
Second Embodiment Next, referring to FIG. 5, a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded according to a second embodiment of the present invention will be described. explain. FIG. 5 is a diagram for explaining an embodiment of a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded in the second embodiment. It is.

図5に示す第2の実施の形態において、検出部により検出されたウエハの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニットから第1排気部に流れる空気の流量を調整する点が主に異なり、他の構成は、図1乃至図4に示す第1の実施の形態と略同一である。なお、図5において、図1乃至図4に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   The second embodiment shown in FIG. 5 is mainly different in that the flow rate of air flowing from the fan filter unit to the first exhaust unit is adjusted based on the empty state of the wafer detected by the detection unit. The configuration is substantially the same as that of the first embodiment shown in FIGS. In FIG. 5, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100に収納された洗浄処理前のウエハWの空き状態が第1の検出部(検出部)7により検出され、この検出されたウエハWの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が調整されるようになっている。   In the present embodiment, the first detection unit (detection unit) 7 detects an empty state of the wafer W before the cleaning process stored in the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2b, and the detected wafer W is detected. The flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 is adjusted based on the empty state.

すなわち、制御部60は、第1の検出部7により検出されたウエハWの空き状態に基づいて、ウエハボード12に保持されるウエハW間のギャップ(図5中の寸法x)を算出し、少なくとも一組のウエハW間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハWをウエハボード12により上昇させる際のファンフィルターユニット40から第1排気部32に流れる空気の流量を、ウエハWを薬液処理する際の流量(第1の流量)より小さい第2の流量とするように、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量および第1排気部31の第1排気開閉弁33を制御する。   That is, the control unit 60 calculates a gap (dimension x in FIG. 5) between the wafers W held on the wafer board 12 based on the empty state of the wafers W detected by the first detection unit 7. When the gap between at least one set of wafers W is in a predetermined range, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 32 when the wafer W processed with the chemical solution is raised by the wafer board 12, The flow rate of air discharged from the fan filter unit 40 and the first exhaust opening / closing valve 33 of the first exhaust unit 31 are set to a second flow rate that is smaller than the flow rate (first flow rate) when the wafer W is processed with the chemical solution. To control.

ここで、図5(a)に示すように、例えば、50枚のウエハWを保持可能なウエハボード12に50枚のウエハWが保持されている場合、各ウエハW間のギャップ(この場合、x=3mm)は、比較的小さい。このため、各ウエハW間に、ファンフィルターユニット40から吐出された空気が流れにくくなり、各ウエハW間の空気の流速は小さくなる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハWの表面上に、パーティクルが形成され難くなる。一方、図5(b)に示すように、例えば、上述のウエハボード12に25枚のウエハWが、略等間隔に保持されている場合、各ウエハW間のギャップ(この場合、x=6mm)は、比較的大きくなる。このため、各ウエハW間に、ファンフィルターユニット40から吐出された空気が流れやすくなり、ウエハWの上端部に残存している溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハWの表面上にパーティクルが形成され易くなっている。しかしながら、図5(c)に示すように、例えば、上述のウエハボード12にウエハWが1枚だけ保持されている場合には、ウエハWの周囲に大きな空間が形成されるため、ファンフィルターユニット40から吐出された空気は、ウエハWから離れて流れる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハWの表面上にパーティクルが形成され難くなっている。   Here, as shown in FIG. 5A, for example, when 50 wafers W are held on the wafer board 12 capable of holding 50 wafers W, gaps between the wafers W (in this case, x = 3 mm) is relatively small. For this reason, the air discharged from the fan filter unit 40 hardly flows between the wafers W, and the flow velocity of the air between the wafers W is reduced. For this reason, the influence of the downflow is reduced and particles are hardly formed on the surface of the wafer W. On the other hand, as shown in FIG. 5B, for example, when 25 wafers W are held on the wafer board 12 at substantially equal intervals, gaps between the wafers W (in this case, x = 6 mm). ) Is relatively large. For this reason, the air discharged from the fan filter unit 40 easily flows between the wafers W, and the dissolved organic matter remaining on the upper end of the wafer W is affected by the downflow, and thus is on the surface of the wafer W. Particles are easily formed on the surface. However, as shown in FIG. 5C, for example, when only one wafer W is held on the wafer board 12 described above, a large space is formed around the wafer W, and therefore the fan filter unit. The air discharged from 40 flows away from the wafer W. For this reason, the influence of the downflow is reduced, and particles are hardly formed on the surface of the wafer W.

このことにより、制御部60が、少なくとも一組のウエハW間のギャップが所定値の範囲(例えば、6mm以上)にある場合に、薬液処理されたウエハWを上昇させる際、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を上述の第1の流量より小さい第2の流量とすることが効果的である。一方、ウエハW間のギャップが所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハWを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を第1の流量に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止することができる。   Accordingly, when the control unit 60 raises the wafer W that has been subjected to the chemical treatment when the gap between at least one pair of wafers W is within a predetermined value range (for example, 6 mm or more), the fan filter unit 40 It is effective to set the flow rate of the air flowing through the first exhaust part 31 to a second flow rate smaller than the first flow rate described above. On the other hand, when the gap between the wafers W is not included in the predetermined range, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is increased even when the chemical-treated wafer W is raised. The first flow rate can be maintained, and gas vaporized from the chemical solution can be prevented from rising and diffusing.

このように本実施の形態によれば、ウエハW間のギャップが上述した所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハWを上昇させる際に、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、ウエハWを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハW間にファンフィルターユニット40からの空気がダウンフローとして流れ込む場合に限り、その流量を低減して、ウエハWの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。一方、ウエハW間のギャップが上述した所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハWを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を通常の流量(第1の流量)に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, when the wafer W that has been subjected to the chemical solution treatment is lifted when the gap between the wafers W is within the predetermined range described above, the fan filter unit 40 moves to the first exhaust unit 31. The flow rate of the flowing air can be made smaller than the flow rate when the wafer W is subjected to the chemical treatment. Thus, only when the air from the fan filter unit 40 flows as a downflow between the wafers W, the flow rate can be reduced and particles can be prevented from being formed on the surface of the wafer W. On the other hand, when the gap between the wafers W is not included in the predetermined range described above, the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 even when the chemical-treated wafer W is raised. The flow rate can be maintained at a normal flow rate (first flow rate), and gas vaporized from the chemical solution can be prevented from rising and diffusing.

なお、本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ2b上の収納容器100に収納された洗浄処理前のウエハWの空き状態を第1の検出部7により検出して、この検出されたウエハWの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が調整される例について説明した。しかしながら、このことに限られることなく、ウエハWの空き状態を検出する検出部として、第3の検出部70を、図6に示すように、薬液槽11の上方に設けるようにしても良い。すなわち、薬液槽11の上方に、薬液処理部10のウエハボード12に保持されたウエハWの空き状態を検出する第3の検出部70が設けられ、制御部60は、この第3の検出部70により検出されたウエハWの空き状態に基づいて、各ウエハW間のギャップを算出し、少なくとも一組のウエハW間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハWをウエハボード12により上昇させる際のファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を、第2の流量とするように、ファンフィルターユニット40および第1排気部31を制御する。なお、この第3の検出部70は、上述した第1の検出部7と同様に、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が、ウエハボード12に保持されたウエハWのスキャンを行い、ウエハWの空き状態、すなわち、ウエハボード12の各溝(図示せず)にウエハWが係合しているか否かを検出するように構成されている。   In the present embodiment, the first detection unit 7 detects the empty state of the wafer W before the cleaning process stored in the storage container 100 on the wafer loading / unloading stage 2b, and the detected wafer W is detected. The example in which the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 is adjusted based on the empty state has been described. However, the present invention is not limited to this, and the third detection unit 70 may be provided above the chemical tank 11 as a detection unit for detecting the empty state of the wafer W as shown in FIG. That is, a third detection unit 70 that detects the empty state of the wafer W held on the wafer board 12 of the chemical solution processing unit 10 is provided above the chemical solution tank 11, and the control unit 60 includes the third detection unit. The gaps between the wafers W are calculated based on the free state of the wafers W detected by 70, and when the gaps between at least one pair of wafers W are within a predetermined range, The fan filter unit 40 and the first exhaust unit 31 are controlled such that the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 when being raised by the board 12 is the second flow rate. The third detection unit 70 has a sensor portion composed of at least a pair of light emitting elements and light receiving elements, like the first detection unit 7 described above, and this sensor portion is held on the wafer board 12. The wafer W is scanned to detect whether the wafer W is empty, that is, whether or not the wafer W is engaged with each groove (not shown) of the wafer board 12.

この場合、図7に示すように、ステップS3において、ウエハWを薬液処理部10のウエハボード12に保持した後、この保持されたウエハWの空き状態が、第3の検出部70により検出される(ステップ21)。その後、このウエハボード12を下降させて薬液処理させる(ステップS4、S5)。   In this case, as shown in FIG. 7, after the wafer W is held on the wafer board 12 of the chemical processing unit 10 in step S3, the empty state of the held wafer W is detected by the third detection unit 70. (Step 21). Thereafter, the wafer board 12 is lowered to perform chemical treatment (steps S4 and S5).

次に、ステップS21において検出されたウエハWの空き状態に基づいて、各ウエハW間のギャップが算出され、この算出されたウエハW間のギャップが所定の範囲にある場合には、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が、第1の流量より小さい第2の流量となるように、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量および第1排気部31の第1排気開閉弁33の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が低減される(ステップS22)。なお、このステップS22は、上述したステップS5におけるウエハWの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の1分前に行うことが好ましい。このことにより、ステップS7におけるウエハWを上昇させる前に、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を安定させることができる。その後、このウエハボード12が上昇する(ステップS7)。   Next, the gap between the wafers W is calculated based on the empty state of the wafers W detected in step S21. If the calculated gap between the wafers W is within a predetermined range, the fan filter unit The flow rate of the air discharged from the fan filter unit 40 and the first exhaust of the first exhaust unit 31 so that the flow rate of the air flowing from the 40 to the first exhaust unit 31 becomes a second flow rate smaller than the first flow rate. The opening degree of the on-off valve 33 is adjusted. As a result, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 is reduced (step S22). In addition, it is preferable to perform this step S22 just before the chemical | medical solution process of the wafer W in step S5 mentioned above is complete | finished, for example, 1 minute before completion | finish. Thus, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 can be stabilized before the wafer W is raised in step S7. Thereafter, the wafer board 12 is raised (step S7).

なお、上述のステップS22においてファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を第2の流量とした場合、ステップS11において、ウエハW全体がリンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が第1の流量となるように、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量および第1排気部31の第1排気開閉弁33の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量が、通常時の第1の流量に戻る(ステップS23)。   If the flow rate of the air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 in step S22 is the second flow rate, the fan filter unit 40 is immersed in the rinse liquid in step S11 after the entire wafer W is immersed in the rinse liquid. The flow rate of air discharged from the fan filter unit 40 and the opening degree of the first exhaust opening / closing valve 33 of the first exhaust portion 31 are adjusted so that the flow rate of air flowing from the fan to the first exhaust portion 31 becomes the first flow rate. Is done. As a result, the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust part 31 returns to the normal first flow rate (step S23).

以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。   As mentioned above, although embodiment by this invention has been described, naturally, various deformation | transformation are also possible within the range of the summary of this invention. Hereinafter, typical modifications will be described.

本実施の形態においては、薬液槽11およびリンス槽21が、一つの収容ケース30に収容されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽11およびリンス槽21が、別々の収容ケース30に収容されるようにしても良い。すなわち、薬液槽11が、薬液槽用収容ケースに収容され、この薬液槽用収容ケースの下部に、空気を排気する薬液槽用排気部が設けられ、この薬液槽用排気部が、薬液槽用排気ラインと薬液槽用排気開閉弁とを有するようにすると共に、リンス槽21が、リンス槽用収容ケースに収容され、このリンス槽用収容ケースの下部に、空気を排気するリンス槽用排気部が設けられ、このリンス槽用排気部が、リンス槽用排気ラインとリンス槽用排気開閉弁とを有するようにしても良い(いずれも図示せず)。この場合、制御部60は、ファンフィルターユニット40から薬液槽用排気部およびリンス槽用排気部に流れる空気の流量を制御するために、ファンフィルターユニット40から吐出される空気の流量、薬液槽用排気開閉弁の開度、およびリンス槽用排気開閉弁の開度を調整すれば良い。   In the present embodiment, the example in which the chemical solution tank 11 and the rinse tank 21 are accommodated in one accommodation case 30 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the chemical solution tank 11 and the rinse tank 21 may be stored in separate storage cases 30. That is, the chemical tank 11 is accommodated in the chemical tank storage case, and a chemical tank exhaust for exhausting air is provided in the lower part of the chemical tank storage case. The chemical tank exhaust is used for the chemical tank. A rinsing tank exhaust section for exhausting air to the lower portion of the rinsing tank storage case is provided with an exhaust line and a chemical tank exhaust opening / closing valve. The rinsing tank exhaust section may have a rinsing tank exhaust line and a rinsing tank exhaust opening / closing valve (both not shown). In this case, the control unit 60 controls the flow rate of air discharged from the fan filter unit 40 to the chemical solution tank in order to control the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the chemical solution tank exhaust unit and the rinse tank exhaust unit. The opening degree of the exhaust opening / closing valve and the opening degree of the rinsing tank exhaust opening / closing valve may be adjusted.

また、本実施の形態においては、薬液としてのSPM液により薬液処理されたウエハWが、第2の処理部としてのリンス処理部20においてリンス処理される例について説明した。しかしながら、この第2の処理部は、リンス処理部20からなる場合に限られることはなく、SPM液とは異なる他の薬液によりウエハWを更に薬液処理する処理部であっても良い。   In the present embodiment, the example in which the wafer W that has been subjected to the chemical treatment with the SPM solution as the chemical solution is rinsed in the rinse treatment unit 20 as the second treatment unit has been described. However, the second processing unit is not limited to the rinse processing unit 20 and may be a processing unit that further performs chemical processing on the wafer W with another chemical solution different from the SPM solution.

また、本実施の形態においては、薬液槽11に貯留された高温のSPM液によりウエハWを薬液処理する例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽11に他の薬液を貯留してウエハWを薬液処理する場合にも、本発明を適用することができる。   Further, in the present embodiment, the example in which the wafer W is subjected to the chemical treatment using the high-temperature SPM solution stored in the chemical bath 11 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to the case where another chemical solution is stored in the chemical solution tank 11 and the wafer W is processed with the chemical solution.

なお、以上の説明においては、本発明による基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体62、および基板処理装置1を、半導体ウエハWの薬液処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、LCD基板またはCD基板等、種々の基板等の薬液処理に本発明を適用することも可能である。   In the above description, the substrate processing method according to the present invention, the recording medium 62 on which the computer program for executing the substrate processing method is recorded, and the substrate processing apparatus 1 are applied to the chemical processing of the semiconductor wafer W. An example is shown. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to chemical processing of various substrates such as an LCD substrate or a CD substrate.

ウエハW間の空気の流速と、ウエハWの表面上のパーティクルの形成の有無との関係について調べた。   The relationship between the flow rate of air between the wafers W and the presence or absence of formation of particles on the surface of the wafers W was examined.

すなわち、ウエハボード12に保持されたウエハWのうち中央付近のウエハW間の空気の流速を測定するために、図8に示すように、3箇所の流速の測定ポイントP1、P2、P3を設けた。なお、この場合のウエハW間のギャップx(図5参照)は、6mmとしており、最大で50枚のウエハWを保持可能なウエハボード12に、25枚のウエハWを、略等間隔に配置した場合に相当している。   That is, in order to measure the flow velocity of air between the wafers W near the center among the wafers W held on the wafer board 12, three flow velocity measurement points P1, P2, and P3 are provided as shown in FIG. It was. In this case, the gap x between the wafers W (see FIG. 5) is 6 mm, and 25 wafers W are arranged at substantially equal intervals on the wafer board 12 capable of holding 50 wafers W at maximum. It corresponds to the case.

ファンフィルターユニット40から第1排気部31に流れる空気の流量を第1の流量と第2の流量とした場合において、各測定ポイントP1、P2、P3における空気の流速を測定すると共に、各ポイントP1、P2、P3の付近においてウエハWの表面上にパーティクルが形成されているか否かを調べた。その結果を、表1に示す。なお、ここでは、図示しないが、薬液処理部10と、測定ポイントP1の側で隣接するリンス処理部20に、排気部がそれぞれ設けられ、リンス処理部20の排気開閉弁の開度が小さくなっており、このことにより、ファンフィルターユニット40のリンス処理部20の側の部分から吐出された空気が、薬液槽11に流れ、その影響で、P1における空気の流速が、P2、P3における空気の流速より大きくなっている。また、測定は、ウエハWの略下半分を、図8に示すように、を薬液に浸漬させた状態で行った。   When the flow rate of air flowing from the fan filter unit 40 to the first exhaust unit 31 is the first flow rate and the second flow rate, the flow velocity of air at each measurement point P1, P2, P3 is measured, and each point P1 , Whether or not particles are formed on the surface of the wafer W in the vicinity of P2, P3. The results are shown in Table 1. In addition, although not shown here, exhaust portions are respectively provided in the chemical treatment unit 10 and the rinse treatment unit 20 adjacent on the measurement point P1 side, and the opening degree of the exhaust on-off valve of the rinse treatment unit 20 becomes small. As a result, the air discharged from the portion of the fan filter unit 40 on the side of the rinsing section 20 flows into the chemical solution tank 11, and as a result, the air flow velocity at P <b> 1 becomes the air flow at P <b> 2 and P <b> 3. It is larger than the flow velocity. Further, the measurement was performed in a state where substantially the lower half of the wafer W was immersed in a chemical solution as shown in FIG.

Figure 0005425719
Figure 0005425719

この表1に示されているように、測定ポイントP1において、ウエハW間の空気の流速が、0.61m/秒である場合に、ダウンフローの影響を受けて、ウエハWの上端部から、溶解した有機物がウエハWの表面上を垂れてパーティクルが形成されることが確認できた。このことにより、ウエハW間の空気の流速を、少なくとも0.5m/秒以下、好ましくは、0.3m/秒以下とすることにより、ウエハWの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができるといえる。なお、本実施例においては、図8に示すように、ウエハWの略下半分を薬液に浸漬させた状態でウエハW間の空気の流速を測定しているが、ウエハWの薬液への浸漬状態および浸漬の有無に関わらず、ウエハW間の全領域にわたって、空気の流速が、0.5m/秒以下、とりわけ、0.3m/秒以下であることが好ましい。   As shown in Table 1, when the flow velocity of the air between the wafers W is 0.61 m / sec at the measurement point P1, it is affected by the downflow, and from the upper end of the wafer W, It was confirmed that the dissolved organic matter hangs down on the surface of the wafer W to form particles. This prevents the formation of particles on the surface of the wafer W by setting the air flow rate between the wafers W to at least 0.5 m / second or less, preferably 0.3 m / second or less. It can be said that it is possible. In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the flow rate of air between the wafers W is measured in a state in which the substantially lower half of the wafer W is immersed in the chemical solution, but the immersion of the wafer W in the chemical solution is performed. Regardless of the state and the presence / absence of immersion, the air flow rate is preferably 0.5 m / second or less, particularly 0.3 m / second or less over the entire region between the wafers W.

1 基板処理装置
2 収納容器搬入出部
2a 収納容器搬入出ステージ
2b ウエハ出し入れステージ
2c 収納容器搬送装置
2d 収納容器ストック部
3 洗浄処理ユニット
3a、3d 薬液処理部
3b、3e リンス処理部
3c、3f ユニット内搬送機構
4 乾燥処理ユニット
4a チャック洗浄機構
4b 水洗槽
4c ユニット内搬送機構
5 インターフェース部
5a ウエハ移載装置
6 壁部
6a 開口
7 第1の検出部
8 第2の検出部
9 ウエハ搬送装置
9a ガイドレール
10 薬液処理部
11 薬液槽
11a 内槽
11b 外槽
12 ウエハボード
13 ボード駆動部
20 リンス処理部
21 リンス槽
21a 内槽
21b 外槽
22 ウエハボード
23 ボード駆動部
30 収容ケース
31 第1排気部
32 第1排気ライン
33 第1排気開閉弁
40 ファンフィルターユニット
50 ユニット内搬送機構
51 搬送アーム
52 搬送駆動部
53 ボックス
54 第2排気部
55 第2排気ライン
56 第2排気開閉弁
60 制御部
61 入出力装置
62 記録媒体
70 第3の検出部
100 収納容器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Storage container carrying in / out part 2a Storage container carrying in / out stage 2b Wafer loading / unloading stage 2c Storage container transfer apparatus 2d Storage container stock part 3 Cleaning processing unit 3a, 3d Chemical solution processing part 3b, 3e Rinse processing part 3c, 3f unit Inner transfer mechanism 4 Drying processing unit 4a Chuck cleaning mechanism 4b Flushing tank 4c In-unit transfer mechanism 5 Interface unit 5a Wafer transfer device 6 Wall portion 6a Opening 7 First detection unit 8 Second detection unit 9 Wafer transfer device 9a Guide Rail 10 Chemical solution processing section 11 Chemical solution tank 11a Inner tank 11b Outer tank 12 Wafer board 13 Board drive unit 20 Rinse processing unit 21 Rinse tank 21a Inner tank 21b Outer tank 22 Wafer board 23 Board drive unit 30 Housing case 31 First exhaust unit 32 First exhaust line 33 First exhaust on-off valve 40 Fan filter unit DOO 50 unit transfer mechanism 51 transfer arm 52 transfer drive 53 Box 54 second exhaust unit 55 second exhaust line 56 second discharge opening and closing valve 60 the control unit 61 input-output device 62 recording medium 70 third detection unit 100 container

Claims (11)

液を貯留して、複数の基板を薬液処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、
前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、
前記基板の空き状態を検出する検出部と、
前記処理槽を収容する収容ケースと、
前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、
前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御し、
前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を薬液処理する際に、第1の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、薬液処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第1の流量より小さい第2の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置。
And storing the drug solution, the treatment tank a plurality of substrates to chemical treatment, vertically movable mounted with respect to the processing tank, a processing unit and a substrate holder which is immersed in a drug solution while holding the substrate ,
A gas supply unit provided above the processing unit and configured to supply gas to the processing tank;
A detection unit for detecting an empty state of the substrate;
A storage case for storing the treatment tank;
An exhaust part that is provided at a lower part of the housing case and exhausts the gas supplied from the gas supply part;
A control unit for controlling the gas supply unit and the exhaust unit,
The control unit controls the gas supply unit and the exhaust unit so as to adjust the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit based on the empty state of the substrate detected by the detection unit. And
The control unit sets the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit as a first flow rate when the substrate is subjected to a chemical treatment, and sets the empty state of the substrate detected by the detection unit. A gap between the substrates is calculated based on the first flow rate when the substrate treated with the chemical solution is raised by the substrate holding unit when the gap between the substrates in a pair is within a predetermined range. The substrate processing apparatus , wherein the gas supply unit and the exhaust unit are controlled to have a smaller second flow rate .
前記処理部により薬液処理された前記基板を更に処理する第2の処理部と、
前記処理部から前記第2の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、
前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第2の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
A second processing unit for further processing the substrate that has been subjected to chemical treatment by the processing unit;
A transport mechanism for transporting the substrate raised by the substrate holding unit from the processing unit to the second processing unit;
When the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit when the substrate holding unit raises the substrate by the substrate holding unit is set to the second flow rate, the control unit causes the transfer mechanism to move the first unit from the processing unit. Controlling the gas supply unit and the exhaust unit so that the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate when the substrate is transported to the second processing unit. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein:
前記第2の処理部は、前記ケースに収容され、第2の処理液を貯留して、前記基板を処理する第2の処理槽と、当該第2の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第2の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、
前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合に、前記第2の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御することを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
The second processing unit is housed in the case, stores a second processing liquid, and is provided so as to be movable up and down with respect to the second processing tank and the second processing tank for processing the substrate. Receiving and holding the substrate, and having a substrate holding part immersed in the second treatment liquid,
The controller holds the gas in the second processing unit when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit when the substrate is transferred by the transfer mechanism is the second flow rate. When the substrate is lowered by the unit, the exhaust unit is controlled from the gas supply unit so that the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit becomes the second flow rate. The substrate processing apparatus according to claim 2 .
前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第2の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、0.5m/秒以下であることを特徴とする請求項乃至のいずれかに記載の基板処理装置。 If the flow rate of the gas flowing through the exhaust part from the gas supply unit is the second flow rate, the flow velocity of the gas between the substrates, claims 1 to 3, characterized in that 0.5 m / sec The substrate processing apparatus according to any one of the above. 前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第2の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、0.3m/秒以下であることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。 If the flow rate of the gas flowing through the exhaust part from the gas supply unit is the second flow rate, the flow velocity of the gas between the substrate, according to claim 4, characterized in that at most 0.3 m / sec Substrate processing equipment. 複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を液に浸漬させ、薬液処理する工程と、
前記基板保持部により、薬液処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整され
前記基板を薬液処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第1の流量とし、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第1の流量より小さい第2の流量とすることを特徴とする基板処理方法。
A step of holding a plurality of substrates by a substrate holder of the processing unit;
Detecting an empty state of the substrate;
In the processing tank of the processor the drug liquid is stored, the substrate held by the substrate holding portion is immersed in chemical liquid, a step of chemical treatment,
A step of raising the substrate treated with a chemical by the substrate holding part,
In the step of raising the substrate, a housing case that houses the processing tank from a gas supply unit that is provided above the processing tank and supplies gas to the processing tank based on the detected empty state of the substrate The flow rate of the gas flowing through the exhaust part for exhausting the gas supplied from the gas supply part is adjusted ,
In the step of chemical treatment of the substrate, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is a first flow rate,
In the step of raising the substrate, the gap between the substrates is calculated based on the detected empty state of the substrate, and when the gap between at least one set of the substrates is in a predetermined range, the gas supply unit The substrate processing method is characterized in that the flow rate of the gas flowing from the first to the exhaust portion is a second flow rate smaller than the first flow rate .
第2の処理部において、前記処理部により薬液処理された前記基板を更に処理する工程と、
前記処理部から前記第2の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、
前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とすることを特徴とする請求項に記載の基板処理方法。
In the second processing unit, a step of further processing the substrate that has been subjected to the chemical treatment by the processing unit;
A step of transporting the substrate raised by the substrate holding unit from the processing unit to the second processing unit,
In the step of raising the substrate, when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, in the step of transporting the substrate, the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit The substrate processing method according to claim 6 , wherein the flow rate is the second flow rate.
前記第2の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第2の処理部の第2の処理槽に貯留された第2の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、
前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第2の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第2の流量とすることを特徴とする請求項に記載の基板処理方法。
A step of lowering the substrate transported from the processing unit by the substrate holding unit of the second processing unit, the second processing liquid stored in the second processing tank of the second processing unit; Further comprising the step of immersing the substrate in
In the step of transporting the substrate, when the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is the second flow rate, in the step of lowering the substrate, the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit The substrate processing method according to claim 7 , wherein the flow rate is the second flow rate.
前記気体供給部から前記排気部に前記第2の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、0.5m/秒以下であることを特徴とする請求項乃至のいずれかに記載の基板処理方法。 When the flowing gas at the second flow rate to the exhaust portion from the gas supply unit, the flow velocity of the gas flowing between the substrate, any of claims 6 to 8, characterized in that at 0.5 m / sec A substrate processing method according to claim 1. 前記気体供給部から前記排気部に前記第2の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、0.3m/秒以下であることを特徴とする請求項に記載の基板処理方法。 10. The substrate according to claim 9 , wherein when a gas flows from the gas supply unit to the exhaust unit at the second flow rate, a flow rate of the gas flowing between the substrates is 0.3 m / second or less. Processing method. 基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
この基板処理方法は、
複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を液に浸漬させ、薬液処理する工程と、
前記基板保持部により、薬液処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整され
前記基板を薬液処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第1の流量とし、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第1の流量より小さい第2の流量とすることを特徴とする記録媒体。
A recording medium on which a computer program for executing a substrate processing method is recorded,
This substrate processing method
A step of holding a plurality of substrates by a substrate holder of the processing unit;
Detecting an empty state of the substrate;
In the processing tank of the processor the drug liquid is stored, the substrate held by the substrate holding portion is immersed in chemical liquid, a step of chemical treatment,
A step of raising the substrate treated with a chemical by the substrate holding part,
In the step of raising the substrate, a housing case that houses the processing tank from a gas supply unit that is provided above the processing tank and supplies gas to the processing tank based on the detected empty state of the substrate The flow rate of the gas flowing through the exhaust part for exhausting the gas supplied from the gas supply part is adjusted ,
In the step of chemical treatment of the substrate, the flow rate of the gas flowing from the gas supply unit to the exhaust unit is a first flow rate,
In the step of raising the substrate, the gap between the substrates is calculated based on the detected empty state of the substrate, and when the gap between at least one set of the substrates is in a predetermined range, the gas supply unit The recording medium is characterized in that the flow rate of the gas flowing from the first to the exhaust portion is a second flow rate smaller than the first flow rate .
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