JP2008147303A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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JP2008147303A JP2006330903A JP2006330903A JP2008147303A JP 2008147303 A JP2008147303 A JP 2008147303A JP 2006330903 A JP2006330903 A JP 2006330903A JP 2006330903 A JP2006330903 A JP 2006330903A JP 2008147303 A JP2008147303 A JP 2008147303A
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Katsuyoshi Nakamu
勝吉 中務
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus capable of performing substrate processing with high quality by effectively preventing chemical vapor to be generated in chemical processing from scattering to the outside of a sink having a processing tank. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus 1 comprises: the processing tanks 2A-2D composed of a bottomed container of which the upper portion is open; a grip mechanism 11 for gripping a wafer W; an elevating device 10 to which the grip mechanism is connected, thereby immersing the wafer into a processing liquid stored in each processing tank and drawing up the wafer from the processing tank; a carrying device 7 to which the elevating device is connected, thereby carrying the wafer to the processing tank; and a scattering prevention cover 8 connected to the carrying device and covering the opening part of the processing tank when the larger amount of vapor, compared with that in a normal situation, is generated and comes upward from the processing tank. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体基板や液晶ガラス基板等の各種基板を複数種類の処理液に浸漬して、その表面の洗浄等を行う基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for immersing various substrates such as a semiconductor substrate and a liquid crystal glass substrate in a plurality of types of processing liquids and cleaning the surface thereof.

半導体基板や液晶ガラス基板等の各種基板(以下、「ウェーハ」という)は、その表面にパーティクル、有機汚染物、金属不純物等(以下、纏めて「コンタミネーション」という)が付着しているので、このコンタミネーションを除去するのに様々な洗浄装置が使用されている。この種の洗浄装置の中でウエットタイプの洗浄装置はコンタミネーションを効果的に除去でき、しかもスループットが高いことから広く使用されている。   Various substrates (hereinafter referred to as “wafers”) such as semiconductor substrates and liquid crystal glass substrates have particles, organic contaminants, metal impurities, etc. (hereinafter collectively referred to as “contamination”) on their surfaces. Various cleaning devices are used to remove this contamination. Among these types of cleaning devices, wet-type cleaning devices are widely used because they can effectively remove contamination and have high throughput.

このタイプの洗浄装置は、概ねウェーハを搬入する搬入部と、搬入されたウェーハを洗浄等する洗浄処理部及び洗浄処理後に乾燥する乾燥処理部並びに処理済みのウェーハを取り出す搬出部とで構成されている。このうち洗浄処理部は、複数種類の処理液、例えばアンモニアやフッ酸、硫酸などの薬液及び純水等の洗浄液が貯留されてウェーハの各種の処理を行う処理槽が複数個一列に配列されて、個々の処理槽でウェーハに対して薬液処理が行われ、この薬液処理後に純水によって水洗洗浄処理が行われている。また、これら処理槽間は、搬送装置によってウェーハの移送が行われている。   This type of cleaning apparatus is generally composed of a carry-in part for carrying in a wafer, a washing process part for washing the carried-in wafer, a drying process part for drying after the washing process, and a carry-out part for taking out the processed wafer. Yes. Among these, the cleaning processing unit has a plurality of processing tanks, for example, chemical liquids such as ammonia, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and cleaning liquids such as pure water are stored, and a plurality of processing tanks for performing various processing of the wafer are arranged in a row. The chemical solution processing is performed on the wafer in each processing tank, and the water washing cleaning process is performed with pure water after the chemical solution processing. In addition, wafers are transferred between these processing tanks by a transfer device.

ところが、このような洗浄装置は、薬液処理の際に処理槽に貯留される薬液、例えば過酸化水素水が添加された硫酸が高温、例えば約120度に加熱されるので、このような高温の薬液にウェーハが浸漬され、薬液処理後に処理槽から取り出されると、このとき、搬送機構のウェーハチャック及び処理済みウェーハに付着した薬液が蒸発し、薬液ミストとなって装置内に飛散及び拡散して、他のウェーハや他の装置部材を汚染してしまう恐れがある。そこで、このような洗浄装置には、処理槽を隔離する隔壁等からなる飛散防止手段が設けられている(例えば、下記特許文献1、2参照)。   However, in such a cleaning apparatus, the chemical solution stored in the treatment tank during the chemical treatment, for example, sulfuric acid to which hydrogen peroxide is added is heated to a high temperature, for example, about 120 degrees. When the wafer is immersed in the chemical solution and taken out from the processing tank after the chemical treatment, the chemical solution adhering to the wafer chuck of the transfer mechanism and the processed wafer evaporates, and is scattered and diffused into the apparatus as a chemical mist. There is a risk of contamination of other wafers and other apparatus members. Therefore, such a cleaning apparatus is provided with scattering prevention means including a partition wall for isolating the processing tank (for example, see Patent Documents 1 and 2 below).

例えば、下記特許文献1に開示された基板処理装置は、処理槽とウェーハを搬送するハンドリング手段との間に隔壁を設けたものである。この隔壁により、処理槽から発生する薬液蒸気がハンドリング手段の可動機構等へ侵入することが阻止されるので、薬液蒸気によって可動機構等が腐食されることがなくなり、逆に機構部からのパーティクルが処理槽側へ侵入することがなくなる。   For example, a substrate processing apparatus disclosed in the following Patent Document 1 is provided with a partition wall between a processing tank and handling means for transporting a wafer. This partition prevents the chemical vapor generated from the treatment tank from entering the movable mechanism of the handling means, so that the movable mechanism is not corroded by the chemical vapor, and conversely, particles from the mechanism section No entry into the processing tank.

また、下記特許文献2に開示された洗浄装置は、処理槽の周囲を仕切板及び遮蔽板で囲ったものである。なお、図5は下記特許文献1に記載されたウエットタイプ洗浄装置の一部、すなわち薬液処理槽付近を示した斜視図、図6はこの洗浄装置の縦断面図である。
この洗浄装置20は、図5に示すように、薬液洗浄処理槽23の前後に水洗洗浄処理槽22、24が配列され、この薬液洗浄処理槽23は、外側の外槽23aと薬液が貯留されてウェーハWがその中に浸漬される内槽23bとで構成されている。
Moreover, the washing | cleaning apparatus disclosed by the following patent document 2 encloses the circumference | surroundings of a processing tank with the partition plate and the shielding board. 5 is a perspective view showing a part of the wet type cleaning apparatus described in Patent Document 1 below, that is, the vicinity of the chemical treatment tank, and FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the cleaning apparatus.
As shown in FIG. 5, the cleaning apparatus 20 includes water cleaning cleaning tanks 22 and 24 arranged before and after the chemical cleaning tank 23. The chemical cleaning tank 23 stores the outer outer tank 23 a and the chemical liquid. And an inner tank 23b in which the wafer W is immersed.

外槽23aは、その後端部に仕切板25及び前端部に遮蔽板(ミストセパレータ)26がそれぞれ設けられ、仕切板25は、図6に示すように、天井部に位置するファン・フィルタ・ユニットFが吊設され、遮蔽板26は外槽23aの外側にボルト等で固着されている。遮蔽板26は、略U字型に成形されてその略中央部には切欠凹部26aが形成されている。この切欠凹部26aは、ウェーハチャック21の上下動の動きに合わせた大きさになっている。また、水洗洗浄処理槽22の前後端には、遮蔽板26及び仕切板25と同じ構成の遮蔽板27及び仕切板28が設けられ、更に水洗洗浄処理槽24の前後端にも遮蔽板29及び仕切板30が設けられている。それぞれの遮蔽板26、27、29及び各仕切板25、28、30は相互に気密に連結されている。 The outer tub 23a is provided with a partition plate 25 at the rear end portion and a shielding plate (mist separator) 26 at the front end portion, and the partition plate 25 is a fan filter unit located on the ceiling portion as shown in FIG. F 5 is suspended, the shield plate 26 is secured by bolts or the like on the outside of the outer tub 23a. The shielding plate 26 is formed in a substantially U shape, and a notch recess 26a is formed in a substantially central portion thereof. The notch recess 26 a has a size that matches the vertical movement of the wafer chuck 21. Further, a shielding plate 27 and a partition plate 28 having the same configuration as the shielding plate 26 and the partition plate 25 are provided at the front and rear ends of the water washing treatment tank 22, and the shielding plates 29 and 28 are also provided at the front and rear ends of the water washing treatment tank 24. A partition plate 30 is provided. The respective shielding plates 26, 27, 29 and the partition plates 25, 28, 30 are connected to each other in an airtight manner.

また、洗浄処理部内は、図6に示すように、遮蔽板26列を境として、前面側に搬送装置が移動するスペース領域の駆動エリアXと、背面側に各処理槽が存在する処理エリアYとに区分されて分離されている。   In addition, as shown in FIG. 6, the cleaning processing section includes a drive area X in a space area where the transfer device moves on the front side and a processing area Y in which each processing tank exists on the back side, with the shielding plate 26 row as a boundary. It is divided into and separated.

この洗浄装置20によると、内槽23bの前後に遮蔽板26及び仕切板25が配置され、さらに上方からファン・フィルタ・ユニットFによって清浄な空気が下方に向けて吹き出されているので、ウェーハチャック21の上下動の際などに発生する薬液ミストは外槽23aと内槽23bの間の空隙から、内槽23b下方の空間Pを経て効率よく排気口31から排気される。これにより、薬液ミストが装置内に拡散することがなくなる。また、このとき内槽23bの後方は仕切板25によって完全に遮られ、前方側も遮蔽板26によって相当程度遮られるので、薬液ミストは気流共々極めて効率よく排気される。さらに洗浄処理部内は、遮蔽板列によって駆動エリアXと処理エリアYとに分離され、しかも各エリアに対して夫々ファン・フィルタ・ユニットFから給気される一方、駆動エリアXは排気板31から排気され、さらに処理エリアYは外槽23aと内槽23bの間の空隙から排気される。したがって、それぞれのエリア毎に給排気量を制御して装置内の雰囲気をコントロールして淀みのない気流を発生させて、装置内に薬液ミストやパーティクルが拡散されるのを防止できる。 According to the cleaning device 20, is disposed shield plate 26 and the partition plate 25 around the inner tank 23b, since clean air is blown downward further from upward by the fan filter unit F 5, the wafer The chemical mist generated when the chuck 21 moves up and down is efficiently exhausted from the exhaust port 31 through the space P between the outer tank 23a and the inner tank 23b and the space P below the inner tank 23b. This prevents the chemical mist from diffusing into the apparatus. At this time, the rear side of the inner tank 23b is completely blocked by the partition plate 25, and the front side is also blocked to a considerable extent by the shielding plate 26. Therefore, the chemical mist is exhausted very efficiently with the airflow. Further, the inside of the cleaning processing section is divided into a drive area X and a processing area Y by a shielding plate array, and each area is supplied with air from the fan filter unit F 5, while the drive area X is in the exhaust plate 31. The processing area Y is further exhausted from the gap between the outer tank 23a and the inner tank 23b. Therefore, it is possible to prevent the chemical mist and particles from being diffused in the apparatus by controlling the air supply / exhaust amount for each area to control the atmosphere in the apparatus to generate an air current without stagnation.

特開平10−27770号(段落〔0016〕、図2)Japanese Patent Laid-Open No. 10-27770 (paragraph [0016], FIG. 2) 特開平7−176509号(段落〔0043〕〜〔0047〕、図2、図3)JP-A-7-176509 (paragraphs [0043] to [0047], FIG. 2 and FIG. 3)

上記特許文献1に開示された基板処理装置によれば、処理槽とウェーハを搬送するハンドリング手段との間に隔壁が設けられているため、処理槽から発生する薬液蒸気がハンドリング手段の可動機構等へ侵入するのが阻止されるので、薬液蒸気によって可動機構等が腐食されることがなくなる。しかしながら、隔壁は処理槽とハンドリング手段との間に設けられているだけで、隔壁が存在しない箇所から薬液蒸気が漏れて他へ侵入する恐れがある。   According to the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, since the partition wall is provided between the processing tank and the handling means for transporting the wafer, the chemical vapor generated from the processing tank can move the moving mechanism of the handling means, etc. Therefore, the moving mechanism and the like are not corroded by the chemical vapor. However, the partition wall is only provided between the treatment tank and the handling means, and there is a possibility that the chemical vapor leaks from a place where the partition wall does not exist and enters the other.

これに対して上記特許文献2に開示された洗浄装置20は、処理槽22〜24の周囲が仕切板25、28、30及び遮蔽板26、27、29で覆われるので、薬液蒸気が洗浄装置20内へ拡散するのを効果的に防止できる。しかしながら、この洗浄装置20は、1列に配列された個々の処理槽22〜24にそれぞれ仕切板25、28、30及び遮蔽板26、27、29を装着して、それぞれの遮蔽板26、27、29及び仕切板25、28、30で囲まれているが、例えば各遮蔽板26、27、29には搬送アームが挿入される大きな凹状溝が必要となる。このため、この凹状溝を通過する気体の流れは、搬送機構の移動に伴い搬送機構から処理槽に向かう方向と、その逆の処理槽から搬送機構に向かう方向の両方向に発生する。また、この装置では駆動エリアXと空間Pとの間にある排気用の穴によって駆動エリアXに侵入した蒸気を排出しているが、一度は駆動エリアXに侵入しており、搬送機の動きなどによって排気用の穴より下方においても滞留する可能性がある。また、薬液蒸気は上部ファン・フィルタ・ユニットFの給気によって押下げることになるが、このファン・フィルタ・ユニットFは装置内全体に常時同じ量しか供給できないので、薬液蒸気の発生が多いときに多くエアーを供給し、蒸気が少ないときにはエアーを少なくするような制御が難しい。 On the other hand, in the cleaning device 20 disclosed in Patent Document 2, the periphery of the treatment tanks 22 to 24 is covered with the partition plates 25, 28, and 30 and the shielding plates 26, 27, and 29. It is possible to effectively prevent the diffusion into 20. However, the cleaning apparatus 20 is provided with the partition plates 25, 28, 30 and the shielding plates 26, 27, 29 attached to the individual processing tanks 22-24 arranged in a row, and the shielding plates 26, 27, respectively. 29 and the partition plates 25, 28, 30. For example, each of the shielding plates 26, 27, 29 requires a large concave groove into which the transfer arm is inserted. For this reason, the flow of the gas passing through the concave groove is generated in both directions from the transport mechanism toward the processing tank and in the opposite direction from the processing tank toward the transport mechanism as the transport mechanism moves. Moreover, in this apparatus, the vapor | steam which penetrated into the drive area X is discharged | emitted by the exhaust hole between the drive area X and the space P, but it has penetrate | invaded the drive area X once, and movement of a conveyance machine is carried out. For example, there is a possibility of staying below the exhaust hole. Furthermore, chemical vapor but will be pushed down by the supply air of the upper fan filter unit F 5, since the fan filter unit F 5 may not the same amount only always supplied throughout the device, the occurrence of chemical vapor It is difficult to control such that a large amount of air is supplied when there is a large amount and a small amount of air when there is little steam.

本発明はこのような従来技術の課題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、薬液処理時に発生する薬液蒸気が処理槽外へ飛散するのを効果的に抑えて高品質の基板処理を可能にした基板処理装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and the object of the present invention is to effectively suppress the chemical vapor generated during the chemical treatment from being scattered outside the treatment tank and to achieve high quality. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that enables substrate processing.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の基板処理装置の発明は、上方が開口した有底の容器からなる処理槽と、被処理基板を把持する把持機構と、前記把持機構が連結されて前記被処理基板の前記処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び該処理槽内からの引き上げを行う昇降装置と、該昇降装置が連結されて前記被処理基板を前記処理槽へ搬送する搬送装置と、を備える基板処理装置において、
前記処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに前記処理槽の開口部を覆うことができる前記搬送装置に連結された飛散防止カバーを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to claim 1 is characterized in that a processing tank comprising a bottomed container having an open top, a gripping mechanism for gripping a substrate to be processed, and the gripping mechanism are connected to each other. And an elevating device for immersing the substrate to be processed in the processing liquid stored in the processing tank and pulling up the substrate from the processing tank, and the elevating device are connected to move the substrate to be processed to the processing tank. In a substrate processing apparatus comprising a transport device for transporting,
A scatter prevention cover connected to the transfer device capable of covering the opening of the treatment tank when a large amount of steam is generated and raised from the treatment tank in a larger amount than normal is provided.

また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記処理槽の開口部には該開口部を開閉する蓋体が設けられ、前記飛散防止カバーは、前記蓋体が開かれたときに前記開口部の上部を覆うことを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the opening of the processing tank is provided with a lid that opens and closes the opening, and the anti-scattering cover includes the lid The upper part of the opening is covered when the body is opened.

また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーは外周囲が側板で囲まれその上方が閉鎖されるとともに下方が開放されたカバー体からなり、該飛散防止カバーの下方の開放口を通して内部へ前記把持機構が出し入れされるようになし、前記昇降装置により前記被処理基板を前記処理槽から引上げる際には、前記被処理基板を把持する前記把持機構及び該被処理基板が前記飛散防止カバー内に収容されることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the scattering prevention cover is a cover body whose outer periphery is surrounded by a side plate and whose upper part is closed and whose lower part is opened. The gripping mechanism is taken in and out through the opening below the anti-scattering cover, and when the substrate to be processed is lifted from the processing tank by the lifting device, the substrate to be processed is The gripping mechanism for gripping and the substrate to be processed are accommodated in the scattering prevention cover.

また、請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーは、その天井内面に不活性ガスを噴射させる噴射ノズルが設けられていることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the third aspect, the scattering prevention cover is provided with an injection nozzle for injecting an inert gas on an inner surface of the ceiling. .

また、請求項5に記載の発明は、請求項3又は4に記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーの開放口は、前記処理槽を収容するシンクの開口部に近接する位置まで延設されていることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the third or fourth aspect, the opening of the anti-scattering cover extends to a position close to an opening of a sink that accommodates the processing tank. It is characterized by being.

また、請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーは前記昇降装置とは別の一対の支持部材により、水平方向に移動する前記搬送装置に連結されることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the scattering prevention cover is moved in a horizontal direction by a pair of support members different from the lifting device. It is connected to the transport device.

また、請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーの内部に収容された前記把持機構と、前記飛散防止カバーの外部にある前記昇降装置を支持アームにより連結し、前記飛散防止カバーには前記支持アームが前記昇降装置による前記把持機構の昇降動作の妨げにならないように、前記飛散防止カバーの一側板にスリットを形成することを特徴とする。   The invention described in claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the gripping mechanism housed inside the scattering prevention cover and the lifting device outside the scattering prevention cover are supported. It is connected by an arm, and a slit is formed in one side plate of the scattering prevention cover so that the supporting arm does not hinder the lifting and lowering operation of the gripping mechanism by the lifting device.

また、請求項8に記載の発明は、請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記飛散防止カバーは、内部を透視できる透明部材で形成されていることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the scattering prevention cover is formed of a transparent member through which the inside can be seen.

また、請求項9に記載の発明は、請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽、把持機構、搬送装置、昇降装置及び飛散防止カバーは、清浄気流発生手段が設けられた収容室に収納されていることを特徴とする。   The invention described in claim 9 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the processing tank, the gripping mechanism, the transfer device, the lifting device, and the anti-scattering cover are clean airflow generating means. It is stored in a provided storage chamber.

本発明は、上記構成を備えることにより、以下に示す優れた効果を奏する。すなわち、請求項1の発明によれば、処理槽から蒸気が多量に発生するときに飛散防止カバーを搬送装置により処理槽上に移動できるので、この蒸気が外部に放出されることを防止できる。例えば高温の薬液が蒸発しても薬液により処理槽外が汚染されることが防止できる。したがって、従来技術のように、個々の処理槽と搬送装置の間の仕切板を設ける必要がなくなり、簡単な構成で処理液の飛散を効果的に抑制することができる。   By providing the above configuration, the present invention has the following excellent effects. That is, according to the first aspect of the present invention, since the scattering prevention cover can be moved onto the processing tank by the transport device when a large amount of steam is generated from the processing tank, the steam can be prevented from being released to the outside. For example, it is possible to prevent the outside of the treatment tank from being contaminated by the chemical solution even if the high-temperature chemical solution is evaporated. Therefore, unlike the prior art, there is no need to provide a partition plate between each processing tank and the transfer device, and scattering of the processing liquid can be effectively suppressed with a simple configuration.

請求項2の発明によれば、処理槽の上部に蓋体を設け、この蓋体が開かれたときに飛散防止カバーにより処理槽を覆うので、効果的に蒸気の外部への放出を抑制できる。   According to invention of Claim 2, since a cover body is provided in the upper part of a processing tank and this processing body is covered with a scattering prevention cover when this cover body is opened, discharge | release to the exterior of a vapor | steam can be suppressed effectively. .

請求項3の発明によれば、被処理基板を処理槽から引上げる際に、この被処理基板を把持する把持機構及び被処理基板がこの飛散防止カバー内に収容されるので、この被処理基板等に付着した処理液から蒸発した薬液蒸気が飛散防止カバー外へ飛散されるのを阻止できる。また、蓋を開けたときのみに上昇する蒸気に対しても同様の効果がある。   According to the invention of claim 3, when the substrate to be processed is pulled up from the processing tank, the holding mechanism for holding the substrate to be processed and the substrate to be processed are accommodated in the scattering prevention cover. It is possible to prevent chemical vapor evaporated from the treatment liquid adhering to the outside from being scattered outside the scattering prevention cover. The same effect can be obtained for steam that rises only when the lid is opened.

請求項4の発明によれば、飛散防止カバーの天井内面に噴射ノズルを設けることにより、被処理基板を処理槽から引上げる際に、天井の噴射ノズルから不活性ガスを噴射させることが可能になり、飛散防止カバー内の処理液の蒸気等を効率よく排出させることができる。また、高温処理液から引上げられた基板を冷却する効果もあり、基板を水洗処理槽へ入れたときの熱衝撃も緩和できる。   According to the invention of claim 4, by providing the injection nozzle on the ceiling inner surface of the scattering prevention cover, it is possible to inject the inert gas from the ceiling injection nozzle when the substrate to be processed is pulled up from the processing tank. Thus, the vapor of the treatment liquid in the scattering prevention cover can be efficiently discharged. In addition, there is an effect of cooling the substrate pulled up from the high-temperature processing liquid, and the thermal shock when the substrate is put into the washing treatment tank can be reduced.

請求項5の発明によれば、飛散防止カバー開放口を処理槽が収容されたシンクの開口部に近接する位置まで延設することにより飛散防止カバーが長尺の筒状体になり、処理槽から引上げられる被処理基板及びこれを把持する把持機構がこの長尺の飛散防止カバーで覆われて飛散防止カバー外への処理液の飛散量が低減される。   According to the invention of claim 5, the scattering prevention cover becomes a long cylindrical body by extending the scattering prevention cover opening to a position close to the opening of the sink in which the treatment tank is accommodated. The substrate to be processed pulled up from the substrate and the holding mechanism for holding the substrate are covered with the long anti-scattering cover, so that the amount of the processing liquid scattered outside the anti-scattering cover is reduced.

請求項6の発明によれば、飛散防止カバーは把持機構が連結された昇降装置とは別の一対の支持部材を介して搬送装置に連結固定されているので、昇降装置の上下動作は飛散防止カバーや支持部材によって妨げられず、基板の昇降・搬送がスムーズに行われる。   According to the invention of claim 6, since the scattering prevention cover is connected and fixed to the conveying device via a pair of support members different from the lifting device to which the gripping mechanism is connected, the vertical movement of the lifting device is prevented from scattering. The substrate can be moved up and down smoothly without being obstructed by the cover or the support member.

請求項7の発明によれば、飛散防止カバーの一側壁面に、把持機構を支持した支持アームが上下動できるスリットを設けることにより、把持機構の移動がスムーズになる。   According to the seventh aspect of the present invention, the movement of the gripping mechanism is smoothed by providing the slit on the one side wall surface of the anti-scattering cover so that the support arm supporting the gripping mechanism can move up and down.

請求項8の発明によれば、飛散防止カバーは内部を透視できる透明部材で形成されるので、防止カバー内の状態を簡単に検視することが可能になる。   According to the invention of claim 8, since the scattering prevention cover is formed of the transparent member that can see through the inside, the state inside the prevention cover can be easily inspected.

請求項9の発明によれば、清浄気流発生手段により収容室内の清浄度を維持することができる。また、搬送装置は飛散防止カバーとともに移動するので、搬送装置があるエリアとないエリアが生じる。搬送装置がないエリアでは清浄気流発生手段による清浄なエアーの供給とシンクからの排気が釣り合っている。しかしながら、搬送装置があるエリアでは搬送装置と飛散防止カバーが清浄気流発生手段からの清浄エアーがシンクの排気に抜けることを妨げるので、飛散防止カバー付近では気圧が高まると同時に気流の流速が速くなる。さらに飛散防止カバー内では、シンクからの排気によって気圧が低くなるので、スリットを介してカバーの外側の清浄エアーが飛散防止カバー内に入る方向に気流が発生する。これにより飛散防止カバー内の薬液蒸気はスリットから飛散防止カバー外へは流出することはないので、搬送装置が薬液蒸気により錆びることがない。   According to the ninth aspect of the present invention, the cleanliness of the storage chamber can be maintained by the clean air flow generating means. Further, since the transport device moves together with the anti-scatter cover, there are areas where the transport device is present and areas where the transport device is not present. In an area where there is no transfer device, the supply of clean air by the clean air flow generation means and the exhaust from the sink are balanced. However, in the area where the transport device is located, the transport device and the anti-scatter cover prevent the clean air from the clean air flow generating means from being released to the exhaust of the sink, so that the air pressure increases at the same time as the air flow speed increases near the anti-scatter cover. . Further, in the scattering prevention cover, the air pressure is lowered by the exhaust from the sink, so that an air flow is generated in a direction in which the clean air outside the cover enters the scattering prevention cover through the slit. Accordingly, the chemical vapor in the scattering prevention cover does not flow out of the scattering prevention cover from the slit, so that the conveying device is not rusted by the chemical vapor.

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理装置を例示するものであって、本発明をこの基板処理装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。なお、図1は本発明の実施形態に係る基板処理装置の一部構成を模式して示した概略正面図、図2は図1の基板処理装置における1個の処理槽とこの処理槽を収容したシンク及び搬送室の概略を示した縦断面図、図3は図2のX−X線で切断した断面図、図4は飛散防止カバーを斜め後方から見た斜視図である。また、以下の説明において、特に区別する必要がある場合以外は、薬液と洗浄液(純水)とを総称したものを処理液と呼び、さらに説明の便宜上薬液を貯留する処理槽を薬液処理槽、純水を貯留する処理槽を水洗処理槽と呼ぶことにする。   Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies a substrate processing apparatus for embodying the technical idea of the present invention, and is not intended to identify the present invention as this substrate processing apparatus. Other embodiments within the scope of the claims are equally applicable. FIG. 1 is a schematic front view schematically showing a partial configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 contains one processing tank and the processing tank in the substrate processing apparatus of FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 2, and FIG. 4 is a perspective view of the anti-scattering cover viewed obliquely from the rear. Also, in the following description, unless there is a particular need to distinguish, the chemical solution and the cleaning liquid (pure water) are collectively referred to as a processing liquid, and a processing tank for storing the chemical liquid for further explanation is a chemical processing tank, The treatment tank that stores pure water will be referred to as a water washing treatment tank.

本発明の実施形態に係る基板処理装置1は、複数枚のウェーハWを複数種類の処理液に浸漬することによりウェーハW表面に所定の化学処理を施すウエットタイプの処理装置であって、装置の全体図に関する詳細な図示は省略するが、この基板処理装置1は、未処理のウェーハWをカセットC単位で投入する搬入部と、搬入されたウェーハWに対して洗浄等の処理を行う基板処理部と、洗浄処理後に乾燥する乾燥処理部と、処理後のウェーハWをカセットC単位で取り出す搬出部を有している。これらの搬入・搬出部及び基板処理部並びにこれらの付属部品等は所定大きさの収容室に収納されている。   A substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is a wet type processing apparatus that performs a predetermined chemical process on the surface of a wafer W by immersing a plurality of wafers W in a plurality of types of processing liquids. Although detailed illustration relating to the overall diagram is omitted, the substrate processing apparatus 1 includes a carry-in unit for loading unprocessed wafers W in units of cassettes C, and substrate processing for performing processing such as cleaning on the loaded wafers W. A drying processing unit that dries after the cleaning process, and a carry-out unit that takes out the processed wafer W in units of cassette C. These carry-in / carry-out unit, substrate processing unit, accessory parts thereof, and the like are accommodated in a storage chamber of a predetermined size.

搬入部は、未処理のウェーハWを複数数、例えば25枚収納されたカートリッジからなるカセットCを2個載置する載置部Aと、カセットCを移送する図示しない搬送機構とを有している。また、基板処理部は、一方向に並設された複数個の処理槽2A〜2D及び隣接する処理槽2A〜2D間でウェーハWを搬送すると共に処理槽2A〜2D内へウェーハWを収容及び取り出す搬送・昇降装置を有し、搬送・昇降装置にはウェーハWを把持するウェーハチャック11が取り付けられて、このウェーハチャック11でウェーハWが把持されて処理槽2A〜2D間に移送されると共に、処理槽2A〜2D内に収容及び取り出しができるようになっている。なお、処理槽2A〜2Dについての詳細の構造は後述する。更に、搬出部も搬入部と略同じ載置部B及び搬送機構を有している。   The carry-in unit includes a placement unit A for placing two cassettes C each including a plurality of unprocessed wafers W, for example, 25 cartridges, and a transport mechanism (not shown) that transports the cassettes C. Yes. The substrate processing unit transports the wafer W between the plurality of processing tanks 2A to 2D and the adjacent processing tanks 2A to 2D arranged in parallel in one direction, and accommodates the wafer W in the processing tanks 2A to 2D. A wafer chuck 11 for holding the wafer W is attached to the carrier / lifting apparatus, and the wafer W is gripped by the wafer chuck 11 and transferred between the processing tanks 2A to 2D. The storage tanks 2A to 2D can be accommodated and taken out. In addition, the detailed structure about process tank 2A-2D is mentioned later. Furthermore, the carry-out part also has a mounting part B and a transport mechanism that are substantially the same as the carry-in part.

図1は基板処理装置1の搬入部及び一部の基板処理部を示している。この基板処理装置1は、図1に示すように、搬送機構により搬入されたカセットCに収納されたウェーハWを載置する載置部Aと、この載置部Aに隣接して略1列に配列された複数個の処理槽2A〜2Dと、洗浄処理後に乾燥する乾燥処理槽2Eと、処理槽2A〜2Eにおいて処理されたウェーハWが載置される載置部Bと、を有している。   FIG. 1 shows a carry-in section and a part of the substrate processing section of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a placement unit A for placing wafers W stored in a cassette C carried in by a transport mechanism, and approximately one row adjacent to the placement unit A. A plurality of processing tanks 2A to 2D arranged in the above, a drying processing tank 2E for drying after the cleaning process, and a mounting portion B on which the wafers W processed in the processing tanks 2A to 2E are mounted. ing.

これらの処理槽2A〜2Eは、例えば、処理槽2AはウェーハW表面の有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不純物質を薬液によって薬液処理する薬液処理槽であり、処理槽2Bは薬液処理槽2Aで処理されたウェーハWを洗浄液、すなわち純水によって洗浄処理する水洗処理槽である。また、この水洗処理槽2Bで処理されたウェーハWに対して、異なる薬液で処理する必要がある場合や同一の薬液を用意してスループットを高める必要がある場合には、水洗処理槽2Bに隣接して薬液処理槽2C及び水洗処理槽2Dをさらに設けて、それぞれ異なるあるいは同一の薬液による処理が行われる。更に他の処理液で処理する必要がある場合においては、薬液処理槽2C及び水洗処理槽2Dと同様に、水洗処理槽2Dに隣接して薬液処理槽及び水洗処理槽をそれぞれ1乃至複数個配設すればよい。また、図1に示す基板処理装置1においては、水洗処理槽2Dに隣接して超音波等によるファイナルリンス、及び、乾燥媒体、例えばIPA(イソプロピルアルコール)等で蒸気乾燥する処理を行う乾燥処理槽2Eが設けられ、各処理槽2A〜2Dで処理されたウェーハWの仕上げ処理(すなわち最終洗浄と乾燥処理)を行う。そして、この乾燥処理槽2Eに隣接してウェーハWの搬出部となる載置部Bが設けられ、ここで後の処理を行うための搬出がなされる。なお、薬液にはアンモニア、フッ化アンモニウム、燐酸、硫酸、フッ化水素酸等が使用される。薬液によっては過酸化水素が添加される。また、図1では処理槽2A〜2Eとして薬液、水洗及び乾燥処理槽を示したが、これらの処理槽2A〜2Eの他にウェーハチャック11を洗浄、乾燥するチャック処理槽等を設けてそれぞれの処理を行うと好ましい。   These processing tanks 2A to 2E are, for example, a processing tank 2A is a chemical processing tank that performs chemical processing of impurities such as organic contaminants, metal impurities, and particles on the surface of the wafer W with a chemical liquid, and the processing tank 2B is a chemical processing tank. This is a washing treatment tank for washing the wafer W treated with 2A with a washing liquid, that is, pure water. In addition, when it is necessary to process the wafer W processed in the washing treatment tank 2B with a different chemical solution or when it is necessary to increase the throughput by preparing the same chemical solution, the wafer W is adjacent to the washing treatment tank 2B. Then, the chemical solution treatment tank 2C and the water washing treatment tank 2D are further provided, and treatment with different or the same chemical solution is performed. Further, when it is necessary to process with other processing liquids, one or a plurality of chemical processing tanks and water washing tanks are arranged adjacent to the water washing tank 2D in the same manner as the chemical liquid processing tank 2C and the water washing tank 2D. Just set up. In the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1, a drying treatment tank that performs a final rinsing process using ultrasonic waves or the like and a vapor drying process using a drying medium such as IPA (isopropyl alcohol) adjacent to the water washing treatment tank 2D. 2E is provided, and finish processing (that is, final cleaning and drying processing) of the wafer W processed in each of the processing tanks 2A to 2D is performed. Then, a mounting portion B serving as a carry-out portion of the wafer W is provided adjacent to the drying treatment tank 2E, and carry-out for performing subsequent processing is performed here. In addition, ammonia, ammonium fluoride, phosphoric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, etc. are used for a chemical | medical solution. Hydrogen peroxide is added depending on the chemical solution. Moreover, although the chemical | medical solution, the water washing, and the drying processing tank were shown as processing tank 2A-2E in FIG. 1, the chuck processing tank etc. which wash | clean and dry the wafer chuck 11 other than these processing tanks 2A-2E are provided, respectively. It is preferable to carry out the treatment.

1列に配列された処理槽2A〜2Dには、図2に示すように、隣接する処理槽間を移動等する搬送・昇降装置6が計2つ設けられている。この搬送・昇降装置6のうち、前段側に位置する搬送・昇降装置6は、配列された処理槽2A〜2Dのうち、薬液処理槽2Aを中心にしてその前後の距離を移動する。詳しくは、載置部AからウェーハWを搬送して薬液処理槽2A内の処理液にウェーハWを浸漬し、処理されたウェーハWを薬液処理槽2Aから引上げて隣接する水洗処理槽2Bへ搬送するものである。図1には搬送・昇降装置6に装着されたチャックカバー8、8を示し、前段側の搬送・昇降装置6に装着されたチャックカバー8は、搬送装置7により処理槽2Aを中心にしてその前後の距離L、すなわち載置部A及び処理槽2Bの間を移動する。後段側の搬送・昇降装置6に装着された他のチャックカバー8は、薬液処理槽2Cを中心にしてその前後の距離L、すなわち水洗処理槽2B及び載置部Bの間を移動するようになっている。
これらの載置部A、B、処理槽2A〜2D及び搬送・昇降装置6並びにこれらの付属部品等は、エアーコントロールされた収容ケース4内に収納されている。
As shown in FIG. 2, the treatment tanks 2 </ b> A to 2 </ b> D arranged in one row are provided with a total of two transfer / lifting devices 6 that move between adjacent treatment tanks. Among the transfer / lifting devices 6, the transfer / lifting device 6 positioned on the front stage moves a distance before and after the chemical processing tank 2 </ b> A among the arranged processing tanks 2 </ b> A to 2 </ b> D. Specifically, the wafer W is transported from the mounting portion A, the wafer W is immersed in the processing liquid in the chemical processing tank 2A, and the processed wafer W is pulled up from the chemical processing tank 2A and transferred to the adjacent water washing processing tank 2B. To do. FIG. 1 shows chuck covers 8 and 8 mounted on the transfer / lifting device 6, and the chuck cover 8 mounted on the transport / lifting device 6 on the front side is centered on the processing tank 2 </ b> A by the transfer device 7. It moves between the front-rear distance L 1 , that is, between the placement part A and the treatment tank 2B. The other chuck cover 8 mounted on the transport / lifting device 6 on the rear stage side moves so as to move between the front and rear distance L 2 around the chemical treatment tank 2C, that is, between the water washing treatment tank 2B and the mounting portion B. It has become.
These mounting portions A and B, the processing tanks 2A to 2D, the transfer / lifting device 6 and their accessory parts are stored in an air-controlled storage case 4.

薬液処理槽2Aの上方には、図2に示すように、搬送・昇降装置6が設けられて、これらの薬液処理槽2A及び搬送・昇降装置6が収容ケース4内に収納されている。この薬液処理槽2Aは、所定量の処理液及び複数枚のウェーハWを収容できる大きさの有底で上方に開口を有する箱型の内槽2と、この内槽2の外周囲にあって内槽2からオーバーフローする処理液を回収する外槽2と有し、内槽2の底壁近傍にウェーハWが載置される保持台2が設けられている。この処理槽2Aには、処理液を供給する不図示の処理液供給手段及び内外槽2、2から排出される使用済み処理液を基板処理装置1の外へ排出する不図示の排出手段が設けられている。 As shown in FIG. 2, a transport / lift device 6 is provided above the chemical solution processing tank 2 </ b> A, and the chemical solution processing tank 2 </ b> A and the transport / lift device 6 are stored in the storage case 4. The chemical treatment bath. 2A, the inner tank 2 1 box-shaped having an opening upward in size bottomed that can accommodate a predetermined amount of treatment liquid and a plurality of wafers W, the outer periphery of the inner tank 2 1 there has from the inner tank 2 1 and outer tub 2 2 for collecting the processing liquid overflowing it, the holder 2 3 bottom wall near the wafer W of the inner tank 2 1 is placed is provided. The treatment tank 2A includes a treatment liquid supply means (not shown) for supplying a treatment liquid and a discharge means (not shown) for discharging the used treatment liquid discharged from the inner and outer tanks 2 1 and 2 2 to the outside of the substrate processing apparatus 1. Is provided.

薬液処理槽2A及び2Cは、内槽2でオーバーフローした処理液が外槽2で回収されて更に循環路を介して循環され、この循環時にそれぞれの処理液内に蓄積された不純物が除去されるようになっている。また、処理液の温度や濃度を調整する機能も備えている。なお、循環路は図示しないが、この循環路には、循環処理液をろ過するフィルタ、処理液を給送するポンプ及び処理液供給源等が配設されるとともに、これらが配管で接続されたもので構成されている。また、内槽2の開口部2には、この開口部2を開閉する蓋体3が設けられている。この蓋体3は薬液処理槽2A、2Cの開口部2から揮発する薬液等が外部へ漏れ出ることを防止するために設けられるものであって、蓋体3を移動させる開閉機構(図示省略)に連結されている。この開口部2は、内槽2に薬液が貯留或いはウェーハが処理されているときは閉じられ、ウェーハWが開口部2を通過するときのみ開かれる。なお、蓋は蒸気が発生上昇しやすい液の槽のみに取付けられている。 Chemical treatment bath 2A and 2C, the processing solution overflowing the inner tank 2 1 is circulated through the further circulation path is recovered in the outer tank 2 2, impurities accumulated in the respective processing liquid in the time of the circulation removed It has come to be. It also has a function of adjusting the temperature and concentration of the treatment liquid. Although the circulation path is not shown, a filter for filtering the circulating processing liquid, a pump for feeding the processing liquid, a processing liquid supply source, and the like are disposed in the circulation path, and these are connected by piping. Consists of things. In addition, the opening 2 0 of the inner tank 2 1, is provided a lid 3 for opening and closing the opening portion 2 0. The lid 3 is a provided in order to prevent the liquid medicine or the like volatilized chemical treatment tank 2A, the opening 2 0 2C from leaking to the outside, the opening and closing mechanism for moving the lid 3 (not shown ). The opening 2 0, is closed when the drug solution into the inner tank 2 1 reservoir or wafer is being processed, is opened only when the wafer W passes through the opening 2 0. The lid is attached only to a liquid tank in which steam is likely to be generated and raised.

搬送・昇降装置6は、図2及び図4に示すように、水平方向に移動される搬送装置7と、この搬送装置7に取り付けられて上下動可能の昇降装置10とで構成されている。
このうち、搬送装置7には所定の間隔をあけてそれぞれ垂直に立設された2本の支持支柱(支持部材)7、7が連結され、この支持支柱7、7は、その頂部7、7からそれぞれ略直角に延設された一対の支持アーム7、7と、これらの支持アーム7、7から吊設されたチャックカバー8とを備えている。そして、搬送機構7は各支持支柱7、7の基部7、7が連結されて水平方向へ移動させる水平移動機構と、この水平移動機構を作動させる駆動手段(図示省略)とを更に有している。この水平移動機構及び駆動手段には、例えばモータを利用した機構・手段が使用される。
As shown in FIGS. 2 and 4, the transport / lift device 6 includes a transport device 7 that is moved in the horizontal direction, and a lift device 10 that is attached to the transport device 7 and can move up and down.
Of these, two support columns (support members) 7 1 and 7 1 that are vertically arranged at predetermined intervals are connected to the transport device 7, and the support columns 7 1 and 71 are connected to the support columns 7 1 and 7 1 . includes a top portion 7 T, 7 a pair of support that extends substantially perpendicularly from each of T arm 7 2, 7 2, a chuck cover 8 which is suspended those from the support arm 7 2, 7 2. Then, the transport mechanism 7 includes a horizontal movement mechanism for moving the respective support struts 7 1, 7 1 of the base portion 7 B, 7 B is the horizontal direction is connected, and a driving means for operating the horizontal movement mechanism (not shown) In addition. For this horizontal movement mechanism and driving means, for example, a mechanism / means using a motor is used.

チャックカバー8は、チャックアーム11、11及びこのチャックアーム11、11に把持されたウェーハWを囲むように設けられている。このチャックカバー8は、これらのウェーハW等に付着した処理液、特に高温の薬液が蒸発し、この蒸発した蒸気が飛散するのを防止する飛散防止カバーであって、この飛散防止カバー、すなわちチャックカバー8は、一対のチャックアーム11、11及びこれらのチャックアーム11、11が収容される空間S(図2参照)を内部に有し、天井8が閉鎖され下方に開放口8を有し周囲が側板8〜8(図2及び図3参照)で囲まれた筒状体からなり、耐薬品性及び耐熱性を有する合成樹脂材で作成されている。このチャックカバー8は、内部を透視できる透明な樹脂材で作成するのが好ましい。チャックカバー8を透明な樹脂材で形成することにより、チャックカバー8内にウェーハチャック11及びこのウェーハチャック11で把持されたウェーハWが収容されたときに、これらの部材を目視できるので、不具合があれば簡単に検知できる。勿論、チャックカバー8内の汚染具合等も簡単に見つけ出すことができる。 Chuck cover 8 is provided so as to surround the chuck arms 11 A, 11 B and the chuck arm 11 A, 11 gripped wafer W to B. The chuck cover 8 is a scattering prevention cover for preventing the processing liquid adhering to the wafer W or the like, in particular, a high-temperature chemical solution from evaporating, and preventing the evaporated vapor from scattering. cover 8, a space S (see FIG. 2) in which the pair of chuck arms 11 a, 11 B and these chuck arms 11 a, 11 B are housed within an open mouth downward ceiling 8 6 is closed 8 and 5 is made of a synthetic resin material having chemical resistance and heat resistance. The cylinder body is surrounded by side plates 8 1 to 8 4 (see FIGS. 2 and 3). The chuck cover 8 is preferably made of a transparent resin material that allows the inside to be seen through. By forming the chuck cover 8 from a transparent resin material, when the wafer chuck 11 and the wafer W gripped by the wafer chuck 11 are accommodated in the chuck cover 8, these members can be visually observed. It is easy to detect if there is. Of course, the degree of contamination in the chuck cover 8 can be easily found.

また、チャックカバー8の後方の一側壁8には一対の支持アーム10、10が上下動可能に挿通されるスリット8、8が形成されている(図3参照)。そして、このチャックカバー8は薬液処理槽2Aの開口からウェーハWを出し入れできる開放口8をその下端部に有し、この開放口8の端部は支持アーム7、7から垂下された状態でシンクの開口部に達する長さを有している。また、このような長さにするとチャックカバー8は縦長になり不安定になるので、支持支柱7、7の中間部とチャックカバー8の一側面とが連結部材7で結合されている。 Further, the one side wall 8 1 behind the chuck cover 8 is formed with a slit 8 A, 8 A of the support arm 10 2, 10 2 of the pair is inserted to be vertically movable (see Fig. 3). Then, the chuck cover 8 has an open port 8 5 capable out the wafer W from the opening of the chemical treatment bath 2A at its lower end, an end portion of the mouth opening 8 5 is suspended from the support arm 7 2, 7 2 It has a length that reaches the opening of the sink in the state where Moreover, since the chuck cover 8 With such length becomes unstable becomes vertically long, and one side surface of the support struts 7 1, 7 1 of the intermediate portion and the chuck cover 8 is coupled with the coupling member 7 3 .

チャックカバー8の天井面8には、窒素ガス(Nガス)を噴射する噴射ノズル9〜9が設けられている。これらの噴射ノズル9〜9は、複数本の供給管9に形成されており、これらの供給管9はNガス供給源(図示省略)に接続されている。これらの噴射ノズル9〜9は、ウェーハWが処理槽2Aで薬液処理された後、ウェーハチャック11で把持されてチャックカバー8内に収容されたとき、あるいはその直前に不図示の制御装置による制御によって、Nガス供給源からNガスが給送されて、ダウンフローされるようになっている。 The ceiling 8 6 of the chuck cover 8, a nitrogen gas (N 2 gas) for injecting the injection nozzle 9 1 to 9 N is provided. These injection nozzles 9 1 to 9 N are formed in a plurality of supply pipes 9, and these supply pipes 9 are connected to an N 2 gas supply source (not shown). These injection nozzles 9 1 to 9 N are not shown in the drawing when the wafer W is processed in the processing tank 2A and then held by the wafer chuck 11 and accommodated in the chuck cover 8. the control of, is fed N 2 gas from a N 2 gas supply source, and is down-flow.

昇降装置10は、図2〜図4に示すように、搬送装置7の各支持支柱7、7に沿って上下移動される垂直な支持棒10と、この支持棒10の頂部10から略直角にそれぞれ延設された一対の支持アーム10、10と、各支持アーム10、10から垂下された対向する一対のチャックアーム11、11と、支持棒10の基部に連結された昇降装置10を上下に駆動する駆動手段(図示省略)とを有している。この駆動手段には、サーボモータを利用した機構・手段が使用される。支持棒10は搬送装置7の各支持支柱7、7の間に配設されて上下動可能に装着されるとともに、支持支柱7、7と同一の搬送装置に接続されて一緒に水平移動されるようになっている。このように支持棒10を各支持支柱7、7の間に設け、さらに搬送装置を1つに統一できるので、基板処理装置1全体が小型化できる。 Lifting device 10, as shown in FIGS. 2 to 4, the vertical support rods 10 1 to be vertically moved along the support posts 71, 71 of the conveying device 7, the top portion 10 of the support rod 10 1 A pair of support arms 10 2 , 10 2 respectively extending substantially perpendicularly from T, a pair of opposed chuck arms 11 A , 11 B suspended from each support arm 10 2 , 10 2 , and a support bar 10 1 Drive means (not shown) for driving the lifting device 10 connected to the base of the device up and down. A mechanism / means using a servo motor is used as the driving means. Together they are disposed while being vertically movably mounted between the support rods 10 1 Each support strut 71 of the conveying device 7, 7 1, is connected to the supporting struts 7 1, 7 1 same transport device and in It is designed to move horizontally. Thus it provided the support rods 10 1 between each of the support pillars 7 1, 7 1, so further be unified conveying device into one, the entire substrate processing apparatus 1 can be downsized.

一対のチャックアーム11、11は、上端が不図示のアーム作動機構に連結され、下端にウェーハWを把持するチャック11を有し、チャック開閉機構は各支持アーム10、10に装着されている。各チャックアーム11、11によるウェーハWの把持等は、アーム作動機構に連結されたチャックボックス(10)内の駆動手段(図示省略)によって行われる。ちなみに、チャックアーム11、11によるウェーハWの把持あるいは把持の解除は駆動手段によってチャックアーム11、11が僅かに回転することによりなされる。 The pair of chuck arms 11 A and 11 B has upper ends connected to an arm operating mechanism (not shown) and has a chuck 11 C that holds the wafer W at the lower end, and the chuck opening / closing mechanism is connected to each of the support arms 10 2 and 10 2 . It is installed. The chucking of the wafer W by the chuck arms 11 A and 11 B is performed by driving means (not shown) in the chuck box (10 T ) connected to the arm operating mechanism. Incidentally, the gripping of the wafer W by the chuck arms 11 A and 11 B or release of the gripping is performed by slightly rotating the chuck arms 11 A and 11 B by the driving means.

搬送室4の天井部には、清浄気流発生手段5が設けられている。この清浄気流発生手段5は、不図示の送風用ファンを内蔵した給気部と、その下部に配設される空気清浄フィルタとを有し、搬送室4内に向けてクリーンエアーを流下させてダウンフローを形成するように構成されている。すなわち、処理槽2Aから発生する処理液蒸気や基板移送に伴う浮遊パーティクルをダウンフローと共に流下させつつ強制排気口を介して吸引排気するようになっている。   Clean airflow generating means 5 is provided on the ceiling of the transfer chamber 4. This clean air flow generation means 5 has an air supply unit having a fan for blowing air (not shown) and an air purification filter disposed below the air supply unit, and causes clean air to flow down into the transfer chamber 4. It is configured to form a downflow. That is, the processing solution vapor generated from the processing tank 2A and the floating particles accompanying the substrate transfer are sucked and exhausted through the forced exhaust port while flowing down along with the downflow.

このシンクには、搬送室4の清浄気流発生手段5及びチャックカバー8内の噴射ノズル9〜9から吹き出された気体や処理液蒸気等を装置外へ排出する排出路が形成されている。この排出路は、例えば搬送室4とシンクとの境界部分の壁面に隔壁4aが立設して形成され、清浄気流発生手段5からダウンフローされたエアー等は、この隔壁4aにガイドされて処理槽2Aの下方に設けられた不図示の排気設備により装置外へ排出されるような経路となっている。また、搬送機の基部がある機械室は僅かな隙間から装置内外の圧力差を利用して装置外へ僅かずつ排気されている。このため機械室のパーティクルは装置外へ出される。 The sink is formed with a discharge path for discharging the gas blown from the jetting nozzles 9 1 to 9 N in the transfer chamber 4 and the jet nozzles 9 1 to 9 N in the chuck cover 8 to the outside of the apparatus. . This discharge path is formed by, for example, a partition wall 4a standing on the wall surface of the boundary between the transfer chamber 4 and the sink, and the air or the like downflowed from the clean air flow generating means 5 is guided by this partition wall 4a to be processed. The route is such that it is discharged out of the apparatus by an unillustrated exhaust facility provided below the tank 2A. In addition, the machine room in which the base of the transfer machine is located is exhausted little by little from the apparatus using a pressure difference between the inside and outside of the apparatus through a slight gap. For this reason, the particles in the machine room are moved out of the apparatus.

この基板処理装置1は、上記のように構成されるが、搬送装置7、昇降装置10、清浄気流発生手段5並びに各処理槽2A〜2Dへの処理液の供給及び排出等は、不図示の制御装置に接続されて、この制御装置に搭載された制御プログラムによって各装置及び機構が作動されるようになっている。   Although this substrate processing apparatus 1 is configured as described above, the supply and discharge of the processing liquid to the transfer device 7, the lifting device 10, the clean air flow generating means 5, and the processing tanks 2A to 2D are not shown. Connected to the control device, each device and mechanism are operated by a control program installed in the control device.

次に、このように構成された基板処理装置1の動作を説明する。なお、図1においては前段と後段にそれぞれ搬送・昇降装置6、6を設けているが、この搬送・昇降装置6、6は同一の動作を行うので、その説明は省略する。
先ず、搬送装置7により搬入部の載置部Aから薬液処理槽2Aの真上へウェーハWがチャックカバー8内に収容されたまま搬送される。次いで、噴射ノズル9〜9からNを供給して蓋体3を開くときの蒸気上昇に備える。そして、薬液処理槽2Aの蓋体3を開くとともに昇降装置10を作動させて、ウェーハチャック11に把持されたウェーハWを処理槽2A内に貯留された薬液に浸漬し保持台2上にウェーハWを載置して、所定時間掛けて薬液処理を行う。この薬液処理中は、処理槽2Aの開口は蓋体3で閉じられている。しばらくして各噴射ノズル9〜9からNの供給を止める。この処理槽2Aには、例えば過酸化水素水を添加された高温(約120℃)の硫酸が貯留されている。
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 configured as described above will be described. In FIG. 1, the transport / lifting devices 6 and 6 are provided at the front and rear stages, respectively, but the transport / lifting devices 6 and 6 perform the same operation, and thus description thereof is omitted.
First, the wafer W is transferred by the transfer device 7 while being accommodated in the chuck cover 8 from the placement portion A of the carry-in portion to directly above the chemical treatment tank 2A. Next, N 2 is supplied from the injection nozzles 9 1 to 9 N to prepare for steam rise when the lid 3 is opened. Then, by actuating the lifting device 10 is opened the lid 3 of the chemical treatment bath 2A, the wafer on the holding table 2 3 immersed in pooled chemical wafer W held by the wafer chuck 11 in the processing vessel 2A W is placed and chemical treatment is performed for a predetermined time. During this chemical treatment, the opening of the treatment tank 2A is closed by the lid 3. After a while, the supply of N 2 from the injection nozzles 9 1 to 9 N is stopped. In this treatment tank 2A, for example, high-temperature (about 120 ° C.) sulfuric acid added with hydrogen peroxide is stored.

次に、薬液処理が終了する直前に各噴射ノズル9〜9からNが供給され、薬液処理が終了すると、蓋体3が開かれ、再びウェーハチャック11が薬液処理槽2Aに挿入されて処理済みのウェーハWを把持して、上方へ引上げる。この際、上方にはチャックカバー8が装着されているので引上げられたウェーハWはチャックカバー8内に収容される。
このとき、薬液処理槽2Aから引上げられたウェーハW及びウェーハチャック11には高温の薬液が付着しているので、即座に蒸発して蒸気となって飛散する。しかし、ウェーハチャック11及びウェーハWはチャックカバー8内に収容されているので、飛散する蒸気は、このチャックカバー8内に留まりチャックカバー8外への飛散が抑制される。
Next, N 2 is supplied from each of the injection nozzles 9 1 to 9 N immediately before the chemical liquid processing is completed. When the chemical liquid processing is completed, the lid 3 is opened, and the wafer chuck 11 is inserted into the chemical liquid processing tank 2A again. The processed wafer W is gripped and pulled upward. At this time, since the chuck cover 8 is mounted on the upper side, the pulled wafer W is accommodated in the chuck cover 8.
At this time, since the high-temperature chemical is attached to the wafer W and the wafer chuck 11 pulled up from the chemical treatment tank 2A, they are instantly evaporated and scattered as vapor. However, since the wafer chuck 11 and the wafer W are accommodated in the chuck cover 8, the scattered steam stays in the chuck cover 8 and is prevented from scattering outside the chuck cover 8.

一方、常に清浄気流発生手段5からクリーンエアーをダウンフローで吹き付けられており、また、このときはチャックカバー8内の噴射ノズル9〜9からNガスを同様にダウンフローで吹き付けられるので、更に常に処理槽2Aの下方に設けられた排気施設に連結された排気手段で収容カバー4内を吸引していることにより、飛散した薬液蒸気が基板処理装置1外へ効率よく排出される。なお図2に点線の矢印で示したものは、エアー及びNガス並びに薬液蒸気の流れを示している。この図示した流体の流れにみられるように、発生した薬液蒸気はNガス及びクリーンエアーと共に装置外へ排出されるので、薬液蒸気が拡散されて搬送装置、他のウェーハ及びその他の部材に付着して汚染、腐食させるようなことが防止できる。また、基板の冷却効果もあり、水洗槽に入れたときに熱衝撃を緩和できる。 On the other hand, constantly blown clean air downflow from the clean air flow generating means 5, also, since at this time is blown in the same down-flow of N 2 gas from the injection nozzle 9 1 to 9 N in the chuck cover 8 Further, since the inside of the housing cover 4 is always sucked by the exhaust means connected to the exhaust facility provided below the processing tank 2A, the scattered chemical vapor is efficiently discharged out of the substrate processing apparatus 1. Note that shown by dotted arrows in FIG. 2 shows the flow of air and N 2 gas and chemical vapor. As can be seen in the illustrated fluid flow, the generated chemical vapor is discharged out of the apparatus together with N 2 gas and clean air, so that the chemical vapor is diffused and adheres to the transfer device, other wafers and other members. This prevents contamination and corrosion. In addition, there is an effect of cooling the substrate, and the thermal shock can be alleviated when it is put in a washing tank.

図1は本発明の実施形態に係る基板処理装置の一部構成を模式して示した概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view schematically showing a partial configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は図1の基板処理装置における1個の処理槽とこの処理槽を収容した収容室の概略を示した縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an outline of one processing tank and a storage chamber in which the processing tank is stored in the substrate processing apparatus of FIG. 図3は図2のX−X線で切断した断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 図4は飛散防止カバーを斜め後方から見た斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the scattering prevention cover as viewed obliquely from the rear. 図5は従来技術の洗浄装置における薬液処理槽付近を示した斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the vicinity of a chemical treatment tank in a conventional cleaning apparatus. 図6は図5の洗浄装置の縦断面図である。6 is a longitudinal sectional view of the cleaning apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
2A、2C 処理槽(薬液)
2B、2D 処理槽(水洗)
2E 処理槽(乾燥)
3 蓋体
4 搬送室(収容ケース)
5 清浄気流発生手段
6 搬送・昇降装置
7 チャックカバーの搬送装置
8 チャックカバー(飛散防止カバー)
9 供給管
〜9 噴射ノズル
10 ウェーハの昇降装置
11 ウェーハチャック(把持機構)
11、11 チャックアーム
A、B 載置部
S 空間
W ウェーハ(被処理基板)
1 Substrate processing equipment 2A, 2C Processing tank (chemical)
2B, 2D treatment tank (water washing)
2E Treatment tank (dry)
3 Lid 4 Transfer chamber (storage case)
5 Clean Air Flow Generation Means 6 Transport / Elevating Device 7 Chuck Cover Transport Device 8 Chuck Cover (Splash Prevention Cover)
9 feed pipe 9 1 to 9 N injection nozzles 10 wafer lifting apparatus 11 wafer chuck (grasping mechanism)
11 A , 11 B Chuck arm A, B Placement part S Space W Wafer (Substrate to be processed)

Claims (9)

上方が開口した有底の容器からなる処理槽と、被処理基板を把持する把持機構と、前記把持機構が連結されて前記被処理基板の前記処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び該処理槽内からの引き上げを行う昇降装置と、該昇降装置が連結されて前記被処理基板を前記処理槽へ搬送する搬送装置と、を備える基板処理装置において、
前記処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに前記処理槽の開口部を覆うことができる前記搬送装置に連結された飛散防止カバーを備えたことを特徴とする基板処理装置。
A processing tank composed of a bottomed container having an open top, a gripping mechanism for gripping the substrate to be processed, and immersion of the substrate to be processed in the processing liquid stored in the processing tank by connecting the gripping mechanism and In a substrate processing apparatus comprising: a lifting device that pulls up from within the processing tank; and a transport device that is connected to the lifting device and transports the substrate to be processed to the processing tank.
A substrate processing apparatus, comprising: a scattering prevention cover connected to the transfer device capable of covering an opening of the processing tank when vapor is generated and raised from the processing tank in a larger amount than normal.
前記処理槽の開口部には該開口部を開閉する蓋体が設けられ、前記飛散防止カバーは、前記蓋体が開かれたときに前記開口部の上部を覆うことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。   The lid of the processing tank is provided with a lid that opens and closes the opening, and the scattering prevention cover covers an upper portion of the opening when the lid is opened. 2. The substrate processing apparatus according to 1. 前記飛散防止カバーは外周囲が側板で囲まれその上方が閉鎖されるとともに下方が開放されたカバー体からなり、該飛散防止カバーの下方の開放口を通して内部へ前記把持機構が出し入れされるようになし、前記昇降装置により前記被処理基板を前記処理槽から引上げる際には、前記被処理基板を把持する前記把持機構及び該被処理基板が前記飛散防止カバー内に収容されることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。   The anti-scattering cover comprises a cover body whose outer periphery is surrounded by a side plate and whose upper part is closed and whose lower part is opened, so that the gripping mechanism can be taken in and out through an open port below the anti-scattering cover. None, when pulling up the substrate to be processed from the processing tank by the lifting device, the holding mechanism for holding the substrate to be processed and the substrate to be processed are accommodated in the scattering prevention cover. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2. 前記飛散防止カバーは、その天井内面に不活性ガスを噴射させる噴射ノズルが設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the scattering prevention cover is provided with an injection nozzle for injecting an inert gas on an inner surface of the ceiling. 前記飛散防止カバーの開放口は、前記処理槽を収容するシンクの開口部に近接する位置まで延設されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein an opening of the anti-scattering cover extends to a position close to an opening of a sink that accommodates the processing tank. 前記飛散防止カバーは前記昇降装置とは別の一対の支持部材により、水平方向に移動する前記搬送装置に連結されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the scattering prevention cover is connected to the transfer device that moves in a horizontal direction by a pair of support members different from the lifting device. 前記飛散防止カバーの内部に収容された前記把持機構と、前記飛散防止カバーの外部にある前記昇降装置を支持アームにより連結し、前記飛散防止カバーには前記支持アームが前記昇降装置による前記把持機構の昇降動作の妨げにならないように、前記飛散防止カバーの一側板にスリットを形成することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。   The gripping mechanism housed inside the scattering prevention cover and the lifting device outside the scattering prevention cover are connected by a support arm, and the support arm is connected to the scattering prevention cover by the lifting device. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein a slit is formed in one side plate of the scattering prevention cover so as not to hinder the lifting / lowering operation of the substrate. 前記飛散防止カバーは、内部を透視できる透明部材で形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the scattering prevention cover is formed of a transparent member through which the inside can be seen. 前記処理槽、把持機構、搬送装置、昇降装置及び飛散防止カバーは、清浄気流発生手段が設けられた収容室に収納されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate according to any one of claims 1 to 8, wherein the processing tank, a gripping mechanism, a transfer device, an elevating device, and an anti-scattering cover are accommodated in a storage chamber provided with a clean air flow generation unit. Processing equipment.
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