JPS6352415A - Processing device - Google Patents

Processing device

Info

Publication number
JPS6352415A
JPS6352415A JP61195484A JP19548486A JPS6352415A JP S6352415 A JPS6352415 A JP S6352415A JP 61195484 A JP61195484 A JP 61195484A JP 19548486 A JP19548486 A JP 19548486A JP S6352415 A JPS6352415 A JP S6352415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
wafer
transfer
drying
steam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61195484A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuaki Mizogami
員章 溝上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP61195484A priority Critical patent/JPS6352415A/en
Publication of JPS6352415A publication Critical patent/JPS6352415A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To prevent water marks from being generated, by forming a steam atmosphere in a carriage path through which a material to be processed is carried between a washing processor and a drying processor. CONSTITUTION:A steam supplying tube 9 connected with a steam generator is linked with a carrying chamber 7 following a washing chamber 4 so that an atmosphere of saturated steam 10 is always formed inside this carrying chamber 7. The inner bottom part of the carrying chamber 7 is equipped with a drain port 11 through which liquefied steam 10a can be drained. A passage 15 for clean air 14 is installed on the outside of a carrying window 12a of the carrying chamber 7 and the clean air 14 is made to pass in a streamline flow through this passage 15 so that the atmospheres inside/outside the carrying chamber 7 are interrupted to each other. Hence, an outside polluted atmosphere can be prevented from invading into the inside of the carrying chamber 7 through the carrying window 12 so that water marks can be prevented from being generated on the surface of the matter to be processed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被処理物の表面処理、特に半導体ウェハの洗
浄乾燥処理における水分および異物の除去に利用して有
効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is effective for use in surface treatment of objects to be treated, particularly in removing moisture and foreign matter during cleaning and drying treatment of semiconductor wafers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ウェハの茶気乾燥技術については、たとえば特開昭56
−168072号公報に記載されている。
Regarding the brown drying technology of wafers, for example,
It is described in the publication No.-168072.

その概要は、ウェハの洗浄後に、溶剤を加熱して発生さ
せた蒸気中にウェハを位置させて、該凝縮溶剤によりウ
ェハ表面に付着している洗浄水の除去を行うというもの
である。
The general idea is that after cleaning the wafer, the wafer is placed in steam generated by heating a solvent, and the cleaning water adhering to the wafer surface is removed by the condensed solvent.

本発明者は、ウェハ洗浄後の乾燥技術について検討した
。以下は、本発明者によって検討された技術であり、そ
の概要は次の通りである。
The present inventor studied a drying technique after wafer cleaning. The following are the techniques studied by the present inventor, and the outline thereof is as follows.

通常、ウェハの薬液処理工程ならびに洗浄処理工程と乾
燥処理工程とはそれぞれ別個の装置を用いて行われる。
Typically, the wafer chemical treatment process, cleaning process, and drying process are performed using separate apparatuses.

このため、洗浄処理を終えたウェハは乾燥!;lt置の
場所まで所定距離を移送させなければならない。このウ
ェハの移送手段としては、自動搬送機構による移送、も
しくは手作業によるカートリンジ単位での移送が考えら
れるが、いずれの手段による場合であっても、たとえ各
装置を近接されて載置したとしても、ウェハの搬送時間
として数秒〜数分単位の時間が必要となる。
For this reason, the wafers that have been cleaned are dry! ;It must be transported a predetermined distance to the location where it is placed. Possible means of transferring this wafer include an automatic transfer mechanism or manual transfer in units of cartridges, but regardless of which method is used, even if the devices are placed close together, However, the time required for transporting the wafer is on the order of several seconds to several minutes.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、ウェハは前記の移送途中で自然乾燥が促進さ
れ、このためにウェハ表面に水滴の乾燥跡すなわちウォ
ーターマークが形成され、これが・原因となって製品不
良を生じる場合が多い、さらに、このウェハの移送路の
清浄度が高く維持されていない場合には、移送途中で異
物が付着してウォーターマークの原因となる場合もある
ことが本発明者によって見い出された。
However, the natural drying of the wafer is promoted during the above-mentioned transfer, and as a result, dry marks of water droplets, or water marks, are formed on the wafer surface, which often causes product defects. The inventor has discovered that if the cleanliness of the transfer path is not maintained at a high level, foreign matter may adhere during the transfer and cause water marks.

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的はウォーターマークの発注を防止して信転性の
高い処理を実現することにある。
The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to prevent watermark orders and realize highly reliable processing.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、洗浄と乾燥との間の被処理物の移送を行う移
送経路を水涼気7囲気で満たすものである。
That is, the transfer path for transferring the processed material between cleaning and drying is filled with water and cool air.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、被処理物の移送が行われる移送
経路が水蒸気雰囲気で満たされているため、移送途中の
被処理物の自然乾燥が抑制され、これにより被処理物表
面のウォーターマークの発生防止が可能となる。
According to the above-mentioned means, since the transfer route through which the workpiece is transferred is filled with a water vapor atmosphere, natural drying of the workpiece during transfer is suppressed, thereby eliminating watermarks on the surface of the workpiece. It is possible to prevent the occurrence.

〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例である処理装置を示す概略説
明図、第2図は移送室の断面構造を示す説明図である。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing a processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of a transfer chamber.

本実施例1の処理装置1は、薬液槽2および洗浄槽3の
WIizされる洗浄室4と、乾燥機構である貯留槽5を
存する乾燥室6と、この乾燥室6と前記洗浄室4とを結
ぶ移送経路である移送室7とからなる。
The processing apparatus 1 of the first embodiment includes a cleaning chamber 4 in which a chemical solution tank 2 and a cleaning tank 3 are cleaned, a drying chamber 6 including a storage tank 5 which is a drying mechanism, and a drying chamber 6 and the cleaning chamber 4. and a transfer chamber 7, which is a transfer path connecting the two.

洗浄室4の薬液槽2および洗浄槽3には、各々所定の薬
液2aおよび洗浄a3aが満たされており、被処理物で
あるウェハ8の薬液処理ならびに洗浄処理が行われるよ
うになっている。
The chemical solution tank 2 and the cleaning tank 3 of the cleaning chamber 4 are filled with predetermined chemical solutions 2a and cleaning a3a, respectively, so that chemical solution processing and cleaning processing of the wafer 8, which is an object to be processed, is performed.

前記洗浄室4に続く移送室7は、第2図に示すように、
図示しない水蒸気発生装置に接続される水版気供給管9
が連結されており、この移送室7の室内は常に飽和水蒸
気10の雰囲気となるようにされている。移送室7の室
内底部には排水口11が開設されており、液化した水蒸
気10aが排水可能な構造となっている。また、移送室
7の一側壁にはウェハ8の移送方向に沿って移送用窓1
2が開設されている。本実施例1では、この移送用窓1
2を通じてハンドラー等の移送治具(図示せず)が外部
より挿入されて移送室7の内部をカートリッジ13に収
容されたウェハ8が移送されるものである。該移送室7
の移送用窓12a側の外方にはクリーンエア14の流通
路15が設けられており、この流通路15内をクリーン
エア14の流通が層流的に行われることによって移送室
7の外部と内部との雰囲気が遮断されるようになってい
る。したがって、移送用窓12を通じて外部の汚染雰囲
気が移送室7の内部に侵入することが防止される。また
、移送用窓12を構成する流通路15の両側壁のうち、
移送室7側の開口部12aを、外部側の開口部12bよ
りもその開口面積を小さくすることにより、移送室7の
室内への外部雰囲気の侵入をより効果的に防止できる。
The transfer chamber 7 following the washing chamber 4 is, as shown in FIG.
Water plate air supply pipe 9 connected to a steam generator (not shown)
are connected to each other, and the interior of the transfer chamber 7 is always kept in an atmosphere of saturated steam 10. A drainage port 11 is provided at the bottom of the transfer chamber 7, and the structure is such that the liquefied water vapor 10a can be drained away. Further, a transfer window 1 is provided on one side wall of the transfer chamber 7 along the transfer direction of the wafer 8.
2 have been established. In this embodiment 1, this transfer window 1
A transfer jig (not shown) such as a handler is inserted from the outside through 2, and the wafer 8 housed in the cartridge 13 is transferred inside the transfer chamber 7. The transfer chamber 7
A flow path 15 for the clean air 14 is provided outside the transfer window 12a side, and the clean air 14 flows in a laminar flow through the flow path 15, thereby communicating with the outside of the transfer chamber 7. The atmosphere is cut off from the inside. Therefore, external contaminated atmosphere is prevented from entering the transfer chamber 7 through the transfer window 12. Furthermore, among the both side walls of the flow path 15 that constitute the transfer window 12,
By making the opening area of the opening 12a on the transfer chamber 7 side smaller than that of the opening 12b on the outside side, intrusion of external atmosphere into the transfer chamber 7 can be more effectively prevented.

移送室7の乾燥室6寄りの部分にクリーンエア室16が
設けられている。このクリーンエア室16は、室内をク
リーンエアが全面ダウンフロー履流状に流通する構造と
なっており、移送室の蒸気が乾燥室へ流れ込まないよう
にしている。
A clean air chamber 16 is provided in a portion of the transfer chamber 7 near the drying chamber 6. The clean air chamber 16 has a structure in which clean air flows in a downward flow pattern over the entire surface of the chamber, thereby preventing steam in the transfer chamber from flowing into the drying chamber.

乾燥室6の内部の貯留槽5の上部内周には冷却水を通水
される冷却管17が槽内壁面に沿って螺旋状に配管され
ている。貯留槽5の底部には、たとえばイソプロピルア
ルコール(IPA)からなる処理液18が貯留されてお
り、該処理!1Bは、貯留槽5の下方に配設されたヒー
タ19により所定の温度に加熱されるようになっている
A cooling pipe 17 through which cooling water is passed is spirally arranged around the upper inner periphery of the storage tank 5 inside the drying chamber 6 along the inner wall surface of the tank. A processing liquid 18 made of, for example, isopropyl alcohol (IPA) is stored at the bottom of the storage tank 5, and the processing! 1B is heated to a predetermined temperature by a heater 19 disposed below the storage tank 5.

次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

洗浄室4において、カートリッジ13の単位で薬液槽2
の薬液2a中に浸漬されて薬液処理の行われたウェハ8
は作業者の手作業あるいは図示しない自動搬送機構によ
って純水3aの貯留された洗浄槽3に浸漬されて洗浄処
理が行われる。
In the cleaning chamber 4, the chemical solution tank 2 is installed in units of cartridges 13.
A wafer 8 that has been immersed in the chemical solution 2a and subjected to chemical solution treatment.
is immersed in a cleaning tank 3 in which pure water 3a is stored, and is subjected to a cleaning process either manually by an operator or by an automatic conveyance mechanism (not shown).

次に、洗浄処理の完了したウェハ8は自動ハンドラー等
の手段により移送室7内を乾燥室6の方向に移送される
。このとき、本実施例1では、移送室7が飽和水茶気1
0の雰囲気で満たされているため、ウェハ8がその移送
途中で自然乾燥されることが抑制される。したがって、
自然乾燥にともなうウェハ8の表面のウォーターマーク
の形成が防止され、移送経路が長距離である場合にも、
洗浄直後と同様の表面状態で乾燥処理に移行することが
できる。
Next, the wafer 8 that has undergone the cleaning process is transferred within the transfer chamber 7 toward the drying chamber 6 by means such as an automatic handler. At this time, in this embodiment 1, the transfer chamber 7 is filled with saturated water.
Since the wafer 8 is filled with an atmosphere of 0, air drying of the wafer 8 during transfer is suppressed. therefore,
The formation of water marks on the surface of the wafer 8 due to natural drying is prevented, and even when the transfer route is a long distance,
It is possible to proceed to the drying process with the surface state similar to that immediately after cleaning.

クリーンエア室16を通過して乾燥室6に送られたウェ
ハ8は乾燥室6内において、まず貯留槽5の上方に位置
され、さらにハンドラー治具等により降下されて貯留槽
5内の所定部位に位置される。ここで、貯留槽5に貯留
された処理液18はヒータ19で加熱されることにより
処理蒸気18aを発生している。この加熱された処理蒸
気18aは貯留槽5内を上昇するが、貯留槽5の上部の
冷却管17によりコールドラップされ、液化されて再度
貯留槽5の下部に滴下される状態となっている。このよ
うに、貯留槽5の内部は、処理蒸気18aの雰囲気が極
めて純度高く形成されているため、貯留槽5内に搬入さ
れたウェハ8は該処理蒸気18aにさらされることにな
る。ここで処理蒸気18a中にイソプロピルアルコール
はウェハ8に接触すると冷却されて凝縮して液化する。
The wafer 8 passed through the clean air chamber 16 and sent to the drying chamber 6 is first positioned above the storage tank 5 in the drying chamber 6, and then lowered by a handler jig or the like to a predetermined position in the storage tank 5. located in Here, the processing liquid 18 stored in the storage tank 5 is heated by a heater 19 to generate processing steam 18a. This heated processing steam 18a rises in the storage tank 5, but is cold-wrapped by the cooling pipe 17 at the upper part of the storage tank 5, liquefied, and dripped into the lower part of the storage tank 5 again. In this manner, the atmosphere of the processing steam 18a inside the storage tank 5 is formed with extremely high purity, so that the wafers 8 carried into the storage tank 5 are exposed to the processing steam 18a. Here, when the isopropyl alcohol in the processing vapor 18a comes into contact with the wafer 8, it is cooled, condensed, and liquefied.

この液化したイソプロピルアルコールはウェハ8の表面
において、付着していた水等と置換することにより、該
水等を飛散させるようにして除去する。
This liquefied isopropyl alcohol is removed by displacing adhering water and the like on the surface of the wafer 8, thereby scattering the water and the like.

このとき、ウェハ8の表面に付着していた異物等も同時
に飛散されてウェハ8の表面が清浄化されることになる
。このときウェハ8は、移送室7の飽和水蒸気IO中を
通過してきたため、自然乾燥することなく、ウォーター
マークの防止を抑制されてその表面の効果的な清浄が可
能となる。
At this time, foreign matter adhering to the surface of the wafer 8 is also scattered at the same time, and the surface of the wafer 8 is cleaned. At this time, since the wafer 8 has passed through the saturated steam IO in the transfer chamber 7, the wafer 8 does not dry naturally, and the prevention of water marks is suppressed, making it possible to effectively clean the surface.

このようにして、強制乾燥の完了したウェハ8は、再度
ハンドラー等の手段により処理装置lの外部に搬出され
る。
The wafer 8 that has been forcedly dried in this way is again carried out of the processing apparatus 1 by means such as a handler.

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1)、洗浄室4と乾燥室6間のウェハ8の移送を行う
移送室(移送経路)7を水草気10の雰囲気で満たすこ
とにより、移送途中のウェハ8の自然乾燥を抑制でき、
自然乾燥が原因となるウェハ8の表面のウォーターマー
クの発生を防止できる。
(1) By filling the transfer chamber (transfer route) 7 for transferring the wafers 8 between the cleaning chamber 4 and the drying chamber 6 with an atmosphere of aquatic plants 10, natural drying of the wafers 8 during transfer can be suppressed;
It is possible to prevent water marks from forming on the surface of the wafer 8 due to natural drying.

(2)、移送室7の一側面にクリーンエア14の流通路
15を設けることにより、層流の流通作用によって移送
室7の外部と内部との雰囲気を遮断することができるた
め、移送用窓12を通じて外部の汚染雰囲気が移送室7
の内部に侵入することを防止できる。
(2) By providing the flow path 15 for the clean air 14 on one side of the transfer chamber 7, the atmosphere between the outside and the inside of the transfer chamber 7 can be shut off by the laminar flow distribution effect, so the transfer chamber 7 12, the external contaminated atmosphere enters the transfer chamber 7.
can be prevented from entering the inside of the device.

(3)、前記(2)により、移送室7内の清浄度を高く
維持できるため、移送途中のウェハ8の表面への異物の
付着を防止できる。
(3) According to (2) above, the cleanliness inside the transfer chamber 7 can be maintained at a high level, so that it is possible to prevent foreign matter from adhering to the surface of the wafer 8 during transfer.

(4)、前記(1+、 +21および(3)により、信
顛性の高いウェハ処理を実現することができる。
(4), (1+, +21, and (3) above) make it possible to realize highly reliable wafer processing.

〔実施例2〕 第3図は本発明の他の実施例である処理’J’11を示
す概略説明図である。
[Embodiment 2] FIG. 3 is a schematic explanatory diagram showing process 'J'11, which is another embodiment of the present invention.

本実施例2の処理装置31は、洗浄室32と乾燥室33
と補助乾燥室34とからなり、洗浄室32には洗浄槽3
が載置され、該洗浄槽3の上方空間は実質的にウェハ8
の移送路として形成されており、該空間は飽和水蒸気1
0の雰囲気で満たされた状態となっている。
The processing apparatus 31 of the second embodiment includes a cleaning chamber 32 and a drying chamber 33.
and an auxiliary drying chamber 34, and the cleaning chamber 32 has a cleaning tank 3.
The space above the cleaning tank 3 is substantially occupied by the wafer 8.
The space is formed as a transfer path for saturated water vapor 1
It is in a state filled with an atmosphere of 0.

また、前記洗浄室32に隣接される乾燥室33は、実施
例1で説明したものと同様の貯留槽5を有しており、ウ
ェハ8の蒸気乾燥処理が行われるようになっている。
Further, a drying chamber 33 adjacent to the cleaning chamber 32 has a storage tank 5 similar to that described in the first embodiment, and is used to perform a steam drying process on the wafer 8.

補助乾燥室34は、クリーンエア35がダウンフロー層
流となって上方より下方に流通する構造となっており、
この補助乾燥室34でウェハ8は、より完全に乾燥され
た状態となる。
The auxiliary drying chamber 34 has a structure in which clean air 35 flows in a downflow laminar flow from above to below.
In this auxiliary drying chamber 34, the wafer 8 is more completely dried.

前記各室32.33および34を区切る側壁には各々シ
ャッター機構36a、36bが設けられており、各室3
2.33および34の雰囲気が各々遮断される構造とな
っている。
Shutter mechanisms 36a and 36b are provided on the side walls that separate the chambers 32, 33 and 34, respectively.
2. The structure is such that the atmospheres of 33 and 34 are each blocked.

次に、本実施例2の作用について説明する。Next, the operation of the second embodiment will be explained.

洗浄槽3の洗浄液3a内に浸漬されて洗浄処理の行われ
たウェハ8はハンドラー(図示せず)によって上方に引
き上げられ、水蒸気10の雰囲気中に浸される。このよ
うに、ウェハ8の移送経路が水7気10の雰囲気で満た
されているため、実施例1と同様、搬送途中でのウェハ
8の自然乾燥が抑制され、この結果自然乾燥に起因する
ウォーターマークの発生が防止される。
The wafer 8 immersed in the cleaning liquid 3 a of the cleaning tank 3 and subjected to cleaning processing is pulled upward by a handler (not shown) and immersed in an atmosphere of water vapor 10 . In this way, since the transfer path of the wafer 8 is filled with an atmosphere of water, air, and air, the natural drying of the wafer 8 during transfer is suppressed, as in Example 1, and as a result, the water caused by natural drying is suppressed. Marks are prevented from occurring.

次に、シャッター機構36aが開かれて、ウェハ8が乾
燥室33の上部に移送され、続いて貯留槽5内の所定部
位に位置されると、実施例1と同様に貯留槽5内のイソ
プロピルアルコールの処理蒸気18aの作用により、ウ
ェハ8の表面の水分および異物が飛散される。
Next, when the shutter mechanism 36a is opened and the wafer 8 is transferred to the upper part of the drying chamber 33 and then positioned at a predetermined position in the storage tank 5, the isopropyl Moisture and foreign matter on the surface of the wafer 8 are scattered by the action of the alcohol treatment vapor 18a.

次に、シャッター機構36bが開かれて、ウェハ8は補
助乾燥室34に移送されて、クリーンエア35のN流に
さらされて乾燥状態となる。
Next, the shutter mechanism 36b is opened, and the wafer 8 is transferred to the auxiliary drying chamber 34, where it is exposed to the N flow of clean air 35 and becomes dry.

以上のように、本実施例2によっても、ウェハ8の移送
経路が水蒸気10で満たされているため、実施例1と同
様に移送途中での自然乾燥の抑制が可能となり、ウォー
ターマークの発生が防止される。
As described above, in the second embodiment, since the transfer path of the wafer 8 is filled with water vapor 10, it is possible to suppress natural drying during transfer, as in the first embodiment, and the generation of water marks is prevented. Prevented.

〔実施例3〕 第4図は、本発明のさらに他の実施例である処理装置を
示す概略説明図である。
[Embodiment 3] FIG. 4 is a schematic explanatory diagram showing a processing apparatus which is still another embodiment of the present invention.

本実施例3の処理装置41は、洗浄室4と乾燥室6とを
有し、その画室にまたがって移送経路(移送室)7が内
装されてなり、被処理物であるウェハの枚葉処理を行う
ものである。
The processing apparatus 41 of the third embodiment has a cleaning chamber 4 and a drying chamber 6, and a transfer path (transfer chamber) 7 is installed in the chambers, and performs single-wafer processing of wafers as objects to be processed. This is what we do.

同図において、37はローダ、38はアンローダであり
、39はスピン乾燥器であり、モータ40により回転さ
せているものである。
In the figure, 37 is a loader, 38 is an unloader, and 39 is a spin dryer, which is rotated by a motor 40.

移送経路(移送室)7には、水f気10が満たされた状
態となっており、移送中のウェハの自然乾燥を抑制し、
自然乾燥が原因となるウェハの表面のウォーターマーク
の発生を防止できる構造となっている。
The transfer path (transfer chamber) 7 is filled with water and air 10 to suppress natural drying of the wafer during transfer.
The structure prevents water marks from forming on the wafer surface due to natural drying.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、実施例では蒸
気乾燥機構における処理液としてIPAを用いた場合に
ついてのみ説明したが、これと同様の作用を有するもの
であれば、たとえばエタノール、フレオン等如何なるも
のであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, in the example, only the case where IPA was used as the processing liquid in the steam drying mechanism was explained, but any liquid such as ethanol or Freon may be used as long as it has the same effect as IPA. .

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるウェハの洗浄および乾
燥を行う処理装置に適用して場合について説明したが、
これに限定されるものではない。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the field of application, which is a processing apparatus for cleaning and drying wafers.
It is not limited to this.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、洗浄室と乾燥室との間の被処理物の移送を行
う移送室が水蒸気雰囲気で満たされている処理装置構造
とすることにより、移送途中の被処理物の乾燥を抑制し
て、被処理物表面のウォーターマークの発生を防止する
ことができ、lt頼性の高い処理を実現できる。
In other words, by adopting a processing equipment structure in which the transfer chamber for transferring the processed material between the cleaning chamber and the drying chamber is filled with a steam atmosphere, drying of the processed material during transfer can be suppressed and the It is possible to prevent the occurrence of water marks on the surface of the processed object, and it is possible to realize highly reliable processing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例1である処理装置を示す概略説
明図、 第2図は実施例1の移送室の断面構造を示す説明図、 第3図は本発明の他の実施例2である処理装置を示す概
略説明図、 第4図は本発明のさらに他の実施例3である処理装置を
示す概略説明図である。 1・・・処理装置、2・・・薬液槽、2a・・・薬液、
3・・・洗浄槽、3a・・・洗浄液、4・ ・洗浄室、
5・・・貯留槽、6・・・/12煙室、7・・・移送室
、8・・・ウェハ、9・・・水茶気供給管、10・・・
水蒸気、11・・・排水口、12・・・移送用窓、12
a、12b・・・開口部、13・・・カートリッジ、1
4・・・クリーンエア、15・・・流通路、16・・・
クリーンエア室、17・・・冷却管、18・・・処理液
、18a・・・処理蒸気、19・・・ヒータ、31・・
・処理装置、32・・・洗浄室、33・・・乾燥室、3
4・・・補助乾燥室、35・・・クリ−ンエア、36a
、36b・・・シャッター機構、37・・・ローダ、3
8・・・アンローダ、39・・・スピン乾燥器。 第   1  図 第  2  図 7−ギク纏事
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing a processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the cross-sectional structure of the transfer chamber of Embodiment 1, and FIG. 3 is another Embodiment 2 of the present invention. FIG. 4 is a schematic explanatory diagram showing a processing apparatus according to still another embodiment 3 of the present invention. 1... Processing device, 2... Chemical liquid tank, 2a... Chemical liquid,
3...Cleaning tank, 3a...Cleaning liquid, 4...Cleaning chamber,
5...Storage tank, 6.../12 smoke chamber, 7...transfer chamber, 8...wafer, 9...water supply pipe, 10...
Water vapor, 11... Drain port, 12... Transfer window, 12
a, 12b...opening, 13...cartridge, 1
4... Clean air, 15... Distribution path, 16...
Clean air chamber, 17... Cooling pipe, 18... Processing liquid, 18a... Processing steam, 19... Heater, 31...
・Processing equipment, 32...Cleaning room, 33...Drying room, 3
4... Auxiliary drying room, 35... Clean air, 36a
, 36b...shutter mechanism, 37...loader, 3
8... Unloader, 39... Spin dryer. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 7 - Giku management

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、洗浄処理と乾燥処理との間の被処理物の移送を行う
移送経路が水蒸気雰囲気で満たされていることを特徴と
する処理装置。 2、被処理物が半導体ウェハであり、乾燥処理には蒸気
乾燥機構を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の処理装置。 3、被処理物が半導体ウェハであり、乾燥処理にはスピ
ン乾燥機構を有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の処理装置。
[Scope of Claims] 1. A processing apparatus characterized in that a transfer path for transferring a processed material between a cleaning process and a drying process is filled with a water vapor atmosphere. 2. Claim 1, wherein the object to be processed is a semiconductor wafer, and the drying process includes a steam drying mechanism.
Processing equipment described in Section 1. 3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the object to be processed is a semiconductor wafer, and the drying process includes a spin drying mechanism.
JP61195484A 1986-08-22 1986-08-22 Processing device Pending JPS6352415A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61195484A JPS6352415A (en) 1986-08-22 1986-08-22 Processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61195484A JPS6352415A (en) 1986-08-22 1986-08-22 Processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6352415A true JPS6352415A (en) 1988-03-05

Family

ID=16341852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61195484A Pending JPS6352415A (en) 1986-08-22 1986-08-22 Processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6352415A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074322A (en) * 1983-09-30 1985-04-26 松下電工株式会社 Time switch
JPS60105126A (en) * 1983-11-10 1985-06-10 松下電工株式会社 Time switch
JPH03190131A (en) * 1989-12-19 1991-08-20 Iwatani Internatl Corp Cleaning device of semiconductor substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074322A (en) * 1983-09-30 1985-04-26 松下電工株式会社 Time switch
JPH0158813B2 (en) * 1983-09-30 1989-12-13 Matsushita Electric Works Ltd
JPS60105126A (en) * 1983-11-10 1985-06-10 松下電工株式会社 Time switch
JPH02810B2 (en) * 1983-11-10 1990-01-09 Matsushita Electric Works Ltd
JPH03190131A (en) * 1989-12-19 1991-08-20 Iwatani Internatl Corp Cleaning device of semiconductor substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3448613B2 (en) Drying equipment
JP7055467B2 (en) Cleaning method and cleaning equipment for semiconductor wafers
KR19980025067A (en) Cleaning device and cleaning method
JP2003297795A (en) Cleaner and dryer, and cleaning and drying method of semiconductor wafer
JPH06103686B2 (en) Surface drying treatment method and device
JPS6352415A (en) Processing device
JP2008147303A (en) Substrate processing apparatus
US20040194806A1 (en) IPA concentration interlock detector for substrate dryer
JP2003224102A (en) Substrate treatment equipment and substrate treatment method
JPH04150903A (en) Trap device
JPS63182818A (en) Drying device
JPH08102459A (en) Cleaning treatment equipment and its control method
JPH09162156A (en) Treating method and treating system
KR100564622B1 (en) Apparatus for rinsing and drying semiconductor wafers and method using the apparatus
JP3937508B2 (en) Semiconductor substrate cleaning equipment
JPS62195128A (en) Processor
JP2001237211A (en) Substrate treating device
JPH04259222A (en) Washer
JPH01140728A (en) Cleaning and drying of object
JP3127353B2 (en) Processing method and processing apparatus
KR0180344B1 (en) Drying apparatus of semiconductor wafer
JPS62198126A (en) Processor
JP3363557B2 (en) Single tank processing equipment
JP3460045B2 (en) Cleaning equipment
JPH09213672A (en) Semiconductor wafer processing apparatus and treatment