JPH04150903A - Trap device - Google Patents

Trap device

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JPH04150903A
JPH04150903A JP27089490A JP27089490A JPH04150903A JP H04150903 A JPH04150903 A JP H04150903A JP 27089490 A JP27089490 A JP 27089490A JP 27089490 A JP27089490 A JP 27089490A JP H04150903 A JPH04150903 A JP H04150903A
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heating
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和雄 寺田
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勝彦 岩渕
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Abstract

PURPOSE:To make possible the control of a lowering in the capacity of an exhaust emission system caused by the volatile components in captured substances by providing a capture mechanism for harmful substances with a mechanism for heating the substances captured thereby. CONSTITUTION:A trap device 1 adapted to be freely detachably inserted into an exhaust emission system is provided with a cooling jacket 3, a cooling fin 6 and a cooling water conduit pipe 9 to cool the gas flowing through the exhaust emission system, thereby capturing the org. substances contained in the gas. This capture mechanism is provided with a heater 8 for heating the captured substances. As a result, since the volatile components contained in the captured substances can be easily removed in a short time, a lowering in the capacity of the exhaust emission system caused by the volatile components can be controlled. Therefore, the treating quality of a semiconductor production device connected with this trap device can be maintained at a stable level and a lowering in the operation factor accompanied by the trap device cleaning can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、排気系に設置されるトラップ装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a trap device installed in an exhaust system.

(従来の技術) 従来から、半導体デバイスの製造工程における成膜工程
や熱拡散工程等では、熱処理装置が使用されている。
(Prior Art) Conventionally, a heat treatment apparatus has been used in a film forming process, a thermal diffusion process, etc. in the manufacturing process of semiconductor devices.

このような熱処理装置では、真空保持か可能な石英等か
らなる反応容器内に複数の半導体ウエノ1を収容し、反
応容器内を真空ポンプ等によって所定の減圧状態まで排
気した後、所定の真空圧が維持されるように、排気を継
綺しながら反応性ガスや酸化性ガス等を導入すると共に
、所定の反応温度まで昇温することによって、Siエピ
タキシャル成長膜や酸化被膜等の形成が行われる。
In such a heat treatment apparatus, a plurality of semiconductor wafers 1 are housed in a reaction vessel made of quartz or the like that can be maintained in a vacuum, and after the inside of the reaction vessel is evacuated to a predetermined reduced pressure state by a vacuum pump or the like, the pressure is reduced to a predetermined vacuum pressure. A reactive gas, an oxidizing gas, etc. are introduced while continuously purging the exhaust gas, and the temperature is raised to a predetermined reaction temperature so that the Si epitaxial growth film, oxide film, etc. are formed.

また、上記熱処理装置から排気された気体中には、未反
応の成膜用ガスや反応生成物等の有害物質が含まれてお
り、これらがドライポンプ等の真空ポンプまで到達する
と、吸引能力の低下や各部の腐食等が進行し、また配管
系に反応生成物が付着すると、コンダクタンスが低下す
るため、排気経路の途中にトラップ装置を設置すること
が一般的に行われている。
In addition, the gas exhausted from the above heat treatment equipment contains harmful substances such as unreacted film-forming gas and reaction products, and if these reach the vacuum pump such as the dry pump, the suction capacity will be reduced. As the conductance deteriorates and corrosion of various parts progresses, and as reaction products adhere to the piping system, the conductance decreases, so it is common practice to install a trap device in the middle of the exhaust route.

上記トラップ装置は、例えば冷却用のフィン等を有して
おり、処理温度近傍の排気ガスをトラップ装置内で冷却
し、排気ガス中の反応生成物を上記冷却フィン等に付着
させたり、また排気ガス中の未反応物質を反応もしくは
凝縮させて冷却フイン等に付着させることによって、有
害物質を捕獲、除去する装置である。
The above-mentioned trap device has, for example, cooling fins, etc., and cools the exhaust gas near the processing temperature within the trap device, causing reaction products in the exhaust gas to adhere to the above-mentioned cooling fins, etc. This is a device that captures and removes harmful substances by reacting or condensing unreacted substances in the gas and depositing them on cooling fins, etc.

(発明が解決しようとする課題) ところで、上述したようなトラップ装置に捕獲された反
応生成物等の捕獲物質中に、アルコール分のような揮発
性成分が含まれていると、捕獲物質から揮発するガスに
よって、真空ポンプの排気能力の低下を招いてしまうと
いう問題があった。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, if a volatile component such as alcohol is contained in a captured substance such as a reaction product captured by the above-mentioned trap device, it will be volatilized from the captured substance. There was a problem in that the evacuation gas caused a reduction in the evacuation capacity of the vacuum pump.

このことは、例えば上述したような熱処理装置の排気系
であれば、反応容器内の真空度の低下につながり、処理
不良の発生要因となってしまう。
For example, in the case of an exhaust system of a heat treatment apparatus as described above, this leads to a decrease in the degree of vacuum in the reaction vessel, which becomes a factor in the occurrence of processing defects.

また、通常、トラップ装置においては、反応生成物等の
捕獲物質の量が一定量以上となると、排気ガスからの有
害物質の除去効率の低下や排気能力の低下を招くため、
一定期間経過毎にトラップ装置を排気系から取り外し、
装置内部のクリーニングを行っている。しかし、上述し
たように、揮発性成分によって真空ポンプの排気能力低
下が発生すると、上記クリーニングの期間を短縮しなけ
ればならなくなり、クリーニングに伴う装置停止時間の
増大によって、例えば熱処理装置の稼働効率の低下を招
いたり、またひ素生成物等の有害物質のトラップクリー
ニング頻度の増加によって安全性が問題視される。
In addition, normally in a trap device, if the amount of captured substances such as reaction products exceeds a certain amount, the removal efficiency of harmful substances from the exhaust gas will decrease and the exhaust capacity will decrease.
Remove the trap device from the exhaust system after a certain period of time,
The inside of the device is being cleaned. However, as mentioned above, if the evacuation capacity of the vacuum pump decreases due to volatile components, the cleaning period described above must be shortened, and the equipment downtime associated with cleaning increases, for example, reducing the operating efficiency of the heat treatment equipment. Safety is a concern due to the increased frequency of trap cleaning for harmful substances such as arsenic products.

本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、捕獲物質中に含まれる揮発性成分による排気能力
の低下を抑制したトラップ装置を提供することを目的と
している。
The present invention has been made to address such problems, and an object of the present invention is to provide a trap device that suppresses a decrease in exhaust performance due to volatile components contained in trapped substances.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明のトラップ装置は、排気系に着脱自在に
介挿され、該排気系内を流通する気体を冷却することに
より、該気体中に含まれる有害物質を捕獲する機構を有
するトラップ装置において、前記捕獲機構か該捕獲物質
を加熱する機構を有することを特徴としている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the trap device of the present invention is detachably inserted into an exhaust system, and cools the gas flowing through the exhaust system, thereby trapping the gas in the gas. A trap device having a mechanism for capturing contained harmful substances is characterized in that the trapping mechanism has a mechanism for heating the captured substance.

(作 用) 本発明のトラップ装置においては、冷却による有害物質
の捕獲機構に、加熱機構を付加しているため、例えば捕
獲物質中に揮発性成分か含まれているような場合には、
上記加熱機構によって捕獲物質中の揮発性成分を除去す
ることができる。
(Function) In the trap device of the present invention, since a heating mechanism is added to the mechanism for capturing harmful substances by cooling, for example, when volatile components are included in the captured substance,
The heating mechanism described above can remove volatile components in the captured substance.

この揮発性成分の除去は、トラップ装置を排気系から取
り外すことなく容易に実施することができるため、トラ
ップ装置が接続されている、例えば半導体製造装置等の
稼働効率をあまり低下させることなく、排気系の能力低
下を抑制することが可能となる。また、捕獲物質中の揮
発性成分による排気能力の低下を抑制することによって
、トラップ装置のクリーニング期間を延長することが可
能となり、これによって半導体製造装置等の稼働効率の
向上か図れる。
This removal of volatile components can be easily carried out without removing the trap device from the exhaust system, so it is possible to remove the volatile components without significantly reducing the operating efficiency of the device to which the trap device is connected, such as semiconductor manufacturing equipment. It becomes possible to suppress a decrease in system performance. In addition, by suppressing the reduction in exhaust capacity due to volatile components in the trapped substance, it becomes possible to extend the cleaning period of the trap device, thereby improving the operating efficiency of semiconductor manufacturing equipment and the like.

(実施例) 以下、本発明装置の実施例について、図面を参照して説
明する。
(Example) Hereinafter, an example of the apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図、第2図および第3図に示すように、この実施例
のトラップ装置1は、気密封止が可能な円筒形状の装置
本体2内に、例えばステンレス材等からなる水冷ジャケ
ット3が収納されて構成されている。
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, the trap device 1 of this embodiment has a water-cooling jacket 3 made of, for example, stainless steel, inside a cylindrical device body 2 that can be hermetically sealed. It is housed and configured.

上記装置本体2には、上記水冷ジャケット3と対向する
位置に、排気ガス導入部4が設置されており、また上記
排気ガス導入部4の直角方向に排気ガス導出部5が設置
されている。つまり、水冷ジャケット3は、排気ガス導
入部4から吸引された排気ガスの進路を妨害するように
設置されている。これら排気ガス導入部4および排気ガ
ス導出部5は、図示を省略した排気系配管にフランジ等
によって着脱可能に接続される。
In the apparatus main body 2, an exhaust gas introduction section 4 is installed at a position facing the water cooling jacket 3, and an exhaust gas introduction section 5 is installed in a direction perpendicular to the exhaust gas introduction section 4. That is, the water cooling jacket 3 is installed so as to obstruct the path of the exhaust gas sucked from the exhaust gas introduction section 4. The exhaust gas introduction section 4 and the exhaust gas outlet section 5 are removably connected to exhaust system piping (not shown) via a flange or the like.

上記水冷ジャケット3は、上記排気ガス導入部4からの
排気ガスの吸引経路方向に突設された多数の冷却フィン
6を有しており、これら冷却フィン6は、吸引された排
気ガスと十分に接触するように設けられている。
The water cooling jacket 3 has a large number of cooling fins 6 that protrude in the direction of the suction path of the exhaust gas from the exhaust gas introduction section 4, and these cooling fins 6 are arranged so that the sucked exhaust gas and arranged to make contact.

また、上記水冷ジャケット3の上部には、一端面7aか
開放された凹部7か設けられている。そして、この凹部
7内に加熱用ヒータ8が、該凹部7内の水冷ジャケット
3の上面3aと接触するようにして収容されている。こ
の加熱用ヒータ8は、装置本体2の一端面に着脱自在に
設置された蓋部2aを貫通して、その一部が装置本体2
外へ導かれている。
Further, in the upper part of the water cooling jacket 3, a recess 7 with one end surface 7a open is provided. A heating heater 8 is housed in the recess 7 so as to be in contact with the upper surface 3a of the water cooling jacket 3 within the recess 7. This heating heater 8 penetrates through a lid part 2a which is removably installed on one end surface of the apparatus main body 2, and a part of it passes through the lid part 2a which is removably installed on one end surface of the apparatus main body 2.
being led outside.

なお、上記水冷ジャケット4に接続された冷却水の導入
管9および導出管10も、蓋部2aを貫通して装置本体
2外へ導かれている。
Note that the cooling water inlet pipe 9 and outlet pipe 10 connected to the water cooling jacket 4 are also guided to the outside of the apparatus main body 2 through the lid portion 2a.

上述したような構成を有するトラップ装置1は、例えば
第4図に示すように、熱処理装置20の排気系30の途
中に介挿されて使用される。
The trap device 1 having the above-described configuration is used by being inserted in the middle of the exhaust system 30 of the heat treatment device 20, as shown in FIG. 4, for example.

すなわち、上記熱処理装置20は、被処理物である複数
の半導体ウェハ21が収容される円筒状の反応容器22
と、その周囲を囲繞する如く配置された加熱し−タ23
とを具備し、反応容器22内には反応性ガス等のガス導
入管24が設置されている。また、反応容器22の下部
には、反応容器22内を所定の減圧状態まで排気するこ
とが可能な排気系30か接続されている。
That is, the heat treatment apparatus 20 includes a cylindrical reaction vessel 22 in which a plurality of semiconductor wafers 21 as objects to be processed are accommodated.
and a heating heater 23 arranged to surround it.
A gas introduction pipe 24 for a reactive gas or the like is installed inside the reaction vessel 22. Furthermore, an exhaust system 30 is connected to the lower part of the reaction vessel 22, which is capable of evacuating the inside of the reaction vessel 22 to a predetermined reduced pressure state.

上記排気系30は、例えばドライポンプ等の真空ポンプ
31と上記反応容器22とを、排気系配管32て接続す
ることにより構成されており、この排気系配管32の途
中に上記トラップ装置1かフランジ33.34等によっ
て設置されている。
The exhaust system 30 is configured by connecting a vacuum pump 31 such as a dry pump to the reaction vessel 22 through an exhaust system piping 32. It is installed by 33, 34 etc.

また、トラップ装W1の上流側の配管32の周囲には、
この配管32内にトラップ装置1に到達するまでに排気
ガス中に含まれる物質が付着することを防止するために
、図示を省略した加熱機構が設置されている。
Moreover, around the piping 32 on the upstream side of the trap device W1,
In order to prevent substances contained in the exhaust gas from adhering to the inside of the pipe 32 before reaching the trap device 1, a heating mechanism (not shown) is installed.

次に、上記構成のトラップ装置1の操作方法を説明する
Next, a method of operating the trap device 1 having the above configuration will be explained.

まず、例えば予備加熱状態にある反応容器22内に複数
の半導体ウェハ21を収容した後、ドライポンプ31に
より所定の減圧状態まで反応容器22内を真空排気する
と共に、所定の処理温度まで昇温し、所定の真空度を維
持するよう排気を継続しながら、処理ガス例えば5iH
2C12、HCH3をガス導入管24から反応容器22
内に供給して、半導体ウェハ21のStエピタキシャル
成長等を行う。
First, for example, after a plurality of semiconductor wafers 21 are housed in the reaction vessel 22 which is in a preheated state, the inside of the reaction vessel 22 is evacuated to a predetermined reduced pressure state using the dry pump 31, and the temperature is raised to a predetermined processing temperature. , while continuing evacuation to maintain a predetermined degree of vacuum, a processing gas such as 5iH
2C12 and HCH3 are introduced into the reaction vessel 22 from the gas introduction pipe 24.
St epitaxial growth of the semiconductor wafer 21 and the like are performed by supplying the same to the semiconductor wafer 21.

この排気処理の際、トラップ装置1の水冷ジャケット3
には冷却水を供給して、排気ガス中の有害物質を捕獲で
きる状態とする。
During this exhaust treatment, the water cooling jacket 3 of the trap device 1
Cooling water is supplied to the system so that harmful substances in the exhaust gas can be captured.

処理が進行すると、排気系配管32を介してトラップ装
置1内に導入された排気ガスは、水冷ジャケット3や冷
却フィン6と接触し、これにより排気ガス中に含まれる
未反応物質が反応もしくは凝縮して冷却フィン6等に付
着し、あるいは排気ガス中に直接歯まれる反応生成物等
が冷却フィン6等に付着して、排気ガス中の有害物質は
捕獲される。
As the process progresses, the exhaust gas introduced into the trap device 1 via the exhaust system piping 32 comes into contact with the water cooling jacket 3 and the cooling fins 6, whereby unreacted substances contained in the exhaust gas are reacted or condensed. The harmful substances in the exhaust gas are captured by the reaction products that adhere to the cooling fins 6 and the like, or the reaction products that are directly absorbed into the exhaust gas and the like adhere to the cooling fins 6 and the like.

以上のような操作を繰り返し行うと、水冷ジャケット3
に突設された多数の冷却フィン6には、反応生成物等の
捕獲物質が堆積する。この際、捕獲物質中にアルコール
分のような揮発性成分が含まれていると、捕獲物質から
の揮発ガスによって真空ポンプ31の排気能力が低下す
る。
If you repeat the above operations, water cooling jacket 3
Trapped substances such as reaction products are deposited on a large number of cooling fins 6 protruding from the cooling fins 6 . At this time, if the captured substance contains a volatile component such as alcohol, the evacuation capacity of the vacuum pump 31 will be reduced by the volatile gas from the captured substance.

そこで、所定の処理期間が経過した後、熱処理装置20
側の処理停止期間に、捕獲物質中の揮発性成分の加熱除
去処理を行う。
Therefore, after a predetermined treatment period has elapsed, the heat treatment apparatus 20
During the processing stop period, volatile components in the captured substances are heated and removed.

この加熱除去処理は、まず水冷ジャケット3への冷却水
の供給を停止すると共に、水冷ジャケットB内に残留す
る冷却水を水冷ジャケット3内から排除する。この冷却
水の排除は、例えば冷却水導入管9に加圧気体供給管等
を接続しておくことによって、容易に実施”することが
できる。
In this heating removal process, first, the supply of cooling water to the water cooling jacket 3 is stopped, and the cooling water remaining in the water cooling jacket B is removed from the water cooling jacket 3. This cooling water removal can be easily carried out by, for example, connecting a pressurized gas supply pipe or the like to the cooling water introduction pipe 9.

次いで、真空ポンプ31を動作させて排気を行いながら
、加熱用ヒータ8を作動させる。加熱用ヒータ8による
加熱温度は、対象とする揮発性成分によって適宜選択す
る。例えばアルコール分等を加熱除去する際には、捕獲
された物質が100℃〜IRQ℃程度となるように、加
熱用ヒータ8への電力供給量を調整する。また、加熱対
象となる揮発性成分としては、アルコール等に限られる
ものではなく、例えばひ素等の原料となる有機金属化合
物等を加熱除去することもできる。この際には、250
℃〜300℃程度に加熱する。
Next, while operating the vacuum pump 31 to perform exhaustion, the heater 8 is operated. The heating temperature by the heating heater 8 is appropriately selected depending on the volatile component of interest. For example, when removing alcohol by heating, the amount of power supplied to the heater 8 is adjusted so that the temperature of the captured substance is about 100°C to IRQ°C. In addition, the volatile components to be heated are not limited to alcohols and the like, and organic metal compounds that serve as raw materials such as arsenic can also be removed by heating. In this case, 250
Heat to about 300°C to 300°C.

このように加熱用ヒータ8を作動させ、捕獲された物質
を加熱することにより、捕獲物質から揮発性成分が揮散
して除去され、真空ポンプ31の排気能力が正常化され
る。
By operating the heater 8 in this manner and heating the captured substance, volatile components are volatilized and removed from the captured substance, and the exhaust capacity of the vacuum pump 31 is normalized.

以上の揮発性成分の加熱除去処理は、トラップ装置1を
排気系配管32から取り外すことなく行えるため、短時
間で安全かつ容易に実施することができる。
The above heating removal process for volatile components can be performed without removing the trap device 1 from the exhaust system piping 32, and therefore can be performed safely and easily in a short time.

なお、上記加熱除去処理では、固体状の捕獲物質自体を
除去することができるわけではないため、有害物質の捕
獲効率が低下したり、また基本的に排気能力が低下した
際には、トラップ装置1を排気系配管32から取り外し
、安全性を考慮した場所まで移送した後に蓋体2aを開
き、水冷ジャケット3や冷却フィン6に付着している捕
獲物質を処理して、内部クリーニングを行う。
Note that the heat removal process described above cannot remove the solid captured substances themselves, so if the trapping efficiency of harmful substances decreases or the exhaust capacity basically decreases, the trap device 1 from the exhaust system piping 32 and transported to a safe location, the lid body 2a is opened, the captured substances adhering to the water cooling jacket 3 and the cooling fins 6 are disposed of, and the interior is cleaned.

このように、上記実施例のトラップ装置1においては、
水冷ジャケット3上に加熱用ヒータ8を設置しているた
め、例えば水冷ジャケット3や冷却フィン6等に付着し
て捕獲された物質中に、アルコール分等の揮発性成分が
含まれているような場合においても、容易に揮発性成分
を除去することかできる。また、この揮発性成分の加熱
除去処理は、短時間で行えるため、熱処理装置の稼働率
の低下も少ない。
In this way, in the trap device 1 of the above embodiment,
Since the heating heater 8 is installed on the water-cooling jacket 3, volatile components such as alcohol may be included in the substances that are attached to and captured on the water-cooling jacket 3, the cooling fins 6, etc. In some cases, volatile components can be easily removed. Furthermore, since this heat removal treatment of volatile components can be performed in a short time, there is little decrease in the operating rate of the heat treatment apparatus.

そして、このように揮発性成分の加熱除去を行うことに
よって、揮発性成分に起因する排気系の能力低下が抑制
されるため、固体状の捕獲物質量のみによって、トラッ
プ装置のクリーニング期間が設定でき、揮発性成分を含
む場合に比べて、上記クリーニング期間を大幅に延長す
ることが可能となる。よって、トラップ装置のクリーニ
ングに伴う熱処理装置の停止時間が短縮され、熱処理装
置の稼働率の向上が図れると共に、安全性の向上が図れ
る。
By heating and removing volatile components in this way, the reduction in performance of the exhaust system due to volatile components is suppressed, so the cleaning period of the trap device can be set based only on the amount of solid trapped substances. , the cleaning period can be significantly extended compared to the case where volatile components are included. Therefore, the stoppage time of the heat treatment apparatus due to cleaning of the trap device is shortened, the operation rate of the heat treatment apparatus can be improved, and safety can be improved.

また、排気系の能力を一定に保つことができるため、半
導体ウェハの処理不良等の発生も防止することができる
Further, since the capacity of the exhaust system can be kept constant, it is possible to prevent processing defects of semiconductor wafers and the like.

なお、上記実施例においては、バッチ式の熱処理装置の
排気系に介挿したトラップ装置に本発明を適用した例に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えば枚様式CVD装置、レジスト塗布装置等の
排気系に介挿したトラップ装置等にも適用でき、上記実
施例と同様な効果を得ることができる。
In the above embodiment, an example was described in which the present invention was applied to a trap device inserted in the exhaust system of a batch-type heat treatment apparatus, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to a trap device inserted into the exhaust system of a resist coating device, etc., and the same effects as in the above embodiment can be obtained.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明のトラップ装置によれば、
捕獲物質中に含まれる揮発性成分を短時間で容易に除去
することができるため、揮発性成分に起因する排気系の
能力低下を抑制することが可能となる。よって、トラッ
プ装置が接続される半導体製造装置等の処理品質を安定
に保つことが可能となると共に、トラップ装置のクリー
ニングに伴う稼働効率の低下を防止することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the trap device of the present invention,
Since the volatile components contained in the captured substance can be easily removed in a short time, it is possible to suppress a decrease in the performance of the exhaust system caused by the volatile components. Therefore, it is possible to stably maintain the processing quality of semiconductor manufacturing equipment or the like to which the trap device is connected, and it is also possible to prevent a decrease in operating efficiency due to cleaning of the trap device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のトラップ装置の一実施例を示す横断面
図、第2図は第1図に示すトラップ装置の正面方向縦断
面図、第3図は第1図に示すトラップ装置の側面方向縦
断面図、第4図は第1図に示すトラップ装置の使用例を
示す図である。 1・・・・・トラップ装置、2・・・・・・装置本体、
3・・・・・冷却ジャケット、4・・・・・・排気ガス
導入部、5・・・・・・排気ガス導出部、6・・・・・
・冷却フィン、7・・・・・・ヒータ収納用凹部、8・
・・・・・加熱用ヒータ、9・・・・・・冷却水導入管
、10・・・・・冷却水導出管、20・・・・・・熱処
理装置、30・・・・排気系。 第 図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the trap device of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view in the front direction of the trap device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a side view of the trap device shown in FIG. 1. FIG. 4 is a vertical cross-sectional view showing an example of the use of the trap device shown in FIG. 1. 1... Trap device, 2... Device main body,
3... Cooling jacket, 4... Exhaust gas inlet, 5... Exhaust gas outlet, 6...
・Cooling fin, 7...Recess for storing heater, 8・
... Heater for heating, 9 ... Cooling water inlet pipe, 10 ... Cooling water outlet pipe, 20 ... Heat treatment device, 30 ... Exhaust system. Diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】  排気系に着脱自在に介挿され、該排気系内を流通する
気体を冷却することにより、該気体中に含まれる有害物
質を捕獲する機構を有するトラップ装置において、 前記捕獲機構が、該捕獲物質を加熱する機構を有するこ
とを特徴とするトラップ装置。
[Scope of Claims] A trap device that is detachably inserted into an exhaust system and has a mechanism for capturing harmful substances contained in the gas by cooling the gas flowing in the exhaust system, comprising: A trap device characterized in that the mechanism has a mechanism for heating the trapped substance.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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