KR20180109725A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium - Google Patents

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Abstract

An object of the present invention is to prevent contamination by a foreign substance contained in a carrier after a substrate processed in a substrate processing section is accommodated in the carrier. An apparatus includes a stage (23) on which a carrier (C) in which a substrate (W) is accommodated is mounted, a substrate processing section (5) for processing the substrate (W), a substrate transfer mechanism (63) for transferring the substrate (W) between the carrier (C) mounted on the stage (23) and the substrate processing section (5), carrier heating mechanisms (52, 42C, 43C) heating the carrier (C) from which the substrate (W) is taken out to a temperature higher than the temperature of the substrate (W) at a time when the substrate (W) processed in the substrate processing section (5) is introduced into the carrier (C), and a gas outflow mechanism (32) for discharging the gas inside the carrier (C) heated by the carrier heating mechanisms (52, 42C, 43C) to the outside of the carrier.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method,

본 발명은, 캐리어로부터 기판 처리부에 기판을 반송하여 처리하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 사용되는 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for carrying a substrate from a carrier to a substrate processing section for processing, and a storage medium used in the substrate processing method and the substrate processing apparatus.

반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, FOUP(Front-Opening Unified Pod)라고 불리는 캐리어에 수납된 상태에서, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)가 공장 내에 설치된 각 장치 사이에서 반송된다. 그리고, 각 장치에 있어서 반송 기구에 의해 캐리어로부터 취출된 웨이퍼는, 당해 웨이퍼에 성막 처리나 에칭 처리 등의 소정의 처리를 행하는 처리부로 반송되어 처리된다. 따라서, 하나의 장치에 있어서 소정의 처리를 받은 웨이퍼는 캐리어로 복귀되고, 다른 장치로 반송되어 다음의 소정의 처리를 받게 된다. 통상, 상기한 캐리어는 순수 등의 세정액으로 세정되고, 그 후에 소정의 온도의 건조된 에어가 분사되거나, 히터의 복사열에 의해 가열되거나 함으로써 건조된 후, 앞서 서술한 바와 같이 사용된다.In a manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, is transported between devices installed in a factory in a state of being housed in a carrier called a Front-Opening Unified Pod (FOUP). The wafer taken out of the carrier by the transport mechanism in each apparatus is transported to a processing section for performing predetermined processing such as a film forming process or an etching process on the wafer. Therefore, the wafer that has undergone the predetermined process in one apparatus is returned to the carrier, is transported to another apparatus, and is subjected to the next predetermined process. Usually, the above-mentioned carrier is used as described above after being cleaned with a cleaning liquid such as pure water, and then dried by spraying dried air at a predetermined temperature or by heating by radiant heat of the heater.

그러나, 상기한 바와 같이 웨이퍼가 장치 사이에서 반송되어 처리를 받는 것에 있어서, 장치 내에서 수분 및 유기물 등의 휘발성 유기 오염 물질(이하, 오염 물질이라고 기재함)이 웨이퍼에 부착되는 경우가 있다. 그리고, 이 웨이퍼가 캐리어 내로 복귀되면, 이 수분 및 오염 물질이 캐리어의 내벽이나 캐리어를 구성하는 가스킷의 표면이나 내부에 흡착되어 버린다. 그 후, 웨이퍼에 부착된 수분 및 오염 물질은, 웨이퍼가 장치 사이에서 반송되는 동안에 가열 처리 등의 처리를 받음으로써 제거되는 경우가 있지만, 캐리어 내에 있어서는 수분 및 오염 물질이 잔류된 상태 그대로이다.However, as described above, volatile organic contaminants (hereinafter referred to as contaminants) such as water and organic substances may adhere to the wafer in the apparatus when the wafer is transported between the apparatuses and treated. When the wafer is returned to the carrier, the moisture and contaminants are adsorbed on the inner wall of the carrier or on the surface or inside of the gasket constituting the carrier. Thereafter, the moisture and contaminants adhering to the wafer may be removed by being subjected to a treatment such as heat treatment while the wafer is being transported between the apparatuses, but moisture and contaminants remain in the carrier.

그리고 캐리어의 주위의 환경의 변화에 따라, 수분 및 오염 물질은 흡착된 캐리어의 각 부로부터 가스로서 방출되어, 캐리어 내의 웨이퍼 표면에 있어서 서로 작용하여, 유기물인 오염 물질이 수분에 용해된 상태로 됨으로써 미소한 파티클을 발생한다. 즉, 이와 같이 물 및 오염 물질로부터 발생하는 파티클에 의해 웨이퍼가 오염되어 버려, 반도체 디바이스의 수율이 저하되어 버릴 우려가 있다. 특허문헌 1에는, 캐리어가 적재되는 스토커가 설치되는 영역을 퍼지하는 기술에 대해 기재되어 있지만, 상기한 문제를 해결하는 방법에 대해서는 나타나 있지 않다.In accordance with the change of the environment around the carrier, the moisture and contaminants are released as gases from the respective parts of the adsorbed carrier and interact with each other on the surface of the wafer in the carrier, so that the contaminant, organic matter, It generates minute particles. In other words, the wafer is contaminated by particles generated from water and contaminants as described above, and the yield of semiconductor devices may be lowered. Patent Document 1 discloses a technique for purging a region where a stocker on which a carrier is loaded is provided, but a method for solving the above problem is not disclosed.

일본 특허 공개 제2016-21429호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-21429

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것이며, 그 목적은, 기판 처리부에서 처리 완료된 기판이 캐리어 내에 수납된 후에, 당해 캐리어 내에 포함되는 이물에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a technique capable of preventing contamination by a foreign matter contained in the carrier after the substrate processed in the substrate processing section is housed in the carrier.

본 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 수납된 캐리어가 적재되는 스테이지와,A substrate processing apparatus of the present invention includes a stage having a carrier on which a substrate is placed,

상기 기판을 처리하기 위한 기판 처리부와,A substrate processing unit for processing the substrate;

상기 스테이지에 적재된 상기 캐리어와 상기 기판 처리부 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와,A substrate transport mechanism for transporting the substrate between the carrier and the substrate processing section mounted on the stage,

상기 기판이 반출된 상태의 상기 캐리어를, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 당해 캐리어에 반입할 때의 당해 기판의 온도보다 높은 온도로 가열하는 캐리어 가열 기구와,A carrier heating mechanism which heats the carrier in a state in which the substrate is taken out to a temperature higher than a temperature of the substrate when the substrate processed in the substrate processing section is carried into the carrier,

상기 캐리어 가열 기구에 의해 가열되는 상기 캐리어의 내부의 가스를 당해 캐리어의 외측으로 유출시키기 위한 가스 유출 기구를And a gas outlet mechanism for discharging the gas inside the carrier heated by the carrier heating mechanism to the outside of the carrier

구비하는 것을 특징으로 한다..

본 발명의 기판 처리 방법은, 내부에 기판이 수납된 캐리어를 스테이지에 적재하는 공정과,A substrate processing method of the present invention includes a step of loading a carrier, on which a substrate is housed,

기판 반송 기구에 의해 상기 기판을, 상기 캐리어로부터 당해 기판을 처리하는 기판 처리부로 반출하는 반출 공정과,A carrying-out step of carrying out the substrate from the carrier to a substrate processing section for processing the substrate by a substrate carrying mechanism;

상기 기판 반송 기구에 의해, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 상기 캐리어로 반입하는 반입 공정과,A carrying-in step of bringing the substrate, which has been processed by the substrate processing section, into the carrier by the substrate carrying mechanism;

상기 반출 공정 후, 상기 반입 공정이 행해지기 전에 상기 기판이 반출된 상태의 상기 캐리어를, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 당해 캐리어로 반입할 때의 당해 기판의 온도보다 높은 온도로 가열하는 캐리어 가열 공정과,A carrier heating step of heating the carrier in a state in which the substrate is carried out before the carrying-in step is performed to a temperature higher than the temperature of the substrate when carrying the substrate processed in the substrate processing part into the carrier; The process,

상기 캐리어 가열 공정에 의해 가열되는 상기 캐리어의 내부의 가스를 당해 캐리어의 외측으로 유출시키는 공정을A step of discharging the gas inside the carrier heated by the carrier heating step to the outside of the carrier

구비하는 것을 특징으로 한다..

본 발명의 기억 매체는, 기판이 수납된 캐리어가 적재되는 스테이지와, 상기 기판을 처리하는 기판 처리부 사이에서 기판이 반송되어 처리가 행해지는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,A storage medium according to the present invention is a storage medium storing a computer program used for a substrate processing apparatus in which a substrate is transported between a stage on which a carrier containing a substrate is placed and a substrate processing section for processing the substrate,

상기 컴퓨터 프로그램은, 본 발명의 기판 처리 방법을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.The computer program is characterized in that step groups are arranged to execute the substrate processing method of the present invention.

본 발명에 따르면, 기판이 반출된 상태의 캐리어를, 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 당해 캐리어로 반입할 때의 당해 기판의 온도보다 높은 온도로 가열하고, 이 가열 시의 캐리어의 내부의 가스를 당해 캐리어의 외측으로 유출시킨다. 그것에 의해 기화된 캐리어 내의 이물이 제거되므로, 캐리어 내에 수납된 기판이 당해 이물에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, the carrier in a state in which the substrate is taken out is heated to a temperature higher than the temperature of the substrate when the substrate processed in the substrate processing unit is carried into the carrier, and the gas inside the carrier And flows out to the outside of the carrier. As a result, foreign substances in the carrier vaporized are removed, so that the substrate housed in the carrier can be prevented from being contaminated by the foreign matter.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 성막 장치에 설치되는 덮개 개폐 기구의 측면도이다.
도 3은 상기 성막 장치에 의한 처리 공정을 도시하는 설명도이다.
도 4는 상기 성막 장치에 의한 처리 공정을 도시하는 설명도이다.
도 5는 상기 성막 장치에 의한 처리 공정을 도시하는 설명도이다.
도 6은 상기 성막 장치에 의한 처리 공정을 도시하는 설명도이다.
도 7은 상기 성막 장치에 설치되는 캐리어의 스테이지의 종단 측면도이다.
도 8은 상기 성막 장치에 있어서의 캐리어 반입 반출 영역의 횡단 평면도이다.
도 9는 상기 성막 장치에 있어서의 캐리어의 가열 기구의 예를 도시하는 개략도이다.
도 10은 상기 성막 장치에 있어서의 격벽 및 스테이지의 종단 측면도이다.
도 11은 상기 성막 장치에 의한 다른 처리 공정을 도시하는 설명도이다.1 is a longitudinal side view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of a lid opening / closing mechanism provided in the film forming apparatus.
Fig. 3 is an explanatory view showing the process steps of the film forming apparatus. Fig.
Fig. 4 is an explanatory view showing the process steps of the film forming apparatus. Fig.
Fig. 5 is an explanatory view showing a process step of the film forming apparatus. Fig.
Fig. 6 is an explanatory view showing the process steps of the film forming apparatus. Fig.
7 is a longitudinal side view of a stage of a carrier provided in the film forming apparatus.
8 is a cross-sectional plan view of the carrier carry-in / carry-out region in the film forming apparatus.
9 is a schematic view showing an example of a heating mechanism of the carrier in the film forming apparatus.
10 is a longitudinal side view of the partition and the stage in the film forming apparatus.
Fig. 11 is an explanatory view showing another process step by the film forming apparatus. Fig.

본 발명의 기판 처리 장치 일 실시 형태인 성막 장치(1)에 대해 설명한다. 성막 장치(1)는, 공장 내에 있어서의 예를 들어 25℃로 온도 제어된 클린 룸 내에 설치되어 있다. 이 성막 장치(1)에는, 캐리어(C)에 수납된 상태에서 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 캐리어(C)는 FOUP이며, 대략 각형이며 전방측이 개구된 용기 본체(C1)와, 용기 본체(C1)에 대해 착탈 가능하고 당해 용기 본체(C1)의 전방측을 폐색하는 덮개(C2)에 의해 구성되어 있고, 덮개(C2)가 폐쇄된 상태에서 내부가 밀폐되고, 웨이퍼(W)를 그 내부에 다수 매 수납할 수 있다.The film forming apparatus 1 which is one embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described. The film forming apparatus 1 is installed in a clean room controlled at a temperature of, for example, 25 캜 in the factory. In this film forming apparatus 1, the wafer W is carried in a state of being housed in the carrier C. The carrier C is a FOUP and includes a container body C1 having a substantially rectangular shape and an open front side and a lid C2 which is detachable from the container body C1 and closes the front side of the container body C1, And the inside is closed in a state in which the cover C2 is closed, so that a large number of the wafers W can be housed therein.

성막 장치(1)는, 캐리어(C)로부터 취출된 웨이퍼(W)를 기판 처리부인 반응 용기(5) 내에 수납하여, 예를 들어 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 성막 처리한다. 그 성막 처리를 행하는 한편, 반응 용기(5)가 설치되고, CVD를 행함으로써 가열되는 실내의 가스를, 웨이퍼(W)를 반출 완료한 캐리어(C)에 공급하여 당해 캐리어(C)를 가열함과 함께 캐리어(C)의 덮개(C2)를 개방한다. 그것에 의해, 캐리어(C) 내의 각 부에 흡착되어 있는 수분 및 오염 물질 등의 이물을 기화시킴과 함께 캐리어(C) 내로부터 제거하는 청정화 처리를 행할 수 있도록 구성되어 있다.The film forming apparatus 1 accommodates the wafer W taken out from the carrier C in the reaction vessel 5 which is a substrate treating section and performs a film forming process by CVD (Chemical Vapor Deposition), for example. The gas in the room to be heated by the CVD process is supplied to the carrier C on which the wafer W has been removed and the carrier C is heated The cover C2 of the carrier C is opened. Thereby, it is constituted such that foreign substances such as moisture and contaminants adsorbed to the respective parts in the carrier C are vaporized and the cleaning treatment for removing the foreign substances from the carrier C can be performed.

이하, 도 1의 종단 측면도를 참조하면서, 성막 장치(1)의 구성을 설명한다. 도면 중 부호 11은, 각형의 하우징이다. 하우징(11) 내에는, 당해 하우징(11) 내를 전후 방향으로 구획하는 수직 구획벽과, 하우징(11) 내를 상하 방향으로 구획하는 수평 구획벽이 설치되어 있다. 구획 부재인 하우징(11), 수직 구획벽 및 수평 구획벽에 의해 서로 구획된 캐리어 반입 반출 영역(12), 캐리어 대기 영역(13), 웨이퍼 반송 영역(14) 및 상기한 반응 용기(5)가 설치되는 반응 용기 설치 영역(15)이 형성되어 있다. 캐리어 반입 반출 영역(12), 웨이퍼 반송 영역(14)이 각각 전방, 후방에 위치하고 있고, 캐리어 반입 반출 영역(12), 웨이퍼 반송 영역(14)의 상방에, 캐리어 대기 영역(13), 반응 용기 설치 영역(15)이 각각 위치하고 있다. 이들 각 영역(12∼15)은 하우징(11) 내에 형성됨으로써, 하우징(11)의 외측 영역으로부터 구획되어 있다.Hereinafter, the configuration of the film forming apparatus 1 will be described with reference to the longitudinal side view of Fig. Reference numeral 11 in the drawings denotes a rectangular housing. The housing 11 is provided with a vertical partition wall partitioning the interior of the housing 11 in the front and rear direction and a horizontal partition wall partitioning the interior of the housing 11 in the vertical direction. A carrier waiting area 13, a wafer carrying area 14 and the reaction vessel 5 described above are partitioned by a housing 11 as a partition member, a vertical partition wall and a horizontal partition wall, A reaction vessel mounting region 15 is formed. The carrier transfer area 14 and the carrier transfer area 14 are located at the front and rear sides of the carrier transfer area 12 and the wafer transfer area 14, And an installation area 15, respectively. These regions 12 to 15 are formed in the housing 11 so as to be partitioned from the outer region of the housing 11. [

상기한 수직 구획벽에 대해, 캐리어 반입 반출 영역(12)과 웨이퍼 반송 영역(14)을 구획하는 하방측의 부위를 하방 구획벽(16), 캐리어 대기 영역(13)과 반응 용기 설치 영역(15)을 구획하는 상방측의 부위를 상방 구획벽(17)으로 한다. 상기한 수평 구획벽에 대해, 캐리어 반입 반출 영역(12)과 캐리어 대기 영역(13)을 구획하는 전방측의 부위를 전방 구획벽(18), 웨이퍼 반송 영역(14)과 반응 용기 설치 영역(15)을 구획하는 후방측의 부위를 후방 구획벽(19)으로 한다. 캐리어 반입 반출 영역(12), 캐리어 대기 영역(13) 및 반응 용기 설치 영역(15)의 반응 용기(5)의 외측은 에어 분위기이며, 웨이퍼 반송 영역(14)은 이 예에서는 질소(N2) 가스 분위기이다. 단, 웨이퍼 반송 영역(14)에 대해서도 에어 분위기로 해도 된다.The lower part of the vertical partition wall defining the carrier carry-in / out area 12 and the wafer transfer area 14 is divided into a lower partition wall 16, a carrier waiting area 13 and a reaction vessel installation area 15 Is defined as the upper partition wall 17. [0050] The front side partitioning the carrier take-in and carry-out area 12 and the carrier waiting area 13 with respect to the horizontal partition wall is referred to as a front partition wall 18, a wafer transfer area 14 and a reaction vessel installation area 15 Is defined as a rear partition wall 19. The rear partition wall 19 is a rear partition wall. The outside of the reaction vessel 5 in the carrier loading / unloading area 12, the carrier waiting area 13 and the reaction vessel mounting area 15 is an air atmosphere, and the wafer transferring area 14 is made of nitrogen (N 2 ) It is a gas atmosphere. However, an air atmosphere may be used for the wafer transfer region 14 as well.

우선, 캐리어 반입 반출 영역(12)에 대해 설명한다. 도면 중 부호 21은, 캐리어 반송구이며, 하우징(11)의 전방측의 측벽에 있어서 캐리어 반입 반출 영역(12)에 개구되도록 형성되어 있다. 캐리어 반입 반출 영역(12)에 있어서는 전방측, 후방측에 각각 캐리어(C)가 적재되는 전방측 캐리어 스테이지(22), 후방측 캐리어 스테이지(23)가 설치되어 있다. 하우징(11)의 외부에 설치되는 도시하지 않은 캐리어 반송 기구가, 캐리어 반송구(21)를 통해 전방측 캐리어 스테이지(22)에 대해 캐리어(C)를 전달함으로써, 캐리어(C)가 캐리어 반입 반출 영역(12)에 대해 반입 반출된다. 후방측 캐리어 스테이지(23)는 웨이퍼(W)를 반송하기 위해 하방 구획벽(16)에 개구된 웨이퍼 반송구(24)의 에지부에 캐리어(C)의 전방면의 에지부가 압박되도록 당해 캐리어(C)를 적재할 수 있도록 구성되어 있다.First, the carrier carry-in / out area 12 will be described. Reference numeral 21 in the drawing denotes a carrier transporting port and is formed so as to open in the carrier carry-in / carry-out region 12 on the side wall on the front side of the housing 11. [ In the carrier carry-in / out area 12, a front side carrier stage 22 and a rear side carrier stage 23 on which the carrier C is mounted are provided on the front side and the rear side, respectively. A carrier transporting mechanism (not shown) provided outside the housing 11 transfers the carrier C to the front-side carrier stage 22 through the carrier transporting opening 21 so that the carrier C carries out the carrier carrying- Area 12 as shown in Fig. The rear side carrier stage 23 moves the carrier C in such a manner that the edge portion of the front side of the carrier C is pressed against the edge portion of the wafer transport opening 24 opened in the lower partition wall 16 for transporting the wafer W C) to be mounted.

도면 중 부호 25는, 전방 구획벽(18)에 개구된 캐리어 반송구이며, 캐리어 반입 반출 영역(12)에는, 당해 캐리어 반송구(25)를 개폐하는 셔터(26)가 설치되어 있다. 후술하는 바와 같이 캐리어 반송구(25)를 통해 캐리어 반입 반출 영역(12)에 에어가 공급되고, 캐리어 반입 반출 영역(12)에는 이 에어를 배기하는 배기구가 설치되지만, 도시는 생략하고 있다.Reference numeral 25 in the drawing denotes a carrier transporting opening opened to the front partitioning wall 18 and a shutter 26 for opening and closing the carrier transporting opening 25 is provided in the carrier transporting / Air is supplied to the carrier carry-in / carry-out region 12 through the carrier transporting opening 25, and an air vent for discharging the air is provided in the carrier carry-in and carry-out region 12, but the illustration is omitted.

계속해서, 캐리어 대기 영역(13)에 대해 설명한다. 이 캐리어 대기 영역(13)의 전방측, 후방측에는 캐리어(C)를 대기시키기 위해 적재하는 대기용 캐리어 스테이지(31)가 각각, 상하로 3단으로 설치되어 있다. 도면 중 부호 32는, 캐리어 반송 기구이며, 승강하여 캐리어 반송구(25)를 통해 캐리어 반입 반출 영역(12)과 캐리어 대기 영역(13) 사이를 이동할 수 있다. 도 2의 측면도도 참조하면서 설명하면, 캐리어 반송 기구(32)는 본체부(33)와, 기단부가 본체부(33)에 접속된 다관절 아암(34)을 구비하고 있고, 다관절 아암(34)의 선단부에는 캐리어 보유 지지부(35)가 설치되어 있다. 캐리어(C)는 이 캐리어 보유 지지부(35)에 의해 보유 지지되어, 전방측 캐리어 스테이지(22)와 후방측 캐리어 스테이지(23)와 대기용 캐리어 스테이지(31) 사이에서 전달된다.Next, the carrier waiting area 13 will be described. On the front side and the rear side of the carrier waiting area 13, there are provided three stages of an air carrier stage 31 which are stacked for waiting the carrier C, respectively. Reference numeral 32 in the drawing denotes a carrier transport mechanism which can move between the carrier carry-in / carry-out region 12 and the carrier waiting region 13 through the carrier lifting and lowering mechanism. 2, the carrier transport mechanism 32 includes a body portion 33 and a multi-articulated arm 34 having a base portion connected to the body portion 33. The multi-articulated arm 34 Is provided with a carrier holding portion 35 at the tip end thereof. The carrier C is held by the carrier holding portion 35 and is transmitted between the front side carrier stage 22 and the rear side carrier stage 23 and the atmosphere carrier stage 31.

또한 캐리어 반송 기구(32)는 가스 유출 기구를 이루고, 상기한 본체부(33)에는 다관절 아암(36)의 기단부가 접속되고, 다관절 아암(36)의 선단부에는 덮개 보유 지지부(37)가 설치된다. 덮개 보유 지지부(37)는, 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재된 캐리어(C)의 덮개(C2)를 탈착하기 위해 당해 덮개(C2)의 전방면의 키 구멍에 삽입되는 도시하지 않은 키를 구비하고 있고, 키 구멍에 삽입된 상태에서 당해 키를 회전시켜, 덮개(C2)와 캐리어(C)를 구성하는 용기 본체(C1) 사이에 있어서 결합이 형성된 상태와, 결합이 해제된 상태를 전환할 수 있다. 이 결합이 해제된 상태에서는, 덮개(C2)는 덮개 보유 지지부(37)에 보유 지지되고, 도 2에 도시한 바와 같이 용기 본체(C1)로부터 떼어낼 수 있다. 즉, 덮개 보유 지지부(37)는 캐리어(C)의 덮개 개폐 기구로서 구성되어 있다.The distal end of the multi-joint arm 36 is connected to the main body 33 and the lid holding part 37 is provided at the distal end of the multi- Respectively. The cover holding portion 37 is provided with a key (not shown) inserted into the key hole on the front face of the cover C2 to detach the cover C2 of the carrier C loaded on the standby carrier stage 31 And the key is rotated in a state that the key is inserted in the key hole so that the state in which the engagement is made between the lid C2 and the container body C1 constituting the carrier C, can do. In a state in which the engagement is released, the lid C2 is held by the lid holding portion 37 and can be detached from the container body C1 as shown in Fig. That is, the lid holding portion 37 is configured as a lid opening and closing mechanism of the carrier C.

도 1로 되돌아가 캐리어 대기 영역(13)의 설명을 계속하면, 캐리어 대기 영역(13)의 천장부에는 배관(41A)의 일단부가 개구되어 있고, 배관(41A)의 타단부는 하우징(11)의 외부에서 상기한 클린 룸 내에 개구되어 있다. 배관(41A)에는, 당해 배관(41A) 내의 유로를 개폐하는 댐퍼(42A)와 팬(43A)과 필터(44)가 일단부측(캐리어 대기 영역(13)측)을 향해 이 순서로 개재 설치되어 있고, 댐퍼(42A)에 의해 당해 배관(41A) 내의 유로(제2 접속로)가 개방된 상태에서 팬(43A)이 동작함으로써, 하우징(11)의 외부에 있어서의 클린 룸 내의 에어가 필터(44)에 의해 청정화되어 캐리어 대기 영역(13)에 공급된다. 댐퍼(42A)와 팬(43A)은, 후술하는 바와 같이 캐리어(C)를 냉각하기 위한 냉각 가스 공급 기구를 이룬다. 필터(44)에 대해서는, 예를 들어 케미컬 필터(45), ULPA 필터(Ultra Low Penetration Air Filter)(46)가, 상기한 배관(41A) 내의 가스류 하류측을 향해 이 순서로 배치됨으로써 구성되어 있다. 즉, 필터(44)는, 2종류의 필터에 의해 구성되어 있다. 케미컬 필터(45)는 유기 가스나 이온상 가스를 제거하기 위한 필터이고, ULPA 필터(46)는 파티클을 제거하기 위한 필터이다.1, one end of the pipe 41A is opened at the ceiling portion of the carrier waiting area 13 and the other end of the pipe 41A is opened at the other end of the housing 11 And is opened in the clean room from the outside. The pipe 41A is provided with a damper 42A and a fan 43A for opening and closing the flow path in the pipe 41A and a filter 44 interposed in this order toward one end side (the side of the carrier waiting area 13) The air in the clean room outside the housing 11 flows into the filter 43A through the damper 42A while the fan 43A operates in a state in which the flow path (second connection path) in the pipe 41A is opened by the damper 42A. 44 and supplied to the carrier waiting area 13. [ The damper 42A and the fan 43A constitute a cooling gas supply mechanism for cooling the carrier C as described later. For example, a chemical filter 45 and a ULPA filter (Ultra Low Penetration Air Filter) 46 are arranged in this order toward the downstream side of the gas flow in the pipe 41A as to the filter 44 have. That is, the filter 44 is composed of two kinds of filters. The chemical filter 45 is a filter for removing an organic gas or ion-phase gas, and the ULPA filter 46 is a filter for removing particles.

계속해서, 반응 용기 설치 영역(15)에 대해 설명한다. 상기한 반응 용기(5)는 후방 구획벽(19)으로부터 상방으로 신장되도록 종형의 원형으로 구성되어 있고, 반응 용기(5)의 내부에는 세로로 긴 처리 공간이 형성되어 있다. 반응 용기(5)의 하단부에는 상기한 처리 공간에 연통되는 개구부(51)가 웨이퍼 반송 영역(14)에 개구되도록 형성되어 있다. 반응 용기(5)의 외측에는 당해 반응 용기(5)의 측방을 둘러싸도록, 상기한 처리 공간을 가열하는 발열체인 히터(52)가 설치되어 있다. 도면 중 부호 53은 단열재이며, 히터(52) 및 반응 용기(5)를 둘러싸도록 기립된 통 형상으로 형성되고, 당해 단열재(53)의 외측 영역에 있어서의 온도가 지나치게 높아지는 것을 방지하고 있다.Next, the reaction container mounting area 15 will be described. The reaction vessel 5 is formed in a vertically circular shape so as to extend upward from the rear partition wall 19. A longitudinally long processing space is formed inside the reaction vessel 5. [ An opening 51 communicating with the processing space is formed in the lower end of the reaction vessel 5 so as to open in the wafer transfer region 14. On the outside of the reaction vessel 5, there is provided a heater 52 which is a heating element for heating the above-mentioned processing space so as to surround the side of the reaction vessel 5. In the figure, reference numeral 53 denotes a heat insulator. The heat insulator 53 is formed in a cylindrical shape standing up to surround the heater 52 and the reaction vessel 5, and prevents the temperature in the outer region of the heat insulator 53 from becoming excessively high.

반응 용기(5)에 대해 설명하면, 당해 반응 용기(5) 내에는 도시하지 않은 배기구가 개구되어 있어, 후술하는 바와 같이 개구부(51)가 폐쇄된 상태에서 배기가 행해짐으로써, 반응 용기(5) 내의 처리 공간을 소정의 압력의 진공 분위기로 할 수 있다. 또한, 반응 용기(5) 내에는, 성막용 처리 가스를 처리 공간에 공급하는 도시하지 않은 가스 인젝터가 설치되어 있다. 처리 공간이 진공 분위기로 된 상태에서, 히터(52)에 의해 당해 처리 공간에 수납된 웨이퍼(W)가 가열됨과 함께 당해 가스 인젝터로부터 성막 가스가 공급됨으로써 CVD가 행해져, 예를 들어 실리콘 등의 성막 가스의 종류에 따른 막이 웨이퍼(W)에 형성된다.The reaction vessel 5 is provided with an exhaust port which is not shown in the figure so that the reaction vessel 5 is evacuated in a state where the opening 51 is closed as described later, It is possible to set the processing space in the vacuum atmosphere at a predetermined pressure. In the reaction vessel 5, a gas injector (not shown) for supplying a processing gas for film formation to the processing space is provided. The wafer W stored in the processing space is heated by the heater 52 in a state in which the processing space is in a vacuum atmosphere and CVD is performed by supplying the deposition gas from the gas injector to form a film such as silicon A film corresponding to the kind of gas is formed on the wafer W.

또한, 하우징(11)의 후방측의 측벽에는 배관(41B)이 설치되고, 배관(41B)의 일단부는 반응 용기 설치 영역(15)에 있어서 단열재(53)에 둘러싸이는 영역의 외측에 개구되어 있다. 그리고, 배관(41B)의 타단부는 하우징(11)의 외부에 개구되고, 공장의 배기 설비를 이루는 배기로에 접속되어 있다. 배관(41B)에는, 팬(43B), 당해 배관(41B) 내의 유로를 개폐하는 댐퍼(42B)가 일단부측(반응 용기 설치 영역(15)측)을 향해 이 순서로 개재 설치되어 있다. 댐퍼(42B)에 의해 당해 배관(41B) 내의 유로가 개방된 상태에서 팬(43B)이 동작하고, 히터(52)에 의해 가열되는 반응 용기 설치 영역(15)의 분위기를 형성하는 에어가 하우징(11)의 외부로 배출됨으로써, 당해 반응 용기 설치 영역(15)의 과잉의 온도 상승이 억제된다.A pipe 41B is provided on the side wall on the rear side of the housing 11 and one end of the pipe 41B is opened outside the region surrounded by the heat insulating material 53 in the reaction container mounting area 15 . The other end of the pipe 41B opens to the outside of the housing 11 and is connected to an exhaust passage constituting exhaust equipment of the factory. A fan 43B and a damper 42B for opening and closing the flow path in the pipe 41B are provided in this order in the piping 41B toward one end side (reaction container mounting area 15 side). The fan 43B operates in a state in which the channel in the pipe 41B is opened by the damper 42B and air that forms the atmosphere of the reaction container mounting area 15 heated by the heater 52 flows into the housing 11, thereby preventing the excessive increase in the temperature of the reaction vessel mounting region 15.

또한, 상방 구획벽(17)에 있어서 배관(41C, 41D)이 설치되어 있고, 이들 배관(41C, 41D)의 각 일단부가, 반응 용기 설치 영역(15)의 단열재(53)에 의해 둘러싸이는 영역의 외측에 개구되어 있다. 배관(41C)의 타단부는, 캐리어 대기 영역(13)의 천장부 부근에서 각 캐리어(C)가 적재되는 영역보다 상방의 위치에 개구되어 있고, 당해 배관(41C)에는, 당해 배관(41C) 내의 유로(제1 접속로)를 개폐하는 댐퍼(42C)와 팬(43C)과 필터(44)가 타단부측(캐리어 대기 영역(13)측)을 향해 이 순서로 개재 설치되어 있다. 댐퍼(42C)에 의해 당해 배관(41C) 내의 유로가 개방된 상태에서 팬(43C)이 동작하고, 반응 용기 설치 영역(15)의 에어가 배관(41C)의 타단부를 향해 공급되고, 필터(44)에 의해 청정화되어, 캐리어 대기 영역(13)에 공급된다. 필터(44)는, 상기한 바와 같이 케미컬 필터(45)와, ULPA 필터(46)에 의해 구성되어 있고, 배관(41C) 내에 있어서의 가스류의 상류측, 하류측에 케미컬 필터(45), ULPA 필터(46)가 각각 설치되어 있다. 댐퍼(42C), 팬(43C)은, 가열된 가스를 캐리어(C)에 공급하는 가열 유체 공급 기구를 이루고, 상기한 히터(52)와 함께 캐리어 가열 기구를 구성한다.The upper partition wall 17 is provided with piping 41C and 41D and one end of each of the piping 41C and 41D is surrounded by a region surrounded by the heat insulating material 53 of the reaction vessel installation region 15 As shown in Fig. The other end of the pipe 41C is opened at a position above a region where each carrier C is loaded in the vicinity of the ceiling portion of the carrier waiting area 13 and the pipe 41C is provided with a pipe 41C A damper 42C for opening and closing the flow path (first connection path), a fan 43C and a filter 44 are disposed in this order toward the other end side (the carrier waiting area 13 side). The fan 43C operates in a state in which the flow path in the pipe 41C is opened by the damper 42C and the air in the reaction container mounting region 15 is supplied toward the other end of the pipe 41C, 44, and is supplied to the carrier waiting area 13. [ The filter 44 is constituted by the chemical filter 45 and the ULPA filter 46 as described above and the chemical filter 45 and the chemical filter 45 are provided on the upstream side and the downstream side of the gas flow in the pipe 41C, And a ULPA filter 46 are provided. The damper 42C and the fan 43C constitute a heating fluid supply mechanism for supplying the heated gas to the carrier C and constitute a carrier heating mechanism together with the heater 52 described above.

배관(41D)의 타단부는, 캐리어 대기 영역(13)의 저부 부근에서 각 캐리어(C)가 적재되는 영역보다 하방의 위치에 개구되어 있고, 당해 배관(41D)에는 팬(43D)과 당해 배관(41D) 내의 유로를 개폐하는 댐퍼(42D)가 타단부측(캐리어 대기 영역(13)측)을 향해 이 순서로 개재 설치되어 있고, 댐퍼(42D)에 의해 당해 배관(41D) 내의 유로가 개방된 상태에서 팬(43C)이 동작하여, 캐리어 대기 영역(13)의 에어를 반응 용기 설치 영역(15)으로 공급한다. 또한, 이상의 배관(41A∼41D)의 각 팬(43A∼43D)은, 예를 들어 성막 장치(1)에 있어서의 처리 중에는 상시 동작하고 있고, 댐퍼(42A∼42D)의 개폐에 의해, 이들 배관(41A∼41D)에 있어서의 가스의 유통과 유통의 정지가 전환된다.The other end of the pipe 41D is opened at a position below the area where each carrier C is loaded in the vicinity of the bottom of the carrier waiting area 13. The pipe 41D is provided with a fan 43D, A damper 42D for opening and closing a flow path in the pipe 41D is provided in this order toward the other end side (the side of the carrier waiting area 13), and the flow path in the pipe 41D is opened by the damper 42D The fan 43C operates to supply the air in the waiting area for the carrier 13 to the reaction container mounting area 15. [ The fans 43A to 43D of the pipings 41A to 41D operate at all times during the processing in the film forming apparatus 1 and by opening and closing the dampers 42A to 42D, The flow of the gas and the stop of the circulation of the gas in the first to fourth flow paths 41A to 41D are switched.

계속해서, 웨이퍼 반송 영역(14)에 대해 설명한다. 도면 중 부호 61은 도어이며, 캐리어 반송 기구(32)의 덮개 보유 지지부(37)와 마찬가지로 키(도시는 생략하고 있음)를 구비하고 있다. 그리고 도어(61)는, 앞서 서술한 바와 같이 하방 구획벽(16)에 압박된 상태에서 후방측 캐리어 스테이지(23)에 적재되는 캐리어(C)에 대해 웨이퍼 반송구(24)를 통해 상기한 키에 의해 덮개(C2)를 탈착하고, 덮개(C2)를 보유 지지한 상태에서 상하 방향으로 이동함으로써 당해 웨이퍼 반송구(24)의 개폐를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 이와 같이 도어(61)도 캐리어(C)의 덮개 개폐 기구를 이룬다.Next, the wafer transfer region 14 will be described. In the figure, reference numeral 61 denotes a door and has a key (not shown) similar to the lid holding portion 37 of the carrier transport mechanism 32. As described above, the door 61 is pressed against the carrier C loaded on the rear side carrier stage 23 in a state of being pressed against the lower partition wall 16 via the wafer transfer opening 24, The cover C2 is detached from the cover C2 and moved in the vertical direction while holding the cover C2 to open and close the wafer transfer opening 24. [ Thus, the door 61 also constitutes a cover opening / closing mechanism for the carrier (C).

도면 중 부호 6은 웨이퍼 보트이며, 다수 매의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 다수 설치된 지지부 상에 적재하여 선반 형상으로 보유 지지하는 기판 유지구를 이룬다. 도면 중 부호 D는 더미 웨이퍼이며, 웨이퍼(W)와 마찬가지인 형상을 갖고 있다. 더미 웨이퍼(D)는, 예를 들어 웨이퍼 보트(6)의 상부측 및 하부측에 있어서 수 매씩, 웨이퍼(W)와 마찬가지로 당해 웨이퍼 보트(6)에 착탈 가능하게 보유 지지되고, 웨이퍼(W)와 함께 반응 용기(5) 내에 반입되어 처리된다. 이 더미 웨이퍼(D)는, 웨이퍼 보트(6)에 탑재되는 웨이퍼(W) 사이에서 처리 가스의 흐름을 균일화하는 역할을 갖고 있고, 반도체 디바이스의 제조를 목적으로 하지 않는 더미 기판이다.In the figure, reference numeral 6 denotes a wafer boat, which is a substrate holder for holding a plurality of wafers W in a rack shape by being stacked on a support portion provided in a plurality of up and down directions. In the drawing, reference character D denotes a dummy wafer having a shape similar to that of the wafer W. The dummy wafer D is detachably held on the wafer boat 6 in the same manner as the wafer W on the upper and lower sides of the wafer boat 6, And is processed into the reaction vessel 5 and processed. This dummy wafer D is a dummy substrate which has a role of uniformizing the flow of the processing gas between the wafers W mounted on the wafer boat 6 and not for the purpose of manufacturing semiconductor devices.

도면 중 부호 62는 이동 탑재용 보트 스테이지이며, 상기한 후방측 캐리어 스테이지(23)에 적재되는 캐리어(C)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 이동 탑재를 행하기 위해, 앞서 서술한 웨이퍼 보트(6)가 적재된다. 도면 중 부호 63은 이 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 웨이퍼 반송 기구(기판 반송 기구)이며, 승강 가능하고 또한 연직축 주위로 회전 가능한 베이스와, 베이스 위를 진퇴 가능한 웨이퍼(W)의 이면 보유 지지부를 구비한다. 도면 중 부호 64는 승강함으로써 상기한 반응 용기(5)의 개구부(51)를 하방으로부터 개폐하는 덮개이다. 도면 중 부호 65는 웨이퍼 보트(6)를 반응 용기(5)에 대해 반입하기 위해 적재하는 반입용 보트 스테이지이며, 덮개(64) 상에 설치된다. 즉, 덮개(64)의 승강에 의해, 웨이퍼 보트(6)의 반응 용기(5)에 대한 반입 반출과 반응 용기(5)의 개구부(52)의 개폐가 모두 행해진다.Reference numeral 62 in the drawing denotes a boat stage for mobile loading and is a boat stage for moving the wafer boat 6 (described above) for carrying the wafer W between the carrier stage C and the carrier C mounted on the rear- ) Is loaded. Reference numeral 63 in the drawing denotes a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) for transferring the wafer W, and includes a base capable of being raised and lowered and rotatable around a vertical axis, Respectively. In the figure, reference numeral 64 denotes a lid which opens and closes the opening 51 of the reaction vessel 5 from below by raising and lowering. In the figure, reference numeral 65 denotes a carry-in boat stage for loading the wafer boat 6 into the reaction vessel 5, and is mounted on the cover 64. [ In other words, both the lifting and lowering of the lid 64 allow the wafer boat 6 to carry in and out of the reaction vessel 5 and open and close the opening 52 of the reaction vessel 5.

도면 중 부호 66은, 이동 탑재용 보트 스테이지(62)와 반입용 보트 스테이지(65) 사이에서 웨이퍼 보트(6)를 반송할 수 있도록 관절 아암을 구비한 보트 반송 기구이다. 이들 외에 웨이퍼 반송 영역(14)에는, 보트 반송 기구(66)에 의해 웨이퍼 보트(6)가 반송되는 웨이퍼 보트(6)의 대기용 스테이지나, 웨이퍼 반송 영역(14)에 N2 가스를 공급하여 N2 가스 분위기를 형성하기 위한 N2 가스 공급부, 웨이퍼 반송 영역(14)을 배기하는 배기구 등이 설치되지만, 도시는 생략한다.Reference numeral 66 in the drawing denotes a boat transporting mechanism provided with a joint arm for transporting the wafer boat 6 between the moving-stage boat stage 62 and the carrying-in boat stage 65. In addition to these, a wafer stage 6 of the wafer boat 6 to which the wafer boat 6 is transported by the boat transport mechanism 66 and N 2 gas are supplied to the wafer transfer region 14 such as N 2 N 2 gas supply unit, an exhaust port for exhausting the wafer transfer area 14, for forming a gas atmosphere, but the installation, shown is omitted.

상기한 성막 장치(1)에는 컴퓨터인 제어부(10)가 설치되어 있고, 당해 제어부(10)에는 프로그램이 포함된다. 이 프로그램에는, 성막 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내, 후술하는 캐리어(C)의 반송, 웨이퍼(W)의 반송, 웨이퍼(W)에의 성막 처리 및 캐리어(C) 내의 청정화 처리가 진행되도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 이 프로그램은, 기억 매체, 예를 들어 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 등에 저장되어 제어부(10)에 인스톨된다.The above-described film forming apparatus 1 is provided with a control unit 10 which is a computer, and the control unit 10 includes a program. In this program, a control signal is sent to each section of the film forming apparatus 1 to carry out carrier transport (C) to be described later, transport of the wafer W, film formation to the wafer W, Instructions (each step) are built in to proceed. This program is stored in a storage medium, for example, a compact disk, a hard disk, a memory card, or the like, and installed in the control section 10.

계속해서, 상기한 성막 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 성막 처리 및 캐리어(C) 내의 청정화 처리에 대해, 도 3∼도 6을 참조하면서 설명한다. 이 도 3∼도 6에서는 댐퍼(42A∼42D) 중, 폐쇄되어 있는 것과 개방되어 있는 것을 구별하기 위해, 폐쇄되어 있는 것에 사선을 부여하여 나타내고 있고, 또한 가스의 흐름을 실선의 화살표로 나타내고 있다. 또한 도시의 편의상, 도 4에서는 배관(41C)의 표시를 도 1보다 반응 용기 설치 영역(15) 부근에 도시하고 있다.Subsequently, a film forming process of the wafer W in the film forming apparatus 1 and a cleaning process in the carrier C will be described with reference to Figs. 3 to 6. Fig. In FIGS. 3 to 6, in order to distinguish between the closed and open ones of the dampers 42A to 42D, oblique lines are shown to be closed, and the flow of gas is indicated by solid arrows. For convenience of illustration, in FIG. 4, the display of the pipe 41C is shown in the vicinity of the reaction container installation area 15 as shown in FIG.

웨이퍼(W)의 처리를 행하기 위해 반응 용기(5) 내의 처리 공간이 소정의 온도, 예를 들어 300℃ 이상으로 되도록 히터(52)가 발열하여, 반응 용기 설치 영역(15)의 에어가 가열된다. 이때, 배관(41A, 41B)의 댐퍼(42A, 42B)는 개방되어 있고, 배관(41C, 41D)의 댐퍼(42C, 42D)는 폐쇄되어 있다. 또한, 캐리어 반송구(25)의 셔터(26)가 개방되어, 캐리어 반입 반출 영역(12)과 캐리어 대기 영역(13)이 연통되어 있다.The heater 52 generates heat so that the processing space in the reaction vessel 5 is heated to a predetermined temperature, for example, 300 占 폚 or more in order to perform the processing of the wafer W. The air in the reaction vessel mounting region 15 is heated do. At this time, the dampers 42A and 42B of the pipes 41A and 41B are opened and the dampers 42C and 42D of the pipes 41C and 41D are closed. Further, the shutter 26 of the carrier transporting opening 25 is opened, and the carrier loading / unloading area 12 and the carrier waiting area 13 are communicated with each other.

댐퍼(42A) 및 셔터(26)가 상기한 바와 같이 개방됨으로써, 하우징(11)의 외부의 클린 룸 내의 에어가 캐리어 대기 영역(13)의 천장 하부로 유입되고, 당해 캐리어 대기 영역(13)에 있어서 하강류를 형성하고, 캐리어 반송구(25)를 통해 캐리어 반입 반출 영역(12)으로 유입된 후, 도시하지 않은 반송구로부터 배기된다. 또한, 댐퍼(42B)가 상기한 바와 같이 개방됨으로써, 가열된 반응 용기 설치 영역(15)의 에어가, 배관(41B)을 통해 성막 장치(1)의 외부로 방출된다. 또한, 댐퍼(42C, 42D)가 상기한 바와 같이 폐쇄됨으로써, 반응 용기 설치 영역(15)과 캐리어 대기 영역(13) 사이에서는, 에어의 통류가 행해지고 있지 않다.The damper 42A and the shutter 26 are opened as described above so that the air in the clean room outside the housing 11 flows into the lower portion of the ceiling of the carrier waiting area 13, And flows into the carrier carry-in / carry-out region 12 through the carrier conveying opening 25, and then is exhausted from a conveying opening (not shown). Further, the damper 42B is opened as described above, whereby the air in the heated reaction container mounting area 15 is discharged to the outside of the film forming apparatus 1 through the pipe 41B. Also, since the dampers 42C and 42D are closed as described above, air is not communicated between the reaction container mounting area 15 and the carrier waiting area 13. [

이와 같이 성막 장치(1)의 각 부에 에어의 흐름이 형성된 상태에서, 캐리어(C)가 캐리어 반입 반출 영역(12)으로 반입되고, 전방측 캐리어 스테이지(22)를 통해 후방측 캐리어 스테이지(23)로 반송된다. 도어(61)에 의해 이 캐리어(C)의 덮개(C2)가 떼어진 후, 당해 캐리어(C)에 수납되어 있는 웨이퍼(W)가, 이동 탑재용 보트 스테이지(62)에 적재된 웨이퍼 보트(6)로 반송되어 보유 지지된다. 수납되어 있는 모든 웨이퍼(W)가 그렇게 웨이퍼 보트(6)로 반송되면, 덮개(C2)가 설치된 후에 캐리어(C)는, 캐리어 대기 영역(13)으로 반송되어, 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재된다. 이 캐리어(C)에 이어서 캐리어 반입 반출 영역(12)으로 반송된 캐리어(C)도 마찬가지로, 수납되어 있는 웨이퍼(W)가 모두 반출된 후, 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재된다(도 3).The carrier C is carried into the carrier carry-in and carry-out region 12 in the state where the air flow is formed in each portion of the film forming apparatus 1 and the rear carrier stage 23 . The cover C2 of the carrier C is detached by the door 61 and the wafer W accommodated in the carrier C is transferred to the wafer boat 6). The carrier C is transported to the carrier waiting area 13 and the carrier C is transported to the waiting carrier stage 31 after the lid C2 has been installed Is loaded. The carrier C conveyed to the carrier carry-in and carry-out region 12 following the carrier C is also carried on the carrier stage 31 for standby after all the stored wafers W are taken out ).

소정의 개수의 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 취출되어, 소정의 매수의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보트(6)에 보유 지지되면, 웨이퍼 보트(6)는 덮개(64) 상의 반입용 보트 스테이지(65)로 반송된다. 그리고 덮개(64)가 상승하여, 웨이퍼 보트(6)가 반응 용기(5) 내의 처리 공간에 수납됨과 함께 반응 용기(5)가 기밀하게 폐쇄된다. 히터(52)에 의해 웨이퍼(W)가 가열되어 소정의 온도로 됨과 함께 처리 공간이 소정의 압력의 진공 분위기로 된 후, 성막 가스가 공급되어, 웨이퍼(W)에 CVD에 의한 성막이 행해진다. 또한, 캐리어(C)로부터 취출될 때, 웨이퍼(W)에 수분 및 오염 물질 등의 이물이 부착되어 있어도, 이 이물에 대해서는 성막 처리에 의한 가열에 의해 기화됨으로써 웨이퍼(W)로부터 제거된다.The wafers W are taken out from the predetermined number of carriers C and a predetermined number of wafers W are held by the wafer boat 6, And is conveyed to the stage 65. The lid 64 is then lifted so that the wafer boat 6 is accommodated in the processing space in the reaction vessel 5 and the reaction vessel 5 is hermetically closed. The wafer W is heated to a predetermined temperature by the heater 52 and the processing space is set to a vacuum atmosphere of a predetermined pressure and then the film forming gas is supplied to perform film formation by CVD on the wafer W . Even if foreign substances such as moisture and contaminants adhere to the wafer W when the wafer W is taken out from the carrier C, the foreign matter is removed from the wafer W by vaporization by heating by the film forming process.

예를 들어, 이 성막 처리 중에, 캐리어 반송 기구(32)가 캐리어 대기 영역(13)에 위치하는 상태에서, 셔터(26)에 의해 캐리어 반송구(25)가 폐쇄되어, 캐리어 대기 영역(13)과 캐리어 반입 반출 영역(12)이 구획된다. 또한, 배관(41A)의 댐퍼(42A) 및 배관(41B)의 댐퍼(42B)가 폐쇄되어, 캐리어 대기 영역(13)으로의 하우징(11)의 외부로부터의 에어의 공급이 정지함과 함께, 반응 용기 설치 영역(15)으로부터 성막 장치(1)의 외부로의 가열된 에어의 방출이 정지한다. 이와 같이 댐퍼(42A, 42B)가 폐쇄되는 한편, 배관(41C, 41D)의 댐퍼(42C, 42D)가 개방되고, 반응 용기 설치 영역(15)에서 가열된 에어가 배관(41C)의 필터(44)에 의해 청정화되어 캐리어 대기 영역(13)의 상부에 공급됨과 함께, 캐리어 대기 영역(13)의 하부로부터 반응 용기 설치 영역(15)으로의 배기가 행해진다.For example, during this film forming process, the carrier transporting port 25 is closed by the shutter 26 in the state where the carrier transporting mechanism 32 is located in the carrier waiting area 13, And the carrier carry-in / out area 12 are partitioned. The damper 42A of the piping 41A and the damper 42B of the piping 41B are closed so that supply of air from the outside of the housing 11 to the carrier waiting area 13 is stopped, The discharge of the heated air from the reaction container mounting area 15 to the outside of the film forming apparatus 1 is stopped. The dampers 42A and 42B are closed and the dampers 42C and 42D of the pipes 41C and 41D are opened so that the air heated in the reaction container mounting area 15 flows through the filter 44 And is supplied to the upper portion of the carrier atmosphere region 13 and exhausted from the lower portion of the carrier atmosphere region 13 to the reaction vessel installation region 15. [

이 에어의 공급과 배기에 의해, 캐리어 대기 영역(13)의 각 캐리어(C)가 적재되는 영역에는 하강류가 형성되고, 이 하강류에 노출되어 캐리어(C)는 가열되고, 그 온도가 예를 들어 40℃∼80℃로 된다. 그렇게 가열됨으로써 캐리어(C) 내에서는 각 부에 흡착되어 있던 이물이 기화되어 당해 각 부로부터 이탈한 상태로 된다. 그리고, 이와 같이 캐리어(C)가 가열된 상태에서, 캐리어 반송 기구(32)에 의해 캐리어(C)의 덮개(C2)가 개방되어, 기화된 이물은 캐리어(C) 내로부터 유출되고, 당해 캐리어(C) 내에는 상기한 하강류를 이루는 청정한 에어가 유입된다. 즉, 캐리어(C) 내의 가스가, 청정한 에어로 치환된다(도 4). 그 후, 캐리어 반송 기구(32)는 캐리어(C)의 덮개(C2)를 폐쇄한다. 캐리어 대기 영역(13)에 대기하고 있는 모든 캐리어(C)에 대해, 차례로 상기한 덮개(C2)의 개폐가 행해지고, 덮개(C2)가 개방되었을 때에 캐리어(C) 내의 가스가 치환된다.By supplying and exhausting the air, a downflow is formed in the area where each of the carriers C in the carrier waiting area 13 is loaded, and the carrier C is exposed by this downflow, Lt; RTI ID = 0.0 > 40 C < / RTI > As a result of the heating, the foreign matter adsorbed to the respective portions in the carrier C is vaporized and separated from the respective portions. When the carrier C is thus heated, the lid C2 of the carrier C is opened by the carrier transport mechanism 32, and the vaporized foreign matter flows out from the carrier C, The clean air that forms the above-mentioned descending flow flows into the space C. That is, the gas in the carrier C is replaced with clean air (Fig. 4). Thereafter, the carrier transport mechanism 32 closes the cover C2 of the carrier C. The lid C2 is opened and closed in turn for all the carriers C waiting in the carrier waiting area 13 and the gas in the carrier C is displaced when the lid C2 is opened.

그 후, 캐리어 반송구(25)의 개방, 배관(41A)의 댐퍼(42A) 및 배관(41B)의 댐퍼(42B)의 개방 및 배관(41C)의 댐퍼(42C) 및 배관(41D)의 댐퍼(42D)의 폐쇄가 행해지고, 반응 용기 설치 영역(15)과 캐리어 대기 영역(13) 사이에 있어서의 에어의 유통이 정지하여, 다시 반응 용기 설치 영역(15)의 에어는 하우징(11)의 외부로 배출됨과 함께, 다시 클린 룸으로부터 공급된 에어에 의한 하강류가 캐리어 대기 영역(13)에 형성된다(도 5). 클린 룸의 온도는 가열된 캐리어(C)의 온도보다 낮기 때문에, 이 클린 룸으로부터 공급된 에어는 캐리어(C)를 냉각하는 냉각 가스로서 작용하여, 캐리어(C)의 온도가 빠르게 저하된다.Thereafter, the carrier carrier 25 is opened, the damper 42A of the pipe 41A and the damper 42B of the pipe 41B are opened, and the damper 42C of the pipe 41C and the damper 42C of the pipe 41D, The air in the reaction container mounting area 15 is shut off and the air in the reaction container mounting area 15 is stopped from flowing outside the housing 11 And a downward flow by the air supplied from the clean room is formed in the carrier waiting area 13 (Fig. 5). Since the temperature of the clean room is lower than the temperature of the heated carrier C, the air supplied from this clean room acts as a cooling gas for cooling the carrier C, and the temperature of the carrier C rapidly drops.

그리고 성막 처리가 종료되면, 반응 용기(5) 내의 처리 공간으로의 성막 가스의 공급이 정지됨과 함께 당해 처리 공간의 압력이 상승한 후, 덮개(64)가 하강하여, 웨이퍼 보트(6)가 웨이퍼 반송 영역(14)으로 반출되고, 웨이퍼 보트(6)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 영역(14)의 N2 가스 분위기에 노출되어 냉각된다. 그 후, 웨이퍼 보트(6)가 이동 탑재용 보트 스테이지(62)로 반송되는 한편, 캐리어 대기 영역(13)으로부터 내부가 청정화된 캐리어(C)가 후방측 캐리어 스테이지(23)로 반송되어, 덮개(C2)가 떼어진다. 그리고, 성막 완료된 웨이퍼(W)가 이 캐리어(C)로 반송되어 수납된다.When the film forming process is completed, the supply of the film forming gas to the processing space in the reaction vessel 5 is stopped and the pressure of the processing space is raised. Thereafter, the lid 64 is lowered, And the wafer W held by the wafer boat 6 is exposed to the N 2 gas atmosphere in the wafer transfer region 14 and cooled. Thereafter, the wafer boat 6 is transported to the boat stage for on-boarding 62 while the carrier C whose interior is cleaned from the carrier waiting area 13 is transported to the rear side carrier stage 23, (C2) is detached. Then, the formed wafer W is carried by the carrier C and stored.

이 수납되는 웨이퍼(W)의 온도보다, 상기한 캐리어 대기 영역(13)에 있어서 덮개(C2)가 개방된 상태에서 가열되었을 때의 캐리어(C)의 온도는 높다. 구체적으로, 캐리어(C)에 반입될 때의 웨이퍼(W) 온도가 40℃라고 하면, 상기한 덮개(C2)가 개방되었을 때에 가열된 캐리어(C)의 온도는 40℃보다 높은 온도가 된다. 이것은, 캐리어(C) 내에 수납되는 웨이퍼(W)의 열에 의해, 상기한 캐리어(C) 내의 청정화 처리 시에는 기화되지 않은 이물이 기화되어 웨이퍼(W)에 흡착되는 것을 방지하기 위해서이다. 또한, 이와 같이 캐리어(C) 내로부터의 이물의 기화를 방지할 수 있도록 가열 시의 캐리어(C)의 온도가 설정되기 때문에, 가열 시에 있어서 캐리어(C)의 내벽과 외벽에서 온도가 상이한 경우에는, 이 캐리어(C)의 온도라 함은, 내벽의 온도이다.The temperature of the carrier C when the lid C2 is heated in the above-described carrier waiting area 13 is higher than the temperature of the wafer W to be stored. Specifically, when the temperature of the wafer W at the time of bringing into the carrier C is 40 占 폚, the temperature of the carrier C heated when the lid C2 is opened becomes higher than 40 占 폚. This is to prevent foreign matter not vaporized from being vaporized and adsorbed on the wafer W by the heat of the wafer W housed in the carrier C during the above-described cleaning treatment in the carrier C. Further, since the temperature of the carrier C at the time of heating is set so as to prevent vaporization of foreign matter from the inside of the carrier C, when the temperature is different between the inner wall of the carrier C and the outer wall at the time of heating , The temperature of the carrier C is the temperature of the inner wall.

상기한 바와 같이 성막 완료된 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어(C)에는 덮개(C2)가 설치되고, 당해 캐리어(C)는, 전방측 캐리어 스테이지(22)를 통해 성막 장치(1)로부터 반출된다. 캐리어 대기 영역(13)에서 대기하고 있던 각 캐리어(C)에 대해 차례로, 앞서 서술한 후방측 캐리어 스테이지(23)로의 반송과, 성막 완료된 웨이퍼(W)의 수납과, 성막 장치(1)로부터의 반출이 행해진다(도 6).The cover C is provided with the carrier C in which the film W is placed as described above and the carrier C is carried out from the film forming apparatus 1 through the front side carrier stage 22 . The conveyance of the wafer W to the back side carrier stage 23 described above and the storage of the wafer W after completion of deposition are performed sequentially for each of the carriers C waiting in the carrier waiting area 13, (Fig. 6).

이 성막 장치(1)에 의하면, 수납되어 있던 웨이퍼(W)가 반응 용기(5)로 반송됨으로써 빈 상태로 캐리어 대기 영역(13)에서 대기하고 있는 캐리어(C)를, 당해 캐리어(C)로 복귀될 때의 성막 처리 완료된 웨이퍼(W)의 온도보다 높은 온도로 가열함과 함께 덮개(C2)를 개방한다. 그것에 의해, 수분 및 오염 물질 등을 포함하는 이물을 기화시킨 상태에서 캐리어(C) 내로부터 유출시켜 제거하여, 캐리어(C) 내가 청정화된다. 따라서, 반응 용기(5) 내에서 성막 처리된 웨이퍼(W)가 이 캐리어(C)로 복귀될 때, 이 웨이퍼(W)의 온도 이하의 온도에서 기화되는 이물은 당해 캐리어(C) 내에 남아 있지 않다. 그 때문에, 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키는 데 있어서, 당해 웨이퍼(W)가 이물에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 캐리어(C) 내가 청정화되어 있으므로, 이 성막 장치(1)에 있어서의 성막 처리의 후단의 각 처리를 행하는 장치로 당해 캐리어(C)가 반송된 후에도, 웨이퍼(W)가 이물에 오염되는 것을 억제할 수 있다.According to this film forming apparatus 1, the wafer W stored therein is transferred to the reaction vessel 5, whereby the carrier C waiting in the carrier waiting area 13 in an empty state is transferred to the carrier C The wafer W is heated to a temperature higher than the temperature of the wafer W subjected to film formation at the time of returning, and the lid C2 is opened. Thereby, the foreign matter including moisture and pollutants is discharged from the carrier C in a vaporized state, and the carrier C is cleaned. Therefore, when the wafer W subjected to film formation in the reaction vessel 5 is returned to the carrier C, the foreign matter to be vaporized at a temperature lower than the temperature of the wafer W remains in the carrier C not. Therefore, in returning the wafer W to the carrier C, it is possible to prevent the wafer W from being contaminated by foreign matter. Since the carrier C is cleaned, the wafer W is contaminated with foreign matter even after the carrier C is transported by the apparatus for performing each processing at the rear end of the film forming process in the film forming apparatus 1 Can be suppressed.

상기한 처리 예에서는 웨이퍼(W)의 성막 처리와, 캐리어(C) 내의 청정화 처리가 동시에 행해지고 있지만, 이것들은 서로 다른 타이밍에 행해져도 된다. 예를 들어 성막 처리가 종료되고, 웨이퍼 보트(6)가 반응 용기(5)로부터 반출되어 웨이퍼 반송 영역(14)에 있어서 웨이퍼(W)가 냉각되고 있는 동안에, 도 4에서 설명한 바와 같이 캐리어 대기 영역(13)으로의 가열된 에어의 공급과 캐리어(C)의 덮개(C2)의 개폐를 행하여, 캐리어(C)를 청정화하도록 해도 된다.Although the film forming process of the wafer W and the cleaning process in the carrier C are carried out at the same time in the above-described process example, they may be performed at different timings. For example, while the film forming process is finished and the wafer boat 6 is taken out of the reaction container 5 and the wafer W is being cooled in the wafer transfer region 14, The carrier C may be cleaned by supplying the heated air to the carrier 13 and opening and closing the cover C2 of the carrier C. [

그런데 캐리어(C) 내의 청정화 처리에 있어서, 캐리어(C)의 가열 온도를 높게 할수록 확실하게 이물을 기화할 수 있지만, 이 가열 온도가 지나치게 높으면 캐리어(C)의 내열 온도의 한계를 초과하여, 변형 등의 문제가 캐리어(C)에 발생할 우려가 있다. 또한, 이물이 되는 유기물이나 이온성 기체는 수화성(수용성)을 갖는다는 점에서, 캐리어(C)를 가열하여 수분을 캐리어(C)의 각 부로부터 이탈시킬 때, 이 수분에 용해되어 있는 유기물이나 이온성 기체에 대해서도 이탈시킬 수 있다고 생각된다. 즉, 이들 유기물이나 이온성 기체의 캐리어(C)의 각 부의 흡착 에너지는 비교적 낮고, 비교적 낮은 온도라도 이것들을 이탈시킬 수 있다고 생각된다. 또한, 상기한 캐리어(C)는 상기한 클린 룸 내에서 반송되므로, 비교적 높은 온도 환경에 노출될 우려는 적기 때문에, 비교적 높은 온도로 하지 않으면 기화되지 않는 이물이 캐리어(C)에 흡착되고 있었다고 해도, 그러한 이물에 대해서는 캐리어(C)의 사용 중에 기화되어 웨이퍼(W)에 부착될 가능성은 낮으므로, 상기한 캐리어(C) 내의 청정화 처리에 의해 제거되지 않아도 된다. 이러한 사정에 의해, 캐리어(C)를 가열 온도로서는 과잉으로 높게 할 필요는 없고, 앞서 서술한 범위 내의 온도로 하는 것이 바람직하다.However, when the heating temperature is too high, the temperature exceeds the limit of the heat-resistant temperature of the carrier (C), so that the deformation of the carrier (C) Or the like may occur in the carrier C. When the carrier (C) is heated to separate water from each part of the carrier (C), the organic substance and the ionic gas which are foreign substances have water-receptive property And the ionic gas. That is, it is considered that the adsorption energy of each of these organic substances and the carrier C of the ionic gas is relatively low, and they can be removed even at a relatively low temperature. Since the carrier C is conveyed in the clean room described above, there is little possibility of being exposed to a relatively high temperature environment. Therefore, even if a foreign object not vaporized is adsorbed on the carrier C unless the temperature is relatively high , The foreign matter is not likely to be removed by the cleaning treatment in the above-mentioned carrier (C) since the possibility of vaporization of the foreign matter during use of the carrier (C) and adhering to the wafer (W) is low. Due to such circumstances, it is not necessary to excessively raise the carrier C as the heating temperature, and it is preferable to set the temperature within the range described above.

또한, 상기한 성막 장치(1)에서는 캐리어(C) 내를 청정화 처리한 후, 클린 룸 내의 에어를 캐리어 대기 영역(13)에 공급하여, 가열된 캐리어(C)를 냉각하고 있다. 따라서, 캐리어(C)를 가열한 후에 당해 캐리어(C)가 반송되는 캐리어 반입 반출 영역(12)의 각 부재에 대한 내열성을 높게 할 필요가 없다. 또한, 이와 같이 냉각됨으로써, 캐리어 반입 반출 영역(12)에 캐리어(C)를 반송할 수 있는 타이밍의 자유도가 높다. 그 때문에, 성막 처리 완료된 웨이퍼(W)가 냉각된 후, 신속하게 캐리어 반입 반출 영역(12)으로 반송해 둔 캐리어(C)에 수납할 수 있기 때문에, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.In the above-described film forming apparatus 1, after the inside of the carrier C is cleaned, air in the clean room is supplied to the carrier waiting area 13 to cool the heated carrier C. Therefore, it is not necessary to increase the heat resistance of each member of the carrier carry-in / carry-out region 12, in which the carrier C is transported after the carrier C is heated. Further, by cooling in this manner, the degree of freedom in timing of carrying the carrier C in the carrier carry-in / carry-out region 12 is high. Therefore, after the film-coated wafer W is cooled, it can be quickly housed in the carrier C carried into the carrier carry-in / carry-out region 12, so that the throughput can be improved.

또한, 캐리어(C) 내의 청정화 처리에 있어서 덮개(C2)의 개폐는, 캐리어 반송 기구(32)에 의해 행해지는 것에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 캐리어(C)의 전방면이 캐리어 대기 영역(13)을 구성하는 측벽을 향하도록 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재되도록 한다. 그리고, 상기한 캐리어 대기 영역(13)을 구성하는 측벽에는, 도어(61)와 마찬가지로 덮개(C2)를 개폐하는 개폐 기구가 설치되고, 덮개(C2)가 개폐되도록 해도 된다.In addition, opening and closing of the cover C2 in the cleaning processing in the carrier C is not limited to being performed by the carrier transport mechanism 32. [ For example, the front side of the carrier C is stacked on the standby carrier stage 31 so as to face the side walls constituting the waiting area 13 of the carrier. An opening and closing mechanism for opening and closing the lid C2 may be provided on the side wall constituting the carrier waiting area 13 as in the case of the door 61 and the lid C2 may be opened and closed.

단, 캐리어(C) 내의 청정화 처리를 행하는 데 있어서, 덮개(C2)를 개폐하는 것에는 한정되지 않는다. 도 7은, 덮개(C2)를 개폐하지 않고 청정화 처리를 행할 수 있도록 구성된 대기용 캐리어 스테이지(31)의 종단 측면을 도시하고 있다. 이 대기용 캐리어 스테이지(31)는, 가스 유출 기구를 이루도록 구성되고, 그 상면에는 N2 가스 토출구(71)와, 배기구(72)가 설치되어 있다. N2 가스 토출구(71)는 대기용 캐리어 스테이지(31)에 형성된 유로(73)를 통해 N2 가스 공급 기구(74)에 접속되어 있고, 배기구(72)는 대기용 캐리어 스테이지(31)에 형성된 유로(75)를 통해 배기 기구(76)에 접속되어 있다.However, in carrying out the cleaning treatment in the carrier C, it is not limited to opening and closing the lid C2. Fig. 7 shows the longitudinal side surface of the air carrier stage 31 configured to perform the cleaning treatment without opening and closing the lid C2. The atmosphere carrier stage 31 is constituted to constitute a gas outflow mechanism, and an N 2 gas discharge port 71 and an exhaust port 72 are provided on the upper surface thereof. The N 2 gas discharge port 71 is connected to the N 2 gas supply mechanism 74 through the flow path 73 formed in the atmosphere carrier stage 31 and the exhaust port 72 is formed in the atmosphere carrier stage 31 And is connected to the exhaust mechanism 76 through the flow path 75.

캐리어(C)의 하부에는 가스 공급 포트(C3), 가스 배출 포트(C4)가 설치되어 있고, 캐리어(C)가 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재될 때, N2 가스 토출구(71)가 가스 공급 포트(C3)에, 배기구(72)가 가스 배출 포트(C4)에 각각 접속된다. 도 4에서 설명한 바와 같이 캐리어 대기 영역(13)에 가열된 에어의 하강류가 형성되어 앞서 서술한 온도로 캐리어(C)가 가열된 상태에서, N2 가스 토출구(71)로부터 가스 공급 포트(C3)를 통해 캐리어(C) 내, 즉, 웨이퍼(W)가 수납되는 공간에 N2 가스가 공급됨과 함께, 배기구(72) 및 가스 배출 포트(C4)를 통해 당해 공간이 배기된다. 즉, 캐리어(C)의 내부가 N2 가스에 의해 퍼지되고, 기화된 이물이 제거된다. 또한, 도면 중의 점선의 화살표는, 캐리어(C) 내의 N2 가스의 흐름을 개략적으로 나타낸 것이다. 또한, 이 캐리어(C) 내의 퍼지에 사용하는 가스로서는 N2 가스에 한정되지 않고, 건조한 에어나 N2 가스 이외의 불활성 가스를 사용해도 된다. 또한, 상기한 바와 같이 가열된 에어를 캐리어(C)에 공급한 후, 또한 이러한 캐리어(C) 내의 퍼지를 행하도록 해도 된다.Carrier, and (C) the lower part is a gas supply port (C3), a gas exhaust port (C4) installed in, when the carrier (C) to be loaded in the air carrier stage (31), N 2 gas discharge port 71 is And the exhaust port 72 is connected to the gas supply port C 3 and the gas discharge port C 4, respectively. A downward flow of heated air is formed in the carrier waiting area 13 as described in FIG. 4 and the carrier C is heated from the N 2 gas discharge port 71 to the gas supply port C 3 N 2 gas is supplied into the carrier C, that is, the space in which the wafer W is accommodated, through the exhaust port 72 and the gas exhaust port C 4. That is, the inside of the carrier C is purged by the N 2 gas, and the vaporized foreign matter is removed. In addition, arrows indicated by dotted lines in the figure schematically show the flow of N 2 gas in the carrier (C). The gas used for purging in the carrier C is not limited to N 2 gas, and dry air or an inert gas other than N 2 gas may be used. Further, after the heated air is supplied to the carrier C as described above, the carrier C may be purged.

또한, 캐리어(C) 내의 청정화 처리는 캐리어 대기 영역(13)에 있어서 행해지는 것에는 한정되지 않고, 예를 들어 캐리어 반입 반출 영역(12)에서 행해져도 된다. 도 8은, 캐리어(C) 내의 청정화 처리를 행할 수 있도록 구성된 캐리어 반입 반출 영역(12)의 평면도이다. 이 캐리어 반입 반출 영역(12)에는 캐리어(C)를 수납하는 하우징(76)이 설치되어 있고, 하우징(76) 내는 청정화 처리를 행하는 처리실로서 구성되어 있다. 하우징(76) 내에는 캐리어 스테이지(77)가 설치되어 있다. 이 캐리어 스테이지(77)는, 도 7에서 설명한 대기용 캐리어 스테이지(31)와 마찬가지로 구성되어 있어, 적재된 캐리어(C) 내를 퍼지할 수 있다. 도면 중, 부호 78은 하우징(76)의 측벽에 설치된 캐리어(C)의 반송구이며, 캐리어 반송 기구(32)는 당해 반송구(78)를 통해, 캐리어(C)를 캐리어 스테이지(77)에 적재할 수 있다. 하우징(76) 내에는, 캐리어 스테이지(77)에 적재된 캐리어(C)를 가열하는 히터(79)가 설치되어 있다.The cleaning process in the carrier C is not limited to the process performed in the carrier waiting area 13 but may be performed in the carrier receiving / unloading area 12, for example. 8 is a plan view of the carrier carry-in and carry-out region 12 configured to perform the cleaning processing in the carrier C. [ The carrier carrying-in / out area 12 is provided with a housing 76 for housing the carrier C, and the housing 76 is formed as a processing chamber for performing a cleaning process. A carrier stage 77 is provided in the housing 76. This carrier stage 77 is configured in the same manner as the standby carrier stage 31 described in Fig. 7, and can purged the loaded carrier C therein. In the figure, reference numeral 78 denotes a conveying port for the carrier C provided on the side wall of the housing 76, and the carrier conveying mechanism 32 conveys the carrier C to the carrier stage 77 through the conveying port 78 It can be loaded. A heater 79 for heating the carrier C mounted on the carrier stage 77 is provided in the housing 76.

캐리어 스테이지(77) 상에, 웨이퍼 보트(6)로의 웨이퍼(W)의 불출을 종료한 캐리어(C)가 반송된다. 그리고, 히터(79)에 의해 캐리어(C)가 가열됨과 함께 캐리어(C) 내가 퍼지되어 청정화 처리가 행해진다. 이 청정화 처리는, 캐리어(C)를 캐리어 대기 영역(13)으로 반송하여 대기시키기 전에 행해도 되고, 캐리어 대기 영역(13)으로 반송하여 대기시킨 후에 행해도 된다. 또한, 이와 같이 하우징(76) 내에서 청정화 처리를 행함으로써, 캐리어 대기 영역(13)에 있어서 덮개(C2)의 개폐를 행할 필요가 없으므로, 도 8에 도시한 캐리어 반송 기구(32)에는 다관절 아암(36) 및 덮개 보유 지지부(37)가 설치되어 있지 않다.The carrier C on which the dispensing of the wafer W to the wafer boat 6 is completed is carried on the carrier stage 77. [ Then, the carrier C is heated by the heater 79 and the carrier C is purged to perform the cleaning processing. This cleaning process may be performed before carrying the carrier C to the carrier waiting area 13 and waiting it, or after carrying it to the carrier waiting area 13 and waiting. It is not necessary to open and close the lid C2 in the carrier waiting area 13 by carrying out the cleaning processing in the housing 76 as described above. Therefore, in the carrier transport mechanism 32 shown in Fig. 8, The arm 36 and the lid holding portion 37 are not provided.

그런데, 캐리어 대기 영역(13)에서 캐리어(C)의 가열을 행하는 데 있어서, 상기한 바와 같이 가열된 에어를 캐리어 대기 영역(13)에 공급하는 대신, 캐리어 대기 영역(13)에 설치한 히터에 의해 행하도록 해도 된다. 예를 들어 캐리어 대기 영역(13)을 구성하는 벽면이나 대기용 캐리어 스테이지(31)에 당해 히터를 설치할 수 있다. 또한, 그와 같이 캐리어(C)를 가열하는 가열부로서는, 히터 대신에 적외선 조사 램프나 LED(발광 다이오드) 등, 캐리어(C)에 전자파를 조사하여 가열하는 것을 캐리어 대기 영역(13)에 설치해도 된다. 단, 도 1에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 것의 부산물로서 얻어지는 가열된 에어를 사용하여 캐리어(C)를 가열하는 구성으로 하면, 그러한 가열부를 설치할 필요가 없어, 가열부에 공급하는 전력이 불필요해진다. 따라서, 성막 장치(1)의 운용 비용을 억제할 수 있다고 하는 이점이 있다. 또한, 가열된 에어의 캐리어(C)로의 공급과, 캐리어 대기 영역(13)에 설치한 가열부에 의한 캐리어(C)의 가열을 모두 행하도록 해도 된다.In order to heat the carrier C in the carrier waiting area 13, instead of supplying the heated air to the carrier waiting area 13 as described above, the heater is provided in the carrier waiting area 13 . For example, the heater may be provided on the wall surface constituting the carrier waiting area 13 or on the carrier stage 31 for the atmosphere. As the heating unit for heating the carrier C in such a manner, it is possible to provide a carrier waiting area 13 in which an electromagnetic wave is irradiated to the carrier C, such as an infrared irradiation lamp or an LED (light emitting diode) . However, if the carrier C is heated by using the heated air obtained as a by-product of heating the wafer W as described with reference to Fig. 1, it is not necessary to provide such a heating unit, Power becomes unnecessary. Therefore, there is an advantage that the operation cost of the film forming apparatus 1 can be suppressed. In addition, supply of the heated air to the carrier C and heating of the carrier C by the heating portion provided in the carrier waiting area 13 may be performed.

또한, 도 7, 도 8에 도시한 바와 같이 캐리어(C) 내에 N2 가스를 공급하는 경우, 이 N2 가스를 공급하는 N2 가스 공급 기구(74)에, 당해 N2 가스를 가열하는 가열부를 설치해도 된다. 즉, 가열된 N2 가스를 캐리어(C)에 공급함으로써, 캐리어(C) 내가 가열되도록 해도 된다. 단, 가스의 비열은 비교적 작다. 즉, 온도가 저하되기 쉽기 때문에, 그렇게 캐리어(C) 내에 국소적으로 N2 가스가 공급된 경우, 공급된 N2 가스의 온도는 빠르게 저하되어, 캐리어(C) 내의 온도를 상승시키기 위해 비교적 긴 시간을 요하는 경우가 있는 것이 고려된다. 따라서 효율적으로 캐리어(C) 내의 온도를 상승시켜, 이물의 제거 효율을 높이기 위해서는, 도 1에 도시한 바와 같이 가열된 에어를 캐리어(C)가 놓이는 캐리어 대기 영역(13)에 공급함으로써, 당해 캐리어 대기 영역(13) 전체를 가열하는 구성으로 하는 것이 유효하다.In the case of supplying the N 2 gas in the carrier (C) as shown in Fig. 7, 8, the N 2 gas supply mechanism 74 for supplying the N 2 gas, heating to heat the art N 2 gas Section may be installed. That is, the heated N 2 gas may be supplied to the carrier C so that the carrier C is heated. However, the specific heat of the gas is relatively small. That is, since the temperature is easily lowered, when the N 2 gas is supplied locally in the carrier C, the temperature of the supplied N 2 gas is rapidly lowered, and the temperature of the carrier C is relatively long It is considered that there is a case where time is required. Therefore, in order to raise the temperature in the carrier C efficiently and increase the removal efficiency of the foreign matter, the heated air is supplied to the carrier waiting area 13 in which the carrier C is placed, It is effective to heat the entire waiting region 13.

도 9는, 캐리어 대기 영역(13)과 반응 용기 설치 영역(15)에 걸치는 액체의 순환로(81)를 설치한 예를 도시하고 있다. 이 순환로(81)의 일부는, 캐리어 대기 영역(13)에 있어서 대기용 캐리어 스테이지(31) 내에 배선되어 있다. 도면 중, 부호 82는 펌프이며, 순환로(81)에 있어서 액체를 순환시킨다. 순환로(81) 중, 반응 용기 설치 영역(15)에 설치되는 부위는, 당해 반응 용기 설치 영역(15)의 에어에 의해 가열되어 있으므로, 액체는 이 부위에서 유통 중에 가열되어, 캐리어 대기 영역(13)에 공급된다. 그리고, 대기용 캐리어 스테이지(31) 및 당해 대기용 캐리어 스테이지(31)에 적재되는 캐리어(C)가 이 액체의 열에 의해 가열된다. 그 후, 액체는 순환로(81)를 유통하여, 반응 용기 설치 영역(15)에서 다시 가열된 후, 캐리어 대기 영역(13)에 공급된다. 이와 같이 펌프(82) 및 순환로는 캐리어(C)를 가열하는 가열 유체 공급 기구를 이룬다. 즉, 캐리어(C) 내의 청정화 처리를 행하기 위해 반응 용기 설치 영역(15)으로부터 캐리어 대기 영역(13)에 공급되는 가열된 유체로서는 기체인 것에 한정되지 않고, 액체여도 된다.9 shows an example in which a liquid circulation path 81 extending from the carrier waiting area 13 to the reaction vessel installation area 15 is provided. A portion of the circulation path 81 is wired in the waiting carrier stage 31 in the waiting-for-carrier area 13. [ In the figure, reference numeral 82 denotes a pump, which circulates the liquid in the circulation path 81. Since the portion of the circulation path 81 that is provided in the reaction vessel mounting region 15 is heated by the air in the reaction vessel mounting region 15, the liquid is heated during circulation at this portion, . Then, the atmosphere carrier stage 31 and the carrier C mounted on the standby carrier stage 31 are heated by the heat of the liquid. Thereafter, the liquid flows through the circulation path 81, is heated again in the reaction container mounting area 15, and then supplied to the carrier waiting area 13. [ Thus, the pump 82 and the circulation path constitute a heating fluid supply mechanism for heating the carrier C. That is, the heated fluid supplied from the reaction container mounting area 15 to the carrier waiting area 13 for carrying out the cleaning treatment in the carrier C is not limited to gas but may be liquid.

도 10에서는, 후방측 캐리어 스테이지(23)에 히터(83)를 설치함과 함께, 하방 구획벽(16)에 있어서 도어(61)가 웨이퍼 반송구(24)를 개방할 때에 당해 도어(61)에 보유 지지되는 덮개(C2)와 대향하는 부위에 히터(84)를 설치한 예를 나타내고 있다. 덮개(C2)가 떼어져 웨이퍼 보트(6)에 웨이퍼(W)가 반출된 캐리어(C)에 대해 히터(83)에 의해 용기 본체(C1)를, 히터(84)에 의해 덮개(C2)를 각각 가열한다. 그것에 의해, 용기 본체(C1) 및 덮개(C2)로부터 기화된 이물이 기화되어 이탈된다. 덮개(C2)가 개방되어 있음으로써 용기 본체(C1) 내에는, 웨이퍼 반송 영역(14)에 있어서의 N2 가스가 유입되어, 분위기가 치환된다. 용기 본체(C1) 및 덮개(C2)로부터 이탈된 이물은 웨이퍼 반송 영역(14)에 설치되는 도시하지 않은 배기구로부터 웨이퍼 반송 영역(14)의 분위기를 형성하는 N2 가스와 함께 배기되어 제거된다.10 shows a state in which the heater 83 is provided in the rear side carrier stage 23 and the door 61 is opened in the lower partition wall 16 when the wafer transfer opening 24 is opened. And a heater 84 is provided at a portion opposed to the cover C2 which is held by the cover C2. The lid C2 is detached and the container body C1 is held by the heater 83 and the lid C2 is held by the heater 84 against the carrier C in which the wafer W is taken out of the wafer boat 6 Respectively. Thereby, the vaporized foreign matters from the container body C1 and the lid C2 are vaporized and released. The cover C2 is opened so that the N 2 gas in the wafer transfer region 14 flows into the container body C1 and the atmosphere is replaced. The foreign matter separated from the container body (C1) and the lid (C2) is removed is evacuated with N 2 gas for forming the atmosphere of the wafer transfer area 14 from an unillustrated exhaust port provided in the wafer transfer area 14.

상기한 히터(83, 84)에 의해 캐리어(C)를 가열하여 이물의 제거를 행하는 타이밍으로서는 웨이퍼(W)를 불출한 직후, 즉, 캐리어 대기 영역(13)으로 반송되어 대기하기 전이어도 되고, 웨이퍼(W)가 복귀되기 직전, 즉, 캐리어 대기 영역(13)에서 대기한 후여도 된다. 또한, 히터(83, 84) 중, 히터(83)만이 설치되어 용기 본체(C1)만이 가열되는 구성이어도 되지만, 히터(84)에 의해 덮개(C2)도 가열함으로써, 더 확실하게 웨이퍼(W)의 이물에 의한 오염을 방지할 수 있다. 또한, 이와 같이 용기 본체(C1), 덮개(C2)를 가열하기 위한 가열부로서는 발열 저항체인 히터(83, 84)를 사용하는 것에 한정되지 않고, 상기한 적외선 조사 램프나 LED를 웨이퍼 반송 영역(14), 캐리어 반입 반출 영역(12)에 각각 설치하여 덮개(C2), 용기 본체(C1)를 가열해도 된다.The timings for heating the carrier C by the heaters 83 and 84 to remove the foreign matter may be carried out immediately after the wafer W is dispensed, that is, before being conveyed to the waiting area 13 for waiting, It may be performed immediately before the wafer W is returned, that is, after waiting in the carrier waiting area 13. It is also possible that only the heater 83 is provided to heat only the container main body C1 among the heaters 83 and 84. The lid C2 is also heated by the heater 84, It is possible to prevent contamination of foreign matter by foreign matter. The heating unit for heating the container body C1 and the lid C2 is not limited to the use of the heaters 83 and 84 which are heat generating resistors. 14 and the carrier loading / unloading area 12 to heat the lid C2 and the container body C1.

그런데, 가열된 더미 웨이퍼(D)를 사용하여 캐리어(C)를 가열하여 청정화 처리를 행해도 된다. 구체적으로 설명하면, 전술한 바와 같이 웨이퍼 보트(6)에는 웨이퍼(W) 외에 더미 웨이퍼(D)가 탑재된 상태에서 성막 처리가 행해지므로, 웨이퍼(W)에의 성막 처리가 종료되고, 반응 용기(5)로부터 반출된 웨이퍼 보트(6)에는 가열되어, 비교적 높은 온도로 된 더미 웨이퍼(D)가 탑재되어 있다. 웨이퍼(W)를 수취하기 위해 대기용 캐리어 스테이지(31)로부터 후방측 캐리어 스테이지(23)로 반송되고, 덮개(C2)가 개방된 캐리어(C)에 대해, 도 11에 도시한 바와 같이 이동 탑재용 보트 스테이지(62)로 반송된 웨이퍼 보트(6)로부터, 웨이퍼(W)보다 먼저 더미 웨이퍼(D)가 반송되어 캐리어(C) 내에 수납된다.However, the carrier C may be heated by using the heated dummy wafer D to perform the cleaning treatment. More specifically, as described above, since the film forming process is performed in a state where the dummy wafer D is mounted on the wafer boat 6 in addition to the wafer W, the film forming process on the wafer W is completed, The dummy wafer D heated to a relatively high temperature is mounted on the wafer boat 6 taken out from the wafer boat 6. As shown in Fig. 11, the carrier C is transported from the standby carrier stage 31 to the rear side carrier stage 23 to receive the wafer W, The dummy wafer D is carried before the wafer W from the wafer boat 6 transported to the loading boat stage 62 and housed in the carrier C.

이 수납 시의 더미 웨이퍼(D)의 온도는, 캐리어(C)의 내열 한계를 초과하지 않는 온도, 예를 들어 80℃ 이하이다. 더미 웨이퍼(D)로부터의 복사열, 더미 웨이퍼(D)의 접촉에 의한 열전도, 더미 웨이퍼(D)에 의해 발생하는 열대류에 의해, 캐리어(C) 내가 가열되어, 이물이 기화된다. 또한, 더미 웨이퍼(D)에 대해서는 웨이퍼(W)와 마찬가지로, CVD에 의해 수분 및 오염 물질 등의 이물은 기화되어 제거되어 있기 때문에, 이 더미 웨이퍼(D)의 반입에 의해 캐리어(C)가 이물에 오염되는 일은 없다.The temperature of the dummy wafer D at the time of storage is not higher than the heat resistance limit of the carrier C, for example, 80 DEG C or less. The carrier C is heated by the radiant heat from the dummy wafer D, the heat conduction due to the contact of the dummy wafer D, and the heat flow generated by the dummy wafer D, and the foreign matter is vaporized. Since the dummy wafer D is vaporized and removed by moisture and contaminants as in the case of the wafer W as in the case of the wafer W, .

캐리어(C)의 덮개(C2)가 개방되어 있으므로, 기화된 이물은 캐리어(C)로부터 유출되어, 캐리어(C) 내의 분위기는 웨이퍼 반송 영역(14)의 분위기인 N2 가스 분위기로 치환된다. 그 후, 더미 웨이퍼(D)가 캐리어(C)로부터 반출되어 웨이퍼 보트(6)로 복귀되고, 캐리어(C)에는 웨이퍼 보트(6)로부터 성막 처리 완료된 웨이퍼(W)가 반입된다. 더미 웨이퍼(D)보다 이후에 캐리어(C)로 반송되는, 즉, 더미 웨이퍼(D)보다 긴 시간 냉각되므로, 이 웨이퍼(W)의 온도는, 상기한 캐리어(C)로의 반입 시의 더미 웨이퍼(D)의 온도보다 낮다. 따라서, 이 웨이퍼(W)의 온도보다, 더미 웨이퍼(D)에 의해 가열되는 캐리어(C)의 온도의 쪽이 높아지기 때문에, 웨이퍼(W)에 이물은 부착되지 않는다. 또한, 캐리어(C)에 반입되는 더미 웨이퍼(D)의 매수로서는 1매여도 되지만, 캐리어(C) 내를 더 확실하게 가열하기 위해 많을수록 바람직하다. 또한, 상기한 더미 웨이퍼(D)의 반송은, 웨이퍼(W)와 마찬가지로 웨이퍼 반송 기구(63)에 의해 행해진다.Since the lid (C2) of a carrier (C) is open, the vaporized foreign matter is discharged from the carrier (C), the atmosphere in the carrier (C) is replaced by an atmosphere of N 2 gas atmosphere in the wafer transfer area 14. Thereafter, the dummy wafer D is taken out of the carrier C and returned to the wafer boat 6, and the wafer W that has undergone the film formation process is carried into the carrier C from the wafer boat 6. The temperature of the wafer W is lower than the temperature of the dummy wafer D when the wafer W is carried into the carrier C after the dummy wafer D, (D). Therefore, since the temperature of the carrier C heated by the dummy wafer D becomes higher than the temperature of the wafer W, the foreign matter does not adhere to the wafer W. [ Although the number of dummy wafers D to be carried into the carrier C may be one, it is preferable to heat the carrier C more securely. The transfer of the dummy wafer D is carried out by the wafer transfer mechanism 63 as in the case of the wafer W. [

그런데 덮개(C2)에는, 용기 본체(C1)와의 사이에 형성되는 간극을 시일하기 위한 수지제 가스킷이 설치되어 있다. 이 가스킷이, 용기 본체(C1)에 대해 고착되고, 덮개(C2)를 개방할 때에 용기 본체(C1)가 덮개(C2)에 잡아당겨져 진동하여, 덮개(C2)를 개방하는 동작을 다시 하게 될 우려가 있지만, 캐리어(C)를 가열함으로써, 이 고착 현상이 억제된다. 즉, 성막 장치(1)는, 이 고착 현상을 억제하는 효과도 갖는다.The lid C2 is provided with a resin gasket for sealing a gap formed between the lid C2 and the container body C1. This gasket is fixed to the container body C1 and when the cover C2 is opened, the container body C1 is pulled by the cover C2 to vibrate and the operation of opening the cover C2 is performed again However, this fixing phenomenon is suppressed by heating the carrier (C). That is, the film forming apparatus 1 also has an effect of suppressing the sticking phenomenon.

또한, 성막 처리 시에 더미 웨이퍼(D)의 표면에 수분이 흡착되어 있으면, 이 수분이 반응 용기(5) 내에 확산되어, 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 막질을 열화시키는 경우가 있다. 그것을 방지하기 위해, 이하의 순서로 처리를 행하도록 해도 된다. 우선, 도 3에서 설명한 바와 같이 캐리어(C)로부터 웨이퍼 보트(6)로 웨이퍼(W)를 반출한 후, 웨이퍼 보트(6)로부터 이 캐리어(C)로 더미 웨이퍼(D)를 반송하여 수납한다. 계속해서, 더미 웨이퍼(D)가 수납된 상태에서, 도 4에서 설명한 캐리어(C) 내의 청정화 처리를 행한다. 이 청정화 처리에 의해 더미 웨이퍼(D)도 가열되어, 흡착된 수분이 제거된다. 그 후, 캐리어(C)로부터 더미 웨이퍼(D)를 웨이퍼 보트(6)로 반송하고, 더미 웨이퍼(D)와 웨이퍼(W)가 탑재된 상태에서 웨이퍼 보트(6)를 반응 용기(5)로 반송하여 성막 처리를 행한다. 그 후에는, 도 6에서 설명한 바와 같이 성막 처리 완료된 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시킨다. 즉, 이 처리 공정에 의하면, 더미 웨이퍼(D)의 표면과 캐리어(C) 내를 동시에 청정화할 수 있다.In addition, if moisture is adsorbed on the surface of the dummy wafer (D) at the time of film formation, this moisture diffuses into the reaction vessel (5) to deteriorate the film quality of the film formed on the wafer (W). In order to prevent this, processing may be performed in the following order. 3, the wafer W is carried from the carrier C to the wafer boat 6, and then the dummy wafer D is carried from the wafer boat 6 to the carrier C and stored . Subsequently, in the state in which the dummy wafer D is housed, the cleaning processing in the carrier C described in Fig. 4 is performed. The dummy wafer D is also heated by this cleaning treatment, and the adsorbed moisture is removed. Thereafter, the dummy wafer D is transferred from the carrier C to the wafer boat 6, and the wafer boat 6 is transferred to the reaction vessel 5 with the dummy wafer D and the wafer W mounted thereon Thereby carrying out a film forming process. After that, the film W is returned to the carrier C as described in Fig. That is, according to this processing step, the surface of the dummy wafer D and the inside of the carrier C can be simultaneously cleaned.

그런데, 반응 용기(5) 내에서는 ALD에 의한 성막 처리를 행해도 되고, 성막 처리 이외의 처리가 행해져도 된다. 예를 들어, 히터(52)에 의해 가열되는 반응 용기(5) 내에는 에칭용 처리 가스를 공급해도 되고, 어닐링 처리용 불활성 가스를 공급해도 된다. 즉, 상기한 성막 장치(1)는, 성막 장치로 되는 대신, 에칭 장치나 어닐링 장치 등의 가열 처리 장치로서 구성되어 있어도 된다. 또한, 상기한 바와 같이 캐리어(C)의 가열에는, 반응 용기 설치 영역(15)의 에어를 사용하는 것에는 한정되지 않으므로, 본 발명은 상온에서 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하여 세정, 성막 등의 액 처리를 행하는 기판 처리부를 구비한, 가열 처리 장치 이외의 처리 장치에도 적용된다. 또한, 본 발명은, 앞서 서술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 각 실시 형태는 적절하게 변경하거나, 조합하거나 할 수 있다.Incidentally, in the reaction vessel 5, a film forming process by ALD may be performed, or a process other than the film forming process may be performed. For example, the processing gas for etching may be supplied into the reaction vessel 5 heated by the heater 52, or the inert gas for annealing may be supplied. That is, the above-described film forming apparatus 1 may be configured as a heat treatment apparatus such as an etching apparatus or an annealing apparatus instead of the film forming apparatus. Since the heating of the carrier C is not limited to the use of the air in the reaction vessel mounting region 15 as described above, the present invention can be applied to the case where the treatment liquid is supplied to the wafer W at room temperature, The present invention is also applied to a processing apparatus other than the heating processing apparatus, which includes a substrate processing section that performs liquid processing such as heat treatment. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and each embodiment can be appropriately changed or combined.

C : 캐리어
W : 웨이퍼
1 : 성막 장치
10 : 제어부
32 : 캐리어 반송 기구
42A∼42D : 댐퍼
43A∼43D : 팬
5 : 반응 용기
63 : 웨이퍼 반송 기구C: Carrier
W: Wafer
1: Deposition device
10:
32: carrier carrier mechanism
42A to 42D: Damper
43A to 43D: fans
5: Reaction vessel
63: Wafer transport mechanism

Claims (13)

내부에 기판이 수납된 캐리어가 적재되는 스테이지와,
상기 기판을 처리하기 위한 기판 처리부와,
상기 스테이지에 적재된 상기 캐리어와 상기 기판 처리부 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와,
상기 기판이 반출된 상태의 상기 캐리어를, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 당해 캐리어에 반입할 때의 당해 기판의 온도보다 높은 온도로 가열하는 캐리어 가열 기구와,
상기 캐리어 가열 기구에 의해 가열되는 상기 캐리어의 내부의 가스를 당해 캐리어의 외측으로 유출시키기 위한 가스 유출 기구를
구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.A stage having a carrier on which a substrate is placed,
A substrate processing unit for processing the substrate;
A substrate transport mechanism for transporting the substrate between the carrier and the substrate processing section mounted on the stage,
A carrier heating mechanism which heats the carrier in a state in which the substrate is taken out to a temperature higher than a temperature of the substrate when the substrate processed in the substrate processing section is carried into the carrier,
And a gas outlet mechanism for discharging the gas inside the carrier heated by the carrier heating mechanism to the outside of the carrier
The substrate processing apparatus comprising: 제1항에 있어서,
상기 기판 처리부에 있어서 상기 기판을 가열 처리하기 위해 발열하는 발열체를 구비하고,
상기 캐리어 가열 기구는, 상기 발열체에 의해 가열된 유체를 상기 기판이 반출된 상태의 캐리어가 대기하는 캐리어 대기 영역에 공급하여, 당해 캐리어를 가열하는 가열 유체 공급 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a heating element which generates heat to heat the substrate in the substrate processing section,
Characterized in that the carrier heating mechanism includes a heating fluid supply mechanism for supplying the fluid heated by the heating element to a carrier waiting area in which the carrier in a state in which the substrate is taken out is heated, Processing device. 제2항에 있어서,
상기 발열체가 설치되는 발열체 설치 영역과, 상기 캐리어 대기 영역을 구획하는 구획 부재와,
상기 구획 부재에 설치되고, 상기 발열체 설치 영역과 상기 캐리어 대기 영역을 접속하는 제1 접속로를 구비하고,
상기 가열 유체 공급 기구는, 상기 발열체 설치 영역에 있어서 가열된 상기 유체인 가스를 상기 제1 접속로를 통해 상기 캐리어 대기 영역으로 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
A heating member mounting region in which the heating element is installed, a partition member for partitioning the carrier waiting region,
And a first connection path provided in the partition member for connecting the heating element mounting area and the carrier waiting area,
Wherein the heating fluid supply mechanism supplies gas, which is heated in the heating element mounting region, to the carrier waiting region through the first connecting path. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 구획 부재에는, 상기 발열체 설치 영역 및 상기 캐리어 대기 영역에 대해 구획된 외측 영역과, 당해 캐리어 대기 영역을 접속하는 제2 접속로가 설치되고,
상기 내부의 가스가 유출된 후의 캐리어를 냉각하기 위해, 상기 외측 영역에 있어서의 가스를 상기 제2 접속로를 통해 상기 캐리어 대기 영역으로 공급하는 캐리어 냉각용 가스 공급 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the partition member is provided with a second connecting path connecting the outside region partitioned with respect to the heating element mounting region and the carrier waiting region and the carrier waiting region,
And a carrier cooling gas supply mechanism for supplying the gas in the outer region to the carrier waiting area through the second connection passage so as to cool the carrier after the inner gas flows out. / RTI > 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 유출 기구는, 상기 캐리어의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the gas outlet mechanism is a lid opening / closing mechanism for opening / closing the lid of the carrier. 제5항에 있어서,
상기 스테이지와 상기 캐리어 대기 영역에 설치되는 대기용 스테이지 사이에서 상기 캐리어를 반송하는 캐리어 반송 기구가 설치되고,
상기 덮개 개폐 기구는, 상기 대기용 스테이지에 적재된 상기 캐리어의 덮개를 개폐하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A carrier transport mechanism for transporting the carrier is provided between the stage and an atmospheric stage provided in the carrier waiting area,
Wherein the cover opening and closing mechanism opens and closes the lid of the carrier loaded on the standby stage. 제6항에 있어서,
상기 덮개 개폐 기구는, 당해 캐리어 반송 기구에 설치되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the cover opening / closing mechanism is provided in the carrier transport mechanism. 제5항에 있어서,
상기 덮개 개폐 기구는, 상기 스테이지에 적재된 상기 캐리어의 덮개를 개폐하고, 상기 캐리어 가열 기구는, 당해 스테이지에 적재된 상기 캐리어를 가열하는 가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the cover opening and closing mechanism opens and closes a lid of the carrier stacked on the stage, and the carrier heating mechanism includes a heating section for heating the carrier stacked on the stage. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 유출 기구는,
상기 캐리어의 내부를 퍼지하기 위해 상기 대기용 스테이지에 각각 설치된, 상기 캐리어에 형성되는 가스 공급 포트에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 토출구와, 상기 캐리어에 형성되는 가스 배출 포트로부터 가스를 배출하는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The gas-
A purge gas discharge port for supplying a purge gas to a gas supply port formed in the carrier and provided in the atmosphere stage for purging the inside of the carrier; and an exhaust port for exhausting gas from the gas exhaust port formed in the carrier The substrate processing apparatus comprising: 내부에 기판이 수납된 캐리어를 스테이지에 적재하는 공정과,
기판 반송 기구에 의해 상기 기판을, 상기 캐리어로부터 당해 기판을 처리하는 기판 처리부로 반출하는 반출 공정과,
상기 기판 반송 기구에 의해, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 상기 캐리어에 반입하는 반입 공정과,
상기 반출 공정 후, 상기 반입 공정이 행해지기 전에 상기 기판이 반출된 상태의 상기 캐리어를, 상기 기판 처리부에서 처리 완료된 기판을 당해 캐리어에 반입할 때의 당해 기판의 온도보다 높은 온도로 가열하는 캐리어 가열 공정과,
상기 캐리어 가열 공정에 의해 가열되는 상기 캐리어의 내부의 가스를 당해 캐리어의 외측으로 유출시키는 공정을
구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:
A carrying-out step of carrying out the substrate from the carrier to a substrate processing section for processing the substrate by a substrate carrying mechanism;
A carrying-in step of bringing the substrate, which has been processed by the substrate processing section, into the carrier by the substrate carrying mechanism;
A carrier heating step of heating the carrier in a state in which the substrate is carried out before the carrying-in step is performed to a temperature higher than a temperature of the substrate when carrying the processed substrate in the substrate processing part to the carrier, The process,
A step of discharging the gas inside the carrier heated by the carrier heating step to the outside of the carrier
The substrate processing method comprising the steps of: 제10항에 있어서,
상기 기판 처리부에 있어서 상기 기판을 가열 처리하기 위해 발열체를 발열시키는 공정을 포함하고,
상기 캐리어 가열 공정은, 상기 기판 처리부에 있어서 상기 발열체에 의해 가열된 더미 기판을, 상기 기판이 반출된 상태의 상기 캐리어에 반입하여 당해 캐리어를 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
And heating the heating element to heat the substrate in the substrate processing section,
Characterized in that the carrier heating step includes a step of bringing the dummy substrate heated by the heating element in the substrate processing section into the carrier in a state in which the substrate is taken out and heating the carrier, . 제10항에 있어서,
상기 캐리어 가열 공정은, 상기 캐리어의 내부에 더미 기판이 수납된 상태에서 행해지고,
당해 캐리어 가열 공정 후, 상기 더미 기판을 상기 캐리어로부터 반출하고, 상기 캐리어로부터 반출 완료된 기판과 함께 상기 기판 처리부에서 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The carrier heating step is performed in a state in which the dummy substrate is accommodated in the carrier,
And a step of removing the dummy substrate from the carrier after the carrier heating process and treating the substrate with the substrate that has been removed from the carrier. 기판이 수납된 캐리어가 적재되는 스테이지와, 상기 기판을 처리하는 기판 처리부 사이에서 기판이 반송되어 처리가 행해지는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.A storage medium storing a computer program for use in a substrate processing apparatus in which a substrate is transported between a stage on which a carrier containing a substrate is loaded and a substrate processing section for processing the substrate,
The computer program according to any one of claims 10 to 12, characterized in that step groups are provided for executing the substrate processing method.
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