JPH09129580A - Cleaning device - Google Patents

Cleaning device

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Publication number
JPH09129580A
JPH09129580A JP30356495A JP30356495A JPH09129580A JP H09129580 A JPH09129580 A JP H09129580A JP 30356495 A JP30356495 A JP 30356495A JP 30356495 A JP30356495 A JP 30356495A JP H09129580 A JPH09129580 A JP H09129580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
tank
chamber
drying
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP30356495A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Yatsuda
雄司 谷ッ田
Osamu Sato
佐藤  修
Takanori Ochi
啓典 越智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP30356495A priority Critical patent/JPH09129580A/en
Publication of JPH09129580A publication Critical patent/JPH09129580A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent wafers from being naturally dried up. SOLUTION: A cleaning chamber 12 of a chamber 11 is equipped with an alkali cleaning tank 20, a first water cleaning tank 30, an acid cleaning tank 40, a second water cleaning tank 50, and a cleaning transfer device 14, a drying chamber 13 of the chamber 11 is equipped with a vapor drying device 60 and a drying transfer device 15, and the cleaning chamber 12 is filled with an atmosphere 16 of high humidity. An underwater transfer device 70 is provided between the cleaning chamber 12 and the drying chamber 13 so as to introduce the cleaned wafers 1 direct into the vapor bath 61 of the vapor drying device 60. When the wafer 1 is aerially transferred by the cleaning transfer device 14 in the cleaning chamber 12, the wafers 1 are exposed to an atmosphere of high humidity, so that the wafers 1 are prevented from being naturally dried up. The cleaned wafers 1 are transferred to the vapor drying device as carried underwater, so that the cleaned wafers 1 are protected against natural drying in transit. In result, the wafer 1 can be protected from stains to be caused by natural drying.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄技術、特に、
複数の被洗浄物を一括して洗浄する技術に関し、例え
ば、半導体装置の製造において半導体ウエハ(以下、ウ
エハという。)を洗浄する技術に利用して有効なものに
関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to cleaning techniques, and in particular to
The present invention relates to a technique for collectively cleaning a plurality of objects to be cleaned, for example, a technique effectively used for a technique for cleaning a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造においてウエハを洗浄
する装置として、アルカリ系洗浄液で洗浄する洗浄槽
(以下、アルカリ系洗浄槽という。)、酸系洗浄液で洗
浄する洗浄槽(以下、酸系洗浄槽という。)および水洗
いする洗浄槽(以下、水洗槽という。)がチャンバ内に
並べて設けられ、複数枚のウエハが保持治具によって保
持された状態で搬送装置によって搬送されて各洗浄槽に
順次浸漬されて行き、洗浄後のウエハが続いて乾燥され
るように構成されている洗浄乾燥装置がある。
2. Description of the Related Art As an apparatus for cleaning a wafer in the manufacture of semiconductor devices, a cleaning tank for cleaning with an alkaline cleaning solution (hereinafter referred to as an alkaline cleaning tank), a cleaning tank for cleaning with an acid cleaning solution (hereinafter referred to as an acid cleaning) Tank) and a cleaning tank for washing with water (hereinafter referred to as “water cleaning tank”) are provided side by side in the chamber, and a plurality of wafers are transferred by a transfer device while being held by a holding jig and sequentially transferred to each cleaning tank. There is a cleaning / drying apparatus that is configured to be dipped and the wafer after cleaning is subsequently dried.

【0003】なお、洗浄乾燥装置を述べてある例として
は、株式会社工業調査会1994年11月25日発行
「電子材料1994年11月号別冊」P103〜P10
9、がある。
Incidentally, as an example in which the cleaning / drying apparatus is described, "Electronic Materials November 1994 Separate Volume", P103 to P10, published by Industrial Research Institute Co., Ltd. November 25, 1994.
There are nine.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の洗浄乾燥装置に
おいては、例えば、ウエハが前段のアルカリ系洗浄槽や
酸系洗浄槽から後段の水洗槽に搬送装置によってチャン
バ内を空中搬送される際に自然乾燥が起こるため、所謂
染みが発生し易くなるという問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。
In the conventional cleaning / drying apparatus, for example, when a wafer is transferred from the alkaline cleaning tank or the acid cleaning tank in the front stage to the water cleaning tank in the rear stage in the air in the chamber by the transfer device. It has been clarified by the present inventor that there is a problem that so-called stain easily occurs due to natural drying.

【0005】本発明の目的は、各洗浄槽の洗浄後の自然
乾燥を防止することができる洗浄装置を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide a cleaning device capable of preventing natural drying after cleaning each cleaning tank.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0008】すなわち、チャンバ内に複数の洗浄槽が並
べて設けられ、被洗浄物が搬送装置によって搬送されて
各洗浄槽に順次浸漬されて行く洗浄装置において、前記
チャンバ内が高湿度に維持されていることを特徴とす
る。
That is, in a cleaning apparatus in which a plurality of cleaning tanks are arranged side by side in a chamber, and an object to be cleaned is transferred by a transfer apparatus and successively immersed in each cleaning tank, the inside of the chamber is maintained at high humidity. It is characterized by being

【0009】[0009]

【作用】前記した手段によれば、各洗浄槽において被洗
浄物が搬送装置によってチャンバ内を空中搬送されるに
際して、被洗浄物はチャンバ内の多湿の雰囲気に晒され
るため、自然乾燥される現象を防止されることになる。
したがって、自然乾燥に伴って発生する染みは未然に防
止されることになる。
According to the above-mentioned means, when the object to be cleaned in each cleaning tank is transported in the air by the transfer device in the air, the object to be cleaned is exposed to the humid atmosphere in the chamber and is naturally dried. Will be prevented.
Therefore, the stain generated by natural drying is prevented in advance.

【0010】また、チャンバの最終洗浄槽の後段に水中
搬送槽が敷設され、この水中搬送槽の出口側に水中搬送
槽から引き上げられた被洗浄物を乾燥する乾燥装置が配
設されている場合には、洗浄後の被洗浄物は水中搬送さ
れて乾燥装置に移されるため、その移送中に自然乾燥さ
れる現象は防止されることになる。
Further, in the case where an underwater transfer tank is laid downstream of the final cleaning tank of the chamber, and a drying device for drying an object to be cleaned pulled up from the underwater transfer tank is provided on the outlet side of the underwater transfer tank. In addition, since the object to be cleaned after cleaning is transported underwater and transferred to the drying device, the phenomenon of natural drying during the transfer is prevented.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
洗浄乾燥装置を示す正面断面図である。
1 is a front sectional view showing a cleaning / drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

【0012】本実施形態において、本発明に係る洗浄装
置は、酸化処理前のウエハを洗浄して乾燥させる洗浄乾
燥装置として構成されている。この洗浄乾燥装置におい
て、被洗浄物としてのウエハ1は複数枚が保持治具2に
保持されて一括に洗浄処理されるようになっている。保
持治具2は耐薬品性の良好な弗素樹脂が用いられて、そ
の平面形状が長方形の箱形状に形成されている。保持治
具2の長辺側の一対の側壁面には保持溝(図示せず)が
複数条、軸心方向に略等間隔に配されて円弧形状に刻設
されている。そして、各保持溝は被保持物としてのウエ
ハ1を保持治具2の上面開口から挿入されることによ
り、ウエハ1を一枚宛保持するように構成されている。
In the present embodiment, the cleaning apparatus according to the present invention is configured as a cleaning / drying apparatus for cleaning and drying the wafer before the oxidation treatment. In this cleaning / drying apparatus, a plurality of wafers 1 as objects to be cleaned are held by a holding jig 2 and are collectively cleaned. The holding jig 2 is made of a fluororesin having good chemical resistance, and has a rectangular box shape in plan view. A plurality of holding grooves (not shown) are formed on the pair of side wall surfaces on the long side of the holding jig 2 and are arcuately arranged at substantially equal intervals in the axial direction. Each holding groove is configured to hold one wafer 1 by inserting the wafer 1 as an object to be held from the upper opening of the holding jig 2.

【0013】本実施形態において、洗浄乾燥装置10は
気密空間を形成するチャンバ11を備えており、チャン
バ11内には洗浄室12と乾燥室13とが形成されてい
る。洗浄室12の床面上には後記する各洗浄槽が並べて
設けられており、乾燥室13には後記するベーパ乾燥装
置が設けられている。また、洗浄室12の上部空間には
ウエハ1を保持治具2に保持した状態で搬送する洗浄用
搬送装置14が全体にわたって敷設されており、洗浄用
搬送装置14は洗浄室12の上流側に設備されたローデ
ィング装置(図示せず)から被接続物としてのウエハ1
群を保持治具2に収容された状態で受け取って、ウエハ
1群を保持治具2ごと各洗浄槽に順次浸漬して行くよう
に構成されている。同様に、乾燥室13の上部空間には
乾燥用搬送装置15が敷設されており、乾燥用搬送装置
15はウエハ1群を保持治具2ごと受け取って、乾燥室
13の下流側に設備されたアンローディング装置(図示
せず)に受け渡すように構成されている。
In the present embodiment, the cleaning / drying apparatus 10 is provided with a chamber 11 which forms an airtight space, and inside the chamber 11, a cleaning chamber 12 and a drying chamber 13 are formed. Each of the cleaning tanks described below is provided side by side on the floor surface of the cleaning chamber 12, and the drying chamber 13 is provided with a vapor drying device described below. Further, in the upper space of the cleaning chamber 12, a cleaning transfer device 14 for transferring the wafer 1 while being held by the holding jig 2 is laid all over, and the cleaning transfer device 14 is provided upstream of the cleaning chamber 12. Wafer 1 as an object to be connected from an installed loading device (not shown)
The group of wafers is received in a state of being housed in the holding jig 2, and the group of wafers 1 together with the holding jig 2 is sequentially dipped in each cleaning tank. Similarly, a drying carrier device 15 is laid in the upper space of the drying chamber 13, and the drying carrier device 15 receives the group of wafers 1 together with the holding jig 2 and is installed on the downstream side of the drying chamber 13. It is configured to be delivered to an unloading device (not shown).

【0014】そして、チャンバ11の洗浄室12の内部
は、湿度がきわめて高い多湿雰囲気16に形成されてい
る。多湿雰囲気16は相対湿度が100%に調製された
湿り空気が洗浄室12にダクト(図示せず)を通じて空
気調整装置(図示せず)から吹き出されることによって
形成されている。
The inside of the cleaning chamber 12 of the chamber 11 is formed in a humid atmosphere 16 having extremely high humidity. The high-humidity atmosphere 16 is formed by blowing moist air whose relative humidity is adjusted to 100% into the cleaning chamber 12 through a duct (not shown) from an air conditioner (not shown).

【0015】チャンバ11の洗浄室12の床面にはアル
カリ系洗浄槽20が最上流側に配置されている。アルカ
リ系洗浄槽20は内槽22と外槽23との内外二重槽に
構成されている処理槽21を備えており、内槽22と外
槽23とは同心の略正方形筒形状に形成されている。処
理槽21にはアンモニア(NH4 OH)と過酸化水素
(H2 2 )と水(H2 O)との混合液等から調製され
たアルカリ系洗浄液24が貯留されており、このアルカ
リ系洗浄液24は内槽22および外槽23を循環するよ
うになっている。すなわち、外槽23の底部にはフイル
タ26を有するポンプ25が接続されており、内槽22
においてアルカリ系洗浄液24は常時オーバフローして
外槽23側へ循環して行くようになっている。なお、図
示しないが、アルカリ系洗浄槽20にはアルカリ系洗浄
液24を適宜補給するための供給系、および、アルカリ
系洗浄液24を適宜排出するための排出系が設備されて
いる。
On the floor surface of the cleaning chamber 12 of the chamber 11, an alkaline cleaning tank 20 is arranged on the most upstream side. The alkaline cleaning tank 20 includes a processing tank 21 configured as an inner and outer double tank including an inner tank 22 and an outer tank 23, and the inner tank 22 and the outer tank 23 are formed in a concentric and substantially square tubular shape. ing. The treatment tank 21 stores an alkaline cleaning liquid 24 prepared from a mixed liquid of ammonia (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and water (H 2 O). The cleaning liquid 24 circulates in the inner tank 22 and the outer tank 23. That is, a pump 25 having a filter 26 is connected to the bottom of the outer tank 23 and the inner tank 22.
In the above, the alkaline cleaning liquid 24 always overflows and circulates to the outer tank 23 side. Although not shown, the alkaline cleaning tank 20 is provided with a supply system for appropriately replenishing the alkaline cleaning liquid 24 and a discharge system for appropriately discharging the alkaline cleaning liquid 24.

【0016】チャンバ11の洗浄室12の床面における
アルカリ系洗浄槽20の下流側位置には第1水洗槽30
が配置されている。第1水洗槽30は内槽32と外槽3
3との内外二重槽に構成されている処理槽31を備えて
おり、内槽32と外槽33とは同心の略正方形筒形状に
形成されている。処理槽31には洗浄液としての純水3
4が貯留されており、この純水34は外槽33および内
槽32を循環するようになっている。すなわち、外槽3
3の底部にはフイルタ36を有するポンプ35が接続さ
れており、内槽32において純水34は常時オーバフロ
ーして外槽33側へ循環して行くようになっている。な
お、図示しないが、第1水洗槽30には純水34を適宜
補給するための供給系、および、純水34を適宜排出す
るための排出系が設備されている。
A first water washing tank 30 is provided at a position downstream of the alkaline washing tank 20 on the floor surface of the washing chamber 12 of the chamber 11.
Is arranged. The first washing tank 30 is an inner tank 32 and an outer tank 3
3 and the processing tank 31 configured as an inner and outer double tank, and the inner tank 32 and the outer tank 33 are formed in a concentric and substantially square tubular shape. Pure water 3 as a cleaning liquid in the processing tank 31
4 is stored, and the pure water 34 circulates in the outer tank 33 and the inner tank 32. That is, the outer tank 3
A pump 35 having a filter 36 is connected to the bottom portion of 3, and the pure water 34 in the inner tank 32 always overflows and circulates to the outer tank 33 side. Although not shown, the first washing tank 30 is provided with a supply system for appropriately replenishing the pure water 34 and a discharge system for appropriately discharging the pure water 34.

【0017】チャンバ11の洗浄室12の床面における
第1水洗槽30の下流側位置には酸系洗浄槽40が配置
されている。酸系洗浄槽40は内槽42と外槽43との
内外二重槽に構成されている処理槽41を備えており、
内槽42と外槽43とは同心の略正方形筒形状に形成さ
れている。処理槽41には弗酸(HF)と水(H2 O)
との混合液等から調製された酸系洗浄液44が貯留され
ており、この酸系洗浄液44は外槽43および内槽42
を循環するようになっている。すなわち、外槽43の底
部にはフイルタ46を有するポンプ45が接続されてお
り、内槽42において酸系洗浄液44は常時オーバフロ
ーして外槽43側へ循環して行くようになっている。な
お、図示しないが、酸系水洗槽40には酸系洗浄液44
を適宜補給するための供給系、および、酸系洗浄液44
を適宜排出するための排出系が設備されている。
An acid type cleaning tank 40 is arranged at a position downstream of the first water cleaning tank 30 on the floor surface of the cleaning chamber 12 of the chamber 11. The acid-based cleaning tank 40 includes a processing tank 41 configured as an inner and outer double tank including an inner tank 42 and an outer tank 43,
The inner tank 42 and the outer tank 43 are formed in a concentric, substantially square tubular shape. Hydrofluoric acid (HF) and water (H 2 O) are used in the processing tank 41.
An acid-based cleaning liquid 44 prepared from a mixed liquid of the above is stored, and the acid-based cleaning liquid 44 is used as the outer tank 43 and the inner tank 42.
It is designed to circulate. That is, a pump 45 having a filter 46 is connected to the bottom of the outer tank 43, and the acid-based cleaning liquid 44 in the inner tank 42 always overflows and circulates to the outer tank 43 side. Although not shown, the acid-based water washing tank 40 has an acid-based cleaning liquid 44.
Supply system for appropriately replenishing the acid, and the acid-based cleaning liquid 44
A discharge system is installed to discharge as appropriate.

【0018】チャンバ11の洗浄室12の床面における
酸系洗浄槽40の下流側位置には第2水洗槽50が配置
されている。第2水洗槽50は内槽52と外槽53との
内外二重槽に構成されている処理槽51を備えており、
内槽52と外槽53とは同心の略正方形筒形状に形成さ
れている。処理槽51には洗浄液としての純水54が貯
留されており、この純水54は外槽53および内槽52
を循環するようになっている。すなわち、外槽53の底
部にはフイルタ56を有するポンプ55が接続されてお
り、内槽52において純水54は常時オーバフローして
外槽53側へ循環して行くようになっている。なお、図
示しないが、第2洗浄槽50には純水54を適宜補給す
るための供給系、および、純水54を適宜排出するため
の排出系が設備されている。通例、酸系洗浄後の第2水
洗槽50は複数段が配置されるが、便宜上、一段のみが
図示されている。
A second water washing tank 50 is arranged at a position downstream of the acid type washing tank 40 on the floor surface of the washing chamber 12 of the chamber 11. The second water washing tank 50 includes a treatment tank 51 configured as an inner and outer double tank including an inner tank 52 and an outer tank 53,
The inner tank 52 and the outer tank 53 are formed in a concentric, substantially square tubular shape. Pure water 54 as a cleaning liquid is stored in the processing tank 51, and the pure water 54 is used as the outer tank 53 and the inner tank 52.
It is designed to circulate. That is, a pump 55 having a filter 56 is connected to the bottom of the outer tank 53, and the pure water 54 in the inner tank 52 always overflows and circulates to the outer tank 53 side. Although not shown, the second cleaning tank 50 is provided with a supply system for appropriately supplying pure water 54 and a discharge system for appropriately discharging the pure water 54. Usually, the second water washing tank 50 after the acid-based cleaning has a plurality of stages, but for convenience, only one stage is shown.

【0019】他方、乾燥室13にはベーパ乾燥装置60
が設備されている。ベーパ乾燥装置60はベーパ浴槽6
1を備えており、ベーパ浴槽61は平面形状が略正方形
の箱形状に形成されている。ベーパ浴槽61の上部には
保持治具2を出し入れするための出入口62が開設され
ている。このベーパ浴槽61の出入口62の内周壁には
冷却水を循環させるためのコイル状の冷却パイプ63が
敷設されている。ベーパ浴槽61の外側には有機溶剤で
あるイソプロピルアルコール(以下、IPAという。)
が貯留されたIPA貯留槽64が形成されている。ま
た、IPA貯留槽64の下部には赤外線ヒータまたは鉄
やアルミニウムのブロックにシーズヒータを埋め込んだ
ヒートブロック等によって構成された加熱装置65が設
置されており、加熱装置65はIPA66を加熱するこ
とにより、それを強制的に蒸発させてベーパ67を発生
させるように構成されている。さらに、IPA貯留槽6
4の側壁には送風機68が、IPA貯留槽64で生成さ
れたベーパ67をベーパ浴槽61に吹き出させるように
建て込まれている。
On the other hand, a vapor drying device 60 is provided in the drying chamber 13.
There are facilities. The vapor dryer 60 is the vapor bath 6
1, the vapor bath 61 is formed in a box shape having a substantially square plane. At the upper part of the vapor bath 61, an entrance / exit 62 for opening / closing the holding jig 2 is provided. A coil-shaped cooling pipe 63 for circulating cooling water is laid on the inner peripheral wall of the inlet / outlet port 62 of the vapor bath 61. Isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA), which is an organic solvent, is provided outside the vapor bath 61.
An IPA storage tank 64 in which is stored is formed. A heating device 65 including an infrared heater or a heat block having a sheathed heater embedded in a block of iron or aluminum is installed below the IPA storage tank 64. The heating device 65 heats the IPA 66 by heating the IPA 66. The vapor 67 is generated by forcibly evaporating it. Furthermore, IPA storage tank 6
A blower 68 is installed on the side wall of No. 4 so as to blow out the vapor 67 generated in the IPA storage tank 64 into the vapor bath 61.

【0020】チャンバ11内の洗浄室12と乾燥室13
との間には隔壁17が両室を仕切るように建て込まれて
おり、隔壁17の下部には洗浄後のウエハ1群を乾燥室
13へ水中搬送する水中搬送装置70が設備されてい
る。水中搬送装置70は水中搬送槽71を備えており、
水中搬送槽71は洗浄室12の最終段から乾燥室13の
最終端にわたって連続するように敷設されており、水中
搬送槽71には純水72が貯留されている。すなわち、
隔壁17の下部は水中搬送槽71の純水72の中に没し
ており、水中においてトンネルを構成した状態になって
いる。図示しないが、水中搬送槽71に貯留された純水
72は循環されることにより常に清浄な状態を維持され
ている。
A cleaning chamber 12 and a drying chamber 13 inside the chamber 11.
A partition wall 17 is built between the two compartments so as to partition both chambers, and an underwater carrier device 70 for carrying underwater the group of cleaned wafers 1 to the drying chamber 13 is installed below the partition wall 17. The submersible carrier device 70 includes a submersible carrier tank 71,
The underwater transport tank 71 is laid so as to be continuous from the final stage of the cleaning chamber 12 to the final end of the drying chamber 13, and pure water 72 is stored in the underwater transport tank 71. That is,
The lower part of the partition wall 17 is submerged in the pure water 72 of the underwater carrier 71, and is in a state of forming a tunnel in water. Although not shown, the pure water 72 stored in the submersible tank 71 is circulated to maintain a clean state at all times.

【0021】水中搬送槽71の底部にはコンベア73が
隔壁17のトンネルを潜るように敷設されており、コン
ベア73はウエハ1群を保持した保持治具2を乗せて洗
浄室12から乾燥室13へ純水72の中で搬送するよう
になっている。そして、コンベア73の乾燥室13側の
端部の真上にはベーパ乾燥装置60が設備されており、
コンベア73によって水中搬送されて来たウエハ1群は
保持治具2ごと乾燥用搬送装置15によってベーパ乾燥
装置60のベーパ浴槽61のベーパ67の雰囲気内に引
き上げられるようになっている。
A conveyor 73 is laid at the bottom of the submersible tank 71 so as to go under the tunnel of the partition wall 17, and the conveyor 73 carries the holding jig 2 holding a group of wafers 1 from the cleaning chamber 12 to the drying chamber 13. It is designed to be transported in pure water 72. The vapor dryer 60 is installed directly above the end of the conveyor 73 on the drying chamber 13 side.
The group of wafers 1 that have been transported underwater by the conveyor 73 together with the holding jig 2 are pulled up into the atmosphere of the vapor 67 in the vapor bath 61 of the vapor drying device 60 by the drying transport device 15.

【0022】次に作用を説明する。保持治具2に保持さ
れた洗浄乾燥すべきウエハ1群(以下、保持治具2を含
めてウエハ1群という。)はローディング装置によって
洗浄用搬送装置14に受け渡されて、洗浄用搬送装置1
4によってアルカリ系洗浄槽20の真上に搬送される。
アルカリ系洗浄槽20の真上に搬送されたウエハ1群は
洗浄用搬送装置14によって下降されて、保持治具2ご
とアルカリ系洗浄液24の中に浸漬される。浸漬された
ウエハ1群はアルカリ系洗浄液24の洗浄作用によって
表面に付着したゴミを除去される。この際、アルカリ系
洗浄槽20には清浄なアルカリ系洗浄液24が常に循環
されているため、ウエハ1群にゴミが再付着することは
防止される。そして、予め設定された所定の洗浄時間が
経過すると、洗浄されたウエハ1群はアルカリ系洗浄槽
20から洗浄用搬送装置14によって洗浄室12の上部
空間に引き上げられる。
Next, the operation will be described. A group of wafers 1 to be cleaned and dried held by the holding jig 2 (hereinafter, referred to as wafer 1 group including the holding jig 2) is delivered to the cleaning carrier device 14 by a loading device, and the cleaning carrier device is provided. 1
4 conveys it right above the alkaline cleaning tank 20.
The group of wafers 1 transferred directly above the alkaline cleaning tank 20 is lowered by the cleaning transfer device 14 and immersed in the alkaline cleaning liquid 24 together with the holding jig 2. Dust adhering to the surface of the dipped wafer 1 group is removed by the cleaning action of the alkaline cleaning liquid 24. At this time, since the clean alkaline cleaning liquid 24 is constantly circulated in the alkaline cleaning tank 20, dust is prevented from reattaching to the wafer 1 group. Then, after a predetermined cleaning time set in advance, the cleaned wafer 1 group is pulled up from the alkaline cleaning tank 20 to the upper space of the cleaning chamber 12 by the cleaning transfer device 14.

【0023】アルカリ系洗浄槽20から引き上げられた
ウエハ1群は洗浄用搬送装置14によって第1水洗槽3
0の真上に搬送された後に下降されて、保持治具2ごと
純水34の中に浸漬される。アルカリ系洗浄槽20から
の引き上げ時から第1水洗槽30への浸漬時まで、ウエ
ハ1群はチャンバ11の洗浄室12内を空中搬送される
状態になるが、洗浄室12内の相対湿度が100%の多
湿雰囲気16に維持されているため、ウエハ1の表面が
自然乾燥することは無い。したがって、ウエハ1の表面
に自然乾燥による染み等が発生する現象は防止されるこ
とになる。
The group of wafers 1 pulled out from the alkaline cleaning tank 20 is transferred to the first cleaning tank 3 by the cleaning transfer device 14.
After being conveyed right above 0, it is lowered and immersed in pure water 34 together with the holding jig 2. From the time when the wafer 1 is pulled up from the alkaline cleaning tank 20 to the time when it is immersed in the first water cleaning tank 30, the group of wafers 1 is transported in the cleaning chamber 12 of the chamber 11 in the air, but the relative humidity in the cleaning chamber 12 is Since the atmosphere 16 is maintained at 100% high humidity, the surface of the wafer 1 is not naturally dried. Therefore, the phenomenon that the surface of the wafer 1 is stained by natural drying is prevented.

【0024】純水34の中に浸漬されたウエハ1群はそ
の表面に付着したアルカリ系洗浄液やエッチング残渣等
の異物(以下、異物等という。)を洗い流される。洗い
流された異物等は上方に向かう水流に乗って、内槽32
の純水34中における上部に運ばれる。内槽32の上部
においては純水34のオーバフロー流が常時形成されて
いるため、水流に乗って上部に運ばれた異物等はこのオ
ーバフロー流に乗ってそのまま直ちに外槽33に排出さ
れることになる。したがって、内槽32の純水34中に
は異物等が浮遊することは、殆どない状態になってい
る。このようにして洗浄されたウエハ1群は、洗浄用搬
送装置14によって第1水洗槽30の純水34の中から
引き上げられる。この際、純水34の水面に異物等が浮
遊していることがないため、引き上げ途中で、異物等が
ウエハ1の表面に再付着することはない。
The wafer 1 group immersed in pure water 34 is washed away of foreign substances (hereinafter referred to as foreign substances, etc.) such as alkaline cleaning liquid and etching residues adhering to the surface thereof. The foreign substances that have been washed away ride on the upward water flow, and the inner tank 32
Is transported to the upper part in pure water 34. Since the overflow flow of the pure water 34 is always formed in the upper part of the inner tank 32, the foreign matters and the like carried on the upper part of the water flow are discharged to the outer tank 33 immediately on the overflow flow. Become. Therefore, in the pure water 34 of the inner tank 32, there is almost no foreign matter or the like floating. The wafer 1 group thus cleaned is pulled up from the pure water 34 in the first water washing tank 30 by the cleaning transfer device 14. At this time, since no foreign matter or the like floats on the water surface of the pure water 34, the foreign matter or the like does not reattach to the surface of the wafer 1 during the pulling process.

【0025】第1水洗槽30から引き上げられたウエハ
1群は洗浄用搬送装置14によって酸系洗浄槽40の真
上に搬送された後に下降されて、保持治具2ごと酸系洗
浄液44の中に浸漬される。第1水洗槽30からの引き
上げ時から酸系洗浄槽40への浸漬時まで、ウエハ1群
はチャンバ11の洗浄室12内を空中搬送される状態に
なるが、洗浄室12内の相対湿度が100%の多湿雰囲
気16に維持されているため、ウエハ1の表面が自然乾
燥することは無い。したがって、ウエハ1の表面に自然
乾燥による染み等が発生する現象は防止されることにな
る。
The group of wafers 1 pulled up from the first water washing tank 30 is carried by the cleaning carrying device 14 right above the acid-based cleaning tank 40 and then lowered to be held in the acid-based cleaning solution 44 together with the holding jig 2. Be immersed in. From the time of withdrawing from the first water washing tank 30 to the time of immersion in the acid-based cleaning tank 40, the group of wafers 1 is brought into the air in the cleaning chamber 12 of the chamber 11, but the relative humidity in the cleaning chamber 12 is Since the atmosphere 16 is maintained at 100% high humidity, the surface of the wafer 1 is not naturally dried. Therefore, the phenomenon that the surface of the wafer 1 is stained by natural drying is prevented.

【0026】浸漬されたウエハ1群は酸系洗浄液44の
洗浄作用によって表面に付着した金属やピット等を除去
される。この際、酸系洗浄槽40には清浄な酸系洗浄液
44が常に循環されているため、ウエハ1群にゴミや金
属の異物等が再付着することは防止される。そして、予
め設定された所定の洗浄時間が経過すると、洗浄された
ウエハ1群は酸系洗浄槽40から洗浄用搬送装置14に
よって洗浄室12の上部空間に引き上げられる。
The immersed wafer 1 group is removed of metal, pits, and the like adhering to the surface by the cleaning action of the acid-based cleaning liquid 44. At this time, since a clean acid-based cleaning liquid 44 is constantly circulated in the acid-based cleaning tank 40, re-adhesion of dust, metal foreign matter, etc. to the wafer 1 group is prevented. Then, after a predetermined cleaning time set in advance, the cleaned wafer 1 group is lifted from the acid cleaning tank 40 to the upper space of the cleaning chamber 12 by the cleaning transfer device 14.

【0027】酸系洗浄槽40から引き上げられたウエハ
1群は洗浄用搬送装置14によって第2水洗槽50の真
上に搬送された後に下降されて、保持治具2ごと純水5
4の中に浸漬される。酸系洗浄槽40からの引き上げ時
から第2水洗槽50への浸漬時まで、ウエハ1群はチャ
ンバ11の洗浄室12内を空中搬送される状態になる
が、洗浄室12内の相対湿度が100%の多湿雰囲気1
6に維持されているため、ウエハ1の表面が自然乾燥す
ることは無い。したがって、ウエハ1の表面に自然乾燥
による染み等が発生する現象は防止されることになる。
A group of wafers 1 pulled up from the acid-based cleaning tank 40 is transferred by the cleaning transfer device 14 right above the second water cleaning tank 50 and then lowered, and the holding jig 2 and the pure water 5 are added.
It is immersed in 4. From the time of withdrawing from the acid type cleaning tank 40 to the time of immersion in the second water washing tank 50, the wafer 1 group is in the state of being transported in the air in the cleaning chamber 12 of the chamber 11, but the relative humidity in the cleaning chamber 12 is 100% humid atmosphere 1
Since it is maintained at 6, the surface of the wafer 1 does not dry naturally. Therefore, the phenomenon that the surface of the wafer 1 is stained by natural drying is prevented.

【0028】純水54中に浸漬されたウエハ1群はその
表面に付着した酸系洗浄液やエッチング残渣等の異物
(以下、異物等という。)を洗い流される。この際、第
1水洗槽30と同様に、オーバフロー流が常時形成され
ているため、水流に乗って上部に運ばれた異物等はこの
オーバフロー流に乗ってそのまま直ちに外槽53に排出
されることになる。したがって、内槽52の純水54中
には異物等が浮遊することは、殆どない状態になってい
る。このようにして洗浄されたウエハ1群は洗浄用搬送
装置14によって第1水洗槽50の純水54の中から引
き上げられる。この際、純水54の水面に異物等が浮遊
していることがないため、引き上げ途中で、異物等がウ
エハ1の表面に再付着することはない。
The wafer 1 group immersed in pure water 54 is washed away of foreign substances (hereinafter referred to as foreign substances) such as acid-based cleaning liquid and etching residues attached to the surface thereof. At this time, as in the case of the first washing tank 30, the overflow flow is always formed, so that the foreign matters and the like carried on the water flow to the upper portion are immediately discharged to the outer tank 53 as they are on the overflow flow. become. Therefore, in the pure water 54 of the inner tank 52, there is almost no foreign matter or the like floating. The group of wafers 1 thus cleaned is pulled up from the pure water 54 in the first water washing tank 50 by the cleaning transfer device 14. At this time, since no foreign matter or the like floats on the water surface of the pure water 54, the foreign matter or the like does not reattach to the surface of the wafer 1 during the pulling.

【0029】第2水洗槽50から引き上げられたウエハ
1群は、洗浄用搬送装置14によって水中搬送槽71の
入口の真上に搬送された後に下降されて、保持治具2ご
と水中搬送槽71の純水72の中に浸漬される。第2水
洗槽50からの引き上げ時から水中搬送槽71への浸漬
時まで、ウエハ1群はチャンバ11の洗浄室12内を空
中搬送される状態になるが、洗浄室12内の相対湿度が
100%の多湿雰囲気16に維持されているため、ウエ
ハ1の表面が自然乾燥することは無い。したがって、ウ
エハ1の表面に自然乾燥による染み等が発生する現象は
ここでも防止されることになる。
The group of wafers 1 pulled up from the second water washing tank 50 is carried by the cleaning carrying device 14 right above the entrance of the underwater carrying tank 71, and then lowered, and the holding jig 2 together with the underwater carrying tank 71. It is immersed in pure water 72 of. From the time when the wafer 1 is pulled up from the second water washing tank 50 to the time when it is immersed in the underwater transfer tank 71, the wafer 1 group is in the state of being transferred in the air inside the cleaning chamber 12 of the chamber 11, but the relative humidity inside the cleaning chamber 12 is 100. % Of the high humidity atmosphere 16, the surface of the wafer 1 does not naturally dry. Therefore, the phenomenon that stains and the like are generated on the surface of the wafer 1 due to natural drying is also prevented here.

【0030】水中搬送槽71の純水72の中に浸漬され
たウエハ1群は保持治具2がコンベア73に載置された
状態で乾燥室13側へ搬送される。この際、ウエハ1群
は純水72の中を搬送されるため、ウエハ1の表面が乾
燥することは無い。したがって、ウエハ1の表面に自然
乾燥による染み等が発生する現象はここでも防止される
ことになる。
The group of wafers 1 immersed in the pure water 72 in the underwater carrier 71 is carried to the drying chamber 13 side with the holding jig 2 placed on the conveyor 73. At this time, since the group of wafers 1 is transported in the pure water 72, the surface of the wafer 1 is not dried. Therefore, the phenomenon that stains and the like are generated on the surface of the wafer 1 due to natural drying is also prevented here.

【0031】乾燥室13側へ搬送されたウエハ1群は乾
燥用搬送装置15によって保持治具2を吊持されること
により、水中搬送槽71からベーパ乾燥装置60のベー
パ浴槽61のベーパ67の雰囲気中に直接引き上げられ
る。このようにしてウエハ1群は水中搬送槽71の純水
72の中からベーパ67の雰囲気中に直接引き上げられ
ることより、ウエハ1の表面は湿潤した状態のままベー
パ67の雰囲気に置かれるため、ウエハ1の表面に乾燥
による染み等が発生する現象はここでも防止されること
になる。
The wafer 1 group transferred to the drying chamber 13 side is suspended from the submersible transfer tank 71 to the vapor 67 in the vapor bath 61 of the vapor dryer 60 by suspending the holding jig 2 by the drying transfer device 15. It is pulled up directly into the atmosphere. In this way, the group of wafers 1 is directly pulled up from the pure water 72 in the underwater carrier 71 into the atmosphere of the vapor 67, so that the surface of the wafer 1 is placed in the atmosphere of the vapor 67 in a wet state. The phenomenon that a stain or the like occurs on the surface of the wafer 1 due to drying is also prevented here.

【0032】ちなみに、ベーパ浴槽61に供給されたベ
ーパ67は上昇するが、冷却パイプ63によってコール
ドトラップされるため、ベーパ浴槽61の内部は完全に
ベーパ67の雰囲気を維持された状態になっている。ベ
ーパ67に晒されたウエハ1群はベーパ67の雰囲気温
度よりは低い温度の状態になっているため、ウエハ1の
表面においてベーパ67が結露してIPA66となって
付着する。結露して付着したIPA66はウエハ1の表
面を湿潤している水分69と次第に置き換わって行き、
ウエハ1の表面温度がベーパ67の温度と同等になった
時点で置換が終了する。
Incidentally, although the vapor 67 supplied to the vapor bath 61 rises, it is cold-trapped by the cooling pipe 63, so that the inside of the vapor bath 61 is completely maintained in the atmosphere of the vapor 67. . Since the wafer 1 group exposed to the vapor 67 is at a temperature lower than the ambient temperature of the vapor 67, the vapor 67 is condensed on the surface of the wafer 1 and adheres as IPA 66. The IPA 66 that has condensed and adhered gradually replaces the moisture 69 that wets the surface of the wafer 1,
The replacement is completed when the surface temperature of the wafer 1 becomes equal to the temperature of the vapor 67.

【0033】一方、IPA66と置換した水分69はウ
エハ1の表面に残留した異物等と共にその表面を流下し
て、ウエハ1群の真下に配置されたトレー(図示せず)
の上にそれぞれ滴下しトレーによって集水されて、排液
管(図示せず)を通じて外部に排出される。このように
して、水分69が水中搬送槽71の底部に貯留されてい
る純水72の中に混入するのを防止することにより、混
入した水分69が再蒸発して水蒸気になるのを回避する
ことができるため、水分69のウエハ1への再付着を防
止することができる。
On the other hand, the water 69 replaced with the IPA 66 flows down the surface of the wafer 1 together with the foreign matters remaining on the surface of the wafer 1, and a tray (not shown) arranged immediately below the group of wafers 1 is provided.
The water is dripped on each of the above and collected by a tray, and is discharged to the outside through a drain pipe (not shown). In this way, the moisture 69 is prevented from being mixed into the pure water 72 stored in the bottom portion of the underwater transport tank 71, so that the mixed moisture 69 is prevented from being re-evaporated into water vapor. Therefore, it is possible to prevent reattachment of the moisture 69 to the wafer 1.

【0034】置換が終了した時点において、ウエハ1群
は乾燥用搬送装置15によってベーパ浴槽61から乾燥
室13内へ引き上げられる。ウエハ1群がベーパ浴槽6
1から引き上げられると、ウエハ1群はベーパ67の雰
囲気温度によって加熱されて昇温しているため、これら
の表面に滴になって付着しているIPA66は温度を奪
いながら気化することになる。IPA66が気化しきる
と、ウエハ1群は乾燥された状態になる。ちなみに、気
化したIPAはベンチレータ(図示せず)によって吸引
されて他所へ拡散するのを防止される。
When the replacement is completed, the group of wafers 1 is pulled up from the vapor bath 61 into the drying chamber 13 by the drying transfer device 15. Wafer 1 group is vapor bath 6
When the wafer 1 is pulled up from 1, the group of wafers 1 is heated by the ambient temperature of the vapor 67 and is heated, so that the IPA 66 adhering to these surfaces in the form of drops is vaporized while depriving the temperature. When the IPA 66 is completely vaporized, the wafer 1 group is in a dried state. By the way, the vaporized IPA is prevented from being sucked by a ventilator (not shown) and diffused to another place.

【0035】以上の作動が各洗浄槽、水中搬送槽および
ベーパ乾燥装置において繰り返えされることにより、チ
ャンバ11に供給されたウエハ1群は順次洗浄および乾
燥されて行く。そして、各段の洗浄作業および乾燥作業
は同時に進行されて並行処理される。
By repeating the above operation in each of the cleaning tank, the underwater transfer tank, and the vapor drying device, the group of wafers 1 supplied to the chamber 11 is sequentially cleaned and dried. Then, the cleaning work and the drying work of each stage are simultaneously advanced and processed in parallel.

【0036】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 チャンバの洗浄室に供給されたウエハを多湿雰囲気
に維持された中で空中搬送することにより、ウエハが搬
送中に洗浄室内で自然乾燥するのを防止することができ
るため、所謂染みの発生を防止することができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. By transferring the wafers supplied to the cleaning chamber of the chamber in the air while maintaining a high humidity atmosphere, it is possible to prevent the wafers from naturally drying in the cleaning chamber during the transfer, thus preventing the occurrence of so-called stains. can do.

【0037】 染みの発生を防止することにより、洗
浄精度を高めることができるため、露光工程等の後の工
程における不良の発生率を低下させることができ、半導
体装置の歩留りを高めて生産性を高めることができる。
By preventing the generation of stains, the cleaning accuracy can be increased, so that the occurrence rate of defects in the steps subsequent to the exposure step can be reduced, and the yield of semiconductor devices can be increased to improve the productivity. Can be increased.

【0038】 水洗後のウエハを乾燥室に水中搬送し
てベーパ浴槽に直接引き上げることにより、水洗後のウ
エハがベーパ浴槽に搬送される間に自然乾燥するのを防
止することができるため、染みの発生を防止することが
できる。
By carrying the wafer after washing with water into the drying chamber and directly pulling it up to the vapor bath, it is possible to prevent the wafer after washing from naturally drying while being transported to the vapor bath. Occurrence can be prevented.

【0039】 染みの発生を防止することにより、乾
燥精度を高めることができるため、露光工程等の後の工
程における不良の発生率を低下させることができ、半導
体装置の歩留りを高めて生産性を高めることができる。
By preventing the generation of stains, the accuracy of drying can be improved, so that the rate of occurrence of defects in the steps subsequent to the exposure step can be reduced, and the yield of semiconductor devices can be increased to improve the productivity. Can be increased.

【0040】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0041】例えば、洗浄室の洗浄槽はアルカリ系洗浄
槽、第1水洗槽、酸系洗浄槽および第2水洗槽の順番に
設置するに限らないし、いずれかを省略してもよいし、
いずれかを多段に構成してもよい。また、各洗浄槽の具
体的構造は洗浄条件等に対応して適宜に構成することが
望ましい。
For example, the cleaning tank in the cleaning chamber is not limited to the order of the alkaline cleaning tank, the first water cleaning tank, the acid cleaning tank and the second water cleaning tank, and any of them may be omitted.
Either may be configured in multiple stages. Further, it is desirable that the specific structure of each cleaning tank is appropriately configured in accordance with the cleaning conditions and the like.

【0042】乾燥装置としてはベーパ乾燥装置を使用す
るに限らず、温水引き上げ乾燥装置や、公転式または自
転式バッチ乾燥装置等の他の乾燥装置を使用してもよ
い。
The drying device is not limited to the vapor drying device, and other drying devices such as a hot water pull-up drying device and an orbital or rotation type batch drying device may be used.

【0043】さらには、洗浄装置は乾燥装置から切り離
してもよい。
Furthermore, the cleaning device may be separated from the drying device.

【0044】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
の洗浄乾燥技術に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、ホトマスクや光学レン
ズ、液晶ディスプレイ等についての洗浄乾燥技術全般に
適用することができる。特に、本発明は、自然乾燥を嫌
う被洗浄物を洗浄乾燥するのに使用して優れた効果が得
られる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the wafer cleaning and drying technology which is the field of application which is the background of the invention has been described, but the invention is not limited thereto, and a photomask or an optical device is used. It can be applied to general cleaning and drying technology for lenses, liquid crystal displays and the like. In particular, the present invention can be used to wash and dry an object to be washed that is difficult to dry naturally, and can obtain excellent effects.

【0045】[0045]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0046】チャンバに供給された被洗浄物を多湿雰囲
気に維持された中で空中搬送することにより、被洗浄物
が搬送中にチャンバ内で自然乾燥するのを防止すること
ができるため、所謂染みの発生を防止することができ
る。
By carrying the object to be cleaned supplied to the chamber in the air while maintaining a high humidity atmosphere, it is possible to prevent the object to be cleaned from naturally drying in the chamber during the carrying, so-called stain. Can be prevented.

【0047】水洗後の被洗浄物を乾燥装置に水中搬送す
ることにより、水洗後の被洗浄物が乾燥装置に搬送され
る間に自然乾燥するのを防止することができるため、染
みの発生を防止することができる。
By transporting the article to be washed after washing with water to the dryer, it is possible to prevent the article to be washed after washing from being naturally dried while being conveyed to the dryer, so that the stain is not generated. Can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明の一実施形態である洗浄乾燥装置
を示す正面断面図である。
FIG. 1 is a front sectional view showing a cleaning / drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ(被洗浄物)、2…保持治具、10…洗浄乾
燥装置(洗浄装置)、11…チャンバ、12…洗浄室、
13…乾燥室、14…洗浄用搬送装置、15…乾燥用搬
送装置、16…多湿雰囲気、17…隔壁、20…アルカ
リ系洗浄槽、21…処理槽、22…内槽、23…外槽、
24…アルカリ系洗浄液、25…ポンプ、26…フイル
タ、30…第1水洗槽、31…処理槽、32…内槽、3
3…外槽、34…純水、35…ポンプ、36…フイル
タ、40…酸系洗浄槽、41…処理槽、42…内槽、4
3…外槽、44…酸系洗浄液、45…ポンプ、46…フ
イルタ、50…第2水洗槽、51…処理槽、52…内
槽、53…外槽、54…純水、55…ポンプ、56…フ
イルタ、60…ベーパ乾燥装置、61…ベーパ浴槽、6
2…出入口、63…冷却パイプ、64…IPA貯留槽、
65…加熱装置、66…イソプロピルアルコール(有機
溶剤)、67…ベーパ、68…送風機、69…水分、7
0…水中搬送装置、71…水中搬送槽、72…純水、7
3…コンベア。
1 ... Wafer (object to be cleaned), 2 ... Holding jig, 10 ... Cleaning / drying device (cleaning device), 11 ... Chamber, 12 ... Cleaning chamber,
13 ... Drying chamber, 14 ... Cleaning transfer device, 15 ... Drying transfer device, 16 ... Humid atmosphere, 17 ... Partition wall, 20 ... Alkaline cleaning tank, 21 ... Processing tank, 22 ... Inner tank, 23 ... Outer tank,
24 ... Alkaline cleaning solution, 25 ... Pump, 26 ... Filter, 30 ... First water washing tank, 31 ... Treatment tank, 32 ... Inner tank, 3
3 ... Outer tank, 34 ... Pure water, 35 ... Pump, 36 ... Filter, 40 ... Acid cleaning tank, 41 ... Treatment tank, 42 ... Inner tank, 4
3 ... Outer tank, 44 ... Acid cleaning solution, 45 ... Pump, 46 ... Filter, 50 ... Second washing tank, 51 ... Treatment tank, 52 ... Inner tank, 53 ... Outer tank, 54 ... Pure water, 55 ... Pump, 56 ... Filter, 60 ... Vapor dryer, 61 ... Vapor bath, 6
2 ... gateway, 63 ... cooling pipe, 64 ... IPA storage tank,
65 ... Heating device, 66 ... Isopropyl alcohol (organic solvent), 67 ... Vapor, 68 ... Blower, 69 ... Moisture, 7
0 ... Submersible carrier, 71 ... Submersible tank, 72 ... Pure water, 7
3 ... conveyor.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンバ内に複数の洗浄槽が並べて設け
られ、被洗浄物が搬送装置によって搬送されて各洗浄槽
に順次浸漬されて行く洗浄装置において、 前記チャンバ内が高湿度に維持されていることを特徴と
する洗浄装置。
1. A cleaning device in which a plurality of cleaning tanks are arranged side by side in a chamber, and an object to be cleaned is transferred by a transfer device and sequentially immersed in each cleaning tank, wherein the inside of the chamber is maintained at high humidity. A cleaning device characterized in that
【請求項2】 前記チャンバの最終洗浄槽の後段に水中
搬送槽が敷設されており、この水中搬送槽の出口側に水
中搬送槽から引き上げられた被洗浄物を乾燥する乾燥装
置が配設されていることを特徴とする請求項1に記載の
洗浄装置。
2. An underwater transfer tank is laid downstream of the final cleaning tank of the chamber, and a drying device for drying an object to be cleaned pulled up from the underwater transfer tank is provided on the outlet side of the underwater transfer tank. The cleaning device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記乾燥装置がベーパ乾燥装置によって
構成されていることを特徴とする請求項2に記載の洗浄
装置。
3. The cleaning device according to claim 2, wherein the drying device is a vapor drying device.
JP30356495A 1995-10-27 1995-10-27 Cleaning device Pending JPH09129580A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR100699918B1 (en) * 2005-12-22 2007-03-26 삼성전자주식회사 A preventing unit of drying of a substrate, a substrate cleaning apparatus having the same and a substrate cleaning method
CN104241098A (en) * 2014-09-30 2014-12-24 如皋市大昌电子有限公司 Cleaning technology for low-current high-voltage silicon rectifier stack

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