JP5423944B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態のMRAM混載LSI(large scale integrated circuit)チップの構成を示すブロック図である。MRAM混載LSIチップ41は、MRAMブロック42と、ロジック領域43と、周辺回路領域44とを備えている。MRAM混載LSIチップ41は矩形であり、その辺の長さは、数ミリメートルから1センチメートルである。
図7、図9は、本発明の第2の実施形態におけるMRAMブロック42の構成を示す平面図である。第2の実施形態では、磁気シールド33の平面形状が、円形ではなく、n角形(n≧6)である。より具体的には、図7の構成では、磁気シールド33の平面形状が正六角形であり、図9の構成では、磁気シールド33の平面形状が正八角形である。磁気シールド33がn角形(n≧6)である平面形状を有していることは、(円形ほどの効果は有しないものの)様々な方向の外乱磁界を同じように減衰させることを可能にする点で好ましい。磁気シールド33は、正n角形(n≧6)であることが特に好ましい。
12:下部電極
13:トンネルバリア
14:下部コンタクトビア
15:下部配線層
16:上部コンタクトビア
17:上部配線層
19:基板
20:層間絶縁膜
31:サブアレイ
32:MRAMアレイ
33:磁気シールド
33a:中心
41:MRAM混載LSIチップ
42:MRAMブロック
43:ロジック領域
44:周辺回路領域
51、52、53、54:行
111:磁化自由層
112:上部導電層
121:磁化固定層
122:下部導電層
Claims (5)
- 磁気抵抗素子が集積化された複数のMRAMアレイと、
前記複数のMRAMアレイのそれぞれに対して設けられ、外乱磁界が前記複数のMRAMアレイに鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド
とを具備し、
前記複数の磁気シールドのそれぞれの平面形状は、円形であるか、n角形(n≧6)であり、
前記複数のMRAMアレイのそれぞれは、前記磁気抵抗素子が集積化された複数のサブアレイを備え、
前記複数のサブアレイのうち最外周に位置するサブアレイは、前記磁気シールドの縁に沿って配置されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記複数の磁気シールドは、前記複数の磁気シールドのうちの最外周の磁気シールドを除く磁気シールドのそれぞれが他の6つの磁気シールドに最近接するように配置された
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 磁気抵抗素子が集積化された複数のMRAMアレイと、
前記複数のMRAMアレイのそれぞれに対して設けられ、外乱磁界が前記複数のMRAMアレイに鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド
とを具備し、
前記複数の磁気シールドのそれぞれの平面形状は、円形であるか、n角形(n≧6)であり、
前記複数の磁気シールドは、前記複数の磁気シールドのうちの最外周の磁気シールドを除く磁気シールドのそれぞれが他の6つの磁気シールドに最近接するように配置された
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記複数の磁気シールドのそれぞれの平面形状が円形であり、且つ、
前記複数の磁気シールドのうちの隣接する2つの磁気シールドの間隔は、前記磁気シールドの直径の5%以上である
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記複数の磁気シールドのそれぞれの平面形状が正n角形(nは6以上の整数)であり、
前記複数の磁気シールドのうちの隣接する2つの磁気シールドの間隔は、前記磁気シールドの中心を通る対角線の長さの5%以上である
磁気ランダムアクセスメモリ。
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