JP5408819B2 - 堆積装置および堆積方法 - Google Patents
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Description
また、例えばGaN膜を製造する際には、窒素源となるアンモニアガスが難分解性であることから、通常のMOCVDではGaの有機化合物原料に対して1000倍以上のアンモニアガスを供給することが必要であり、省資源化の観点と毒性のある未反応アンモニアガスの処理に多額の費用を必要とすることから改善が求められていた。
1.第1の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置;
前記反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス分離器;
基板を支持する基板支持部;および
前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第2の原料ガスを供給する供給部;
を備える堆積装置。
2.前記触媒反応装置が減圧に排気可能な反応室内に配置され、前記第2の原料ガスが有機金属化合物のガスであり、前記反応性ガス分離器が側面に空隙を有する、1に記載の堆積装置。
3.前記反応性ガス分離器が、貫通孔を有する複数の板状部材を含み、該複数の板状部材のうちの少なくとも2つの隣接する板状部材が、当該隣接する板状部材の間に空隙が形成されるように配置される、1又は2に記載の堆積装置。
4.前記反応性ガス分離器が、前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップであって、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む当該キャップを備える、1又は2に記載の堆積装置。
5.前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス分離器に配置される、1〜4のいずれか1項に記載の堆積装置。
6.第1の原料ガスを導入する導入部と、
前記導入部から導入された前記第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、
前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む前記反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する当該反応性ガス噴出部と
を含む触媒反応装置;
基板を支持する基板支持部;および
前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第2の原料ガスを供給する供給部;
を備える堆積装置。
7.前記触媒反応装置が減圧に排気可能な反応室内に配置され、前記第2の原料ガスが有機金属化合物のガスである、6に記載の堆積装置。
8.前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップを含む反応性ガス分離器を更に備え、前記キャップが、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む、6又は7に記載の堆積装置。
9.前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス噴出部の前記拡径部に臨んで配置される、6又は7に記載の堆積装置。
10.前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス分離器に配置される、8に記載の堆積装置。
11.反応性ガス分離器と前記基板支持部との間に配置される開閉シャッターを更に備える、1〜5,8又は10のいずれか1項に記載の堆積装置。
12.前記第1の原料ガス導入部が、H2ガスとO2ガスの混合ガス、H2O2ガス、ヒドラジン、および窒化物から選択された原料ガスを収納する原料ガス供給部に接続される、1〜11のいずれか1項に記載の堆積装置。
13.前記触媒容器が前記反応性ガス噴出部により封鎖される、1〜12のいずれか1項に記載の堆積装置。
14.前記触媒容器が、連通孔を有するセパレーターにより複数の区画に分割され、当該区画のそれぞれに触媒容器が配置される、1〜13のいずれか1項に記載の堆積装置。
15.前記触媒が、0.05mmから2.0mmまでの範囲の平均粒径を有する担体と、該担体に担持される、1nmから10nmまでの範囲の平均粒径を有する触媒成分とを含む、1〜14のいずれか1項に記載の堆積装置。
16.前記担体が、多孔質γ−アルミナ結晶相を500℃から1200℃で加熱処理して、その表面構造を維持したままα−アルミナ結晶相に変換したものである、15に記載の堆積装置。
17.第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入して、反応性ガスを生成する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス分離器であって、側面に空隙を有する当該反応性ガス分離器へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。
18.第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入して、反応性ガスを生成する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス噴出部へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。
19.第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む反応性ガス噴出部へ導入する工程と、
前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスを、前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップであって、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む当該キャップを含む反応性ガス分離器へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。
図1を参照すると、堆積装置1は、減圧可能な反応室2と、反応室2内に配置される触媒反応装置5と、触媒反応装置5へ供給される原料ガス(液化ガスを含む)を収容する原料ガス供給部11と、堆積する膜の原料となる化合物を収容する化合物ガス供給部12に接続される化合物ガス導入ノズル6と、基板7を支持する基板ホルダー8とを含んでいる。また、堆積装置1は、触媒反応装置5と基板ホルダー8の間に開閉可能なシャッター9を有している。さらに、堆積装置1は、反応室2に排気管13を介して接続されるターボ分子ポンプ14およびロータリーポンプ15を有している。
触媒反応容器22内には、本実施形態においては、微粒子状の担体に超微粒子状の触媒成分を担持させた触媒Cが収容されている。また、触媒反応容器22は、原料ガス導入口3が接続される側面と対向する開口を有し、この開口には触媒を押さえる金属メッシュ23が配置されている。
反応ガス噴出ノズル4の先端部には反応性ガス分離器10が配置されている。反応性ガス分離器10は、反応ガス噴出ノズル4の噴出管4bから噴出するガスの噴出方向に交差するように配置され、中央部に貫通孔を有する複数の板状体25と、これら複数の板状体25を所定の間隔をあけて支持する支柱26と、複数の板状体25を支柱26とともに押さえる押さえリング27とを有している。この構成により、反応ガス噴出ノズル4は、複数の板状体25の中央部の貫通孔により画成されて触媒反応容器22からのガスを直進させる第1の流路と、複数の板状体25の間および支柱26の間の隙間により画成され、第1の流路から分岐する第2の流路とを有している。また、板状体25の中央部の貫通孔は、反応ガス噴出ノズル4の噴出管4bの内径とほぼ同一かまたは僅かに大きい内径を有して良い。また、押さえリング27には化合物ガス導入ノズル6の先端部が固定されている。化合物ガス導入ノズル6は、複数の板状体25の中央部の貫通孔を直進するガスの噴出方向と垂直な方向に向いている。
原料ガス供給部11(図1)は、基板7に堆積する膜の構成元素を含む原料ガスであって、触媒反応容器22内の触媒(後述)と接触して大量の反応熱を発生し、反応性ガスが生成されるような原料ガスを触媒反応装置5へ供給する。
また、化合物ガス供給部12には、上記原料ガスを触媒と接触させて得られた反応性ガスと反応して、基板に化合物膜を堆積する原料となる化合物(後述)が収容される。
さらに、化合物ガス導入ノズル6が、反応性ガス分離器10の押さえリング27に配置されているため、化合物ガスが反応性ガスとほぼ完全に反応し、未反応の化合物ガスが直接基板に到達して薄膜内に取り込まれるのを防止できるので、薄膜の特性が向上する。
図4および図5を参照すると、触媒反応装置51は、上述の触媒反応装置5の反応ガス噴出ノズル4に代わって反応ガス噴出ノズル41を有し、反応ガス噴出ノズル41の先端部に反応性ガス分離器101が配置される点で、触媒反応装置5と異なり、他の点で同一である。
図示のとおり、触媒反応装置52においては、触媒容器ジャケット31を、中心部に連通孔36を有するセパレーター32により2室に分割し、一室に第1の触媒反応容器33が配置され、他室に第2の触媒反応容器34が配置される。このようにすれば、触媒反応装置52内で2段階の触媒反応を生じさせることができる。
例えば、金属窒化物薄膜を堆積するにあたって、窒素供給ガスとしてヒドラジンを使用する際に、第1の触媒反応容器33内にヒドラジンをアンモニア成分に分解するヒドラジン分解触媒C1を充填し、第2の触媒反応容器34内に分解されたアンモニア成分をさらにラジカルに分解するアンモニア分解触媒C2を充填することができる。
このようなヒドラジンの2段階分解反応は、次のように進行するものと考えられる。
(1)2N2H2 → 2NH* 3+H* 2
(2) NH3 → NH*+H* 2,NH* 2+H
また、第1の触媒反応容器33と第2の触媒反応容器34に同一種類の触媒を充填しても良い。さらに、触媒容器ジャケット31(21)内部を3室以上に分割し、3個以上の触媒反応容器を配置し、触媒反応を3段階以上の多段階で行うようにすることも可能である。
この実施形態による堆積装置100は、第1の反応室102と、第1の反応室102に結合される第2の反応室103とを有している。図示のとおり、第1の反応室102には触媒反応装置51Aが収容され、第2の反応室103には、基板7を支持する基板ホルダー8が収容される。第1の反応室102と第2の反応室103とは、開口部105を介して連通し、この開口部105には、第1の反応室102側において開閉扉104が設けられている。開閉扉104は漏斗状の形状を有し、頂部開口104aが触媒反応装置51Aの反応ガス噴出ノズル41と整列している。なお、この開閉扉104は、頂部開口104aの直径と側面の角度とを調整できるように構成して良い。
第1の反応室102内に配置された触媒反応装置51Aは、第1の反応室102の外に配置された原料ガス供給部11に接続されている。また、第2の反応室103において開閉扉104の近傍には、第1の反応室102の外に配置された化合物ガス供給部12に接続された化合物ガス導入ノズル6が配置されている。開閉扉104と基板支持ホルダー8の間には、開閉可能なシャッター9が設けられている。
なお、本実施形態による堆積装置100は、触媒反応装置51Aを有しているが、触媒反応装置51Aに代わり、触媒反応装置5,51,52を有して良く、後述する触媒反応装置205を有していても良い。
(窒化物膜)
基板7に窒化物膜を堆積する場合、触媒反応装置5等に導入する原料ガスは、例えばヒドラジンガスおよび窒化物ガスなどで良い。
基板7に堆積する窒化物としては、限定されることなく例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウムインジウム(GaInN)、窒化ガリウムアルミニウム(GaAlN)、窒化ガリウムインジウムアルミニウム(GaInAlN)などの金属窒化物や、半金属窒化物を挙げることができる。半金属窒化物は例えば半導体窒化物を含み、半導体窒化物の一例は窒化珪素である。
好ましい有機金属化合物としては、限定されることなく例えば、各種金属のアルキル化合物、アルコキシド化合物が挙げられる。具体的には、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリエトキシガリウム、トリエトキシアルミニウム、トリエトキシインジウム等が挙げられる。
また、金属窒化物膜の原料となる金属化合物ガスは、有機金属化合物ガスに限らず、無機金属化合物ガスであっても良い。無機金属化合物ガスは、限定されることなく例えば、有機金属化合物以外のハロゲン化合物ガスであって良く、具体的には、塩化ガリウム(GaCl,GaCl2,GaCl3)等の塩化物ガスであって良い。
基板7に酸化物膜を堆積する場合、触媒反応装置5等に導入する原料ガスは、基板に酸化物膜を堆積する場合は例えばH2ガスとO2ガスの混合ガスやH2O2ガスなどで良い。
基板7に堆積する酸化物としては、限定されることなく例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、サファイア、Sn:In2O3(ITO:Indium Tinoxide)等の金属酸化物が挙げられる。また、ITOの錫(Sn)を亜鉛(Zn)で置換した金属酸化物を挙げることもできる。
基板7に酸化亜鉛膜を形成する場合には、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等のジアルキル亜鉛を原料とし、触媒として微粒子状のアルミナに白金超微粒子を担持させたものを使用することが好ましい。
触媒反応装置5等内に収容される触媒Cの例としては、平均粒径が0.1mm〜0.5mm程度の、白金、ルテニウム、イリジウム、銅等の金属粉末または微粒子等を挙げることができる。
また、触媒反応装置5等内に収容される触媒Cの他の例として、平均粒径0.05〜2.0mmの微粒子状の担体に、平均粒径1〜10nmの超微粒子状の触媒成分を担持したものを挙げることができる。この場合、触媒成分の例として、白金、ルテニウム、イリジウム、銅等の金属を挙げることができる。担体の例としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化珪素、酸化亜鉛等の金属酸化物の微粒子、即ち、酸化物セラミックスの微粒子やゼオライト等の微粒子を挙げることができる。特に好ましい担体として、多孔質γ−アルミナを500℃〜1200℃程度の温度で加熱処理して、その表面構造を維持したままα−アルミナ結晶相に変換したものを挙げることができる。このように加熱処理することによって、多孔質γ−アルミナの大部分は耐熱性の高いα−アルミナ結晶相に変換されるが、表面構造は維持されるので、表面積の大きな担体が得られる。これにより、担体の耐熱性を高める一方で、担体に担持される触媒成分と原料ガスが接触する面積を大きくすることができ、反応性ガスの生成反応を促進することができる。
金属酸化物薄膜を製造するのに好適に用いられる触媒としては、例えば酸化アルミニウム担体上に白金ナノ粒子を担持させたもの、特に多孔質γ−アルミナを500〜1200℃で加熱処理してその表面構造を維持したままα−アルミナ結晶相に変換した担体に1〜20重量%程度の白金を担持させたもの(例えば、10wt%Pt/γ−Al2O3触媒)、等が挙げられる。
好ましい基板としては、サファイア等に代表される化合物単結晶基板、Si等に代表される単結晶基板、ガラスに代表されるアモルファス基板、ポリイミド等のエンジニアリングプラスチック基板等が挙げられる。
図8は、本発明のまた別の実施形態による堆積装置を示す模式図であり、図9は、この堆積装置内に配置される触媒反応装置の拡大模式図である。
この堆積装置201は減圧に排気可能な反応室202を有し、反応室202内には、触媒反応装置205と、化合物ガス供給部212に接続された化合物ガス導入ノズル206と、基板207を支持する基板ホルダー208とが配置されている。反応室202は、排気管213を介してターボ分子ポンプ214およびロータリーポンプ215に接続されている。なお、図8に示す堆積装置201においても、触媒反応装置205と基板207の間に開閉可能なシャッター209(図中では開いた状態を示す)を設け、反応初期にシャッターを閉じて副生ガスを遮断するようにしても良い。
触媒反応容器222内には、微粒子状の担体に超微粒子状の触媒成分を担持させた触媒Cが収容されている。また、触媒反応容器222は、原料ガス導入口210A,211Aが接続される側面と対向する開口を有し、この開口には触媒を押さえる金属メッシュ23が配置されている。また、触媒反応容器222においては、原料ガス導入口210A,211Aから触媒を離間させるため、原料ガス導入口210A,211Aの先端部に面して他の金属メッシュ23が配置されている。
また、H2ガスとO2ガスと別々に導入することにより、H2ガスとO2ガスとの混合ガスを触媒反応装置内へ導入する場合に生じる可能性のあるバックファイヤー(触媒反応装置内でH2Oが生成する際に生じる炎が、触媒反応装置より上流を流れるH2Oガス原料に引火すること)を防止することができる。
なお、窒素供給ガスとしてのヒドラジンと、反応調整ガスとしての窒素(N2)とを触媒反応容器221内へ供給することによっても、同様に、触媒反応容器221内のヒドラジンの濃度をN2により調整することができる。
なお、図8および図9に示す触媒反応装置205において、図6に示すように、触媒反応容器221は第1の触媒反応容器33及び第2の触媒反応容器34を有して良く、3以上の触媒反応容器を有しても良い。
また、本実施形態においても、上に列挙した原料ガス、化合物ガス、触媒、および基板を適宜選択し、上に列挙した酸化物および窒化物を基板に堆積することができる。
図1の堆積装置1の原料ガス供給部11に収容されたH2ガスとO2ガスの混合ガス(またはH2O2ガス)からなるH2Oガス原料を、原料ガス導入口3から触媒反応装置5内に導入すると、微粒子状の触媒によりH2ガスとO2ガスとの化合反応(またはH2O2ガスの分解反応)が起こってH2Oが生成される。これらの反応は大量の熱を発するため、生成されたH2Oは、この反応熱により加熱されて約100℃から約1700℃、更に好ましくは約600℃から約1700℃の高温のH2Oガスとなり、高い反応性を有することとなる(図13のS132)。このH2Oガスは、触媒反応容器22から反応ガス噴出ノズル4を通って反応性ガス分離器10へと噴出する。このとき、H2Oガスのうちの十分に高いエネルギーを有する部分は、反応性ガス分離器10の板状体25の中央部の貫通孔を通って、基板ホルダー8に保持された基板7に向かって勢いよく噴出する。噴出したH2Oガスは、化合物ガス供給部12から化合物ガス導入ノズル6を通して供給される化合物ガスと気相中で反応し(S134)、その化合物の酸化物で構成される膜が基板7に堆積される(S136)。一方、反応ガス噴出ノズル4から反応性ガス分離器10へ至るH2Oガスのうち比較的低いエネルギーを有する部分は、板状体25の中央部の貫通孔を直進する方向からずれて板状体25に衝突し、板状体25間の隙間を通って反応性ガス分離器10の側方へと流出し、もはや膜の堆積には寄与しない。このため、高いエネルギーを有するH2Oガスと、このようなH2Oガスと反応した化合物ガスとにより化合物の膜が基板7に堆積され、したがって、優れた特性を有する膜が得られる。
図1の堆積装置1の原料ガス供給部11に収容された、ヒドラジンおよび窒素酸化物から選択された1種以上の原料ガス(窒素供給ガス)を、原料ガス導入口3から触媒反応装置5内に導入すると、微粒子状の触媒により原料ガスの分解反応が起こる。この反応は大量の発熱を伴うものであり、この反応熱により700℃から800℃程度の高温に加熱された反応性窒化ガスが生じる(S132)。この反応性窒化ガスは、触媒反応容器22から反応ガス噴出ノズル4を通して反応性ガス分離器10へと噴出する。このとき、反応性窒化ガスのうちの十分に高いエネルギーを有する部分は、反応性ガス分離器10の板状体25の中央部の貫通孔を通って、基板ホルダー8に保持された基板7に向かって勢いよく噴出する。噴出した反応性窒化ガスは、化合物ガス供給部12から化合物ガス導入ノズル6を通して供給される化合物ガスと気相中で反応し(S134)、その化合物の窒化物で構成される膜が基板7に堆積される(S136)。一方、反応ガス噴出ノズル4から反応性ガス分離器10へ至る反応性窒化ガスのうち比較的低いエネルギーを有する部分は、板状体25の中央部の貫通孔を直進する方向からずれて板状体25に衝突し、板状体25間の隙間を通って反応性ガス分離器10の側方へと流出し、もはや膜の堆積には寄与しない。このため、高いエネルギーを有する反応性窒化ガスと、このような反応性窒化ガスと反応した化合物ガスとにより化合物の膜が基板7に堆積され、したがって、優れた特性を有する膜が得られる。
この例では、図1に示した堆積装置1、すなわち、図2および図3に示す触媒反応装置5を有する堆積装置1を使用して、サファイア基板上に酸化亜鉛(ZnO)薄膜を形成した。
まず、平均粒子径0.3mmのγ−Al2O3担体1.0gに塩化白金(IV)酸六水和物0.27gを含浸担持した後、空気中450℃で4時間焼成することにより、10wt%Pt/γ−Al2O3触媒を得た。触媒反応容器22に0.27gの平均粒子径0.3mmのγ−Al2O3を充填した後、0.02gの10wt%Pt/γ−Al2O3触媒を充填し、金属メッシュ23を設置した後、反応性ガス分離器10を有する反応ガス噴出ノズル4を設置し、触媒反応装置5を構成して、減圧可能な反応室2内に設置した。
次に、触媒反応装置5内にH2を0.06気圧、O2を0.06気圧で導入し、触媒表面でH2およびO2を燃焼させ、触媒反応容器22内で1000℃となるH2Oガスを生成した。反応性ガス分離器10と基板ホルダー8との間に設置したシャッター9を閉じた状態で、反応ガス噴出ノズル4からこの高温H2Oガスを噴出させた。
図2および図3に示した触媒反応装置5に代えて、図4および図5に示した触媒反応装置51を使用した以外は、実施例1と同様にしてサファイア基板上にZnO薄膜を形成した。この例では、堆積時間60分で、堆積の結果得られたZnO薄膜の膜厚は、1.3μmであった。得られた薄膜について測定したX線回折(XRD)パターンを図17に、またωロッキングカーブを図18に示す。
比較例として、図2および図3に示した触媒反応装置5に代えて、図14に示した触媒反応装置500を使用した以外は、実施例1と同様にしてサファイア基板上にZnO薄膜を形成した。ここで、触媒反応装置500は、図14に示すように、反応ガス噴出ノズル400の先端部に反応性ガス分離器を配置していない。具体的には、この触媒反応装置500は、円筒状の触媒容器ジャケット21内に、セラミックスまたは金属等の材料により構成された触媒反応容器22を収納し、反応ガス噴出ノズル400により触媒容器ジャケット21を封鎖したものである。触媒反応容器22の一端部は、原料ガス導入口3を介して原料ガス供給部11に接続されており、他端部には触媒を押さえるために金属メッシュ23が配置されている。また、反応ガス噴出ノズル400の先端部には、有機金属ガス導入ノズル600の先端部が反応性ガスの噴出方向と斜め方向に固定されている。このように構成された触媒反応装置500を有する堆積装置を用いて、堆積時間20分で、1.1μmの膜厚を有するZnO薄膜を得た。得られた薄膜について測定したXRDパターンを図19に、またωロッキングカーブを図20に示す。
上記の各例で得られたZnO薄膜について、四探針法により薄膜の体積抵抗率を測定し、その値を用いてACホール測定によりキャリア密度と移動度の測定を行った。得られた結果を表1に示す。
これに対して、実施例1の図2および図3に示した触媒反応装置5を使用して得られたZnOでは、着色は観察されず、また、表1に示すように薄膜の電気特性も改善された。
また、実施例2の図4および図5に示した触媒反応装置51を使用して得られたZnO薄膜においては、図17に示すように、実施例1で得られたZnOについてのXRDパターン(図15)と比べて、2本のピーク(Kα1、Kα2)がはっきりと分離し、ピーク強度も大きいXRDパターンが観測されている。この結果より、更に優れた結晶性を有するZnO薄膜が得られたことが判る。また、実施例2で得られたZnO薄膜においては、図18に示すように、実施例1で得られたZnOについてのωロッキングカーブ(図16)と比べて、ピーク幅が狭く、ピーク強度も大きいωロッキングカーブが観測されている。この結果より、高い配向性を有する薄膜が得られたことが判る。
これに対して、図2および図3に示した触媒反応装置5を有する図1の堆積装置1を使用して基板に薄膜を形成した場合には、反応性ガス分離器10の支柱26間の空隙から余分な反応ガスが排出されるとともに、中央に貫通孔を有する複数の板状体25を反応ガスの噴出方向に交差するように配置したことによって、反応性ガスがビーム状に切り出され直進性が改善される。その結果、得られる薄膜の着色を防止することが可能となり、また薄膜の電気特性も改善された。
2、202、302 反応室
102 第1の反応室
103 第2の反応室
3、303、210A、211A 原料ガス導入口
4、41、204 反応ガス噴出ノズル
5、51、52、205 触媒反応装置
6、206、306 化合物ガス導入ノズル
7、207、307 基板
8、208、308 基板ホルダー
9、209、309 シャッター
10、101、228、 反応性ガス分離器
11、212、311 原料ガス供給部
12、212、312 化合物ガス供給部
13、132、133、213 排気管
14、142、143 ターボ分子ポンプ
15、152、152 ロータリーポンプ
21、31、221 触媒容器ジャケット
22、222 触媒反応容器
33 第1の触媒反応容器
34 第2の触媒反応容器
23 金属メッシュ
25 板状体
26 支柱
27 押さえリング
28 漏斗状のキャップ
32 セパレーター
36 連通孔
104 開閉扉
C 触媒
Claims (19)
- 第1の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置;
前記反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス分離器;
基板を支持する基板支持部;および
前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第2の原料ガスを供給する供給部;
を備える堆積装置。 - 前記触媒反応装置が減圧に排気可能な反応室内に配置され、前記第2の原料ガスが有機金属化合物のガスであり、前記反応性ガス分離器が側面に空隙を有する、請求項1に記載の堆積装置。
- 前記反応性ガス分離器が、貫通孔を有する複数の板状部材を含み、該複数の板状部材のうちの少なくとも2つの隣接する板状部材が、当該隣接する板状部材の間に空隙が形成されるように配置される、請求項1又は2に記載の堆積装置。
- 前記反応性ガス分離器が、前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップであって、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む当該キャップを備える、請求項1又は2に記載の堆積装置。
- 前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス分離器に配置される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 第1の原料ガスを導入する導入部と、
前記導入部から導入された前記第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、
前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む前記反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する当該反応性ガス噴出部と
を含む触媒反応装置;
基板を支持する基板支持部;および
前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第2の原料ガスを供給する供給部;
を備える堆積装置。 - 前記触媒反応装置が減圧に排気可能な反応室内に配置され、前記第2の原料ガスが有機金属化合物のガスである、請求項6に記載の堆積装置。
- 前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップを含む反応性ガス分離器を更に備え、前記キャップが、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む、請求項6又は7に記載の堆積装置。
- 前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス噴出部の前記拡径部に臨んで配置される、請求項6又は7に記載の堆積装置。
- 前記第2の原料ガスを供給する前記供給部の先端部が、前記反応性ガス分離器に配置される、請求項8に記載の堆積装置。
- 反応性ガス分離器と前記基板支持部との間に配置される開閉シャッターを更に備える、請求項1〜5,8又は10のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 前記第1の原料ガス導入部が、H2ガスとO2ガスの混合ガス、H2O2ガス、ヒドラジン、および窒化物から選択された原料ガスを収納する原料ガス供給部に接続される、請求項1〜11のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 前記触媒容器が前記反応性ガス噴出部により封鎖される、請求項1〜12のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 前記触媒容器が、連通孔を有するセパレーターにより複数の区画に分割され、当該区画のそれぞれに触媒容器が配置される、請求項1〜13のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 前記触媒が、0.05mmから2.0mmまでの範囲の平均粒径を有する担体と、該担体に担持される、1nmから10nmまでの範囲の平均粒径を有する触媒成分とを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の堆積装置。
- 前記担体が、多孔質γ−アルミナ結晶相を500℃から1200℃で加熱処理して、その表面構造を維持したままα−アルミナ結晶相に変換したものである、請求項15に記載の堆積装置。
- 第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入して、反応性ガスを生成する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス分離器であって、側面に空隙を有する当該反応性ガス分離器へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。 - 第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入して、反応性ガスを生成する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む反応性ガス噴出部から噴出した反応性ガスのうち、直進方向からずれた部分を側方へと流出させるための構造を有する反応性ガス噴出部へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。 - 第1の原料ガスから反応熱を伴った反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器へ当該第1の原料ガスを導入する工程と、
前記触媒容器で生成された前記反応性ガスを、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む反応性ガス噴出部へ導入する工程と、
前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスを、前記反応性ガス噴出部に対して空隙をあけて配置される漏斗状のキャップであって、前記反応性ガス噴出部から噴出する前記反応性ガスの噴出方向に沿って拡径し、頂部に開口を含む当該キャップを含む反応性ガス分離器へ導入するとともに、第2の原料ガスを供給して、前記反応性ガス分離器を通り抜けた前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとを反応させる工程と、
前記反応性ガスと前記第2の原料ガスとの反応により生成された前駆体に基板を晒して膜を堆積する工程と
を含む堆積方法。
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