JP5408567B2 - 希土類多ホウ化物熱電素子とそれを用いた熱電発電素子 - Google Patents
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発明2は、発明1のn型熱電半導体において、その組成が以下の式1に示す組成を有する菱面体系または三方晶系であることを特徴とする。
<式1>
発明3は、 発明1のn型熱電半導体において、その組成が以下の式2に示す組成を有する菱面体系または三方晶系であることを特徴とする。
<式2>
発明4は、発明1から3のn型熱電半導体において、その希土類元素(RE)が三価の希土類元素であることを特徴とする。
また、これを用いた熱電発電素子は、高い密度ゆえに、耐熱性に優れ、さらに発電効率の向上をも見込めるものである。
32:n型半導体
33:p型半導体
34:電極
35:電極
前記式1及び式2において、−10<X<10,−3<Y<3,−1<Z<1は、希土類ホウ炭化物における経験から、X,Y,Zは組成を変化させても、p型n型を左右するものではないことにより、本発明においても、n型半導体として機能し得る範囲を示した。
また、tの下限は、図1に示しているように、YB4(REBS))を添加することにより、緻密化の効果が80%を超える下限で求められる。その上限は、図2に示しているように、添加材を多くしていくと緻密化が開始する温度が上昇するので、緻密化を阻んでしまうのであるが、80%の緻密化が得られる境で決定した。
また、uの下限は、図1に示しているように、YB25Cを添加することにより、緻密化の効果が80%を超える下限で求められる。その上限は、YB25Cの添加により、ボロンカーバイドの不純物相の成長も促進され、ボロンカーバイドは強いp型材料であるので、緻密化から得られる益(電気抵抗の低下)に比べてn型特性を妨げてしまう境で決定した。
まず始めに、(特許文献2)に従い、REB26+XC4+YN1+Z希土類ホウ炭化物を合成する。
これ(REB26+XC4+YN1+Z粉末)を原材料とし、これにYB4粉末(A4)、または合成したYB25C粉末(B)を表1の添加材2)に示す重量比で混合して、これをアルゴンなど不活性ガス雰囲気下でSPSによる圧縮成形を行って、不活性ガス下で、下表1に示す温度と時間加熱し、表1に示す組成の希土類ホウ炭化物が得られた。上記の添加材の条件を満たした時に、密度は80%以上のn型熱電半導体が得られた。ゼーベック係数を測定し、ゼーベック係数が負の時にn型と判定した(図4)。
なお、添加材を加えない場合の密度は70%未満であった。
緻密化により、(非特許文献1)や(非特許文献2)より低い電気抵抗が得られ(図3)、その結果、熱電パワーファクターの向上も得られた(図5)。
なお、(非特許文献2)や(特許文献4)には金属ホウ化物を添加する実験が行われているが、試料の密度は50%と非常に低く、緻密化の効果が発見されていなかった。(緻密化効果がまさかあることは全く類推できなかった。)
今回の発明により、従来は不可能とされていた廃棄熱からのエネルギー回収が可能になる。
具体的には、以下のような構造のものを例にして説明する。(図4参照、特許文献3の熱電発電素子)
熱電発電素子31は、低温となる側の電極35に、例えば半田等によって熱電材料チップであるn型半導体32が接合され、n型半導体32の反対側の端部と高温となる側の電極34とが同じく半田等によって接合されている。さらに同じ電極34と熱電材料チップであるp型半導体33とが接合され、p型半導体33の反対側の端部は別のn型半導体32が接合された別の電極35に接合されている。このような構成にすることによって電気的に直列した接続が完成する。
このような構造を有する熱電発電素子中のn型半導体32として、前記実施例に示す実験番号1−02から1−04にいずれかを用い、p型半導体33として用いることで、従来以上に良好な熱回収が可能となる。
Claims (5)
- 希土類ホウ炭化物からなるn型熱電半導体であって、前記希土類ホウ炭化物に金属的ホウ化物又はYB25Cが添加され、その緻密化率が80%以上であることを特徴とするn型熱電半導体。
- 請求項1に記載のn型熱電半導体において、その組成が以下の式1に示す組成を有する菱面体系または三方晶系であることを特徴とするn型熱電半導体。
<式1>
REB 26+X C 4+Y N 1+Z ・t(REB S )
(−10<X<10,−3<Y<3,−1<Z<1,RE=Sc,Y,Ho,Er,Tm,Lu,0.5wt%<t<5wt%,S=2,4,6,12) - 請求項1に記載のn型熱電半導体において、その組成が以下の式2に示す組成を有する菱面体系または三方晶系であることを特徴とするn型熱電半導体。
<式2>
REB 26+X C 4+Y N 1+Z ・u(REB 25 C)
(−10<X<10,−3<Y<3,−1<Z<1,RE=Sc,Y,Ho,Er,Tm,Lu,2wt%<u<7wt%) - 請求項1から3のいずれかに記載のn型熱電半導体において、その希土類元素(RE)が三価の希土類元素であることを特徴とするn型熱電半導体。
- p型半導体とn型半導体が一体化されてなる熱電発電素子であって、p型素子として希土類ホウケイ化物からなる熱電半導体を用い、n型半導体として請求項1から4のいずれかに記載のn型熱電半導体を用いたことを特徴とする熱電発電素子。
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