JP5382707B2 - 熱電半導体とそれを用いた熱電発電素子 - Google Patents
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Description
発明2は、発明1のn型熱電半導体において、その組成が以下の式1に示すものであることを特徴とする。
<式1>
発明3は、発明1又は2のn型熱電半導体において、その希土類元素(RE)が三価の希土類元素であることを特徴とする。
発明4は、p型半導体とn型半導体が一体化されてなる熱電発電素子であって、p型素子として希土類ホウケイ化物からなる熱電半導体を用い、n型半導体として発明1から3のいずれかのn型熱電半導体を用いたことを特徴とする熱電発電素子。
また、これを用いた熱電発電素子は、高い密度ゆえに、耐熱性に優れ、さらに発電効率の向上をも見込めるものである。
32:n型半導体
33:p型半導体
34:電極
35:電極
前記式1において、−8<X<8, −1.8<Y<1.8は、P型における経験から、X,Yは組成を変化させても、p型n型を左右するものではないことより、本発明においても、半導体として機能し得る範囲を示した。
また、Zの下限は、Dを添加することにより、p型とn型に変わる境が生じ、―0.5以上、好ましくは0以上とすることでn型となる。
その上限は1.5未満、好ましくは1以下、より好ましくは0.5以下とするのが望ましい。上限を超えることによって金属化が進み、ゼーベック係数の絶対値が減少すると考えられるので、上限を超えることは好ましくない。
まず、表1,2に示す結晶を得るために、YB4とホウ素Bの粉末そしてSi粉末を表1の原材料表に示す割合となるように混合して、アーク炉などを用いて加熱して反応させる。(なお、YB4ではなくて、Y金属、または他のYBnから出発してももちろん良い)。次に、この原料化合物に固溶させようとする元素(X)を添加し、良く混合して、アーク炉などを用いて溶融する。
(なお、2段階ではなくて、固溶する元素(X)を最初から添加して一段階の直接反応で合成を行う方法も同様に可能である)。
なお、上記の反応方法をとおして、アーク炉でなくても、電気炉そのほかの加熱炉で十分加熱する方法で合成しても良い。
このようにして得られた結晶成分を分析すると、実験番号2ではZnは消滅していたが他の元素は含有された結晶体をえることができた。その詳細を表1に示す。
なお実験番号8については、元素を添加せず、結晶組成元素としては、実験番号2と同じものを生成した例である。
本発明の実施例は実験番号4、5、6であり、その他は参考例である。
得られた希土類ホウケイ化物からなる熱電半導体の密度は100%であり、そのゼーベック係数を330Kにて測定し、ゼーベック係数が正の時にはp型、負の時にn型と判定した。
なお、実験番号1−01は本発明との異同を示すための比較例である。
今回の発明により、従来は不可能とされていた廃棄熱からのエネルギー回収が可能になる。
具体的には、以下のような構造のものを例にして説明する。(図4参照、特許文献3の熱電発電素子)
熱電発電素子31は、低温となる側の電極35に、例えば半田等によって熱電材料チップであるn型半導体32が接合され、n型半導体32の反対側の端部と高温となる側の電極34とが同じく半田等によって接合されている。さらに同じ電極34と熱電材料チップであるp型半導体33とが接合され、p型半導体33の反対側の端部は別のn型半導体32が接合された別の電極35に接合されている。このような構成にすることによって電気的に直列した接続が完成する。
このような構造を有する熱電発電素子中のn型半導体32として、前記実施例に示す実験番号4,5,6いずれかを用い、p型半導体33として用いることで、従来以上に良好な熱回収が可能となる。
Claims (4)
- 希土類ホウケイ化物からなるn型熱電半導体であって、前記希土類ホウケイ化物にチタン、モリブデンまたはロジウムが添加され、その密度が100%であることを特徴とするn型熱電半導体。
- 請求項1に記載のn型熱電半導体において、その組成が以下の式1に示すものであることを特徴とするn型熱電半導体。
<式1>
- 請求項1又は2に記載のn型熱電半導体において、その希土類元素(RE)が三価の希土類元素であることを特徴とするn型熱電半導体。
- p型半導体とn型半導体が一体化されてなる熱電発電素子であって、p型素子として希土類ホウケイ化物からなる熱電半導体を用い、n型半導体として請求項1から3のいずれかに記載のn型熱電半導体を用いたことを特徴とする熱電発電素子。
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