JP5408418B2 - 有機elデバイス - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明にかかる有機ELデバイスの一態様は、
対向して配置された第1基板および第2基板の間に設けられた有機EL素子と、
前記第1基板および前記第2基板の間に設けられ、水分および酸素の少なくとも一方を捕捉する第1吸収部と、
前記第1基板および前記第2基板の間に設けられ、前記第1吸収部から発生する化合物を捕捉する第2吸収部と、
を備えた、有機ELデバイス。
適用例1において、
前記第1吸収部は、下記一般式(1)で表される化合物を含有することができる。
(式(1)中、R1は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、環式アルキル基、アリール基、アルコキシル基、カルボキシル基およびアミノ基から選択される1種であって、複数存在するR1は同一または異なってもよい。nは2または3であり、Mの原子価に等しい。Mは2価または3価の金属原子であり、少なくとも1つのC−M結合を有する。)
[適用例3]
適用例2において、
前記一般式(1)の前記Mは、アルミニウムであることができる。
適用例3において、
前記一般式(1)で表される化合物は、トリドデシルアルミニウム、トリヘキサデシルアルミニウム、トリステトラメチルヘキサデシルアルミニウム、トリ(1−フィチル)アルミニウム、およびトリ(3−シクロドデシルプロピル)アルミニウムから選択される少なくとも1種であることができる。
適用例2ないし適用例4のいずれか一項において、
前記第2吸収部は、前記一般式(1)中のR1で表される基に由来する化合物を捕捉することができる。
適用例1ないし適用例5のいずれか一項において、
前記第1吸収部および前記第2吸収部は、いずれも透明であることができる。
適用例1ないし適用例6のいずれか一項において、
前記第1吸収部は、前記有機EL素子を覆うように配置されることができる。
適用例1ないし適用例7のいずれか一項において、
前記第2吸収部は、前記有機EL素子を覆うように配置されることができる。
適用例1ないし適用例8のいずれか一項において、
前記第2吸収部は、共役ジエン系共重合体、水添型共役ジエン系共重合体、および(メタ)アクリル系重合体の少なくとも一種を含有することができる。
第1基板10は、有機ELデバイス100の基体となる基板である。第1基板10は、平板状、フィルム状、シート状等の形状を有する。第1基板10は、複数の基板の積層体であってもよい。第1基板10は、たとえば、半導体基板や配線基板を含んで構成されてもよい。第1基板10には、第2基板20と対向する面に凹凸(図示せず)が設けられていてもよい。また、第1基板10には、密閉空間60を形成する場合に利用できるような凹部(図示せず)が設けられていてもよい。
第2基板20は、第1基板10と対向して配置される。第2基板20は、第1基板10と平行に配置することができる。第2基板20は、平板状、フィルム状、シート状等の形状を有する。第2基板20は、有機EL素子30を駆動するためのトランジスタ(たとえばTFT)や、制御用のIC、および配線層などを有してもよい。このような構造を採る有機ELデバイスは、いわゆるボトムエミッション型に分類される。このような有機ELデバイスの一例として、図2に示した変形例の有機ELデバイス120は、第2基板20側に半導体層22が形成されている。
有機EL素子30は、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間に設けられる。図示の例では、第1基板10および第2基板20の間に形成された密閉空間60に隣接する位置に設けられている。有機EL素子30は、たとえば、下方から順に第1電極32、有機発光材料層34、第2電極36が積層された構造を有することができる。有機EL素子30の、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間における配置は、特に限定されない。たとえば、図1に示す有機ELデバイス100においては、有機EL素子30は、第1基板10に第1電極32が接するように配置されている。また、図2および図3に示す有機ELデバイス120、140では、有機EL素子30は、第2基板20の下面に第2電極36が接するように配置されている。
第1吸収部40は、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間に設けられる。第1吸収部40は、水分または酸素を捕捉しても、有機EL素子30への影響が生じにくいように配置されることが好ましい。第1吸収部40の形状は、特に限定されないが、層状の形状を有してもよい。また、第1吸収部40および後述の第2吸収部50の相対的な位置関係も特に限定されない。
(式(1)中、R1は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、環式アルキル基、アリール基、アルコキシル基、カルボキシル基およびアミノ基から選択される1種であって、複数存在するR1は同一または異なってもよい。nは2または3であり、Mの原子価に等しい。Mは2価または3価の金属原子であり、少なくとも1つのC−M結合を有する。)
第2吸収部50は、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間に設けられる。図示の例では、第2吸収部50は、密閉空間60に隣接する位置に設けられている。第2吸収部50の配置は任意である。また、第1吸収部40および第2吸収部50の相対的な位置関係も任意である。
本実施形態の有機ELデバイスにおいて、第1吸収部40および第2吸収部50は、上述したように、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間に設けられていれば十分にデバイスを保護する効果を奏することができるが、さらに以下のような好ましい配置の態様が存在する。
本実施形態で例示した有機ELデバイス100、120、140では、第1基板10および第2基板20の間に、密閉空間60が形成されている。本発明の有機ELデバイスにおいて、密閉空間60は、必須の構成ではないが、密閉空間60を形成する場合には、以下のような態様をとることができる。
本実施形態の有機ELデバイスは、対向して配置された第1基板10および第2基板20の間に、第1吸収部40および第2吸収部50を有している。そのため、デバイス中に存在する、もしくは、デバイス中に外部から侵入する水分や酸素を、第1吸収部40によって吸収するとともに、発生する分解生成物を第2吸収部50によって吸収することができる。これにより、デバイス内の水分および酸素の量を長期間にわたって十分に低く抑えることができ、有機EL素子30を長期間安定して動作させることができる。また、第1吸収部40から発生した分解生成物を第2吸収部50によって吸収することができるため、分解生成物による各構成の劣化も抑制することができる。たとえば本実施形態の有機ELデバイスは、80℃を超えるような使用環境下においても、第1吸収部40が熱流動等により変形することが抑制される。さらに、有機ELデバイス作製時に残留する溶媒などの低分子量成分や、有機EL素子の経時劣化により発生する低分子成分を第2吸収部50によって吸収することができるため、低分子成分による各構成の劣化も抑制することができる。本実施形態の有機ELデバイスは、長寿命で信頼性が高く、長期間安定して高品質の発光または表示を行うことができる。
22…半導体層、30…有機EL素子、32…第1電極、34…有機発光材料層、
36…第2電極、40…第1吸収部、50…第2吸収部、60…密閉空間、70…リブ、
100,120,140…有機ELデバイス
Claims (9)
- 対向して配置された第1基板および第2基板の間に設けられた有機EL素子と、
前記第1基板および前記第2基板の間に設けられ、下記群(I)から選択される少なくとも1種の第1化合物と、(メタ)アクリル系重合体と、を含有する第1吸収層と、
前記第1基板および前記第2基板の間に設けられ、共役ジエン系共重合体および水添型共役ジエン系共重合体の少なくとも一方を含有する第2吸収層と、
を備え、前記第1吸収層および前記第2吸収層は、積層して配置された、有機ELデバイス。
(I)トリエチルアルミニウム、トリ−n−プロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリシクロプロピルアルミニウム、トリ−n−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ‐t−ブチルアルミニウム、トリ−2−メチルブチルアルミニウム、トリ−n−ヘキシルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミニウム、トリ(2−エチルヘキシル)アルミニウム、トリ−n−オクチルアルミニウム、トリ−n−デシルアルミニウム、トリヘキサデシルアルミニウム、トリステトラメチルヘキサデシルアルミニウム、トリフェニルアルミニウム、トリベンジルアルミニウム、ジメチルフェニルアルミニウム、ジブチルフェニルアルミニウム、ジイソブチルフェニルアルミニウム、メチルジフェニルアルミニウム、エトキシジエチルアルミニウム、エトキシジ−n−オクチルアルミニウム、トリエチルボラン、トリブチルボラン、トリ−n−オクチルボラン、トリ−n−ドデシルボラン、トリフェニルボラン - 請求項1において、
前記第1化合物は、下記群(II)から選択される少なくとも1種である、有機ELデバイス。
(II)トリエチルアルミニウム、トリ−n−プロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリシクロプロピルアルミニウム、トリ−n−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ‐t−ブチルアルミニウム、トリ−2−メチルブチルアルミニウム、トリ−n−ヘキシルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミニウム、トリ(2−エチルヘキシル)アルミニウム、トリ−n−オクチルアルミニウム、トリ−n−デシ
ルアルミニウム、トリヘキサデシルアルミニウム、トリステトラメチルヘキサデシルアルミニウム - 請求項1または請求項2において、
前記第2吸収層は、前記第1化合物に含まれるアルミニウムおよびホウ素に結合する基に由来する化合物を捕捉する、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記第1吸収層および前記第2吸収層は、いずれも透明である、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、
前記第1吸収層は、前記有機EL素子を覆うように配置された、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、
前記第2吸収層は、前記有機EL素子を覆うように配置された、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項において、
さらに、前記第2吸収層は、(メタ)アクリル系重合体を含有する、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか一項において、
前記共役ジエン系共重合体は、芳香族ビニル化合物に由来する繰り返し単位を含むブロックと、共役ジエン化合物に由来する繰り返し単位を含むブロックと、を含むブロック共重合体である、有機ELデバイス。 - 請求項1ないし請求項8のいずれか一項において、
さらに、前記第2吸収層は、有機重合体粒子および無機粒子の少なくとも一方を含有する、有機ELデバイス。
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