JP5406436B2 - 半導体発光機器のための反射電極 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 60
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 17
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
この方法は、反射層を堆積させる前に中間層の一部分を除去する段階を伴う場合がある。
材料を堆積させる段階は、伝導性酸化物を堆積させる段階を伴う場合がある。
この材料は、伝導性酸化物を含むことができる。
図面は、本発明の実施形態を例示するものである。
ここで図1を参照すると、一実施形態において、クラッド層14は、n型半導体材料を含み、第2のクラッド層18は、p型半導体材料を含む。この実施形態では、反射電極20とp型の第2のクラッド層18の間の良好な抵抗接点を提供するためには、この伝導性材料は、p型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和に近いか又はそれよりも大きい仕事関数を有するべきである。半導体発光装置に使用される半導体材料は、通常は大きいバンドギャップエネルギを有する(例えば、III族窒化物材料については、バンドギャップエネルギは、0.7eVから6eV(電子ボルト)の範囲にあり、これは、材料のインジウム及びアルミニウム組成による)。p型材料に関する標準的な電子親和力は、4eV付近であり、従って、多くのIII族窒化物材料に関する電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和は、4.7eVから10eVの範囲にある。最も適切な金属は、4.9eVから5.6eVの範囲の仕事関数を有し、従って、p型材料と伝導性電極の間に真の抵抗接点を提供する適切な材料を見出すことが困難な場合がある。その結果、P型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和にできるだけ近い仕事関数を有する材料が、中間層24のために一般的に選択されるべきである。
図1に示す実施形態では、構造体10は、半導体発光機器を形成するためにサブマウント40へのフリップチップ装着に対して構成される。サブマウント40は、電極28及び20にそれぞれ対応する電気接触領域42及び44を含む。フリップチップ装着は、半導体発光構造体10が基板(基板12のような)上に製造され、次にその構造体が反転され、導電材料ビード46(例えば、金と錫との合金)を用いて電極20及び28がサブマウント40の電気接触領域42及び44に接合される装着技術を称する。接合する段階は、導電材料ビード46の融点を超える温度に構造体10を加熱する段階を伴い、ビードが溶融又はリフローされ、それによって電極28及び20が電気接触領域42及び44に接合される。代替的に、一部の実施形態では、接合する段階は、例えば、熱圧着、摩擦接合、又は拡散接合を伴う場合がある。反射層26は、フリップチップ装着に対して約100nmから約1μmの厚みを有することができる。
図1を再び参照すると、別の実施形態において、第1のクラッド層14は、p型半導体材料を含み、第2のクラッド層18は、n型半導体材料を含む。この場合、反射電極20とn型の第2のクラッド層18の間の良好な抵抗接点を提供するためには、中間層24として用いられる伝導性材料は、n型半導体材料の電子親和力エネルギに近いか又はそれよりも小さい仕事関数を有するべきである。n型材料に関する標準的な電子親和力は、4eV付近であり、従って、良好な抵抗接点のためには、中間層24に用いる適切な金属は、例えば、アルミニウム(4.3eV)、チタン(4.3eV)、クロム(4.5eV)、バナジウム(4.3eV)、及びタンタル(4.2eV)のような小さい仕事関数を有するものでなければならない。
第2のクラッド層18上に反射電極20を形成する方法を図3に関連して説明する。
図3Aを参照すると、半導体発光機器の一部分が60で示されている。機器60は、基板(図3には示されない)上にエピタキシャル成長した第1のクラッド層62を含む。機器60はまた、第1のクラッド層62上にエピタキシャル成長した活性層64と、活性層64上にエピタキシャル成長した第2のクラッド層66とを含む。
サンプル2:第2の従来技術のサンプルは、第2のクラッド層上に堆積した2.5nmのロジウム層と、ロジウム層の上に堆積した200nmのアルミニウムの反射層とを備えて調製された(すなわち、アニール処理が行われない)。
サンプル3:サンプルは、図3に示されている本発明の態様に従って調製された。このサンプルは、第2のクラッド層上に2.5nmのロジウム層を有し、約500℃の温度で約30分にわたってアニールされ、次に、湿式エッチングされて0.5nmの非拡散ロジウムのみが残された。次に、そのロジウム層の上に200nmのアルミニウムの反射層を堆積させた。
サンプル5:アルミニウム反射層(150nm)を有する拡散ニッケル中間層、
サンプル6:アルミニウム反射層(150nm)を有する拡散パラジウム中間層、及び
サンプル7:アルミニウム反射層(150nm)を有する拡散ロジウム中間層。
本発明の態様に従って調製されたサンプルは、以下のような順方向電圧を有していた。
サンプル5:約4.8V、
サンプル6:約5.7V、及び
サンプル7:約4.7V。
すなわち、本発明により調製されたサンプル5及び7は、少なくとも0.4Vの順方向電圧の低下を示している。
12 基板
14 第1のクラッド層
16 活性層
20 反射電極
40 サブマウント
Claims (10)
- 光を発生するための活性層と該活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上に反射電極を形成する方法であって、
クラッド層上に金属又は電気伝導性酸化物の導電材料の中間層を堆積させる段階と、
前記導電材料の少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階と、
前記中間層上に、導電性であり、かつ該中間層と電気的に接触した反射層を堆積させる段階と、
を含み、
前記反射層を堆積させる前に前記中間層の一部分を除去する段階を更に含み、
前記クラッド層は、p型半導体材料を含み、
前記中間層を堆積させる段階は、前記p型半導体材料の電子親和力エネルギとバンドギャップエネルギの和に等しい仕事関数を有する材料を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする方法。 - 光を発生するための活性層と該活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上に反射電極を形成する方法であって、
クラッド層上に金属又は電気伝導性酸化物の導電材料の中間層を堆積させる段階と、
前記導電材料の少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階と、
前記中間層上に、導電性であり、かつ該中間層と電気的に接触した反射層を堆積させる段階と、
を含み、
前記反射層を堆積させる前に前記中間層の一部分を除去する段階を更に含み、
前記クラッド層は、n型半導体材料を含み、
前記中間層を堆積させる段階は、前記n型半導体材料の電子親和力エネルギに等しいか又はそれよりも小さい仕事関数を有する金属を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記導電材料を前記クラッド層内に拡散させた後に、前記中間層は、該クラッド層内に拡散した第1の部分と該クラッド層上に残留する第2の部分とを含み、
前記除去する段階は、前記中間層の前記第2の部分の50%より多くの部分を除去する段階を含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。 - 前記導電材料の前記少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階は、前記発光装置をアニールする段階を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記アニールする段階は、前記導電材料を50nmの拡散深さまで前記クラッド層内に拡散させるのに十分な持続時間及び温度で前記発光装置をアニールする段階を含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記材料を堆積させる段階は、ロジウム、パラジウム、ニッケル、白金、金、イリジウム、及びレニウムから成る群から選択された金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記材料を堆積させる段階は、電気伝導性酸化物を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属を堆積させる段階は、アルミニウム、チタン、クロム、バナジウム、及びタンタルから成る群から選択された金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記活性層は、第1の波長で光を放射するように作動可能に構成され、
前記反射層を堆積させる段階は、前記第1の波長で増大した反射率を有する材料を堆積させる段階を含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。 - 前記反射層を堆積させる段階は、アルミニウム、ロジウム、パラジウム、銀、金、マグネシウム、及びニッケルから成る群から選択された少なくとも1つの金属を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/420,337 | 2006-05-25 | ||
US11/420,337 US7501295B2 (en) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | Method of fabricating a reflective electrode for a semiconductor light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007318157A JP2007318157A (ja) | 2007-12-06 |
JP5406436B2 true JP5406436B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=38562850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007164345A Active JP5406436B2 (ja) | 2006-05-25 | 2007-05-25 | 半導体発光機器のための反射電極 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7501295B2 (ja) |
EP (1) | EP2030254B1 (ja) |
JP (1) | JP5406436B2 (ja) |
CN (1) | CN101454907B (ja) |
TW (1) | TWI469390B (ja) |
WO (1) | WO2007138527A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7501295B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of fabricating a reflective electrode for a semiconductor light emitting device |
KR100836494B1 (ko) | 2006-12-26 | 2008-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 |
DE102008024517A1 (de) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers |
KR20100136973A (ko) * | 2008-03-26 | 2010-12-29 | 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 | 고반사성 옴-전극을 갖는 반도체 발광 소자 |
KR102066532B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2020-01-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI411136B (zh) * | 2011-05-10 | 2013-10-01 | Lextar Electronics Corp | 半導體發光結構 |
US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
US9818912B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-11-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective contact |
WO2013090310A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective contact |
JP2014096539A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Tokuyama Corp | 紫外発光素子、および発光構造体 |
WO2014110197A1 (en) | 2013-01-09 | 2014-07-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
US10276749B2 (en) | 2013-01-09 | 2019-04-30 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
US9768357B2 (en) | 2013-01-09 | 2017-09-19 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
KR20140116574A (ko) * | 2013-03-25 | 2014-10-06 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
JP6176224B2 (ja) | 2013-12-25 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子及びそれを備える半導体装置、並びに半導体素子の製造方法 |
US11421318B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for high reflectivity aluminum layers |
JP6793863B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2020-12-02 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 深紫外発光素子用の反射電極の製造方法、深紫外発光素子の製造方法および深紫外発光素子 |
CN111048642B (zh) * | 2019-11-15 | 2021-07-30 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5917202A (en) | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
US6291840B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
US6100586A (en) | 1997-05-23 | 2000-08-08 | Agilent Technologies, Inc. | Low voltage-drop electrical contact for gallium (aluminum, indium) nitride |
EP1928034A3 (en) | 1997-12-15 | 2008-06-18 | Philips Lumileds Lighting Company LLC | Light emitting device |
US6222207B1 (en) | 1999-05-24 | 2001-04-24 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip |
US6287947B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-09-11 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer |
US6812502B1 (en) * | 1999-11-04 | 2004-11-02 | Uni Light Technology Incorporation | Flip-chip light-emitting device |
US6992334B1 (en) | 1999-12-22 | 2006-01-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices |
JP4024994B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP4581198B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
JP5283293B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
CN100521261C (zh) * | 2002-11-29 | 2009-07-29 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
US7141828B2 (en) * | 2003-03-19 | 2006-11-28 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact |
JP4136746B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2008-08-20 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子 |
JP4889193B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2012-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
KR100624411B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-09-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100571818B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR20050051920A (ko) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100506741B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100580634B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100586943B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법 |
KR100585919B1 (ko) * | 2004-01-15 | 2006-06-01 | 학교법인 포항공과대학교 | 질화갈륨계 ⅲⅴ족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP5177638B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2013-04-03 | 三星電子株式会社 | フリップチップ型窒化物系発光素子 |
US7022597B2 (en) * | 2004-07-16 | 2006-04-04 | Tekcore Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride based transparent conductive oxidized film ohmic electrodes |
JP2004349726A (ja) * | 2004-08-30 | 2004-12-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
KR100533645B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2005-12-06 | 삼성전기주식회사 | 발광 효율을 개선한 발광 다이오드 |
TWI257714B (en) * | 2004-10-20 | 2006-07-01 | Arima Optoelectronics Corp | Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode |
US7501295B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of fabricating a reflective electrode for a semiconductor light emitting device |
-
2006
- 2006-05-25 US US11/420,337 patent/US7501295B2/en active Active
-
2007
- 2007-05-22 CN CN2007800192480A patent/CN101454907B/zh active Active
- 2007-05-22 WO PCT/IB2007/051934 patent/WO2007138527A2/en active Application Filing
- 2007-05-22 EP EP07735987.5A patent/EP2030254B1/en active Active
- 2007-05-23 TW TW96118433A patent/TWI469390B/zh active
- 2007-05-25 JP JP2007164345A patent/JP5406436B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-29 US US12/361,568 patent/US7612384B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007138527A3 (en) | 2008-09-12 |
US20090134419A1 (en) | 2009-05-28 |
WO2007138527A2 (en) | 2007-12-06 |
EP2030254B1 (en) | 2018-07-18 |
US20070275489A1 (en) | 2007-11-29 |
TWI469390B (zh) | 2015-01-11 |
JP2007318157A (ja) | 2007-12-06 |
TW200807761A (en) | 2008-02-01 |
CN101454907A (zh) | 2009-06-10 |
CN101454907B (zh) | 2012-05-02 |
US7612384B2 (en) | 2009-11-03 |
US7501295B2 (en) | 2009-03-10 |
EP2030254A2 (en) | 2009-03-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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