JP5404673B2 - Cmp装置、研磨パッド及びcmp方法 - Google Patents
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Description
図1は、CMP装置の斜視図であり、図2は、図1のCMP装置の側面図である。
このフローチャートは、図1の制御部18により実行される。
このフローチャートは、図1の制御部18により実行される。
このフローチャートは、図23の制御部18により実行される。
抵抗変化メモリ(例えば、Resistive Random Access Memory:ReRAM)などの次世代デバイスでは、メモリセルアレイの三次元化によりメモリ容量の増大を図る。このような次世代デバイスのメモリセルアレイ(三次元クロスポイント型)を実現するには、高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立したCMP技術が不可欠である。従って、実施形態の適用により、次世代デバイスを実現可能にする。
近年では、微細化及び多層化された新規構造のデバイスが多く開発されている。実施形態のCMP技術をそのようなデバイスに適用することにより、高信頼性の半導体装置を実現できる。例えば、新規構造のデバイスでは、従来のデザインルールによる制約ができず、微細なスペースの埋め込みと共に、広大なスペースに埋め込まれた絶縁膜の高平坦性の確保も重要となる。従って、実施形態の適用により、このような新規構造のデバイスを実現可能にする。
Claims (6)
- 水溶性粒子を含んだ研磨パッドの表面部にスラリーを供給する供給部と、被研磨物を保持した状態で前記被研磨物を前記研磨パッドの表面部に接触させる保持部と、前記研磨パッドの表面部に配置され、前記研磨パッドの表面部の温度を設定する温度設定部と、前記供給部、前記保持部及び前記温度設定部の動作を制御する制御部とを具備し、
前記制御部は、前記研磨パッドの表面部の温度を第1の温度範囲内に設定した状態で前記被研磨物を研磨する第1の研磨工程を実行した後に、前記研磨パッドの表面部の温度を第2の温度範囲内に設定した状態で前記被研磨物を研磨する第2の研磨工程を実行し、
前記第2の研磨工程において前記研磨パッドの表面部に露出した前記水溶性粒子の溶解度は、前記第1の研磨工程において前記研磨パッドの表面部に露出した前記水溶性粒子の溶解度よりも高い
CMP装置。 - 前記制御部は、前記水溶性粒子が前記スラリー内に完全に溶解し得る溶解閾値に基づき前記温度設定部の動作を制御する請求項1に記載のCMP装置。
- 前記研磨パッドを搭載する台座部をさらに具備し、
前記保持部及び前記台座部は、回転駆動され、
前記制御部は、前記保持部又は前記台座部を回転駆動するトルク電流値をモニターし、前記トルク電流値が第1の変化点を経過したと判断した後に、前記第1の研磨工程から前記第2の研磨工程に変更する
請求項1又は2に記載のCMP装置。 - 前記研磨パッドの表面部の状態を調整する表面調整部をさらに具備し、
前記制御部は、前記トルク電流値が第2の変化点を経過したと判断した後に前記第2の研磨工程を終了し、前記研磨パッドの表面部の温度を前記第2の温度範囲内から前記第1の温度範囲内に変更した後に前記表面調整部により前記研磨パッドの表面部を初期状態に戻す表面調整工程を実行する
請求項3に記載のCMP装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のCMP装置に使用する研磨パッドにおいて、
非水溶性の架橋重合体と、前記架橋重合体内の水溶性粒子とを具備し、
前記水溶性粒子の溶解度は、被研磨物の研磨中において変化する
研磨パッド。 - 水溶性粒子を含んだ研磨パッドの表面部にスラリーを供給し、
被研磨物を前記研磨パッドの表面部に接触させ、
前記研磨パッドの表面部の温度を第1の温度範囲内に設定した状態で前記被研磨物を研磨する第1の研磨工程を実行した後に、前記研磨パッドの表面部の温度を第2の温度範囲内に設定した状態で前記被研磨物を研磨する第2の研磨工程を実行し、
前記第2の研磨工程において前記研磨パッドの表面部に露出した前記水溶性粒子の溶解度は、前記第1の研磨工程において前記研磨パッドの表面部に露出した前記水溶性粒子の溶解度よりも高い
CMP方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040468A JP5404673B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Cmp装置、研磨パッド及びcmp方法 |
US13/233,960 US20120220195A1 (en) | 2011-02-25 | 2011-09-15 | Cmp apparatus, polishing pad and cmp method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040468A JP5404673B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Cmp装置、研磨パッド及びcmp方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012178450A JP2012178450A (ja) | 2012-09-13 |
JP5404673B2 true JP5404673B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=46719302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011040468A Active JP5404673B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Cmp装置、研磨パッド及びcmp方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120220195A1 (ja) |
JP (1) | JP5404673B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5701736B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-04-15 | 株式会社東芝 | 平坦化方法および平坦化装置 |
US9312142B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-04-12 | Globalfoundries Inc. | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
KR101739426B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2017-06-08 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 기판 연마장치 |
JP6475604B2 (ja) * | 2015-11-24 | 2019-02-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法 |
JP6865497B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2021-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2019160996A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 研磨パッド、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
JP6975078B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-12-01 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP7467188B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-04-15 | キオクシア株式会社 | Cmp方法及びcmp用洗浄剤 |
KR20220050374A (ko) * | 2020-10-16 | 2022-04-25 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장치, 화학적 기계적 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
US5957750A (en) * | 1997-12-18 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates |
US6283829B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-09-04 | Beaver Creek Concepts, Inc | In situ friction detector method for finishing semiconductor wafers |
US6390890B1 (en) * | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
US6428388B2 (en) * | 1998-11-06 | 2002-08-06 | Beaver Creek Concepts Inc. | Finishing element with finishing aids |
US8353738B2 (en) * | 1998-11-06 | 2013-01-15 | Semcon Tech, Llc | Advanced finishing control |
US6283828B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus |
US6413153B1 (en) * | 1999-04-26 | 2002-07-02 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing element including discrete finishing members |
US6641463B1 (en) * | 1999-02-06 | 2003-11-04 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing components and elements |
US6827638B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-12-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing device and method |
DE602005007125D1 (de) * | 2004-09-17 | 2008-07-10 | Jsr Corp | Chemisch-mechanisches Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren |
JP4475404B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2010-06-09 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
US7991499B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-08-02 | Molnar Charles J | Advanced finishing control |
US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
JP5248152B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-07-31 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US20110177623A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Confluense Llc | Active Tribology Management of CMP Polishing Material |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011040468A patent/JP5404673B2/ja active Active
- 2011-09-15 US US13/233,960 patent/US20120220195A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120220195A1 (en) | 2012-08-30 |
JP2012178450A (ja) | 2012-09-13 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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