JP5397851B2 - ペプチド誘導体又はその塩の製造方法 - Google Patents

ペプチド誘導体又はその塩の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体又はその塩の製造方法に関する。
歯周病は、日本の総人口における70%以上が罹患している病気である。歯周病の原因は、口腔内に存在する歯周病原生細菌とされている。特にこの中でも、ジンジバリス菌によって生産されるタンパク質分解酵素による影響が大きいと考えられている。このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素のうち、Arg−gingipain(以下「Rgp」と略されることもある。)及びLys−gingipain(以下「Kgp」と略されることもある。)が、病原性を持つ酵素として知られている。これらのタンパク質分解酵素は、歯周組織の破壊、炎症反応の亢進等といった人体にとって有害な性質を持つ。さらに、これらのタンパク質分解酵素は、歯周病のみならず、動脈硬化症や糖尿病など様々な疾患も引き起こしていると考えられている。
このため、このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素Rgp及びKgpの活動を阻害する阻害剤の研究が行われている。阻害剤として、様々な天然物や合成物が挙げられる。この天然物においては、RgpやKgpへの特異性は高いが、同時に毒性を有する。また合成物においては、概ね特異性は低く、かつ毒性を有する。しかし、これらの合成された阻害剤のうち、KYT−1、KYT−36及びKYT−41は、RgpとKgpとにおいて一方若しくは両方に対して特異性が高く、かつ毒性が低いものとして注目されている(特許文献1,2,3)。これらのKYT−1、KYT−36及びKYT−41は、ペプチド誘導体である。これらのペプチド誘導体は、ジケトンを主鎖に有する。また、これらのペプチド誘導体は安定性もよいため有効成分として有用なものと大いに期待され、大量生産化の研究が進められている。
特開平11−228526号公報 PCT/JP01/09621号公報 PCT/JP02/11860号公報
上述されたように、KYT−1、KYT−36及びKYT−41の構造は、ペプチド誘導体の主鎖中に一つ若しくは二つのジケトンを有する。このため、従来のペプチド合成法のみではこれらを製造できない。よって、現在これらのペプチド誘導体は、複雑な合成課程を経て得られている。例えば、特開平11−228526号公報等に記載されている様な合成方法である。この合成方法は、以下に述べられる様な一連の反応等を含む。N末端が保護されたアミノ酸と、低級アルコキシ基で修飾されたケトン基を有するエタノールアミン化合物と、を縮合する。得られた化合物のケトン基側の低級アルコキシ基を水酸基に置換する。この置換で得られた化合物と、アミノ酸と、を縮合させる。さらに得られた化合物の主鎖上の水酸基を酸化させることにより、ケトン基が得られる。この酸化反応によって、主鎖上にジケトンが得られる。また、さらに保護基に応じて、側鎖や主鎖上の保護基が脱離される。このように、原料から最終生成物が得られるまでに、多くの工程数及び反応の種類が含まれる。よって、この合成方法は、非常に複雑な工程である。このため、実用化のための大量生産の体制が確立されていない。よって、これらのペプチド誘導体を合成するために、多岐に渡る材料費や反応の種類から生じる反応機器の種別及び手間等や、工程数の多さから生じる時間等によって非常に高いコストと時間等が要求されている。
本発明は、前述された問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ペプチド誘導体KYT−1、KYT−36及びKYT−41を実用化するために、公知の反応に比べると、入手が安易な原料から少ない工程数で、ペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供することにある。
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法によると、XNH−CR−CO−NH−CR−CO−CO−NAすなわち式(I)
Figure 0005397851

(式中、式中、XはNH保護基を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、A及びAはそれぞれ、水素原子、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。)で表されるペプチド誘導体又はその塩が効率良く製造される。
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法において、保護基は、一般的にペプチド合成において慣用されている保護基を示す。なお、フェニル基はPhで表される。また、ペプチド誘導体の塩とは、薬学的に許容されるペプチド誘導体の塩を示す。
(1)本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法は、第一保護基でN末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、上記ペプチドのC末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、を含む。
上記第一工程は、XNH−CRCOOHすなわち式(II)
Figure 0005397851

(式中、XはN末端の保護基を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示す。)で表される上記第一アミノ酸と、
N−CRCOOHすなわち式(III)
Figure 0005397851

(式中、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示す。)で表される上記第二アミノ酸とを縮合する反応を含む。また、上記第一アミノ酸は、N末端が第一保護基(式中、Xで表される。)で保護されているものである。
上記第二工程は、上記第一工程で得られたXNH−CR−CO−NH−CRCOOHすなわち式(IV)
Figure 0005397851

(式中、XはN末端の保護基を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示す。)で表される上記ペプチドのC末端の水酸基をカルボキシル基へ置換する反応を含む。
上記第三工程は、上記第二工程で得られたXNH−CR−CO−NHCR−CO−COOHすなわち式(V)
Figure 0005397851

(式中、XはN末端の保護基を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示す。)で表される上記第一化合物と、HNAすなわち式(VI)
Figure 0005397851

(式中、A及びAはそれぞれ、水素原子、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。)で表される上記第一アミン化合物と、を縮合する反応を含む。
上記第一工程と第三工程とにおけるペプチド結合を形成する縮合反応は、公知慣用の方法が用いられる。例えば、縮合剤としてDCC、PyBOP、TBTU、HATU、HBTU及びDEPBT等が挙げられる。また、添加剤として、HOBt、HOAt、HOOBt及びCl−HOBt等が用いられることも可能である。縮合に用いられる溶媒としては、反応が阻害されないものであれば特に制限はない。溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン(THF)、ジオキサン、酢酸エチル、N−メチルピロリドン(NMP)、クロロホルム、塩化メチレン及びジメチルスルホキシド等が挙げられる。またアジド法や、活性エステル法などにより縮合を行うことも可能である。
(2)上記第三工程における上記第一アミン化合物は、第三アミノ酸のC末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、第三アミノ酸のC末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基とを含むアミン化合物及び、フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
上記第三工程において、上記第一アミン化合物は、C末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物HNCR−CO−NAすなわち式(VII)
Figure 0005397851

(式中、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、A及びAはそれぞれ、水素原子、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。)で表される第三アミノ酸及び第三アミノ酸のC末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されて、かつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物H NCR−CO−CO−NAすなわち式(VIII)
Figure 0005397851

(式中、Rは保護基で保護されていてもよいアミノ酸のR基側鎖を示し、A及びAはそれぞれ、水素原子、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。)で表される化合物を含む。
(3)上記第二アミン化合物は、炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及びフェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
(4)上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される。
(5)上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、N末端及びC末端以外が、保護基で修飾されることが可能である。
上記保護基として、例えば、N末端の保護基は、ベンジルオキシカルボニル基(CbzあるいはZ)、t−ブトキシカルボニル基(Boc)、フルオレニルメトキシカルボニル基(Fmoc)、p−トルエンスルホニル基(Tos)等が挙げられる。C末端の保護基は、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ベンジルエステル及びt−ブチルエステル等が挙げられる。また、その他の側鎖の保護基として、例えば、ベンジル基、t−ブチル基、2−ブロモベンジルオキシカルボニル、トリチル基、N−(アセチル)アミノメチル基、4−メチルベンジル基、p−トルエンスルホニル基(Tos)、ベンジルオキシメチル基(Bom)やt−ブトキシメチル基(Bum)、NO等が挙げられる。なお、保護基は公知の方法によって、それぞれの保護基に応じた方法で脱離されることも可能である。
(6)上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、L体又はD体のいずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能である。
(7)上記第一保護基は、ベンジルオキシカルボニル基である。
(8)上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、かつ上記第三アミノ酸がリシンである。
(9)上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が1−メチル−1−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである。
(10)上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである。
(11)上記ペプチド誘導体が、Cbz−Lys−Arg−CO−Lys−N(CHすなわち式(IX)
Figure 0005397851

で表されるKYT−1である。
(12)上記ペプチド誘導体が、Cbz−Glu(NHNCHPh)−Lys−CO−NHCHPhすなわち式(X)
Figure 0005397851

で表されるKYT−36である。
(13)上記ペプチド誘導体が、Cbz−Glu−Lys−CO−Arg(NO)−CO−NHCHCHPhすなわち式(XI)
Figure 0005397851

で表されるKYT−41である。
本発明は、公知の反応に比べると、少ない工程数で、式(I)で表されるペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供する。これにより、今まで製造工程が煩雑で、時間やコスト等がかかっていたKYT−1、KYT−36及びKYT−41が、効率良く製造することが可能となるため大量生産化が図れる。また同時に、主鎖中にケトンが結合されたジケトン構造を有するペプチドの合成も、本発明をもって容易に実施可能となる。
以下に、本発明の好ましい実施例が説明される。なお、以下に説明される各実施例は、本発明の一例にすぎず、本発明の要旨を変更しない範囲で、本発明の実施形態を適宜変更できることは言うまでもない。なお、Bocはt−ブトキシカルボニル基を、Cbzはベンジルオキシカルボニル基を、OtBuはt−ブトキシ基を、OSuはコハク酸をそれぞれ示す。また、DICは、N,N−ジイソプロピルカルボジイミドを、DMFは、ジメチルホルムアミドを、DCMはジクロロメタンを、DMAPは4−ジメチルアミノピリジンを、2−PEAは2−フェニルエチルアミンを、PPh−CNはシアノメチレントリフェニルホスフィンを、DMAはジメチルアミンを、NHBzはベンジルアミンを、Pbfはペンタメチルベンゾフラニルを、それぞれ示す。
[実施例1]
式(XI)で表されるKYT−41を合成した。
(第一工程)
Cbz−Glu(OtBu)−OSu 0.435g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液に、H−Lys(Boc)−OH 0.246g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液を加え、0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに1時間攪拌して縮合させた。反応終了後、DMFをエバポレータ(東京理科機器株式会社製、N−1000V)で濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OtBu)−Lys(Boc)−OHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。測定にはMass(Applied Biosystems社製 Mariner)を用いた。
Mass(ESI−TOF): m/z 567.0(M+H)
(第二工程)
Cbz−Glu(OtBu)−Lys(Boc)−OHの結晶 0.566g(1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、PPh−CN 0.452g(1.5mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DMAP 0.024g(0.2mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、DCMをエバポレータで濃縮した後、残渣に1,4−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、30%過酸化水素水を5ml加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OtBu)−Lys(Boc)−COOHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 595.1(M+H)
Boc−Arg(NO)−OH 0.319g(1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、PPh−CN 0.452g(1.5mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DMAP 0.024g(0.2mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、Boc−Arg(NO)−OHの水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、DCMをエバポレータで濃縮した後、残渣に1,4−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、30%過酸化水素水を5ml加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Boc−Arg(NO)−COOHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 348.8(M+H)
Boc−Arg(NO)−COOHの結晶 0.347g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、2−PEA 0.133g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、HOBt 0.162g(1.2mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、Boc−Arg(NO)−COOHの水酸基を2−PEAへと置換させた。反応終了後、DMFをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Boc−Arg(NO)−CO−(2−PEA)の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 450.7(M+H)
Boc−Arg(NO)−CO−(2−PEA)の結晶を4N 塩酸/1,4−ジオキサンに溶解して、0℃で30分攪拌しBoc基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、H−Arg(NO)−CO−(2−PEA)の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 350.5(M+H)
(第三工程)
Cbz−Glu(OtBu)−Lys(Boc)−COOH 0.594g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、H−Arg(NO)−CO−(2−PEA) 0.653g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、HOBt 0.162g(1.2mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させた。DMFをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OtBu)−Lys(Boc)−CO−Arg(NO)−CO−(2−PEA)の結晶を得た。得られた結晶を4N 塩酸/1,4−ジオキサンに溶解して、0℃で30分攪拌しOtBu基とBoc基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu−Lys−CO−Arg(NO)−CO−(2−PEA)の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 770.2(M+H)
[実施例2]
式(IX)で表されるKYT−1を合成した。
(第一工程)
Cbz−Lys(Boc)−OSu 0.478g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液に、H−Arg(Pbf)−OH 0.427g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液を加え、0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに1時間攪拌して縮合させた。反応終了後、DMFをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Lys(Boc)−Arg(Pbf)−OHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 790.9(M+H)
(第二工程)
Cbz−Lys(Boc)−Arg(Pbf)−OHの結晶 0.790g(1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、PPh−CN 0.452g(1.5mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DMAP 0.024g(0.2mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、DCMをエバポレータで濃縮した後、残渣に1,4−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、30%過酸化水素水を5ml加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Lys(Boc)−Arg(Pbf)−COOHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 809.0(M+H)
Cbz−Lys(Boc)−COOH 0.380g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DMA 0.050g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、HOBt 0.162g(1.2mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、Cbz−Lys(Boc)−COOHの水酸基をDMAと置換させた。反応終了後、DMFをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Lys(Boc)−CO−DMAの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 408.8(M+H)
Cbz−Lys(Boc)−CO−DMAの結晶を、メタノール5ml、酢酸2ml及び水3mlに溶解して、Pd黒0.04gを加えた。この溶媒に水素ガスを通しながら2時間攪拌することで、保護基Cbzを脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、H−Lys(Boc)−CO−DMAの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 274.6(M+H)
(第三工程)
Cbz−Lys(Boc)−Arg(Pbf)−COOHの結晶 0.809g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、H−Lys(Boc)−CO−DMA 0.303g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、HOBt0.162g(1.2mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させた。DMFをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Lys(Boc)−Arg(Pbf)−CO−Lys(Boc)−CO−DMAの結晶を得た。得られた結晶を4N 塩酸/1,4−ジオキサンに溶解して、0℃で30分攪拌しPbf基とBoc基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Lys−Arg−CO−Lys−CO−DMAの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 620.4(M+H)
[実施例3]
式(X)で表されるKYT−36を合成した。
(第一工程)
Cbz−Glu(OMe)−OSu 0.392g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液に、H−Lys(Boc)−OH 0.246g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液を加え、0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに1時間攪拌して縮合させた。反応終了後、DMFをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−OHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 525.1(M+H)
(第二工程)
Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−OHの結晶 0.523g(1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、PPh−CN 0.452g(1.5mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、DMAP 0.024g(0.2mmol)をDCM1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、DCMをエバポレータで濃縮した後、残渣に1,4−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、30%過酸化水素水を5ml加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−COOHの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 523.3(M+H)
(第三工程)
Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−COOH 0.552g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、ベンジルアミン 0.118g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、DIC 0.139g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、HOBt 0.162g(1.2mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させて、Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−COOHの水酸基をベンジルアミンへと置換させた。反応終了後、DMFをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−CO−NHBzの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 642.5(M+H)
Cbz−Glu(OMe)−Lys(Boc)−CO−NHBz 0.641g(1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、フェニルメチルヒドラジン 0.122g(1.1mmol)をDMF1mlに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を0℃で30分攪拌し、次いで室温でさらに3時間攪拌させた。DMFをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、0.5M NaHCO水溶液、5wt%KHSO水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(NHNMePh)−Lys(Boc)−CO−NHBz の結晶を得た。得られた結晶を4N 塩酸/1,4−ジオキサンに溶解して、0℃で30分攪拌しBoc基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Cbz−Glu(NHNMePh)−Lys−CO−NHBzの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
Mass(ESI−TOF): m/z 645.9(M+H)

Claims (13)

  1. 第一保護基でN末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、
    上記ペプチドのC末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、
    上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、
    を含むペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  2. 上記第三工程において第一アミン化合物は、
    第三アミノ酸のC末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
    第三アミノ酸のC末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
    炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及び、
    フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
    からなる群から選択される少なくとも一つである請求項1に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  3. 上記第二アミン化合物は、
    炭素数1から6の直鎖状及び分枝状のアルキル基を含むアミン化合物と、
    フェニル基で修飾された炭素数1から6の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
    からなる群から選択される少なくとも一つである請求項2に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  4. 上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される請求項1から請求項3のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  5. 上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、N末端及びC末端以外が保護基で修飾されることが可能である請求項1から請求項4のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  6. 上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、L体又はD体いずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能な請求項1から請求項5のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  7. 上記第一保護基が、ベンジルオキシカルボニル基であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  8. 上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、上記第三アミノ酸がリシンである請求項1から請求項7のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  9. 上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が1−メチル−1−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである請求項1から請求項7のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  10. 上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである請求項1から請求項7に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  11. 上記ペプチド誘導体が、Cbz−Lys−Arg−CO−Lys−N(CH すなわち式(IX)
    Figure 0005397851
    で表されるKYT−1である請求項8に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  12. 上記ペプチド誘導体が、Cbz−Glu(NHNCH Ph)−Lys−CO−NHCH Phすなわち式(X)
    Figure 0005397851
    で表されるKYT−36である請求項9に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
  13. 上記ペプチド誘導体が、Cbz−Glu−Lys−CO−Arg(NO )−CO−NHCH CH Phすなわち式(XI)
    Figure 0005397851
    で表されるKYT−41である請求項10に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
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