JP5380937B2 - 電圧駆動型半導体素子の駆動回路 - Google Patents
電圧駆動型半導体素子の駆動回路 Download PDFInfo
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Description
GDU1、GDU2は、IGBTQ1、Q2のゲート駆動回路である。本方式は、トランスの動作原理を利用して、過渡的なゲート電流Ig1、Ig2をバランスさせ、結果的にスイッチングタイミングの同期と素子電圧ばらつきを抑制するものである。この回路方式における問題点の1つは、素子の過渡動作が終了した後、磁気結合手段(以下コアと略す)に蓄えられた磁気エネルギーがリセットされる時に、励磁インダクタンスと素子の入力容量とで振動することである。
図6に図5の等価回路を示す。図6において、Cies1、Cies2は各々IGBTQ1、Q2の入力容量、Lmはコアの励磁インダクタンス、Rg1(on)はIGBTQ1のオン用ゲート抵抗、Rg1(off)はIGBTQ1のオフ用ゲート抵抗、Rg2(on)はIGBTQ2のオン用ゲート抵抗、Rg2(off)はIGBTQ2のオフ用ゲート抵抗である。また、図7にIGBTQ1がQ2に対して早いタイミングでオフした時の各部波形例を示す。スイッチングタイミングがずれているタイミングアンバランス期間でコアが励磁され、その後、その励磁エネルギーをリセットするために、図6の太線の経路で振動する。この時、振動周期は、励磁インダクタンスLmとIGBTQ1、Q2の各入力容量Cies1、Cies2で決まる。この振動が継続中に次のスイッチングが行われると、さらに励磁エネルギーが重畳され、IGBTの電圧バランス作用効果の低下や、コアの飽和が発生する可能性がある。
従って、本発明の課題は、簡単な回路でコアに励磁されたエネルギーを短時間でリセットさせる手段を提供することにある。
圧駆動型半導体素子各々に接続されたオンオフ制御用のゲート駆動回路と、前記各ゲート
駆動回路からの信号を同調するためにゲート線を互いに磁気結合する磁気結合手段を有す
る半導体スイッチ回路において、磁気結合手段は磁気コアに各々タップを備えた一次巻線
と二次巻線とを備え、一次巻線の一方の端子と他方の端子は前記一方のゲート駆動回路の
出力と前記一方の電圧駆動型半導体素子の入力信号端子との間に、二次巻線の一方の端子
と他方の端子は前記他方のゲート駆動回路の出力と前記他方の電圧駆動型半導体素子の入
力信号端子との間に各々接続し、一次巻線のタップ及び二次巻線のタップは、各ゲート駆
動回路の順バイアス電位と逆バイアス電位との間に接続されたダイオード直列回路の直列
接続点に各々接続する。
また、トランスTR3の二次巻線(電圧Vc2側巻線)では、ゲート駆動回路GDU6の出力とIGBTQ6のゲートとの間にトランスTR3二次巻線の一方の端子と他方の端子が、順バイアス用ゲート駆動電源VFB6の正極と逆バイアス用ゲート駆動電源VRB6の負極との間に接続されたダイオードDf6とDr6の直列回路の接続点にトランスTR3二次巻線のタップが、各々接続された構成である。基本的な動作は第1の実施例と同じであるが、トランス二次巻線のタップ電圧が磁気リセット時にゲート駆動電源VFB6又はVRB6にクランプされるため、磁気リセット時ゲート電圧をゲート駆動電源電圧より高くすることができ、ノイズ耐量を高めることが可能となる。
尚、上記実施例にはゲート駆動回路としてオン用スイッチとオン用抵抗の直列回路と、オフ用スイッチとオフ用抵抗の直列回路を、直列接続した構成例を示したが、オン用抵抗はオン用スイッチとIGBTのゲートと直列に、オフ用抵抗はオフ用スイッチとIGBTのゲートと直列に、各々挿入されれば良く、回路構成は上記実施例の限りではない。
TR0〜TR3・・・トランス(磁気結合手段)
GDU1〜GDU6・・・ゲート駆動回路
FET1(on)、FET2(on)、FET3a(on)、FET3b(on)、FET4a(on)、FET4b(on)、FET5(on)、 FET6(on)・・・オン用スイッチ
FET1(off)、FET2(off)、FET3a(off)、FET3b(off)、FET4a(off)、FET4b(off)、FET5(off)、 FET6(off)・・・オフ用スイッチ
Rg1(on)、Rg2(on)、Rg3a(on)、Rg3b(on)、Rg4a(on)、Rg4b(on)、Rg5(on)、Rg6(on)・・・オン用ゲート抵抗
Rg1(off)、Rg2(off)、Rg3a(off)、Rg3b(off)、Rg4a(off)、Rg4b(off)、Rg5(off)、Rg6(off)・・・オフ用ゲート抵抗
VFB1、VFB2、VFB3、VFB4、VFB5、VFB6・・・オン用ゲート駆動電源
VRB1、VRB2、VRB3、VRB4、VRB5、VRB6・・・オフ用ゲート駆動電源
Df5、Df6、Dr5、Dr6・・・ダイオード
Claims (2)
- 直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子と、これらの電圧駆動型半導体素子各々に接続されたオンオフ制御用のゲート駆動回路と、前記各ゲート駆動回路からの信号を同調するためにゲート線を互いに磁気結合する磁気結合手段を有する半導体スイッチ回路において、磁気結合手段は磁気コアに各々タップを備えた一次巻線と二次巻線とを備え、一次巻線の一方の端子とタップは前記一方のゲート駆動回路の出力と前記一方の電圧駆動型半導体素子の入力信号端子との間に、二次巻線の一方の端子とタップは前記他方のゲート駆動回路の出力と前記他方の電圧駆動型半導体素子の入力信号端子との間に各々接続し、一次巻線の他方の端子及び二次巻線の他方の端子は、各ゲート駆動回路の順バイアス電位と逆バイアス電位との間に接続されたダイオード直列回路の直列接続点に各々接続することを特徴とする電圧駆動型半導体素子の駆動回路。
- 直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子と、これらの電圧駆動型半導体素子各々に接続されたオンオフ制御用のゲート駆動回路と、前記各ゲート駆動回路からの信号を同調するためにゲート線を互いに磁気結合する磁気結合手段を有する半導体スイッチ回路において、磁気結合手段は磁気コアに各々タップを備えた一次巻線と二次巻線とを備え、一次巻線の一方の端子と他方の端子は前記一方のゲート駆動回路の出力と前記一方の電圧駆動型半導体素子の入力信号端子との間に、二次巻線の一方の端子と他方の端子は前記他方のゲート駆動回路の出力と前記他方の電圧駆動型半導体素子の入力信号端子との間に各々接続し、一次巻線のタップ及び二次巻線のタップは、各ゲート駆動回路の順バイアス電位と逆バイアス電位との間に接続されたダイオード直列回路の直列接続点に各々接続することを特徴とする電圧駆動型半導体素子の駆動回路。
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JP2008194641A JP5380937B2 (ja) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 電圧駆動型半導体素子の駆動回路 |
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JP2008194641A JP5380937B2 (ja) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 電圧駆動型半導体素子の駆動回路 |
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Family Applications (1)
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2008
- 2008-07-29 JP JP2008194641A patent/JP5380937B2/ja active Active
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