JP5377463B2 - Heat treatment device - Google Patents
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Description
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラス基板等の基板に加熱処理を施す加熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus that performs heat treatment on a substrate such as a glass substrate for a flat panel display (FPD).
一般に、フラットパネルディスプレイ(FPD)は、フォトリソグラフィープロセスを用いて製造されている。FPDのフォトリソグラフィーのプロセスは、ガラス基板等上にレジストを塗布する塗布工程、フォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する露光工程、そして露光後にパターンを現像する現像工程の3つの基本工程が有る。これら基本工程の前後に補助として種々な熱処理工程を行っている。例えば、塗布工程前には、基板から水分を取り除くための熱処理(脱水ベーク)が行われる。塗布工程と露光工程の間では、レジスト膜の塗布後に残留溶剤を蒸発させるための熱処理(プリベーク)が行われる。現像工程後は、レジストパターンに残留している現像液や洗浄液を蒸発除去するための熱処理(ポストベーク)が行われる。 In general, flat panel displays (FPDs) are manufactured using a photolithography process. The FPD photolithography process has three basic steps: a coating step for applying a resist on a glass substrate or the like, an exposure step for transferring a photomask pattern to a resist film, and a development step for developing the pattern after exposure. Various heat treatment steps are performed before and after these basic steps. For example, a heat treatment (dehydration bake) for removing moisture from the substrate is performed before the coating process. Between the coating process and the exposure process, a heat treatment (pre-baking) for evaporating the residual solvent is performed after the resist film is applied. After the development step, a heat treatment (post-bake) is performed to evaporate and remove the developer and cleaning solution remaining in the resist pattern.
従来の加熱処理(ベーキング)装置は、多くの場合、ホットプレートオーブンの構成になっており、熱板の上にガラス基板等を載置して、上から蓋を被せてチャンバを形成し、チャンバ内で基板を加熱してレジスト膜から揮発したシンナー等の溶剤を排気するようにしている。この方式の加熱処理装置では、搬送ロボットと基板の受け渡しを行うために熱板の貫通孔から複数本の昇降ピンをアップダウンして基板をアップダウンさせる昇降ピン機構や、蓋を熱板の上に被せたり上方へ開けたりする蓋開閉機構を備えている。あるいは、上蓋を固定して一側壁に基板の搬入出口を設けるタイプのものは、該基板搬入出口を開閉するためのゲート機構を備えている(例えば、特許文献1,2参照)。 The conventional heat treatment (baking) apparatus is often configured as a hot plate oven. A glass substrate or the like is placed on the hot plate, and a chamber is formed by covering the lid from above. The substrate is heated to exhaust the solvent such as thinner that has volatilized from the resist film. In this type of heat treatment apparatus, in order to transfer the substrate to and from the transfer robot, a lift pin mechanism that raises and lowers the plurality of lift pins from the through hole of the hot plate to bring the substrate up and down, and a lid on the hot plate. A lid opening / closing mechanism that covers or opens upward is provided. Alternatively, the type in which the upper lid is fixed and the substrate loading / unloading port is provided on one side wall includes a gate mechanism for opening and closing the substrate loading / unloading port (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、従来の加熱処理装置においては、昇降ピンのアップダウンや搬送ロボットの受け渡しの工程により基板の搬入出に費やす時間が長く、スループットが低いという問題がある。また、近年、FPDの大型化により、一辺が2m以上にもなる巨大なガラス基板が出現するに至っており、前記の従来の加熱処理装置では、搬送アームと昇降ピンとの間又は昇降ピンと加熱プレートとの間の受け渡しの際の衝撃によって破損やパーティクル発生の要因になるおそれがある。また、加熱プレートは一般的に温度の応答性が悪く、所定の温度に保持されることから、前記の従来の加熱処理装置では、ガラス基板が加熱プレート上に載置されてから設定された温度に達するまでにかなりの時間を要してしまうため多くの電力を消費してしまう懸念がある。 However, the conventional heat treatment apparatus has a problem in that it takes a long time to carry in and out the substrate by raising and lowering the lifting pins and transferring the transfer robot, and the throughput is low. Further, in recent years, due to the increase in size of FPD, a huge glass substrate having a side of 2 m or more has appeared. In the conventional heat treatment apparatus, between the transfer arm and the lift pin or between the lift pin and the heating plate, There is a possibility that damage or particle generation may be caused by an impact at the time of delivery. In addition, since the heating plate generally has poor temperature responsiveness and is maintained at a predetermined temperature, in the conventional heat treatment apparatus, the temperature set after the glass substrate is placed on the heating plate. There is a concern that a considerable amount of power will be consumed because it takes a considerable amount of time to reach.
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、大型ガラス基板であっても基板を破損することなく処理スピードを向上しつつ、パーティクルの低減と省エネルギーを実現できる加熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and realizes reduction of particles and energy saving while improving the processing speed without damaging the substrate even for a large glass substrate. It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus that can be used.
上記の問題を解決するために、本発明は、基板に加熱処理を施す加熱処理装置において、基板を一水平方向に搬送する搬送路と、 前記搬送路を囲繞するように設けられると共に、前記基板の搬送方向の中央部及び搬送方向の両端部に、内部の排気を行う排気機構が設けられている枠体と、 前記搬送路の上部に複数個配設された面体状の放熱体と、該放熱体に埋設される管状ヒータを具備する上部面体状加熱部と、 前記搬送路の下部に複数個配設された面体状の放熱体と、該放熱体に埋設される管状ヒータを具備する下部面体状加熱部と、 前記上部及び下部面体状加熱部のいずれか又は両方の加熱部は前記搬送路の搬送方向に区分され、 前記上部及び下部面体状加熱部の少なくとも下部面体状加熱部は、前記搬送路の幅方向の中央部に第1管状ヒータが埋設され、面体状加熱部の幅方向の両側部に第2管状ヒータ及び第3管状ヒータが各々埋設され、かつ、前記第1管状ヒータの端と、前記第2及び第3の管状ヒータの端は前記搬送路の幅方向に所定の距離で離間され、 制御装置により、区分された前記中央部より前記両端部が低い温度に制御可能に形成されている、ことを特徴とする。この場合、前記第1管状ヒータの端と、前記第2及び第3の管状ヒータの端との離間距離は、前記搬送路の幅方向に調整可能に形成されているのが好ましい。 In order to solve the above problems, the present invention provides a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, a conveyance path that conveys the substrate in one horizontal direction, and a substrate that surrounds the conveyance path. A frame body provided with an exhaust mechanism for exhausting the inside at a central portion in the transport direction and both ends in the transport direction, a plurality of planar radiators disposed above the transport path , An upper face-shaped heating unit including a tubular heater embedded in a heat dissipating body, a plurality of face-shaped heat dissipating members disposed in a lower portion of the conveying path, and a lower portion including a tubular heater embedded in the heat dissipating body a face piece shaped heating unit, the heating unit of either or both of the upper and lower face piece-like heating unit is divided in the conveying direction of the conveying path, at least a lower face piece shaped heating portions of the upper and lower face piece shaped heating unit, First in the center in the width direction of the transport path And the second tubular heater and the third tubular heater are respectively buried in both sides in the width direction of the planar heating part, and the end of the first tubular heater and the second and third tubular heaters are embedded. The ends of the heater are separated by a predetermined distance in the width direction of the transport path, and the both end portions are formed so as to be controllable to a lower temperature than the divided central portion by a control device. In this case, it is preferable that the separation distance between the end of the first tubular heater and the ends of the second and third tubular heaters is adjustable in the width direction of the transport path.
本発明において、前記第2及び第3管状ヒータは同種類の管状ヒータである方が好ましい。この場合、前記第1の管状ヒータはシーズヒータ、前記第2及び第3の管状ヒータはカートリッジヒータである方が好ましい。 In the present invention, the second and third tubular heaters are preferably the same type of tubular heater. In this case, it is preferable that the first tubular heater is a sheathed heater, and the second and third tubular heaters are cartridge heaters.
また、本発明において、前記枠体の壁部の少なくとも一部は、互いに空間をあけて設けられた内壁および外壁を備えた二重壁構造を有しており、前記内壁および外壁の間の空間が前記枠体内外を断熱する断熱材と空気による断熱層として機能することが好ましい。 In the present invention, at least a part of the wall portion of the frame body has a double-wall structure including an inner wall and an outer wall that are provided with a space therebetween, and a space between the inner wall and the outer wall. However, it preferably functions as a heat insulating material that insulates the inside and outside of the frame and a heat insulating layer by air.
本発明によれば、基板を一水平方向に搬送する搬送路と共に前記搬送路を囲繞するように設けられた枠体と、前記搬送路の上部と下部に複数個配設された面体状加熱部とを有し、前記加熱部は前記搬送路の搬送方向と幅方向に区分され、区分された領域ごとに温度制御を行うことにより、基板に高いスループットと均一性の高い加熱を行うことが可能となる。 According to the present invention, a frame provided so as to surround the transport path together with a transport path for transporting the substrate in one horizontal direction, and a plurality of planar body heating units disposed at the upper and lower portions of the transport path The heating unit is divided into a conveyance direction and a width direction of the conveyance path, and by performing temperature control for each divided area, it is possible to heat the substrate with high throughput and high uniformity. It becomes.
また、前記枠体の搬送方向中央部及び両端部には、前記枠体内の排気を行う排気機構が設けられていると共に、上部及び下部の加熱部はそれぞれ、前記搬送路の幅方向両側部が前記搬送路の幅方向中央部よりも低い加熱電力に設定されていることにより、より高い均一性で加熱処理を行うことが可能となる。 Further, an exhaust mechanism for exhausting the inside of the frame body is provided at the center and both ends of the frame in the transport direction, and the upper and lower heating units are respectively provided on both sides in the width direction of the transport path. By setting the heating power to be lower than that in the central portion in the width direction of the transport path, it becomes possible to perform the heat treatment with higher uniformity.
以下に、本発明に係る加熱処理装置をFPD基板のレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。 The case where the heat treatment apparatus according to the present invention is applied to an FPD substrate resist coating / development processing apparatus will be described below.
図1に、本発明の加熱処理装置を適用できる一構成例としての塗布・現像処理システムを示す。この塗布・現像処理システム200は、クリーンルーム内に設置され、例えばFPD基板を被処理基板(以下に基板Gという)とし、FPD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。
FIG. 1 shows a coating / development processing system as one configuration example to which the heat treatment apparatus of the present invention can be applied. The coating /
この塗布・現像処理システム200は、大きく4つのブロックから構成されている。基板Gを収納するカセットCを外部装置と受け渡しを行うカセットステーション部(C/S)201と、薬液を基板Gに塗布する塗布ライン部202と、露光装置と基板の受け渡しを行うインターフェース部(I/F)203と、露光後に基板Gを現像する現像ライン部205とから構成されている。露光装置204はインターフェース部203に隣接して設置されている。
The coating /
カセットステーション部(C/S)201は、基板Gを多段に積層して複数枚収容可能なカセットCが水平方向例えばX方向に4個まで並べて載置可能なカセットステージ10と、このカセットステージ10のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構11とを備えている。
The cassette station section (C / S) 201 includes a
搬送機構11は、基板Gを保持できる手段、例えば搬送アーム12を有し、水平のX,Y方向,鉛直のZ方向,及び水平回転(θ)の4軸で動作可能であり、隣接する塗布ライン202と現像ライン205に対して基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
塗布ライン202には、カセットステーションCからインターフェース部203に向かって、エキシマUV照射ユニット(e−UV)21、スクラブ洗浄ユニット(SCR)22、プリヒートユニット(PH)23、アドヒージョンユニット(AD)24、冷却ユニット(COL)25、レジスト塗布ユニット(CT)26、減圧乾燥ユニット(DP)27、加熱処理ユニット(HT)28、冷却ユニット(COL)29が順に配列されている。
The transport mechanism 11 has a means capable of holding the substrate G, for example, a
In the
エキシマUV照射ユニット(e−UV)21は基板Gに含まれる有機物の除去処理を行い、スクラブ洗浄ユニット(SCR)22は基板Gのスクラブ洗浄処理および乾燥処理を行う。プリヒートユニット(PH)23は基板Gの加熱処理を行い、アドヒージョンユニット(AD)24は基板Gの疎水化処理を行い、冷却ユニット(COL)25は基板Gを冷却する。レジスト塗布ユニット(CT)26は基板G上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、減圧乾燥ユニット(DP)27は、減圧下で基板G上のレジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させてレジスト膜を乾燥させる。後に詳述する加熱処理ユニット(HT)28は基板Gの加熱処理を行い、冷却ユニット(COL)29は冷却ユニット(COL)25と同様に基板Gを冷却する。 The excimer UV irradiation unit (e-UV) 21 performs a removal process of organic substances contained in the substrate G, and the scrub cleaning unit (SCR) 22 performs a scrub cleaning process and a drying process of the substrate G. The preheat unit (PH) 23 heats the substrate G, the adhesion unit (AD) 24 performs hydrophobic treatment of the substrate G, and the cooling unit (COL) 25 cools the substrate G. The resist coating unit (CT) 26 supplies a resist solution onto the substrate G to form a resist film, and the reduced pressure drying unit (DP) 27 evaporates volatile components contained in the resist film on the substrate G under reduced pressure. To dry the resist film. A heat treatment unit (HT) 28, which will be described in detail later, heats the substrate G, and a cooling unit (COL) 29 cools the substrate G in the same manner as the cooling unit (COL) 25.
現像ライン205には、インターフェース部203からカセットステーション201側に向かって、現像ユニット(DEV)30、加熱処理ユニット(HT)31、冷却ユニット(COL)32が順に配列されている。なお、冷却ユニット(COL)32とカセットステーション201との間には、レジスト塗布および現像を含む一連の処理が施された基板Gを検査する検査装置(IP)35が設けられている。
In the developing
現像ユニット(DEV)30は、基板G上への現像液の塗布、基板Gのリンス処理、基板Gの乾燥処理を順次行う。加熱処理ユニット(HT)31は、加熱処理ユニット(HT)28と同様に基板Gの加熱処理を行い、冷却ユニット(COL)32は、冷却ユニット(COL)25と同様に基板Gを冷却する。 The development unit (DEV) 30 sequentially performs the application of the developer onto the substrate G, the rinsing process of the substrate G, and the drying process of the substrate G. The heat treatment unit (HT) 31 heats the substrate G similarly to the heat treatment unit (HT) 28, and the cooling unit (COL) 32 cools the substrate G similarly to the cooling unit (COL) 25.
インターフェース部203は、基板Gを収容可能なバッファカセットが配置された、基板Gの受け渡し部であるロータリーステージ(RS)44と、塗布ライン202を搬送された基板Gを受け取ってロータリーステージ(RS)44に搬送する搬送アーム43とを備えている。搬送アーム43は、水平のX,Y方向,鉛直のZ方向,及び水平回転(θ)の4軸で動作可能であり、搬送アーム43に隣接して設けられた露光装置204と、搬送アーム43および現像ユニット(DEV)30に隣接して設けられた、周辺露光装置(EE)およびタイトラー(TITLER)を有する外部装置ブロック90とにもアクセス可能である。
The
塗布・現像処理システム200は、制御装置101により接続されて制御されている。制御装置101には、オペレータが塗布・現像処理システム200の各部又は各ユニットを作動するためにコマンドの入力を行うキーボードや、各部又は各ユニットの稼働状況を監視するための表示ディスプレイ等からなる入出力部102と、塗布・現像処理システム200で実行される加熱処理や冷却処理などの各種処理を制御装置101の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピを記憶する記憶部103とが接続されている。
The coating /
必要に応じて、入出力部102からの指示等にて任意のレシピを記憶部103から呼び出して制御装置101に実行させることで、制御装置101の制御下で、塗布・現像処理システム200で所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばCD−ROM、ハードディスク、フラッシュメモリなどに記録されたデータを使用、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
If necessary, an arbitrary recipe is called from the
このように構成された塗布・現像処理システム200においては、まず、カセットステーション201の載置台100に載置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11の搬送アーム12によって塗布ライン202の上流側端部に搬送され、エキシマUV照射ユニット(e−UV)21内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、ローラ搬送によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニット(SCR)22へ移される。
In the coating /
スクラバ洗浄ユニット(SCR)22では、ローラ搬送により水平姿勢で平流しで搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する。なお、洗浄後も基板Gを平流しで搬送しながらエアーナイフ等によって液切りして、基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)22内で洗浄処理の済んだ基板Gは、プリヒートユニット(PH)23で加熱処理が施され脱水される。プリヒートユニット(PH)23での加熱処理が終了した基板Gは、アドヒージョンユニット(AD)24で疎水化処理が施される。疎水化処理により基板Gとレジスト液の密着性を高める。アドヒージョンユニット(AD)24での疎水化処理が終了した基板Gは、冷却ユニット(COL)25で一定の常温の温度まで冷却される。 The scrubber cleaning unit (SCR) 22 removes particulate contamination from the surface of the substrate by brushing or blow cleaning the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while transporting it in a horizontal orientation with rollers. To do. Note that the substrate G is dried with an air knife or the like while the substrate G is transported in a flat flow even after cleaning, and the substrate G is dried. The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 22 is subjected to heat processing in the preheat unit (PH) 23 and dehydrated. The substrate G that has been subjected to the heat treatment in the preheat unit (PH) 23 is subjected to a hydrophobic treatment in the adhesion unit (AD) 24. The adhesion between the substrate G and the resist solution is improved by the hydrophobic treatment. The substrate G that has been subjected to the hydrophobization process in the adhesion unit (AD) 24 is cooled to a constant normal temperature by the cooling unit (COL) 25.
冷却ユニット(COL)25で冷却された基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)26でレジスト膜が形成される。基板Gはスピンコート法若しくはスリットコート法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布される。レジスト塗布ユニット(CT)26でレジスト膜が形成された基板Gは、搬送ライン上を搬送されて、減圧乾燥ユニット(DP)27で減圧雰囲気により、レジスト膜の乾燥処理を行う。 A resist film is formed on the substrate G cooled by the cooling unit (COL) 25 by the resist coating unit (CT) 26. The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by spin coating or slit coating. The substrate G on which the resist film is formed by the resist coating unit (CT) 26 is transported on the transport line, and the resist film is dried by the reduced pressure drying unit (DP) 27 in a reduced pressure atmosphere.
なお、レジスト塗布ユニット(CT)26がスピンコート法の場合は、レジスト塗布ユニット(CT)26の上流側の26i及び下流側の26oは共に基板Gを搬送するだけのローラ搬送機構になっている。また、レジスト塗布ユニット(CT)26がスリットコート法の場合は、レジスト塗布ユニット(CT)26の上流側の26iは冷却ユニット(COL)25のローラ搬送機構からスリットコートの場合に使用する空気浮上による搬送機構への移載ユニット、下流側の26oは空気浮上による搬送機構から減圧乾燥ユニット(DP)27のローラ搬送機構への移載ユニットになっている。 When the resist coating unit (CT) 26 is a spin coating method, both the upstream side 26i and the downstream side 26o of the resist coating unit (CT) 26 serve as a roller transport mechanism that transports the substrate G. . Further, when the resist coating unit (CT) 26 is of the slit coating method, 26i on the upstream side of the resist coating unit (CT) 26 is an air levitation used in the case of slit coating from the roller transport mechanism of the cooling unit (COL) 25. The downstream transfer unit 26o is a transfer unit from the air levitation transfer mechanism to the roller transfer mechanism of the vacuum drying unit (DP) 27.
減圧乾燥ユニット(DP)27でレジスト膜の乾燥処理が施された基板Gは、搬送ラインを搬送されて、加熱処理ユニット(HT)28で加熱処理によりレジスト膜に含まれる溶剤が蒸発除去される。加熱処理は後述するローラ搬送機構5によって搬送ライン上を搬送されながら行われる。本発明である加熱処理ユニット(HT)28の詳細な動作は後述する。
The substrate G that has been subjected to the drying process of the resist film by the reduced pressure drying unit (DP) 27 is transported through the transport line, and the solvent contained in the resist film is evaporated and removed by the heating process by the heat processing unit (HT) 28. . The heat treatment is performed while being transported on a transport line by a
加熱処理ユニット(HT)28での加熱処理が終了した基板Gは、搬送ライン上を搬送されて、冷却ユニット(COL)29で冷却される。冷却ユニット(COL)29で冷却された基板Gは、塗布ライン上を下流側端部まで搬送された後、インターフェース部203の搬送アーム43によってロータリーステージ(RS)44に搬送される。次に、基板Gは、搬送アーム43によって外部装置ブロック90の周辺露光装置(EE)に搬送されて、周辺露光装置(EE)でレジスト膜の不要な外周部を除去するための露光処理が施される。
The substrate G that has been subjected to the heat treatment in the heat treatment unit (HT) 28 is transported on the transport line and cooled by the cooling unit (COL) 29. The substrate G cooled by the cooling unit (COL) 29 is transported to the downstream end on the coating line, and then transported to the rotary stage (RS) 44 by the
続いて、基板Gは、搬送アーム43により露光装置204に搬送され、レジスト膜に所定パターンの露光処理が行われる。なお、基板Gは、一時的にロータリーステージ(RS)44上のバッファカセットに収容された後に、露光装置204に搬送される場合もある。露光処理が終了した基板Gは、搬送アーム43により外部装置ブロック90のタイトラー(TITLER)90に搬送され、タイトラー(TITLER)90で製品のID情報を2次元コードやOCR文字で所定の情報が記される。
Subsequently, the substrate G is transported to the
タイトラー(TITLER)90で所定の情報が記された基板Gは、現像ライン205上を搬送されて、現像ユニット(DEV)30で現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が順次施される。現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理は、例えば、基板Gが搬送ライン上を搬送されながら基板G上に現像液が液盛りされ、次に、搬送が一旦停止されて基板が所定角度傾斜して現像液が流れ落ち、この状態で基板G上にリンス液が供給されて現像液が洗い流され、その後、基板Gが水平姿勢に戻って再び搬送されながら基板Gに乾燥ガスが吹き付けられるといった手順で行われる。
A substrate G on which predetermined information is written by a
現像ユニット(DEV)30での現像液の処理が終了した基板Gは、搬送ライン上を搬送されて、加熱処理ユニット(HT)31で加熱処理が行われ、レジスト膜に含まれる溶剤および水分が蒸発除去される。加熱処理はローラ搬送機構5によって搬送ライン上を搬送されながら行われる。なお、現像ユニット(DEV)30と加熱処理ユニット(HT)31との間には、現像液の脱色処理を行うi線UV照射ユニットを設けてもよい。加熱処理ユニット(HT)31での加熱処理が終了した基板Gは、現像ライン205上を搬送されて、冷却ユニット(COL)32で冷却される。
After the processing of the developing solution in the development unit (DEV) 30 is completed, the substrate G is transported on the transport line, and is heated in the heat processing unit (HT) 31, so that the solvent and moisture contained in the resist film are removed. Evaporated off. The heat treatment is performed while being transported on the transport line by the
冷却ユニット(COL)32で冷却された基板Gは、現像ライン205を搬送されて、検査ユニット(IP)35で検査される。検査を通過した基板Gは、カセットステーション201に設けられた搬送装置11の搬送アーム12により載置台100に載置された所定のカセットCに収容される。
The substrate G cooled by the cooling unit (COL) 32 is transported through the
次に、図3により前述の通り構成された加熱処理ユニット(HT)28・31での基板Gの加熱処理について説明する。加熱処理ユニット(HT)28は、減圧乾燥ユニット(DP)27側より搬送され、加熱処理ユニット(HT)31は現像ユニット(DEV)30側)より搬送された基板Gが、基板搬入口61を通過すると、ローラ搬送機構5に受け渡され、このローラ搬送機構5によって搬送されながら、熱板コントローラ104によって温度制御された上部および下部面体状ヒータ81、71により枠体6内で加熱される。
Next, the heat treatment of the substrate G in the heat treatment units (HT) 28 and 31 configured as described above will be described with reference to FIG. The heat treatment unit (HT) 28 is transported from the reduced pressure drying unit (DP) 27 side, and the substrate G transported from the heat treatment unit (HT) 31 is from the development unit (DEV) 30 side) passes through the substrate carry-in
このように、基板の搬送および加熱が並行して行われるため、処理時間を短縮して行える。基板Gは、上部および下部面体状ヒータ81,71によって上下両面側から加熱されるため、反りが生じるといったことが抑止される。ローラ搬送機構5によって搬送された基板Gが、搬出口62を通過すると、冷却ユニット(COL)29側(加熱処理ユニット(HT)31では冷却ユニット(COL)32側)の搬送機構に受け渡される。
In this way, since the substrate is transported and heated in parallel, the processing time can be shortened. Since the substrate G is heated from the upper and lower sides by the upper and lower face-piece-shaped
次に、加熱処理ユニット(HT)28について詳細に説明する。なお、加熱処理ユニット(HT)31も加熱処理ユニット(HT)28と全く同じ構造であるので、ここでは、加熱処理ユニット(HT)28を代表して説明する。 Next, the heat treatment unit (HT) 28 will be described in detail. Since the heat treatment unit (HT) 31 has the same structure as the heat treatment unit (HT) 28, the heat treatment unit (HT) 28 will be described as a representative here.
図2は加熱処理ユニット(HT)28(加熱処理装置)の下部加熱部を示す平面図で、図3は側面図である。加熱処理ユニット(HT)28は、基板GをY方向一方側に向かって搬送するローラ搬送機構5と、ローラ搬送機構5を囲繞又は収納するように設けられた枠体6と、枠体6内でローラ搬送機構5によってローラ搬送されている基板Gを加熱する加熱機構7,8を具備している。
FIG. 2 is a plan view showing a lower heating portion of the heat treatment unit (HT) 28 (heat treatment apparatus), and FIG. 3 is a side view. The heat treatment unit (HT) 28 includes a
ローラ搬送機構5は、X方向に延びる略円柱状の回転可能なローラ部材50をY方向に間隔をあけて複数列配設している。ローラ部材50はそれぞれ、回転軸51が図示しないモータに直接、又はギヤ等を介して間接的に接続され、モータの駆動によって回転し、これにより、基板Gが複数のローラ部材50上をY方向の一方側に向かって搬送される。
In the
また、ローラ部材50は、それぞれ基板Gの全幅方向(X方向)に渡って接する形状を有しており、加熱機構7によって加熱された基板Gの熱が伝達しにくいように、ローラ外周面部52が樹脂等の熱伝導率の低い材料で形成され、回転軸51が高強度で耐食性が高いフェライト系ステンレスを使用したシャフトとなっている。
The
枠体6は、箱状に形成されて基板Gを略水平状態で収容可能であり、基板搬送方向(Y方向)にスリット状の基板搬入口61および基板搬出口62を配置している。ローラ搬送機構5のローラ部材50は、それぞれ回転軸51が枠体6のX方向に対向する側壁部に設けられた軸受け60に回転可能に支持されて枠体6内に配置されている。
The
枠体6の壁部、ここでは上壁部、底壁部およびY方向に対向する側壁部は、互いに空間をあけて設けられた内壁63および外壁64を備えた二重壁構造を有しており、内壁63および外壁64の間の空間65が枠体6内外を断熱する空気断熱層として機能する。外壁64の内側面には、枠体6内外を断熱するための断熱材66が設けられている。
The wall portion of the
加熱機構7は、ローラ搬送機構5による基板Gの搬送路に沿って枠体6内に設けられた下部面体状加熱部である下部面体状ヒータ71(71a〜71o)を備えており、下部面体状ヒータ71は、それぞれローラ搬送機構5によって搬送される基板Gに近接するように、ローラ搬送機構5によって搬送される基板Gの裏面(下面)側に設けられている。
The
また、加熱機構8は、ローラ搬送機構5による基板Gの搬送路に沿って枠体6内に設けられた上部面体状加熱部である上部面体状ヒータ81(81a〜81h)を備えており、上部面体状ヒータ81は、それぞれローラ搬送機構5によって搬送される基板に近接するように、ローラ搬送機構5によって搬送される基板Gの表面(上面)側に設けられている。
The heating mechanism 8 includes an upper face heater 81 (81a to 81h) that is an upper face heating section provided in the
加熱時に基板Gの歪みが多い材料の場合には、表面(上面)側の上部面体状ヒータ81(81a〜81h)を、裏面(下面)側に設けられている下部面体状ヒータ71(71a〜71o)と同じ配列で、上下対称に配置することにより、上下の熱分布を均一にすることにより歪みを低減することも可能である。 In the case of a material having a large distortion of the substrate G during heating, the upper surface heater 81 (81a to 81h) on the front surface (upper surface) side is replaced with the lower surface heater 71 (71a to 71a) provided on the back surface (lower surface) side. It is also possible to reduce distortion by making the upper and lower heat distributions uniform by arranging them in the same arrangement as 71o) and symmetrically in the vertical direction.
下部面体状ヒータ71は、X方向に分割して形成され、ローラ部材50同士の間にそれぞれ設けられてY方向に複数(Y方向上流側から順に71a〜71o)配列されている。上部面体状ヒータ81は、例えば、枠体6のX方向に対向する側壁部に取り付けられて支持されている。基板Gの加熱をより詳細に制御する場合は上部面体状ヒータ81はX方向に分割して形成してもよい。
The lower
枠体6内の熱の排気は搬送方向の中央部及び両端部の上壁部にはそれぞれ排気口67が設けられており、排気口67には排気装置68が接続されている。そして、排気装置68により、排気口67を介して枠体6内の排気が行われるように構成されている。排気口67は、例えば、X方向に複数形成されていてもよく、X方向に延びるスリット状に形成されていてもよい。
The exhaust of heat in the
排気機構を枠体6のY方向両端部にそれぞれ設けることにより、搬入口61および搬出口62にエアカーテンが形成され、外部のパーティクルが搬入口61および搬出口62から枠体6内に侵入してしまうことが抑止される。また、基板Gの搬送方向と同方向でY方向への排気流が形成されるので、枠体6の内部で発生したパーティクルも乱気流を発生させることなく排気されるので、基板Gへ付着を防止することができる。
By providing exhaust mechanisms at both ends in the Y direction of the
図3では排気口67は枠体6の上部に配置されているが、熱や溶媒の排気量を多くしたい場合、若しくはパーティクルを多く排気したい場合は上部排気口67と対称の下部にも排気口を備えてもよい。また、枠体6の上壁部は搬送方向(Y方向)の中央の位置で開閉できるようになっており、蒸発して内壁63に付着した溶媒のリーニングや内部の保守を容易にしている。
In FIG. 3, the
次に、図6により下部面体状ヒータ71の全体的な温度制御を説明する。制御装置101より熱板コントローラ104に設定する温度の命令が下る。熱板コントローラ104は熱板電源105に設定温度の命令を出す。この場合、熱板電源は105a,105b,105c,105d,105e,105fの6個のブロックに分かれている。下部面体状ヒータ71も搬送方向のY軸に熱板コントローラ104に対応して71a〜71b、71c〜71d、71e〜71g、71h〜71j、71k〜71m、71n〜71oの6個のブロック毎に配置してある。ブロック毎の加熱電力は、基板Gの入口部、中央部、出口部、および幅方向は気流および内壁の蓄熱偏差により温度が異なるのでブロック毎に制御することができる。
Next, the overall temperature control of the lower
また、熱板電源105は、下部面体状ヒータ71の幅方向にD、E、Fの分割に対応してS、T、Uに分割されている。例えば下部面体状ヒータ71a〜71bのDのブロックは熱板電源105aのSによって制御される。同様に下部面体状ヒータ71a〜71bのEのブロックは熱板電源105aのT、下部面体状ヒータ71a〜71bのFのブロックは熱板電源105aのUによって制御される。他の熱板電源105b〜105fのS,T,U、も下部面体状ヒータ71c〜71d、71e〜71g、71h〜71j、71k〜71m、71n〜71oのD、E、Fに対応して制御を行う。
Further, the hot plate power source 105 is divided into S, T, and U corresponding to the division of D, E, and F in the width direction of the lower
ここで、加熱処理装置28(31)の温度分布を図3で説明すると、枠体6内の熱の排気は搬送方向の中央部及び両端部の上壁部にはそれぞれ排気口67が設けられており、排気口67には排気装置68が接続されている。また、基板搬入口61と基板搬出口62は開放されているので、下部面体状ヒータ71及び上部面体状ヒータ81に同じ電力を加えても中央部と両端部の温度が低くなる。また、図2に示す枠体内壁63の蓄熱により基板Gの搬送方向の両端部が高くなる。このように同じ電力を加えても温度が異なるので、搬送方向(Y軸)に下部面体状ヒータ71及上部面体状ヒータ81をブロック毎に制御できるようにする必要がある。そのため、下部面体状ヒータ71は基板Gの幅方向(X軸)にD・E・Fと3ブロックに分割して細かな制御を行う。
Here, the temperature distribution of the heat treatment device 28 (31) will be described with reference to FIG. 3. The exhaust of heat in the
図4は下部面体状ヒータ71の一部を断面で示す平面図である。下部面体状ヒータ71全体の放熱はアルミニウム、ステンレス、セラミック等の放熱体71pによって行われる。図4のEの列の加熱は放熱体71pに埋設された互いに平行な2本の管状ヒータ71qによって行われる。温度の感知はセンサ71tによって感知され、感知された温度は熱板電源105を介して熱板コントローラ104に入力される。熱板コントローラ104は感知した温度に応じて温度の昇降の命令を出す。命令に応じて熱板電源105が熱板に電力を供給する。放熱体71pの両端のD,Fの列には、管状ヒータ71qとの間に空白域(空間)71w、71xをおいて配置される。管状ヒータ71rの温度は温度センサ71uによって、管状ヒータ71sの温度は温度センサ71vによって制御される。
FIG. 4 is a plan view showing a part of the lower
図4では2本の管状ヒータ71qに対して1本の管状ヒータ71r,71sが配置されている。中央のEの列に対応する2本の管状ヒータ71qに対して、両端のD,Fの列に対応する1本の管状ヒータ71r,71sは低い加熱電力を供給している。その理由は、枠体6の側壁部の蓄熱効果により、71r,71sは低い発熱量であっても温度が保たれるためである。なお、管状ヒータ71qと71r,71sが同じ個数の管状ヒータでも良い。
One
次に、図7により熱板の温度分布を説明する。図7(a)は基板Gの下部(裏面)を加熱する下部面体状ヒータ71は中央部のE列、両端部のD列とF列に分かれている。基板Gの上部(表面)の加熱は上部面体状ヒータ81によって行われる。
Next, the temperature distribution of the hot plate will be described with reference to FIG. In FIG. 7A, the
図7(b)は面体状ヒータに加えられる電力を図式化したものである。下部面体状ヒータ71の中央部であるE列に加えられる熱電力と両端部のD列とF列に加えられる熱電力は中央部が高く設定されている。なお、管状ヒータ71qの両端には、管状ヒータ71r,71sとの間に加熱電力の空白域(空間)71w、71xがある。これは図4によっても確認することができる。
FIG. 7B schematically shows the power applied to the planar heater. The central portion of the thermoelectric power applied to the E row which is the central portion of the lower
図7(c)は実際の温度分布について略図式化したものである。下部面体状ヒータ71のE列は管状ヒータ71qの加熱に対応した温度が保たれているが、同時に熱伝導により空間71wと71xのほぼ半分の域まで温度が保たれている。同様に管状ヒータ71r,71sの熱も熱伝導で空間71wと71xのほぼ半分の域まで温度が保たれている。管状ヒータ71r,71sの電力D、Fは低い電力なので温度はDh、Fh分しかない。しかし、枠体6の壁面部の蓄熱63hの伝熱が発生して、Dh、Fhの熱に積算されて、Ehの温度と同じ温度になる。
FIG. 7C is a schematic diagram of the actual temperature distribution. Although the temperature corresponding to the heating of the
空間71wと71xは管状ヒータ71r,71sをX方向に移動することにより積算される温度を調整することができる。この調整により下部面体状ヒータ71の中央部、両端部が平均化した温度になる。図4に示すように、中央の管状ヒータ71qをシーズヒータにて形成し、両端部の管状ヒータ71r,71sをカートリッジヒータにて形成してもよい。
The
シーズヒータの構造は、金属パイプの中にコイル状の発熱線(ニクロム線)を通して、発熱線と金属パイプの間は高い電気絶縁性と熱伝導性を有する耐熱絶縁材を充填及び封入しているのでパーティクルの発生を防止することが可能である。電気の配線はヒータの両端に配置してある。この構造により下部面体状ヒータすなわち中央の管状ヒータ71qの中心部に埋設されている。このように形成されるシーズヒータは、振動、衝撃など機械的強度に優れている。
In the structure of the sheathed heater, a coil-shaped heating wire (nichrome wire) is inserted into a metal pipe, and a heat-resistant insulating material having high electrical insulation and thermal conductivity is filled and enclosed between the heating wire and the metal pipe. Therefore, it is possible to prevent the generation of particles. Electrical wiring is arranged at both ends of the heater. With this structure, it is embedded in the center of the lower face heater, that is, the central
カートリッジヒータの構造は、棒状(例えばセラミック)に巻き付けた発熱線(ニクロム線)をパイプ(例えばステンレス鋼)の中に挿入し、発熱線とパイプの間を高熱伝導性と高絶縁性に優れた例えば酸化マグネシウム(MgO)で封入している。カートリッジヒータは片方向のみに配線することが可能なので、金属ブロックの穴にヒータを挿入し加熱することが可能であると共に、挿入の長さを調節することにより温度を調整することもできる。また、カートリッジヒータでは面体状ヒータの両端部に挿入して、前記シーズヒータとの距離を調整することにより、発生する温度の均一性を調整することが可能である。このように形成されるカートリッジヒータは振動に耐えてパーティクルが発生しないヒータとして好適である。 The structure of the cartridge heater is excellent in high thermal conductivity and high insulation between the heating wire and the pipe by inserting a heating wire (nichrome wire) wound around a rod (eg ceramic) into a pipe (eg stainless steel). For example, it is enclosed with magnesium oxide (MgO). Since the cartridge heater can be wired only in one direction, the heater can be inserted into the hole of the metal block and heated, and the temperature can be adjusted by adjusting the length of the insertion. Further, in the case of the cartridge heater, it is possible to adjust the uniformity of the generated temperature by inserting the cartridge heater at both ends of the planar heater and adjusting the distance from the sheathed heater. The cartridge heater formed in this way is suitable as a heater that resists vibration and does not generate particles.
このように中央の管状ヒータ71qをシーズヒータにて形成し、両端部の管状ヒータ71r,71sをカートリッジヒータにて形成することにより、本発明に係る基板Gがフラットパネルディスプレイ用のガラス基板は2メートル超のサイズである場合、基板Gを搬送するために搬送の振動が激しくても、振動に耐えることができる。また、フラットパネルディスプレイ上の回路パターンは超微細化が進み、パーティクルの発生をできる限り少なくすることが重要な課題となっているが、これに対しても好適である。
Thus, by forming the central
上部面体状ヒータ81は、図3に示すように、基板Gの上面(表面側)に配置される7枚の上部面体状ヒータ81a〜81hを備えている。その中の上部面体状ヒータ81dと81eは、上部面体状ヒータ81a〜81c、81f〜81hの搬送方向の幅分を真ん中から分割している。これは枠体6の上壁部は搬送方向(Y方向)の中央の位置で開閉をして、保守や内部クリーニングを行うためである。
As shown in FIG. 3, the
図5は上部面体状ヒータ81の一部を断面で示す平面図である。上部面体状ヒータ81は、下部面体状ヒータ71の制御方法と基本的に同じであるがX方向に分割されていない。また、放熱体81pの中に管状ヒータ81qが3本、埋設されている。発熱した温度の感知はセンサ81tによって行われる。図6の熱板電源105を介して熱板コントローラ104によって制御されている。なお、上部面体状ヒータ81dと81eは管状ヒータが一本ずつ埋設されている。
FIG. 5 is a plan view showing a part of the upper
以上、実施の形態の加熱処理装置によれば、基板Gを搬送しながら加熱処理が可能なので、処理時間の短縮が図れると共に、気流の流れを基板Gの搬送方向と同一にすることにより乱気流の発生を抑制することができ、かつパーティクルの発生を未然に防ぎ、また面体状ヒータ71,81の構造と熱板コントローラ104により加熱処理装置側壁面の蓄熱を利用し省エネルギーの実現と基板Gの加熱の均一性を実現することが可能となる。
As described above, according to the heat treatment apparatus of the embodiment, heat treatment is possible while transporting the substrate G, so that the processing time can be shortened, and the turbulent airflow can be reduced by making the airflow flow the same as the transport direction of the substrate G. The generation of particles can be prevented, the generation of particles can be prevented, and the structure of the
なお、本発明に係る加熱処理装置によれば、FPD用のガラス基板のように特に基板が大型の場合に好適であるが、ガラス基板に限らず、半導体ウエハなどの他の基板の加熱処理にも広く適用することができる。 Note that the heat treatment apparatus according to the present invention is suitable particularly when the substrate is large, such as a glass substrate for FPD, but is not limited to the glass substrate, but for heat treatment of other substrates such as a semiconductor wafer. Can also be widely applied.
G 基板
5 ローラ搬送機構
6 枠体
7 加熱機構
8 加熱機構
50 ローラ部材
61 基板搬入部
62 基板搬出部
63 枠体内壁
64 枠体外壁
65 空気断熱層
66 断熱材
71(71a〜71o) 下部面体状ヒータ(下部面体状加熱部)
71p 放熱体
71q〜71s 管状ヒータ
71t〜71v 温度センサ
71w、71x 加熱電力の空間
81(81a〜81h) 上部面体状ヒータ(上部面体状加熱部)
101 制御装置
104 熱板コントローラ
105 熱板電源
Claims (5)
基板を一水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路を囲繞するように設けられると共に、前記基板の搬送方向の中央部及び搬送方向の両端部に、内部の排気を行う排気機構が設けられている枠体と、
前記搬送路の上部に複数個配設された面体状の放熱体と、該放熱体に埋設される管状ヒータを具備する上部面体状加熱部と、
前記搬送路の下部に複数個配設された面体状の放熱体と、該放熱体に埋設される管状ヒータを具備する下部面体状加熱部と、
前記上部及び下部面体状加熱部のいずれか又は両方の加熱部は前記搬送路の搬送方向に区分され、
前記上部及び下部面体状加熱部の少なくとも下部面体状加熱部は、前記搬送路の幅方向の中央部に第1管状ヒータが埋設され、面体状加熱部の幅方向の両側部に第2管状ヒータ及び第3管状ヒータが各々埋設され、かつ、前記第1管状ヒータの端と、前記第2及び第3の管状ヒータの端は前記搬送路の幅方向に所定の距離で離間され、
制御装置により、区分された前記中央部より前記両端部が低い温度に制御可能に形成されている、
ことを特徴とする加熱処理装置。 In a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate,
A transport path for transporting the substrate in one horizontal direction;
A frame body that is provided so as to surround the transport path, and is provided with an exhaust mechanism for exhausting the inside at a central portion in the transport direction of the substrate and both ends in the transport direction;
A plurality of face-piece-like heat dissipators disposed above the transport path ; and an upper face-piece heating section including a tubular heater embedded in the heat dissipator;
A plurality of face-piece-like heat dissipating members disposed in the lower part of the conveying path ; and a lower face-body heating unit comprising a tubular heater embedded in the heat dissipating body ;
Either or both heating parts of the upper and lower body heating parts are divided in the transport direction of the transport path,
At least the lower planar heating unit of the upper and lower planar heating units has a first tubular heater embedded in the center in the width direction of the transport path, and second tubular heaters on both sides of the planar heating unit in the width direction. And an end of the first tubular heater and an end of the second and third tubular heaters are separated by a predetermined distance in the width direction of the transport path,
By the control device, the both end portions are formed so as to be controllable to a temperature lower than the divided central portion,
The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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