JP4813583B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、フォトリソグラフィーのプロセスの中で被処理基板に加熱処理を施す基板処理装置に係り、特に平流し方式の基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that heats a substrate to be processed in a photolithography process, and more particularly to a flat-flow type substrate processing apparatus.
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ(FPD)の製造では、被処理基板上の構成要素の多くがフォトリソグラフィーを用いて作成されている。一般に、フォトリソグラフィーのプロセスは、基板上にレジストを塗布する塗布工程、フォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する露光工程、およびレジスト膜の潜像パターンを現像化する現像工程の3つを基本工程とし、これら基本工程の前後または合間に補助工程として種々の熱処理を行っている。たとえば、塗布工程と露光工程の間では、レジスト膜の残留溶剤を蒸発させるための熱処理(プリベーク)が行われる。現像工程の後は、レジストパターンに残留している現像液や洗浄液を蒸発除去するための熱処理(ポストベーク)が行われる。 In the manufacture of semiconductor devices and flat panel displays (FPDs), many of the components on the substrate to be processed are created using photolithography. Generally, the photolithography process has three basic steps: a coating process for applying a resist on a substrate, an exposure process for transferring a photomask pattern to a resist film, and a developing process for developing a latent image pattern of the resist film. In addition, various heat treatments are performed as auxiliary steps before, after, or between these basic steps. For example, a heat treatment (pre-bake) for evaporating the residual solvent in the resist film is performed between the coating process and the exposure process. After the development step, heat treatment (post-bake) is performed to evaporate and remove the developer and cleaning solution remaining in the resist pattern.
近年、FPD製造におけるフォトリソグラフィーの全プロセスを一貫して行うインライン型のシステムでは、基板の大型化に対応するために、システムに組み込む他の処理装置と同様に、プリベーク装置やポストベーク装置に平流し方式を採用するものが増えてきている(たとえば特許文献1)。 In recent years, in-line systems that consistently carry out all photolithography processes in FPD manufacturing, in order to cope with the increase in substrate size, as with other processing devices incorporated in the system, the pre-baking device and post-baking device are flat. An increasing number of people adopt the sink method (for example, Patent Document 1).
一般に、平流し方式のベーキング装置においては、ローラまたはコロ等の搬送体からなる搬送路がユニット内を水平に縦断または横断するように敷設され、上流側隣の処理装置からユニット内に搬入された基板が搬送路上を平流しで移動する間に付近のヒータにより所定温度に加熱され、ヒータを通り過ぎるとそのまま平流しでユニットから出て下流側隣の処理ユニット(通常は冷却装置)へ送られるようになっている。 In general, in a flat-flow type baking apparatus, a conveyance path composed of a conveyance body such as a roller or a roller is laid so as to vertically cross or traverse the inside of the unit, and is carried into the unit from a processing apparatus adjacent to the upstream side. The substrate is heated to a predetermined temperature by a nearby heater while moving in a flat flow on the transfer path, and after passing through the heater, it flows straight out of the unit and is sent to the downstream processing unit (usually a cooling device). It has become.
このような平流し方式のベーキング装置は、いわゆるホットプレートオーブン方式のベーキング装置とは違って、チャンバ、熱板、リフトピン機構、搬送ロボット等が不要であり、装置構成の大幅な簡易化・低コスト化を実現できるだけでなく、スループットを高められる利点がある。 Unlike the so-called hot plate oven type baking apparatus, such a flat-flow type baking apparatus does not require a chamber, a hot plate, a lift pin mechanism, a transfer robot, etc., and the apparatus configuration is greatly simplified and reduced in cost. There is an advantage that the throughput can be increased.
しかしながら、従来の平流し方式のベーキング装置においては、処理室内で搬送路上を水平に移動する基板を均一に加熱するのが意外と難しく、特に平流しの搬送方向において基板後端部の温度が最も高くて、基板中央部の温度が最も低くなりやすいことが問題となっている。 However, in the conventional flat-flow type baking apparatus, it is unexpectedly difficult to uniformly heat the substrate moving horizontally on the transfer path in the processing chamber, and in particular, the temperature at the rear end of the substrate is the highest in the flat-flow transfer direction. Thus, the problem is that the temperature at the center of the substrate tends to be the lowest.
搬送方向と直交する水平方向(川幅方向)では、ヒータの発熱温度分布を調節することによって、たとえば基板周辺部と基板中央部との間で生じる基板温度の誤差を容易に補正することができる。しかし、搬送方向においては、基板のどの部分も同じ場所を同じ速度で通過するので、ヒータの発熱温度分布を調節することによっては基板温度の誤差を補正することはできない。 In the horizontal direction (river width direction) orthogonal to the transport direction, by adjusting the heat generation temperature distribution of the heater, for example, a substrate temperature error generated between the substrate peripheral portion and the substrate central portion can be easily corrected. However, since any part of the substrate passes through the same place at the same speed in the transport direction, the error in the substrate temperature cannot be corrected by adjusting the heat generation temperature distribution of the heater.
このため、従来は、搬送方向において基板中央部に対する加熱が足りなくなるのを極力避けるために、ヒータの発熱温度を全般的に高くする手法、もしくは搬送路上の加熱区間(あるいは加熱時間)を長くする手法を採っているが、エネルギー効率、スペース効率あるいはスループットの低下を伴い、根本的な解決にはなっていない。 For this reason, conventionally, in order to avoid as little as possible the heating of the central part of the substrate in the transport direction, a method of generally increasing the heat generation temperature of the heater, or a heating section (or heating time) on the transport path is lengthened. Although the method is adopted, it is not a fundamental solution due to a decrease in energy efficiency, space efficiency or throughput.
また、従来のこの種のベーキング装置においては、基板の加熱に使用された残りまたは余分の熱(廃熱)は、処理室の壁や排気管を通って外へ無駄に放出されており、再利用または有効利用されていない。 Further, in this type of conventional baking apparatus, the remaining or excess heat (waste heat) used for heating the substrate is wasted to the outside through the walls of the processing chamber and the exhaust pipe, and is reused. Not used or used effectively.
本発明は、上記のような従来技術の実状に鑑みてなされたものであって、エネルギー効率の向上と基板温度特性の向上とを同時に達成できる平流し方式のベーキング用基板処理装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above-described prior art, and provides a flat-flow-type baking substrate processing apparatus capable of simultaneously improving energy efficiency and substrate temperature characteristics.
本発明の基板処理装置は、被処理基板に加熱処理を施すための基板処理装置であって、処理前の基板を平流しで室内へ搬入するための入口と、処理済みの基板を平流しで室外へ搬出するための出口とを有する処理室と、前記加熱処理によって前記基板から発生する気体を前記処理室の外へ排出するための排気部と、前記入口および前記出口を通って前記処理室の室内を水平に縦断または横断する搬送路を有し、前記搬送路上で基板を平流しで搬送する搬送部と、前記搬送路上の基板を所定温度に加熱するために前記搬送路に沿って配置される加熱部と、前記処理室の外から空気を取り込み、取り込んだ空気に前記処理室から室外へ放出される熱を伝えて温風を生成し、前記温風を前記処理室内に送り込む温風供給部とを有する。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate to be processed, and is configured to flow an unprocessed substrate into a room in a flat flow and a processed substrate in a flat flow. A processing chamber having an outlet for carrying out the chamber; an exhaust unit for discharging gas generated from the substrate by the heat treatment; and the processing chamber through the inlet and the outlet. A transport path that horizontally traverses or traverses the interior of the chamber, and a transport section that transports the substrate in a flat flow on the transport path, and is disposed along the transport path to heat the substrate on the transport path to a predetermined temperature. A warming air that draws air from outside the processing chamber, transfers heat that is released from the processing chamber to the outside of the processing chamber, generates warm air, and sends the warm air into the processing chamber And a supply unit.
上記の装置構成においては、加熱処理を行う処理室内に外気ではなく温風を送り込むので、平流しの加熱処理に対する外気の影響を効率よく防止することが可能であり、特に基板温度の立ち上がり特性や搬送方向の温度均一性を大幅に改善することができる。しかも、加熱処理で不可避的に発生する廃熱を利用して温風を生成するので、エネルギー効率の面でも優れている。 In the above apparatus configuration, since warm air is sent instead of outside air into the processing chamber where the heat treatment is performed, it is possible to efficiently prevent the influence of the outside air on the flat-flow heat treatment. The temperature uniformity in the conveying direction can be greatly improved. And since warm air is produced | generated using the waste heat inevitably generated by heat processing, it is excellent also in terms of energy efficiency.
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流し方式のベーキング用基板処理装置において、エネルギー効率の向上と基板温度特性(立ち上がり特性、均一性等)とを同時に達成することができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, with the above-described configuration and operation, energy efficiency and substrate temperature characteristics (rising characteristics, uniformity, etc.) are simultaneously achieved in a flat-flow-type baking substrate processing apparatus. can do.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、LCD製造においてフォトリソグラフィー・プロセスの中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. This coating /
この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。
In the coating and developing
カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置できるカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを1枚単位で保持できる搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the
プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。 In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or the process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction).
より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30および第2の熱的処理部32が第1の平流し搬送路34に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a carry-in unit (IN PASS) 24, a
より詳細には、搬入ユニット(IN PASS)24はカセットステーション(C/S)14の搬送機構22から未処理の基板Gを受け取り、所定のタクトで第1の平流し搬送路34に投入するように構成されている。洗浄プロセス部26は、第1の平流し搬送路34に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38を設けている。第1の熱的処理部28は、上流側から順にアドヒージョンユニット(AD)40および冷却ユニット(COL)42を設けている。塗布プロセス部30は、上流側から順にレジスト塗布ユニット(COT)44および減圧乾燥ユニット(VD)45を設けている。
More specifically, the carry-in unit (IN PASS) 24 receives the unprocessed substrate G from the
第2の熱的処理部32は、上流側から順にコンベアユニット(CONV)46、プリベークユニット(PRE−BAKE)48および冷却ユニット(COL)50を設けている。第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の平流し搬送路34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。第1の平流し搬送路34上を平流しで搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。
The second
コンベアユニット(CONV)46は、ここで基板Gの搬送速度を調整または切替したり、システム内のどこかで異常事態が発生した時に付近の基板Gをここに退避させて留め置くために利用される。 The conveyor unit (CONV) 46 is used to adjust or switch the conveyance speed of the substrate G here, or to retract and retain the nearby substrate G when an abnormal situation occurs somewhere in the system. The
一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、現像ユニット(DEV)54、コンベアユニット(CONV)55、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60および搬出ユニット(OUT−PASS)62が第2の平流し搬送路64に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット(POST−BAKE)56および冷却ユニット(COL)58は第3の熱的処理部66を構成する。搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から処理済の基板Gを1枚ずつ受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22に渡すように構成されている。
On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a developing unit (DEV) 54, a conveyor unit (CONV) 55, a post bake unit ( (POST-BAKE) 56, cooling unit (COL) 58, inspection unit (AP) 60 and carry-out unit (OUT-PASS) 62 are arranged in a line in this order from the upstream side along the second
コンベアユニット(CONV)55は、ここで基板Gの搬送速度を調整または切替したり、システム内のどこかで異常事態が発生した時に付近の基板Gをここに退避させて留め置くために利用される。 The conveyor unit (CONV) 55 is used here to adjust or switch the conveyance speed of the substrate G, or to retract and retain the nearby substrate G when an abnormal situation occurs somewhere in the system. The
両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間68が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル70が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。
An
インタフェースステーション(I/F)18は、上記第1および第2の平流し搬送路34,64や隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置72を有し、この搬送装置72の周囲にロータリステージ(R/S)74および周辺装置76を配置している。ロータリステージ(R/S)74は、基板Gを水平面内で回転させるステージであり、露光装置12との受け渡しに際して長方形の基板Gの向きを変換するために用いられる。周辺装置76は、たとえばタイトラー(TITLER)や周辺露光装置(EE)等を第2の平流し搬送路64に接続している。
The interface station (I / F) 18 includes a
ここで、この塗布現像処理システムにおける1枚の基板Gに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれか1つのカセットCから基板Gを1枚取り出し、その取り出した基板Gをプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインA側の搬入ユニット(IN PASS)24に搬入する。搬入ユニット(IN PASS)24から基板Gは第1の平流し搬送路34上に移載または投入される。
Here, the processing procedure of all the steps for one substrate G in the coating and developing processing system will be described. First, in the cassette station (C / S) 14, the
第1の平流し搬送路34に投入された基板Gは、最初に洗浄プロセス部26においてエキシマUV照射ユニット(E−UV)36およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)38により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38は、平流し搬送路34上を水平に移動する基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理を終えると、基板Gはそのまま第1の平流し搬送路34を下って第1の熱的処理部28を通過する。
The substrate G put into the first
第1の熱的処理部28において、基板Gは、最初にアドヒージョンユニット(AD)40で蒸気状のHMDSを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)42で所定の基板温度まで冷却される。この後も、基板Gは第1の平流し搬送路34を下って塗布プロセス部30へ搬入される。
In the first
塗布プロセス部30において、基板Gは最初にレジスト塗布ユニット(COT)44で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)45で減圧乾燥処理を受ける。
In the
塗布プロセス部30を出た基板Gは、第1の平流し搬送路34を下って第2の熱的処理部32を通過する。第2の熱的処理部32において、基板Gは、コンベアユニット(CONV)46を通り抜けた後、最初にプリベークユニット(PRE−BAKE)48でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)50で所定の基板温度まで冷却される。しかる後、基板Gは、第1の平流し搬送路34の終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18の搬送装置72に引き取られる。
The substrate G that has left the
インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、ロータリステージ74でたとえば90度の方向変換を受けてから周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる。
In the interface station (I / F) 18, the substrate G is subjected to, for example, a 90-degree direction change by the
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後、基板Gは、搬送装置72よりプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインB側に敷設されている第2の平流し搬送路64の現像ユニット(DEV)54の始点に搬入される。
In the
こうして、基板Gは、今度は第2の平流し搬送路64上をプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。
In this way, the substrate G is transferred on the second flat
現像ユニット(DEV)54で一連の現像処理を終えた基板Gは、そのまま第2の平流し搬送路64に乗せられたままコンベアユニット(CONV)55、第3の熱的処理部66および検査ユニット(AP)60を順次通過する。第3の熱的処理部66において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POST−BAKE)56で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)58で所定の基板温度に冷却される。そして、検査ユニット(AP)60では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。
The substrate G that has undergone a series of development processes in the development unit (DEV) 54 is placed on the second
搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の平流し搬送路64から全工程の処理を終えてきた基板Gを受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22へ渡す。カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、搬出ユニット(OUT PASS)62から受け取った処理済の基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する。
The carry-out unit (OUT PASS) 62 receives the substrate G that has been processed in all steps from the second flat-carrying
この塗布現像処理システム10においては、第2の熱的処理部32に、特にプリベークユニット(PRE−BAKE)48に本発明を適用することができる。以下、図2〜図10につき、本発明の好適な実施形態におけるプリベークユニット(PRE−BAKE)48回りの構成および作用を詳細に説明する。
In the coating and developing
図2に、この実施形態における第2の熱的処理部32の構成を示す。この熱的処理部32には、プロセスラインAと平行な水平方向(X方向)に平流しの搬送路34が設けられ、この搬送路34に沿って上流側から順にコンベアユニット(CONV)46、プリベークユニット(PRE−BAKE)48および冷却ユニット(COL)50が設置されている。
FIG. 2 shows the configuration of the second
搬送路34は、基板Gを仰向けの姿勢で搬送するためのコロ80を搬送方向(X方向)に一定間隔で敷設してなり、上流側隣の塗布プロセス部30(図1)からの延長としてこの熱的処理部32内に引き込まれ、各ユニット46,48,50を縦断または横断し、さらに下流側隣のパスユニット(PASS)52(図1)へ延びている。搬送路34の各コロ80は、たとえばモータを有する搬送駆動部(図示せず)に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。
The
コンベアユニット(CONV)46は、基板搬送方向(X方向)においてはユニットの上端から下端まで延びる隔壁82、84によって外部と仕切られている。これらの隔壁82、84には、搬送路34および基板Gを通すための搬送通口82a,84aがそれぞれ形成されている。
The conveyor unit (CONV) 46 is partitioned from the outside by
また、コンベアユニット(CONV)46は、平流しの川幅方向(Y方向)においても両側の側壁(図示せず)によって外部と仕切られており、両側壁にはユニット内のコロ80を外の伝動機構に接続するためのシール部材付きの穴(図示せず)が設けられている。 Further, the conveyor unit (CONV) 46 is also partitioned from the outside by side walls (not shown) on both sides in the flat-flowing river width direction (Y direction). A hole (not shown) with a seal member for connecting to the mechanism is provided.
コンベアユニット(CONV)46内では、上流側の隔壁82から一定の間隔を空けて天井から垂れる仕切り板86が設けられ、隔壁82と仕切り板86との間に後述する温風供給部140の温風噴出部146が設けられている。そして、仕切り板86の近傍から下流側の隔壁84の近傍まで搬送路34の上下を覆うように温風ガイド板88が水平に設けられている。
In the conveyor unit (CONV) 46, a
プリベークユニット(PRE−BAKE)48は、基板搬送方向(X方向)においてはユニットの上端から下端まで延びる隔壁84、90によって外部と仕切られており、隔壁84、90の内側がプリベーキングの処理室(オーブン)になっている。上流側の隔壁84の搬送通口84aおよび下流側の隔壁90に形成されている搬送通口90aは、それぞれプリベークユニット(PRE−BAKE)48の入口および出口である。
The pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is partitioned from the outside by
プリベークユニット(PRE−BAKE)48は、平流しの川幅方向(Y方向)においても両側の側壁(図示せず)によって外部と仕切られており、両側壁にはユニット内のコロ80を外の伝動機構に接続するためのシール部材付きの穴(図示せず)が設けられている。 The pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is also partitioned from the outside by side walls (not shown) on both sides in the flat river width direction (Y direction). A hole (not shown) with a seal member for connecting to the mechanism is provided.
プリベークユニット(PRE−BAKE)48の処理室は、2つの内部隔壁92,94によって3つのベーキング室96,98,100に分割されている。このうち、搬送方向の最も上流側に位置する初段ベーキング室(Pre-Heat)96は、基板Gの温度を常温ないし予備加熱温度からプリベーキングに適した設定温度まで高速に立ち上げるための急速加熱室であり、室内には搬送路34の下だけでなく上にもヒータ102が配置されている。
The processing chamber of the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is divided into three
中段のベーキング室(Bake1)98および最終段のベーキング室(Bake2)100は、基板Gの温度をプリベーキング用の設定温度付近に保持するための保温加熱室であり、室内には搬送路34の下にだけヒータ104,106が配置されている。
The middle baking chamber (Bake 1) 98 and the final baking chamber (Bake 2) 100 are heat insulation heating chambers for maintaining the temperature of the substrate G in the vicinity of the preset temperature for pre-baking.
ヒータ102,104,106は、平流しの川幅方向(Y方向)で搬送路34上の基板Gを均一に加熱できる面状のヒータ、たとえばシーズヒータあるいはカーボンヒータ等からなり、それぞれの室内に独立したプリベーキング温度を設定できるようになっている。一例として、初段のベーキング室(Pre-Heat)96内のプリベーキング温度は180℃に設定され、中段および最終段のベーキング室(Bake1)98,(Bake2)100内のプリベーキング温度は110℃〜120℃にそれぞれ設定される。
The
ベーキング室96,98,100の底壁または側壁には排気口がそれぞれ設けられ、それらの排気口は排気管108,110,112を介してたとえば真空ポンプを有する排気装置114に接続されている。ベーキング室96,98,100内で搬送路34上の基板Gから発生する溶剤の蒸気はこの排気系統を通じて室外へ排出されるようになっている。
Exhaust ports are respectively provided in the bottom walls or side walls of the
冷却ユニット(COL)50は、基板搬送方向(X方向)においてはユニットの上端から下端まで延びる隔壁90,116によって外部と仕切られ、さらにユニットの内側が内部隔壁118によって2つのクーリング室120,122に分割されている。上流側の隔壁90の搬送通口90aおよび下流側の隔壁116に形成されている搬送通口116aは、それぞれ冷却ユニット(COL)50の入口および出口である。
The cooling unit (COL) 50 is partitioned from the outside by
冷却ユニット(COL)50は、平流しの川幅方向(Y方向)においても両側の側壁(図示せず)によって外部と仕切られており、両側壁にはユニット内のコロ80を外の伝動機構に接続するためのシール部材付きの穴(図示せず)が設けられている。
The cooling unit (COL) 50 is also partitioned from the outside by side walls (not shown) on both sides in the flat-flowing river width direction (Y direction). On both side walls, the
初段のクーリング室120内では、上流側の隔壁90から一定の間隔を空けて天井から垂れる仕切り板124が設けられ、隔壁90と仕切り板124との間に吸気ノズル126が設けられている。仕切り板124は、雰囲気遮断用のものであり、冷却ユニット(COL)50の実質的な入口を形成している。仕切り板124から下流側の内部隔壁118までの区間には、搬送路34に沿ってその上方に1つまたは複数の冷風ノズル128が配置され、急速冷却ゾーンが形成されている。
In the first-
下流側の後段のクーリング室122内では、冷却水供給部130より搬送路34の各コロ80に一定温度の冷却水が循環供給され、水冷式のコロ伝熱冷却ゾーンが形成されている。冷却ユニット(COL)50の室内も、ユニット底壁または側壁の排気口から排気管132を通じて排気されるようになっている。なお、冷却水供給部130は、冷却ユニット(COL)50の外に設けられてもよい。
In the
この実施形態における熱的処理部32は、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の処理室内に温風を供給するための温風供給部140を備えている。
The
この温風供給部140は、コンベアユニット(CONV)46とプリベークユニット(PRE−BAKE)48の初段ベーキング室(Pre-Heat)96とに跨ってそれらの天井裏に設けられる給気ダクト142と、初段ベーキング室(Pre-Heat)96の天井裏にて給気ダクト142の入口(空気取り込み口)143のすぐ内奥に設置される熱交換器144と、コンベアユニット(CONV)46の入口近くの温風噴出部146にて給気ダクト142の終端に配置されるFFU(ファン・フィルタ・ユニット)148と、給気ダクト142内の中間部に配置されるエアフィルタ150とを有している。
The hot
FFU148のファンが作動すると、給気ダクト142の内側空間が陰圧になり、外の空気が給気ダクト142の入口143に吸い込まれる(取り込まれる)。取り込まれた空気は、熱交換器144を通過する際にそこで暖められて所定温度(たとえば50℃〜80℃)の温風になり、途中のエアフィルタ150で比較的大きな異物(塵芥)や汚染物質(溶剤蒸気等)を取り除かれ、FFU148のファンの入側から出側に抜け出る。FFU148のフィルタでは、温風に含まれる微小なパーティクルが除去される。こうして、温風噴出部146においては、天井のFFU148より直下の搬送路34に向かって清浄な温風が吹き下ろすようになっている。
When the fan of the
なお、温風供給部140において、熱交換器144の周囲では(より好ましくは給気ダクト142の全長にわたって)、給気ダクト142の上壁および側壁が断熱材で構成されており、熱交換器144の熱が給気ダクト142の外へ逃げにくい構造になっている。
In the hot
温風噴出部146に隣接して隔壁82の外側には、平流しの川幅方向(Y方向)に延びる横長または長尺型の吸気ノズル152が搬送路34に吸気口を向けて水平に配置されている。この吸気ノズル152は、たとえば真空ポンプを有する排気装置154に接続されている。
Adjacent to the hot
プリベークユニット(PRE−BAKE)48の出口90aに隣接して隔壁90の外側に配置される吸気ノズル126も長尺型であり、同様に排気装置154に接続されている。なお、吸気ノズル126は、冷却ユニット(COL)50の冷風ノズル128から仕切板124の下を潜ってくる冷風を吸引するだけでなく、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の出口90aから漏れてくる溶剤昇華物を含むベーキング雰囲気ガスも吸引することから、吸気ノズル126で溶剤昇華物が冷えて凝結(液化)するのを防止するためにヒータ156を取り付けている。
An
図3に、温風供給部140に装備される熱交換器144の好適な一構成例を示す。この熱交換器144は、熱伝導率の高い材質たとえばアルミニウムからなり、初段ベーキング室(Pre-Heat)96の天井壁に密着して熱的に結合されており、熱交換率を高めるために内部に図示のようなラビリンス構造の空気通路144aを設けている。上記のように初段ベーキング室(Pre-Heat)96内のプリベーキング温度が約180℃の場合、略同じ温度の廃熱が天井壁を通って熱交換器144に伝わり、熱交換器144の中を通過する空気との熱交換に供される。この熱交換によって、周囲のクリーンルーム空間から給気ダクト142内に流入した空気は元の温度(室温たとえば23℃)から数段高い温度(たとえば60℃以上)の温風に変わる。
FIG. 3 shows a preferred configuration example of the
なお、熱交換器144で生成される温風の温度が高くなりすぎてFFU148の耐熱温度(たとえば80℃)を超えることもあるので、温風の温度を適温に調整するための温度調整機構(図示せず)を備えるのが望ましい。
In addition, since the temperature of the warm air generated by the
図4に、熱交換器144の別の構成例を示す。この熱交換器144は、熱伝導率の高い材質たとえばアルミニウムからなる角筒状の熱交換ユニット160を初段ベーキング室(Pre-Heat)96の天井壁に熱的に結合させて配置し、熱交換ユニット160の開口(空気通路)には熱交換効率を高めるために金網162を取り付けている。図示のように、複数台の熱交換ユニット160を給気ダクト142内で一列に配置することで、熱交換効率をさらに高められる。
FIG. 4 shows another configuration example of the
図4の熱交換器144において熱交換率を一層高めるために、図5Aに示すように、下部に通口164aを有する仕切板164と上部に通口166aを有する仕切板166とを交互に熱交換ユニット160,160の間に挿入してよい。あるいは、図5Bに示すように、下部に通口168aを有する仕切板168と上部に通口170aを有する仕切板170とを交互に熱交換ユニット160,160の間に挿入してもよい。また、図示省略するが、熱交換ユニット160の空気流方向の全長を大きくして、1個で済ます構成も可能である。
In order to further increase the heat exchange rate in the
また、図6Aおよび図6Bに示すように、配管(パイプ)145を用いて熱交換器144を構成してもよい。配管145は、好ましくは、熱伝導率の高いアルミ管またはSUS管からなり、たとえば図示のような蛇行形態のラビリンス構造を有しており、ベーキング室の天井裏および/またはベーキング室内に設けられる。天井裏に配置する場合は、配管145の周囲(ベーキング室の天井側を除く)を断熱材で囲むのが好ましい。ベーキング室内の場合は、配管145をヒータ102の近くに配置することもできる。
Further, as shown in FIGS. 6A and 6B, a
配管145の入口145aには、常温のドライエアが導入され、あるいはファン(図示せず)等で常温の風が送り込まれる。配管145の出口145bは、図示のように温風噴出ノズル146Nに直接あるいはフィルタ(図示せず)を介して接続される。
Room temperature dry air is introduced into the
ここで、この熱的処理部32における全体の動作を説明する。
Here, the overall operation of the
上記のように、基板Gは、塗布プロセス部30(図1)においてレジスト液を塗布され、直後に減圧乾燥処理を受けてから、搬送路34上をコロ搬送の平流しで移動して熱的処理部32に入ってくる。
As described above, the substrate G is coated with a resist solution in the coating process unit 30 (FIG. 1), and immediately after undergoing a vacuum drying process, the substrate G moves on the
熱的処理部32において、基板Gが最初にコンベアユニット(CONV)46を通過する時、温風噴出部146から下りてくる温風が基板Gの上面に当たって、そのまま基板Gと一緒に上下の温風ガイド板88で挟まれた搬送路34上の通路または搬送空間を下流側に移動する。
In the
コンベアユニット(CONV)46の入口82aの前では、吸気ノズル152が、温風噴出部146からの温風の一部を吸い込むと同時に、搬送路34の上流側からコンベアユニット(CONV)46の入口82aに向って流れてくる外(室温)の空気をも吸い込む。これによって、コンベアユニット(CONV)46の中に入口82aを通って入ってくる外(室温)の空気は殆ど無いか、あっても非常に少ない。なお、吸気ノズル152と向かい合って搬送路34の下に同様の吸気ノズル(図示せず)を設けることができる。
In front of the
このように基板Gがコンベアユニット(CONV)46内を通過する際に室温よりも数段高い温度(たとえば60℃)の温風に晒されることで、基板G上のレジスト膜から相当量の溶剤が蒸発するが、プリベーキング用の設定温度(110℃以上)に比べればまだかなり低いため、レジスト膜は依然として生乾き状態を保つ。 In this way, when the substrate G passes through the conveyor unit (CONV) 46, it is exposed to warm air at a temperature several degrees higher than room temperature (for example, 60 ° C.), so that a considerable amount of solvent is formed from the resist film on the substrate G. However, since it is still much lower than the pre-baking set temperature (110 ° C. or higher), the resist film is still kept dry.
こうして、基板Gは、温風と一緒にコンベアユニット(CONV)46から隔壁84の搬送通口(入口)84aを通ってプリベークユニット(PRE−BAKE)48の初段ベーキング室(Pre-Heat)96に入る。この初段ベーキング室(Pre-Heat)96において、基板Gは上下のヒータ102に挟まれた急速加熱用の高温(たとえば180℃〜200℃)の雰囲気を通過し、これによって基板温度がそれまでの予備加熱温度(約60℃)からプリベーキングに適した所定温度(たとえば110℃〜120℃)まで一気に上昇する。こうして、プリベーキングの熱処理が開始される。
Thus, the substrate G together with the warm air passes from the conveyor unit (CONV) 46 through the conveyance opening (inlet) 84a of the
初段ベーキング室(Pre-Heat)96を通り抜けた後、基板Gは、搬送路34上をコロ搬送の平流しで移動しながら中段ベーキング室(Bake1)98および最終段ベーキング室(Bake2)100を順次通過し、その間に所定の時間(たとえば30〜40秒)を費やして設定温度(110℃〜120℃)の加熱処理を持続的に受ける。これによって、基板Gからレジスト中の残留溶媒の大部分が蒸発し、レジスト膜が薄く硬くなって、基板との密着性がよくなる。
After passing through the first-stage baking chamber (Pre-Heat) 96, the substrate G sequentially moves in the middle-stage baking chamber (Bake1) 98 and the final-stage baking chamber (Bake2) 100 while moving on the
プリベークユニット(PRE−BAKE)48で上記のようなプリベーキングの熱処理を終えた基板Gは、そのまま搬送路34上をコロ搬送で移動して冷却ユニット(COL)50を通過する。
The substrate G that has been subjected to the pre-bake heat treatment as described above in the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 moves on the
冷却ユニット(COL)50において、基板Gは、吸気ノズル126の下を通って急速冷却ゾーンに入り、そこで冷風ノズル128より温調された一定温度(たとえば20℃)の冷風を吹きかけられる。これによって、基板Gの温度はプリベーキングの温度から室温近くまで一気に下がる。そして、後段のクーリング室122内では、冷却水供給部130により水冷で一定温度(たとえば23℃)に冷やされている搬送路34(コロ80)の上を基板Gが平流しで移動することで、基板全体が十全に所定温度(たとえば23℃)まで冷やされる。
In the cooling unit (COL) 50, the substrate G passes under the
プリベークユニット(PRE−BAKE)48と冷却ユニット(COL)50の急速冷却室120との間に配置されている吸気ノズル126は、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の出口90aから漏れるプリベーキングの雰囲気ガス(あるいは排ガス)を吸い込むと同時に、下流側隣の急速冷却室120からプリベークユニット(PRE−BAKE)48の出口90aに向って流れてくる冷風をも吸い込む。これによって、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の中に出口90aを通って入ってくる外の空気は殆ど無いか、あっても非常に少ない。なお、吸気ノズル126と向かい合って搬送路34の下に同様の吸気ノズル(図示せず)を設けることもできる。
The
上記のように、この実施形態のプリベークユニット(PRE−BAKE)48においては、その入口84aから処理室(オーブン)内に入ってくる気流は温風であり、外の冷たい空気は殆ど入ってこないようになっており、出口90a側でも処理室からプリベーキングの雰囲気ガスが外へ出るものの、外の冷たい空気が処理室内に入ってこないようになっている。また、出口90aから外に漏れたプリベーキングの雰囲気ガスは、吸気ノズル126に吸引されるので、周囲に拡散することはない。
As described above, in the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 of this embodiment, the airflow entering the processing chamber (oven) from the
このように、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の処理室(オーブン)内に外の冷たい空気(外気)が殆ど入ってこないので、平流し方式の加熱処理が外気の影響を受けなくなり、プリベーキングの基板温度特性が全ての点で改善される。特に、初段ベーキング室(Pre-Heat)96内の急速加熱による基板温度の立ち上がり特性と搬送方向における基板加熱温度の均一性が大幅に改善される。 Thus, since the outside cold air (outside air) hardly enters the processing chamber (oven) of the pre-baking unit (PRE-BAKE) 48, the flat-flow type heat treatment is not affected by the outside air, and the pre-baking is performed. The substrate temperature characteristics are improved in all respects. In particular, the rising characteristics of the substrate temperature due to rapid heating in the first-stage baking chamber (Pre-Heat) 96 and the uniformity of the substrate heating temperature in the transport direction are greatly improved.
この実施形態では、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の初段ベーキング室(Pre-Heat)96内に、入口84aから外気ではなく温風噴出部146からの温風が入ってくる点が特に重要である。
In this embodiment, it is particularly important that hot air from the hot
すなわち、この実施形態の熱的処理部32において温風噴出部146およびそれに付随する吸引ノズル152を取り外した場合(参考例)は、図7Aおよび図7Bに示すように、基板Gが急速加熱用の初段ベーキング室(Pre-Heat)96に入ってくる時にそれと一緒に(基板Gを案内板にして)外気も流入してくる。これにより、搬送方向において基板Gの前端部ないし中央部がヒータ102の高温雰囲気の中に突入する際そこに外気が入ってくるために、高温雰囲気が外気の影響を受けて冷やされ、基板温度の上昇(立ち上がり)速度が弱まる。そのような外気流入の影響には時間遅れがあり、基板前端部よりも基板中央部の方が急速加熱低減の度合いが大きい。
That is, in the case where the hot
一方で、図7Cに示すように、基板Gの後端部がヒータ102付近の高温雰囲気の中に入る時は、その後方に案内板の働きをするものが存在せず、外気が入ってこないので、急速加熱が外気の影響を受ける度合いは小さい。
On the other hand, as shown in FIG. 7C, when the rear end of the substrate G enters the high-temperature atmosphere near the
その結果、図8に示すように、プリベーキング工程を通じて基板後端部の温度が最も高く、基板中央部の温度が最も低くなりやすい。基板温度の均一性がよくないと、レジスト膜の物理的特性の均一性が低下し、フォトリソグラフィーの精度・信頼性が損なわれる。 As a result, as shown in FIG. 8, the temperature at the rear end of the substrate is highest and the temperature at the center of the substrate is likely to be lowest through the pre-baking process. If the uniformity of the substrate temperature is not good, the uniformity of the physical properties of the resist film is lowered, and the accuracy and reliability of photolithography are impaired.
その点、この実施形態の熱的処理部32においては、図7Aおよび図7Bに示すように、基板Gが急速加熱用の初段ベーキング室(Pre-Heat)96に入ってくる時にそれと一緒に(基板Gを案内板にして)温風が流入してくる。この温風は外気(約23℃)よりも格段に高い温度(たとえば60℃)であるから、温風の流入によってヒータ102の高温雰囲気が受ける影響は非常に小さい。このため、高温雰囲気の中に基板Gの前端部ないし中央部が入る時と後端部が入る時とで急速加熱の強度に大した差はなく、図8に示すように、搬送方向における基板温度の均一性が大幅に改善される。
In this regard, in the
実際、本発明者が実験によって実施例と上記参考例とを比較したところ、図9に示すような実験結果(データ)が得られた。この実験において、実施例では、温風供給部140よりプリベークユニット(PRE−BAKE)48の初段ベーキング室(Pre-Heat)96内に供給する温風の温度を65℃〜70℃および流量を3.2m3/minに設定した。
Actually, when the present inventor compared the example and the above reference example by experiment, an experimental result (data) as shown in FIG. 9 was obtained. In this experiment, in the example, the temperature of the hot air supplied from the hot
図9に示すように、上記のような理論を裏付ける実験結果が得られた。平流しのプリベーキングにおいて特に重要な急速加熱(Pre-Heat)中およびその直後(Bake1)の基板温度についてみると、基板の全ての部位において実施例は参考例よりも格段に高い温度を達成している。また、搬送方向における基板温度の均一性においても、実施例は参考例よりも格段に向上している。たとえば、急速加熱(Pre-Heat)の終了時における前端部と後端部の温度差は、参考例では約7.3℃であるのに対して、実施例では約3.5℃であり、半減している。 As shown in FIG. 9, an experimental result supporting the above theory was obtained. Looking at the substrate temperature during and immediately after the rapid heating (Pre-Heat), which is particularly important in pre-baking of flat flow (Bake1), the embodiment achieved much higher temperatures than the reference example in all parts of the substrate. ing. In addition, in the uniformity of the substrate temperature in the transport direction, the example is significantly improved over the reference example. For example, the temperature difference between the front end portion and the rear end portion at the end of the rapid heating (Pre-Heat) is about 7.3 ° C. in the reference example, and is about 3.5 ° C. in the embodiment. It is halved.
この実施形態においては、上記のようにプリベークユニット(PRE−BAKE)48の処理室(オーブン)内に供給する温風が、温風供給部140において外の室温の空気と処理室(オーブン)の廃熱とから生成される点も非常に重要である。
In this embodiment, as described above, the warm air supplied into the processing chamber (oven) of the pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 is heated by the warm
すなわち、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の入口84aから処理室(オーブン)内に導入される温風の流量は、処理室(オーブン)の排気系統(108〜114)より排出される排ガスの流量と出口90aから外に漏れる雰囲気ガスの流量とを足し合わせたものに相当し、決して少ない量ではない。したがって、温風供給部140において温風生成手段としてヒータを用いたならば、電力を多量に消費することになる。
That is, the flow rate of warm air introduced into the processing chamber (oven) from the
しかるに、この実施形態における温風供給部140は、プリベークユニット(PRE−BAKE)48で不可避的に発生する廃熱を利用して温風を生成するので、FFU148のファン駆動以外に電力を消費するものが無く、ランニングコストは非常に安価に済む。
However, since the warm
[他の実施形態および変形例]
以上本発明の好適な一実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で他の実施形態あるいは種々の変形が可能である。
[Other Embodiments and Modifications]
Although a preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and other embodiments or various modifications are possible within the scope of the technical idea.
たとえば、温風供給部140に関しては、図10のような構成を採ることもできる。この構成例の温風供給部140は、複数系統(図示の例は3系統)の給気ダクト172,174,176を設けている。
For example, the hot
より詳細には、第1の給気ダクト172は初段ベーキング室(Pre-Heat)96の天井裏に設けられ、第2の給気ダクト174は初段ベーキング室(Pre-Heat)96の底壁裏に設けられ、第3の給気ダクト176は中段ベーキング室(Bake1)98および最終段ベーキング室(Bake2)100の天井裏に設けられている。これらの給気ダクト172,174,176の入口には、外の空気を取り込んで給気ダクト内を出口まで圧送するための送風機173,175,177が取り付けられている。
More specifically, the first
第1の給気ダクト172内には、初段ベーキング室(Pre-Heat)96の天井板96aを利用した熱交換器178とエアフィルタ180とが設けられ、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の入口84aの外(搬送路34の上方)に設けられた温風噴出部146Hのダクト終端には温風噴出ノズル182が取り付けられている。
In the first
第2の給気ダクト174内には、初段ベーキング室(Pre-Heat)96の底壁96bおよび排気管108を利用した熱交換器184とエアフィルタ186とが設けられ、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の入口84aの外(搬送路34の下方)に設けられた温風噴出部146Uのダクト終端には温風噴出ノズル188が取り付けられている。
In the second
第3の給気ダクト176内には、中段ベーキング室(Bake1)98の天井板98aおよび最終段ベーキング室(Bake2)100の天井板100aを利用した熱交換器190とエアフィルタ192とが設けられ、プリベークユニット(PRE−BAKE)48の出口90aの内側で搬送路34の上方に設けられた温風噴出部194のダクト終端には温風噴出ノズル196が取り付けられている。温風噴出部194は仕切板198によって最終段ベーキング室(Bake2)100内の保温加熱ゾーンと遮断されている。
In the third
このように、最終段ベーキング室(Bake2)100の内側に温風噴出部194を設けることで、温風噴出部194より吹き下ろされる温風が出口90aの外へ流出し、ベーキングの雰囲気ガスが出口90aから外へ漏れにくくなり、最終段ベーキング室(Bake2)100内のベーキング温度をより安定に維持することができる。
In this way, by providing the warm
なお、給気ダクト172,174,176において、熱交換器178,184,190の周囲には(より好ましくは給気ダクト172,174,176の全長にわたって)、熱交換器178,184,190の熱が外へ逃げるのを防止するために(それによって熱交換の効率を高めるために)、断熱材の壁を設けるのが好ましい。
In addition, in the
他の変形例として、図示省略するが、温風供給部140の給気ダクトまたは給気管をプリベークユニット(PRE−BAKE)48の処理室(オーブン)内に通す構成も可能である。また、温風供給部140の温風噴出部をプリベークユニット(PRE−BAKE)48の初段ベーキング室(Pre-Heat)96内に設ける構成も可能である。
As another modified example, although not shown, a configuration in which the air supply duct or the air supply pipe of the hot
また、本発明は、プリベーキング装置に限定されず、平流し方式の任意のベーキング装置に適用可能であり、たとえば上記の塗布現像処理システム(図1)においてはポストベークユニット(POST−BAKE)55にも適用可能である。 Further, the present invention is not limited to a pre-baking apparatus, but can be applied to any flat-flow type baking apparatus. For example, in the above-described coating and developing treatment system (FIG. 1), a post-bake unit (POST-BAKE) 55 is used. It is also applicable to.
上記した実施形態はFPD製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上にノズルを用いて処理液を供給する任意の塗布装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 Although the above-described embodiment relates to a resist coating apparatus for FPD production, the present invention can be applied to any coating apparatus or application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed using a nozzle. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
Claims (21)
処理前の基板を平流しで室内へ搬入するための入口と、処理済みの基板を平流しで室外へ搬出するための出口とを有する処理室と、
前記入口および前記出口を通って前記処理室の室内を水平に縦断または横断する搬送路を有し、前記搬送路上で基板を平流しで搬送する搬送部と、
前記搬送路上の基板を所定温度に加熱するために前記搬送路に沿って配置される加熱部と、
前記加熱処理によって前記基板から発生する気体を前記処理室の外へ排出するための排気部と、
前記処理室の外から空気を取り込み、取り込んだ空気を前記処理室内で発生する廃熱で暖めて温風を生成し、前記温風を前記処理室内に送り込む温風供給部と
を有する基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing heat treatment on a substrate to be processed,
A processing chamber having an inlet for unloading the substrate before processing into the room and an outlet for unloading the processed substrate outside of the room;
A transport section that horizontally traverses or crosses the interior of the processing chamber through the inlet and the outlet, and transports the substrate in a flat flow on the transport path;
A heating unit disposed along the transport path to heat the substrate on the transport path to a predetermined temperature;
An exhaust part for discharging the gas generated from the substrate by the heat treatment to the outside of the processing chamber;
A substrate processing apparatus comprising: a hot air supply unit that takes in air from outside the processing chamber, warms the captured air with waste heat generated in the processing chamber to generate warm air, and sends the warm air into the processing chamber .
前記加熱部が、各々の前記ベーキング室内に独立した設定温度で基板を加熱するヒータを設けている、
請求項1〜19のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing chamber is divided into a plurality of baking chambers along the transfer path,
The heating unit is provided with a heater for heating the substrate at an independent set temperature in each of the baking chambers.
The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-19.
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