JP2006245110A - Heat-treating apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat-treating apparatus that can heat and cool a substrate while the substrate is being conveyed, has high throughput, and can suppress irregularities when heating and cooling the substrate. <P>SOLUTION: A post bake zone (POB) 56 that is an example of the heat-treating apparatus comprises a substrate conveyance mechanism 71 for conveying the substrate G horizontally; and a plurality of panel-shaped heaters 72 arranged at a prescribed height position on a conveyance route of the substrate G by the substrate conveyance mechanism 71, while a gap 73 is provided at a prescribed interval along the conveyance route for heating the substrate G. The heater 72 comprises a plurality of small heaters 72a, 72b. The plurality of small heaters 72a, 72b are connected so that the joint is not in parallel with a substrate conveyance direction within a fixed distance range to prevent a transfer mark from occurring on the substrate G due to the joint of the plurality of small heaters 72a, 72b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造プロセスにおけるガラス基板等のフォトリソグラフィー工程において、基板を加熱、冷却するために用いる熱的処理装置に関する。   The present invention relates to a thermal processing apparatus used for heating and cooling a substrate in a photolithography process such as a glass substrate in a manufacturing process of an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display (LCD).

例えば、ＬＣＤの製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行うことにより、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成した後は、塗布膜を加熱して不要な溶剤等を除去するプリベーク処理が行われている。また、露光処理後には露光によるレジスト膜の化学変化を促進するためのポストエクスポージャーベーク処理が行われ、現像処理後には現像パターンの固定とガラス基板の乾燥を兼ねたポストベーク処理が行われている。   For example, in the LCD manufacturing process, by using a photolithographic technique, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat treated, and then sequentially subjected to exposure processing and development processing, A predetermined circuit pattern is formed on the glass substrate. Here, after forming the coating film by supplying the resist solution to the glass substrate, a pre-bake process is performed in which the coating film is heated to remove unnecessary solvents and the like. Further, after the exposure process, a post-exposure bake process for promoting chemical change of the resist film due to exposure is performed, and after the development process, a post-bake process that combines fixing of the development pattern and drying of the glass substrate is performed. .

従来、このような熱処理を行う装置としては、ガラス基板を載置するためのホットプレートと、このホットプレート上でガラス基板を昇降させるための昇降機構と、ホットプレートを内包するためのチャンバと、を有する加熱装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。また、加熱処理が終了したガラス基板は、必要に応じて、冷却プレートを備えた冷却装置に搬送されて、そこで冷却処理される。   Conventionally, as an apparatus for performing such heat treatment, a hot plate for placing a glass substrate, a lifting mechanism for lifting and lowering the glass substrate on the hot plate, a chamber for containing the hot plate, (For example, refer patent document 1). In addition, the glass substrate that has been subjected to the heat treatment is transported to a cooling device having a cooling plate as needed, and is subjected to a cooling treatment there.

しかしながら、このような加熱装置および冷却装置では、ガラス基板を装置に搬入出するために時間がかかり、スループットがよいものではない。また、近時、ガラス基板の大型化が急速に進んでいるために、フォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板を回転させてレジスト膜を形成する等のスピンナタイプの装置を用いた処理では、ガラス基板の中心と周縁とで処理にむらが生じやすいため、このような装置に代えて、基板を一方向に搬送しながらレジスト液を塗布して塗布膜を形成し、また現像液を塗布して現像する、所謂、搬送タイプの装置が用いられるようになっている。そのため、このような搬送タイプの装置と、従前のバッチ式の加熱装置等を組み合わせて、レジスト膜形成から現像までを一貫して行うシステムを構築すると、基板の搬送システムが複雑となり、またスループットを高めることも困難となる。
特開平８−３１３８５５号公報 However, in such a heating apparatus and cooling apparatus, it takes time to carry the glass substrate in and out of the apparatus, and the throughput is not good. In recent years, since the enlargement of the glass substrate is rapidly progressing, in the process using a spinner type apparatus such as rotating the glass substrate to form a resist film in the photolithography process, the glass substrate is used. Since unevenness is likely to occur at the center and periphery of the substrate, instead of such an apparatus, a resist solution is applied while the substrate is transported in one direction to form a coating film, and a developer is applied and developed. In other words, a so-called conveyance type apparatus is used. Therefore, combining such a transport-type device with a conventional batch-type heating device to build a system that consistently performs from resist film formation to development will complicate the substrate transport system and reduce throughput. It is also difficult to increase.
JP-A-8-313855

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板を搬送しながら加熱や冷却を行うことができるスループットの高い熱的処理装置であって、さらに基板の加熱むらや冷却むらの発生を抑制することができる熱的処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is a high-throughput thermal processing apparatus that can perform heating and cooling while transporting a substrate, and further suppresses the occurrence of uneven heating and cooling of the substrate. It is an object of the present invention to provide a thermal processing apparatus that can be used.

本発明によれば、基板を略水平姿勢で水平方向に搬送しながら熱的処理する熱的処理装置であって、
基板を水平方向に搬送するための基板搬送機構と、
基板を加熱するために、前記基板搬送機構による基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に当該搬送ルートに沿って所定間隔で隙間を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータと、
を具備し、
前記ヒータはそれぞれ複数の小ヒータから構成され、前記複数の小ヒータの継ぎ目に起因して基板に転写痕が発生することを防止するために、前記複数の小ヒータはその継ぎ目が一定の距離範囲内において基板搬送方向と平行にならないように連結されていることを特徴とする熱的処理装置、が提供される。 According to the present invention, a thermal processing apparatus that performs thermal processing while conveying a substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture,
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in a horizontal direction;
In order to heat the substrate, a plurality of panel-shaped heaters arranged at predetermined intervals along the transfer route at predetermined height positions on the transfer route of the substrate by the substrate transfer mechanism,
Comprising
Each of the heaters is composed of a plurality of small heaters, and in order to prevent transfer marks from being generated on the substrate due to the joints of the plurality of small heaters, the joints of the plurality of small heaters have a certain distance range. In the thermal processing apparatus, the thermal processing apparatus is connected so as not to be parallel to the substrate transport direction.

本発明に係る熱的処理装置において、各ヒータは大きさの異なる複数種の小ヒータを複数組み合わせて構成されていることが好ましく、これにより小ヒータの継ぎ目を配置する自由度が大きくなる。また、この熱的処理装置に、複数のヒータ間に設けられた隙間へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置と、複数のヒータ間に設けられた隙間から吸気を行うための吸気装置をさらに設け、加熱ガス供給装置からのガス供給ポイントと、吸気装置からの吸気ポイントを基板搬送方向に沿って存在する複数のヒータ間の隙間に交互に設けると、基板からの蒸発物を効率的に排除することができ、好ましい。   In the thermal processing apparatus according to the present invention, each heater is preferably configured by combining a plurality of types of small heaters having different sizes, thereby increasing the degree of freedom in arranging the joints of the small heaters. In addition, a heating gas supply device that supplies a gas heated to a predetermined temperature to a gap provided between the plurality of heaters, and an intake air from the gap provided between the plurality of heaters. If an intake device is further provided, and the gas supply point from the heated gas supply device and the intake point from the intake device are alternately provided in the gaps between the plurality of heaters along the substrate transport direction, the evaporated material from the substrate is removed. This is preferable because it can be eliminated efficiently.

基板搬送機構として、基板搬送方向に垂直な方向を長軸方向として基板搬送方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材と、これらのローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段を有するものを用い、さらに熱的処理装置に基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から基板を加熱するためのＩＲヒータまたは熱放射能を有するランプを設けて、ＩＲヒータまたはランプは基板を直接加熱するだけでなくローラー部材を加熱して、ローラー部材から基板への熱伝達によっても基板を加熱する構成とすると、スループットを向上させることができ、好ましい。このため、ローラー部材には蓄熱性材料が好適に用いられる。   The substrate transport mechanism includes a plurality of cylindrical roller members arranged at predetermined intervals in the substrate transport direction with a direction perpendicular to the substrate transport direction as a major axis direction, and roller driving means for rotating these roller members. Further, an IR heater or a lamp having thermal radiation for heating the substrate from the back surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism is provided in the thermal processing apparatus, and the IR heater or lamp directly heats the substrate. In addition to heating the roller member and heating the substrate by heat transfer from the roller member to the substrate, the throughput can be improved, which is preferable. For this reason, a heat storage material is used suitably for a roller member.

熱的処理装置には、ヒータにより加熱された基板を冷却するために、基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に冷却板を設けることができる。その場合、基板の裏面から基板を冷却するために基板の裏面に冷却ガスを吹き付けるための冷却ガス噴射装置を設けることが好ましい。冷却ガスの雰囲気にさらされることによって冷却されるローラー部材には、熱伝導性の高い材料が好適に用いられる。   In the thermal processing apparatus, a cooling plate can be provided at a predetermined height position on the substrate transport route in order to cool the substrate heated by the heater. In that case, it is preferable to provide a cooling gas injection device for spraying a cooling gas to the back surface of the substrate in order to cool the substrate from the back surface of the substrate. A material having high thermal conductivity is suitably used for the roller member that is cooled by being exposed to the atmosphere of the cooling gas.

ヒータを複数の小ヒータから構成すると、個々の小ヒータの温度を調整することによりを加熱均一性を高めることができ、しかも小ヒータの継ぎ目を基板の搬送方向に延在しないように小ヒータを配置することで、処理むらの発生を防止することができる。また、ガラス基板の大きさに適応させたサイズのヒータを作製することが容易であり、さらにヒータコストを低減することができる。基板の上側にパネル状のヒータを配置しても、基板から蒸発する物質を加熱ガスにより効率的に除去することができるので、基板の再汚染を抑制することができる。基板をヒータによってその上面から加熱することに加えて、裏面からも加熱することにより、スループットを向上させることができる。   If the heater is composed of a plurality of small heaters, the uniformity of heating can be improved by adjusting the temperature of each small heater, and the small heaters can be connected so that the seams of the small heaters do not extend in the substrate transport direction. By arranging, it is possible to prevent the occurrence of processing unevenness. Further, it is easy to produce a heater having a size adapted to the size of the glass substrate, and further, the heater cost can be reduced. Even if a panel-like heater is disposed on the upper side of the substrate, the substance evaporating from the substrate can be efficiently removed by the heated gas, so that recontamination of the substrate can be suppressed. In addition to heating the substrate from its upper surface with a heater, the substrate can also be heated from the back surface, thereby improving the throughput.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）Ｇのレジスト塗布・現像処理システム１００の外観を示す斜視図であり、図２（ａ）はレジスト塗布・現像処理システム１００の上段の構成を示す平面図であり、図２（ｂ）はその下段の構成を示す平面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a resist coating / developing system 100 for an LCD glass substrate (hereinafter referred to as “substrate”) G according to the first embodiment of the present invention. FIG. FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the upper stage of the development processing system 100, and FIG. 2B is a plan view showing the configuration of the lower stage.

レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置する容器搬入出部（カセットステーション）６と、基板Ｇに所定の熱的処理または液処理を施す複数のゾーンが設けられた第１処理部１および第２処理部２と、図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部５と、第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３と、第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４と、を有している。なお、図１に示されるように、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。   The resist coating / development processing system 100 includes a container carry-in / out unit (cassette station) 6 on which a cassette C that accommodates a plurality of substrates G is placed, and a plurality of zones that perform predetermined thermal processing or liquid processing on the substrates G. An interface unit 5 for transferring the substrate G between the first processing unit 1 and the second processing unit 2 provided, and an exposure apparatus (not shown), and the first processing unit 1 and the container carry-in / out unit 6 It has the 1st conveyance part 3 provided in the middle, and the 2nd conveyance part 4 provided between the 1st process part 1 and the 2nd process part 2. FIG. As shown in FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is the X direction, the direction orthogonal to the X direction on the horizontal plane is the Y direction, and the vertical direction is the Z direction.

第１処理部１は、上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られた積層構造を有しており、かつ上段と下段がそれぞれＹ方向にも２つに仕切られている。こうして、第１処理部１の下段には独立した処理ブロック１１ａ・１１ｂが、その上段には処理ブロック１１ｃ・１１ｄがそれぞれ形成されている。第２処理部２も同様に上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られ、また、上段と下段がそれぞれＹ方向にも２つに仕切られており、その下段に独立した処理ブロック１２ａ・１２ｂが、その上段に処理ブロック１２ｃ・１２ｄがそれぞれ形成されている。   The first processing unit 1 has a laminated structure that is partitioned into two stages in the vertical direction (Z direction), and the upper stage and the lower stage are each partitioned into two in the Y direction. Thus, independent processing blocks 11a and 11b are formed in the lower stage of the first processing unit 1, and processing blocks 11c and 11d are formed in the upper stage, respectively. Similarly, the second processing unit 2 is also divided into two stages in the vertical direction (Z direction), and the upper stage and the lower stage are each divided into two parts in the Y direction, and independent processing blocks 12a and 12b are provided in the lower stage. However, the processing blocks 12c and 12d are formed in the upper stage.

容器搬入出部６はカセットＣを載置するステージ７を有しており、例えば、４個のカセットＣを所定位置に載置することができるようになっている。容器搬入出部６には、外部からレジスト塗布・現像処理システム１００において処理すべき基板Ｇが収納されたカセットＣが搬入され、また、レジスト塗布・現像処理システム１００において所定の処理が終了した基板Ｇが収納されたカセットＣが次工程へと搬送される。このようなカセットＣの搬入出は、手動搬送またはコンベア等を用いた自動搬送のいずれの形態を用いても構わない。   The container carry-in / out section 6 has a stage 7 on which the cassette C is placed. For example, four cassettes C can be placed at predetermined positions. A cassette C storing a substrate G to be processed in the resist coating / development processing system 100 is carried into the container loading / unloading unit 6 from the outside, and a substrate on which predetermined processing has been completed in the resist coating / development processing system 100. The cassette C storing G is conveyed to the next process. Such loading and unloading of the cassette C may use any form of manual conveyance or automatic conveyance using a conveyor or the like.

第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３には第１搬送装置１７が配設されている。この第１搬送装置１７はＸ方向に伸縮する搬送アーム１７ａを有しており、搬送アーム１７ａは、Ｙ方向にスライド自在であり、また水平面内で回転自在であり、さらにＺ方向に昇降自在に構成されている。このような構成により第１搬送装置１７は、容器搬入出部６と第１処理部１にアクセスして、容器搬入出部６と第１処理部１にとの間で基板Ｇの受け渡しを行い、また、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。   A first transport device 17 is disposed in the first transport unit 3 provided between the first processing unit 1 and the container carry-in / out unit 6. The first transfer device 17 has a transfer arm 17a that expands and contracts in the X direction. The transfer arm 17a is slidable in the Y direction, is rotatable in a horizontal plane, and is movable up and down in the Z direction. It is configured. With such a configuration, the first transfer device 17 accesses the container carry-in / out unit 6 and the first processing unit 1 and transfers the substrate G between the container carry-in / out unit 6 and the first processing unit 1. In addition, the substrate G is transferred between the processing blocks 11a to 11d constituting the first processing unit 1.

第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４には、搬送アーム１８ａを有する第２搬送装置１８が配設されている。この第２搬送装置１８は第１搬送装置１７と同様の構造を有しており、第１処理部１と第２処理部２との間での基板Ｇの受け渡しと、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しと、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。   A second transport unit 18 having a transport arm 18 a is disposed in the second transport unit 4 provided between the first processing unit 1 and the second processing unit 2. The second transport device 18 has the same structure as the first transport device 17, and transfers the substrate G between the first processing unit 1 and the second processing unit 2, and the first processing unit 1. The substrate G is transferred between the processing blocks 11a to 11d to be configured, and the substrate G is transferred between the processing blocks 12a to 12d to be the second processing unit 2.

インターフェース部５には、第１搬送装置１７と同様の構造を有する第３搬送装置１９が配設されており、第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａは、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄにアクセスし、また、第２処理部２との間にインターフェース部５を挟むように配設された図示しない露光装置にアクセスすることができるようになっている。こうして第３搬送装置１９は、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行い、また、第２処理部２と露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行う。   The interface unit 5 is provided with a third transfer device 19 having the same structure as the first transfer device 17, and the transfer arm 19 a of the third transfer device 19 is a processing block that constitutes the second processing unit 2. 12a to 12d can be accessed, and an exposure apparatus (not shown) disposed so as to sandwich the interface unit 5 with the second processing unit 2 can be accessed. In this way, the third transfer device 19 delivers the substrate G between the processing blocks 12a to 12d constituting the second processing unit 2, and also delivers the substrate G between the second processing unit 2 and the exposure apparatus. Do.

第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａには、第１搬送部３側にスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１が設けられ、このエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に隣接して基板Ｇのスクラバ洗浄処理を行うスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２が第２搬送部４側に設けられている。この処理ブロック１１ａ内においては、基板Ｇは回転処理されることなく、コロ搬送等の方法を用いてＸ方向に略水平に搬送されつつ、エキシマＵＶ照射処理とスクラバ洗浄処理が連続して行われる。   The processing block 11a constituting the first processing unit 1 is provided with an excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 for removing organic substances on the substrate G prior to scrubber cleaning on the first transport unit 3 side. A scrubber cleaning zone (SCR) 22 that performs a scrubber cleaning process for the substrate G is provided on the second transport unit 4 side adjacent to the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21. In the processing block 11a, the excimer UV irradiation process and the scrubber cleaning process are continuously performed while the substrate G is transported substantially horizontally in the X direction using a method such as roller transport without being rotated. .

エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１とスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２の天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が設けられている。また、基板Ｇのスクラバ洗浄処理中に発生する処理液のミスト等がスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２からエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１へ飛散しないように、スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２とエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１との間にはシャッターを設けることが好ましい。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローの向きを調節することによってもミスト等の飛散を抑制することができる。   A filter fan unit (FFU) (not shown) is provided on the ceiling of the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 and the scrubber cleaning zone (SCR) 22. In addition, the scrubber cleaning zone (SCR) 22 and the mist of the processing liquid generated during the scrubber cleaning processing of the substrate G are not scattered from the scrubber cleaning zone (SCR) 22 to the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21. A shutter is preferably provided between the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21. Moreover, scattering of mist etc. can be suppressed also by adjusting the direction of the downflow from a filter fan unit (FFU).

処理ブロック１１ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１１ｂには、第１搬送部３側から第２搬送部４側に向かって、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５が並べて配置されており、処理ブロック１１ｂの天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が配設されている。   The processing block 11b, which is located on the Y direction side of the processing block 11a with a partition wall therebetween, has a cooling unit (COL) 23, a resist coating unit (CT) from the first transport unit 3 side to the second transport unit 4 side. ) 24, a vacuum drying / peripheral resist removal unit (VD / ER) 25 is arranged side by side, and a filter fan unit (FFU) (not shown) is arranged on the ceiling of the processing block 11b.

クーリングユニット（ＣＯＬ）２３においては、基板Ｇに形成するレジスト膜の均一性を高めるために、レジスト塗布前に基板Ｇの温度均一性を高める熱的処理が行われる。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４では、例えば、帯状にレジスト液を吐出するノズルの下を基板Ｇを略水平姿勢で通過させることにより、基板Ｇの表面にレジスト膜が形成される。減圧乾燥／周縁レジストユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５は、基板Ｇに形成されたレジスト膜を熱処理によらずに減圧処理することによりレジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させ、また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４におけるレジスト膜の塗布の際に基板Ｇの裏面に付着したレジストおよび基板Ｇの周縁部分のレジスト膜を除去する。クーリングユニット（ＣＯＬ）２３からレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４への基板Ｇの搬送と、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４から減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５に向けての基板Ｇの搬送は、例えば、図示しない基板搬送アームを配設して行うことができる。   In the cooling unit (COL) 23, in order to increase the uniformity of the resist film formed on the substrate G, a thermal process is performed to increase the temperature uniformity of the substrate G before applying the resist. In the resist coating unit (CT) 24, for example, a resist film is formed on the surface of the substrate G by passing the substrate G in a substantially horizontal posture under a nozzle that discharges the resist solution in a strip shape. The reduced-pressure drying / peripheral resist unit (VD / ER) 25 evaporates a volatile component contained in the resist film by subjecting the resist film formed on the substrate G to a reduced pressure process without using a heat treatment. CT) 24, the resist adhering to the back surface of the substrate G at the time of applying the resist film and the resist film on the peripheral portion of the substrate G are removed. Transport of the substrate G from the cooling unit (COL) 23 to the resist coating unit (CT) 24 and the substrate G from the resist coating unit (CT) 24 toward the vacuum drying / periphery resist removal unit (VD / ER) 25 The transfer can be performed, for example, by arranging a substrate transfer arm (not shown).

処理ブロック１１ａの上段に位置する処理ブロック１１ｃには、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、スクラバ洗浄処理が終了した基板Ｇの脱水ベーク処理を行う脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１と、基板Ｇに対して疎水化処理を施す２つのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３が設けられている。   In the processing block 11c located on the upper stage of the processing block 11a, a dehydration baking zone (DHP) that performs dehydration baking processing of the substrate G that has been subjected to the scrubber cleaning process from the second transport unit 4 side to the first transport unit 3 side. ) 51, two adhesion processing zones (AD) 52 for subjecting the substrate G to a hydrophobic treatment, and a cooling zone (COL) 53 for cooling the substrate G to a predetermined temperature.

これらの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３はＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、基板Ｇは処理ブロック１１ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、各ゾーンを通過することで熱処理される。アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とでは設定温度に大きな差があるために、シャッターによりこれらのゾーンを遮断することが可能となっており、このシャッターは基板Ｇのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３への通過時にのみ開口され、それ以外のときには閉口した状態に保持される。   These dehydration bake zone (DHP) 51, adhesion treatment zone (AD) 52, and cooling zone (COL) 53 are not partitioned in the X direction, but are only divided into temperature zones for performing each treatment. The substrate G is heat-treated by passing through each zone while being transported substantially horizontally in the X direction in the processing block 11c from the second transport unit 4 side toward the first transport unit 3 side. Since there is a large difference in the set temperature between the adhesion processing zone (AD) 52 and the cooling zone (COL) 53, it is possible to block these zones with a shutter. It is opened only when passing from the zone (AD) 52 to the cooling zone (COL) 53, and otherwise it is kept closed.

処理ブロック１１ｂの上段に位置する処理ブロック１１ｄには、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、現像処理が終了した基板Ｇのポストベーク処理を行うポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６と、ポストベーク処理後の基板Ｇを冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を備えている。   A processing block 11d located at the upper stage of the processing block 11b includes a post-baking zone (POB) for performing post-baking processing of the substrate G that has undergone development processing from the second transport unit 4 side toward the first transport unit 3 side. 56 and a cooling zone (COL) 57 for cooling the substrate G after the post-baking process.

処理ブロック１１ｃの構造と同様に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｄ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理される。この処理ブロック１１ｃの構造については、後にさらに詳細に説明する。   Similar to the structure of the processing block 11c, the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57 are not partitioned in the X direction, but are divided into temperature zones for performing each processing. However, the substrate G is heat-treated by passing through a predetermined zone while being transported substantially horizontally in the X direction in the processing block 11d from the second transport unit 4 toward the first transport unit 3. The structure of the processing block 11c will be described in detail later.

第２処理部２を構成する下段の処理ブロック１２ａは、露光処理後の基板Ｇの現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７となっており、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７内において、基板Ｇはインターフェース部５側から第２搬送部４側に向けて略水平姿勢で搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液洗浄、乾燥処理が逐次施されるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７の天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が設けられ、清浄な空気のダウンフローが搬送される基板Ｇに供給されるようになっている。   The lower processing block 12 a constituting the second processing unit 2 is a development processing unit (DEV) 27 that performs development processing of the substrate G after the exposure processing. In the development processing unit (DEV) 27, the substrate G Is conveyed in a substantially horizontal posture from the interface unit 5 side to the second conveyance unit 4 side, and is sequentially subjected to developer application, developer washing after development, and drying. A filter fan unit (FFU) (not shown) is provided on the ceiling of the development processing unit (DEV) 27 so that a clean air downflow is supplied to the substrate G to be transported.

処理ブロック１２ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１２ｂには、第２搬送部４側に露光処理後の基板Ｇに所定の情報を記録するタイトラー（ＴＩＴ）６２が配設され、インターフェース部５側に露光後の基板Ｇを退避させて一時的にストックするストックユニット（ＳＴ）６４が配置され、これらの中間に、レジスト塗布・現像処理システム１００のシーケンサや現像処理等に使用する各種の処理液を供給するためのポンプ等、各種制御機器や動力機器を収納可能なユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３が配設されている。   In the processing block 12b that is located on the Y direction side of the processing block 12a with a partition wall therebetween, a titler (TIT) 62 that records predetermined information on the substrate G after the exposure processing is disposed on the second transport unit 4 side. A stock unit (ST) 64 for retracting and temporarily stocking the exposed substrate G is disposed on the interface unit 5 side, and is used in the middle of these for the sequencer and development processing of the resist coating / development processing system 100 A utility unit (UTL) 63 capable of storing various control devices and power devices such as a pump for supplying various processing liquids is disposed.

処理ブロック１２ａの上段に位置する処理ブロック１２ｃには、第２搬送部４側からインターフェース部５側に向かって、レジスト塗布処理が終了した基板のプリベーク処理を行うプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４と、基板Ｇの所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５が設けられている。   The processing block 12c located at the upper stage of the processing block 12a includes a pre-bake zone (PRB) 54 for performing pre-bake processing of the substrate on which the resist coating processing has been completed from the second transport unit 4 side to the interface unit 5 side, and a substrate A cooling zone (COL) 55 for cooling to a predetermined temperature of G is provided.

この処理ブロック１２ｃの構造は前述した処理ブロック１１ｃの構造と基本的に同じであり、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５はＸ方向で仕切られることなく、各処理を行うための温度ゾーンに分けられており、基板Ｇは略水平姿勢で第２搬送部４側からインターフェース部５側に向かってＸ方向に搬送されつつ、所定のゾーンを通過する際に熱処理される。   The structure of the processing block 12c is basically the same as the structure of the processing block 11c described above, and the pre-bake zone (PRB) 54 and the cooling zone (COL) 55 are not partitioned in the X direction, and each process is performed. The substrate G is divided into temperature zones, and is subjected to heat treatment when passing through a predetermined zone while being transported in the X direction from the second transport unit 4 side to the interface unit 5 side in a substantially horizontal posture.

処理ブロック１２ｂの上段に位置する処理ブロック１２ｄは、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１となっており、第２搬送部４とインターフェース部５との間で何ら処理を行うことなく基板Ｇを搬送することができるようになっている。なお、処理ブロック１２ｂ・１２ｄは必ずしも必要ではなく、必要に応じてその他の処理装置を配置してもよい。   The processing block 12d located at the upper stage of the processing block 12b is a transport unit (TRS) 61, which can transport the substrate G without any processing between the second transport unit 4 and the interface unit 5. It can be done. Note that the processing blocks 12b and 12d are not always necessary, and other processing devices may be arranged as necessary.

次に、上述した構成を有するレジスト塗布・現像処理システム１００における基板Ｇの搬送経路について、図３を参照しながら説明する。図３は、先に示した図２における基板Ｇの搬送順路を矢印Ｄ１〜Ｄ１６で示した説明図であり、図３においては第１搬送装置１７〜第３搬送装置１９の図示を省略している。   Next, the conveyance path of the substrate G in the resist coating / development processing system 100 having the above-described configuration will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating the transfer path of the substrate G in FIG. 2 indicated by arrows D1 to D16. In FIG. 3, the first transfer device 17 to the third transfer device 19 are not shown. Yes.

最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し（矢印Ｄ１）、処理ブロック１１ａのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に搬入する。基板ＧはエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１およびスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２を略水平姿勢で搬送されながら液処理される（矢印Ｄ２）。続いて、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１１ａから搬出し、処理ブロック１１ｃの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１に搬入する。こうして基板Ｇは、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３を略水平姿勢で逐次通過し、熱的処理される（矢印Ｄ３）。   First, the 1st conveyance apparatus 17 carries out the board | substrate G from the cassette C mounted in the container carrying in / out part 6 (arrow D1), and carries it in to the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 of the process block 11a. The substrate G is liquid-treated while being conveyed in an approximately horizontal posture through the excimer UV irradiation zone (e-UV) 21 and the scrubber cleaning zone (SCR) 22 (arrow D2). Subsequently, the second transport device 18 carries the substrate G out of the processing block 11a and carries it into the dehydration bake zone (DHP) 51 of the processing block 11c. Thus, the substrate G sequentially passes through the dehydration bake zone (DHP) 51, the adhesion processing zone (AD) 52, and the cooling zone (COL) 53 in a substantially horizontal posture, and is thermally processed (arrow D3).

続いて、第１搬送装置１７が所定温度に冷却された基板Ｇを処理ブロック１１ｃから搬出し、処理ブロック１１ｂのクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５の順で処理され、基板Ｇにレジスト膜が形成される（矢印Ｄ４）。第２搬送装置１８は、レジスト膜が形成された基板Ｇを処理ブロック１１ｂから搬出し、処理ブロック１２ｃに搬入する。基板Ｇはプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を略水平姿勢で逐次通過し、プリベーク処理が終了する（矢印Ｄ５）。   Subsequently, the first transfer device 17 carries out the substrate G cooled to a predetermined temperature from the processing block 11c and carries it into the cooling unit (COL) 23 of the processing block 11b. The substrate G is adjusted to a uniform temperature in the cooling unit (COL) 23, and then processed in the order of a resist coating unit (CT) 24 and a reduced-pressure drying / periphery resist removal unit (VD / ER) 25. A film is formed (arrow D4). The second transport device 18 unloads the substrate G on which the resist film is formed from the processing block 11b and loads it into the processing block 12c. The substrate G sequentially passes through the pre-bake zone (PRB) 54 and the cooling zone (COL) 55 in a substantially horizontal posture, and the pre-bake process ends (arrow D5).

その後、第３搬送装置１９がプリベーク処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１２ｃから搬出し、インターフェース部５に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬入する（矢印Ｄ６）。そして、第３搬送装置１９は露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から搬出し（矢印Ｄ７）、処理ブロック１２ｄの搬送ユニット（ＴＲＳ）６１に搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｄ内を搬送され（矢印Ｄ８）、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１２ｄから搬出し、処理ブロック１２ｂのタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入する（矢印Ｄ９）。タイトラー（ＴＩＴ）６２において所定の情報が記録された基板Ｇは、第２搬送装置１８によって搬出され（矢印Ｄ１０）、次いで、処理ブロック１２ｄに搬入されてインターフェース部５側へ搬送される（矢印Ｄ１１）。   Thereafter, the third transfer device 19 carries out the substrate G on which the pre-bake processing has been completed from the processing block 12c, and carries it into an exposure device (not shown) provided adjacent to the interface unit 5 (arrow D6). Then, the third transport device 19 carries out the substrate G after the exposure processing from the exposure device (arrow D7) and carries it into the transport unit (TRS) 61 of the processing block 12d. The substrate G is transported in the processing block 12d (arrow D8), and the second transport device 18 unloads the substrate G from the processing block 12d and transports it to the titler (TIT) 62 of the processing block 12b (arrow D9). The substrate G on which predetermined information is recorded in the titler (TIT) 62 is unloaded by the second transfer device 18 (arrow D10), and then is loaded into the processing block 12d and transferred to the interface unit 5 side (arrow D11). ).

第３搬送装置１９は処理ブロック１２ｄから基板Ｇを搬出し、処理ブロック１２ａに設けられた現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が空いている場合には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７へ搬入するが、ここで、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用中のために基板Ｇを搬入することができない場合には、一時的に基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４へ搬入する（矢印Ｄ１２）。そして、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用可能となった時点で、第３搬送装置１９は基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４から搬出し（矢印Ｄ１３）、処理ブロック１２ａに搬入する。   The third transport device 19 carries the substrate G out of the processing block 12d, and when the development processing unit (DEV) 27 provided in the processing block 12a is empty, it carries it into the development processing unit (DEV) 27. If the substrate G cannot be loaded because the development processing unit (DEV) 27 is in use, the substrate G is temporarily loaded into the stock unit (ST) 64 (arrow D12). When the development processing unit (DEV) 27 becomes usable, the third transport device 19 carries the substrate G out of the stock unit (ST) 64 (arrow D13) and carries it into the processing block 12a.

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入された基板Ｇは処理ブロック１２ａ内を略水平姿勢で搬送されつつ現像処理され（矢印Ｄ１４）、第２搬送装置１８によって現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７から搬出される。第２搬送装置１８は現像処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ｄに搬入し、基板Ｇはポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を略水平姿勢で逐次通過し、ポストベーク処理される（矢印Ｄ１５）。続いて、第１搬送装置１７が処理ブロック１１ｄからポストベーク処理が終了した基板Ｇを搬出し、所定のカセットＣに搬入する（矢印Ｄ１６）。こうして、基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。   The substrate G carried into the development processing unit (DEV) 27 is developed while being conveyed in the processing block 12a in a substantially horizontal posture (arrow D14), and is carried out of the development processing unit (DEV) 27 by the second transport device 18. The The second transport device 18 carries the substrate G after the development processing into the processing block 11d, and the substrate G sequentially passes through the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57 in a substantially horizontal posture to perform post-bake processing. (Arrow D15). Subsequently, the first transport device 17 carries out the substrate G on which the post-baking process has been completed from the processing block 11d, and carries it into a predetermined cassette C (arrow D16). Thus, the processing from cleaning the substrate G to resist coating and development is completed.

次に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を有する処理ブロック１１ｃの構造について、より詳細に説明する。図４に処理ブロック１１ｃの内部構造（つまり、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７の構成）を示す概略側面図を示す。   Next, the structure of the processing block 11c having the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57 will be described in more detail. FIG. 4 is a schematic side view showing the internal structure of the processing block 11c (that is, the configuration of the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57).

ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６は、基板Ｇを略水平姿勢で水平方向に搬送するための基板搬送機構７１と、基板Ｇを加熱するために、基板搬送機構７１による基板Ｇの搬送ルート上の所定の高さ位置に搬送ルートに沿って所定間隔で隙間７３を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータ７２・７２′と、これら複数のヒータ７２・７２′間に設けられた所定の隙間７３へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置７４と、複数のヒータ７２・７２′間に設けられた所定の隙間７３から吸気を行うための吸気装置７５と、基板搬送機構７１によって搬送される基板Ｇの裏面から基板Ｇを加熱するためのＩＲ（赤外線）ヒータ７６と、を備えている。   The post-bake zone (POB) 56 includes a substrate transport mechanism 71 for transporting the substrate G in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, and a predetermined route on the transport route of the substrate G by the substrate transport mechanism 71 in order to heat the substrate G. A plurality of panel-shaped heaters 72 and 72 ′ arranged at predetermined heights along the conveyance route at predetermined intervals, and a predetermined gap 73 provided between the plurality of heaters 72 and 72 ′. A heated gas supply device 74 for supplying gas heated to a predetermined temperature to the substrate, an intake device 75 for performing intake air from a predetermined gap 73 provided between the plurality of heaters 72 and 72 ′, and a substrate transfer mechanism 71. And an IR (infrared) heater 76 for heating the substrate G from the back surface of the substrate G to be conveyed.

基板搬送機構７１は、Ｙ方向（基板搬送方向であるＸ方向に垂直な方向）を長軸方向としてＸ方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材７１ａと、これらのローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段、例えばモータ７１ｂと、を有している。図４では４個のローラー部材７１ａを１組として、これらをモータ７１ｂ（全てを図示せず）で回転させる構造を示しているが、このような構成に限定されるものではなく、全てのローラー部材７１ａにモータ７１ｂを直結させて回転駆動させてもよく、また、１つおきや２つおきにモータ７１ｂによって回転駆動されるものと、基板Ｇとの摩擦により回転するフリーなものとを組み合わせた構成としてもよい。   The substrate transport mechanism 71 includes a plurality of cylindrical roller members 71a arranged at predetermined intervals in the X direction with the Y direction (direction perpendicular to the X direction being the substrate transport direction) as the major axis direction, and these roller members. It has roller driving means for rotating, for example, a motor 71b. FIG. 4 shows a structure in which four roller members 71a are set as one set, and these are rotated by a motor 71b (all not shown). However, the present invention is not limited to such a configuration. The motor 71b may be directly connected to the member 71a and driven to rotate, or every other or every other motor 71b is rotated by a combination of a free one that rotates due to friction with the substrate G It is good also as a structure.

ローラー部材７１ａとしては、図５の斜視図に示すように、その長軸方向の長さが、基板Ｇの幅（Ｙ方向長さ）よりも長いものを用いる。これは、基板ＧにおいてＸ方向にローラー部材７１ａと接触する部分と接触しない帯状の部分ができると、基板Ｇの熱履歴に分布が生じてしまって縞模様等の転写痕が発生してしまうので、それを防止するためである。   As the roller member 71a, as shown in the perspective view of FIG. 5, a roller member whose length in the major axis direction is longer than the width of the substrate G (length in the Y direction) is used. This is because if the substrate G has a belt-like portion that does not come into contact with the roller member 71a in the X direction, a distribution occurs in the thermal history of the substrate G, and a transfer mark such as a stripe pattern occurs. This is to prevent it.

図６にヒータ７２・７２′の概略構造を示す斜視図を示す。この図６に示されるように、ヒータ７２・７２′は共に複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂから構成されている。一辺の長さが１ｍを超えるような大型の基板Ｇを熱的に処理する場合には、これと同等以上の大きさのヒータが必要となるが、そのようなヒータでは、製造コストが高くなり、熱輻射の均一性も低下する。そこで、複数の既存の小ヒータ７２ａ・７２ｂを連結することにより、安価にしかも各小ヒータ７２ａ・７２ｂごとに温度調節を行うことでヒータ７２・７２′からの熱輻射を均一なものとすることができる。   FIG. 6 is a perspective view showing a schematic structure of the heaters 72 and 72 ′. As shown in FIG. 6, both heaters 72 and 72 'are composed of a plurality of small heaters 72a and 72b. When a large substrate G having a length of one side exceeding 1 m is thermally processed, a heater having a size equal to or larger than this is required. However, such a heater increases the manufacturing cost. Also, the uniformity of heat radiation is reduced. Therefore, by connecting a plurality of existing small heaters 72a and 72b, the heat radiation from the heaters 72 and 72 'is made uniform by adjusting the temperature for each small heater 72a and 72b at a low cost. Can do.

このようにヒータ７２を複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂから構成する場合、一定の距離範囲内において小ヒータ７２ａ・７２ｂどうしの継ぎ目がＸ方向と平行にならないように、複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂを連結する。小ヒータ７２ａ・７２ｂどうしの継ぎ目の直下では基板Ｇへの熱輻射が小さくなるので、この継ぎ目がＸ方向に長く存在すると、基板Ｇの熱処理均一性が悪くなり、基板Ｇに転写痕が発生してしまうが、継ぎ目のＸ方向長さを一定の範囲内とすることで、このような転写痕の発生を防止することができる。なお、「一定の範囲」は、ヒータ７２・７２′の設定温度やヒータ７２・７２′と基板Ｇとの間の距離（間隔）等によって、変化するので、これらの因子を考慮して、実際に基板Ｇに転写痕が発生することのないように設定される。ヒータ７２・７２′の下面と基板Ｇの上面との間隔は、基板Ｇに均一に熱輻射を行うことができるように、適宜設定すればよく、例えば、ヒータ７２・７２′の平均温度を１２０℃とした場合に、２ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることができる。   When the heater 72 is composed of a plurality of small heaters 72a and 72b in this way, the plurality of small heaters 72a and 72b are arranged so that the joint between the small heaters 72a and 72b is not parallel to the X direction within a certain distance range. Link. The thermal radiation to the substrate G is reduced immediately below the joint between the small heaters 72a and 72b. If this joint is long in the X direction, the heat treatment uniformity of the substrate G is deteriorated, and transfer marks are generated on the substrate G. However, by setting the length of the seam in the X direction within a certain range, such transfer marks can be prevented from occurring. The “certain range” varies depending on the set temperature of the heaters 72 and 72 ′, the distance (interval) between the heaters 72 and 72 ′ and the substrate G, and so on. In addition, the transfer marks are set so as not to occur on the substrate G. The distance between the lower surface of the heaters 72 and 72 'and the upper surface of the substrate G may be set as appropriate so that the substrate G can be uniformly irradiated with heat. For example, the average temperature of the heaters 72 and 72' is set to 120. When it is set as ° C, it can be 2 mm or more and 50 mm or less.

図６では２種類のヒータ７２・７２′を示したが、これはＹ方向に小ヒータ７２ａ・７２ｂを並べて構成されるブロックと、Ｙ方向に小ヒータ７２ａのみを並べて構成されるブロックとを、Ｘ方向で３ブロック連結した構成としたからであり、これら各ブロックを２ブロック、４ブロックの交互連結とすれば、１種類のヒータで足りる。またヒータ７２・７２′は、図６に示したように、異なる大きさの小ヒータを組み合わせて構成してもよいし、同じ形状の小ヒータを組み合わせて構成することもできる。ヒータ７２・７２′の平面形状は必ずしも、矩形（正方形や長方形等）に限定されるものではなく、例えば、Ｙ方向端においては、凹凸があっても構わない。このような小ヒータの平面形状は矩形のものに限定されず、三角形や六角形等の多角形のものも用いてもよい。   In FIG. 6, two types of heaters 72 and 72 ′ are shown, but this includes a block configured by arranging the small heaters 72 a and 72 b in the Y direction and a block configured by arranging only the small heaters 72 a in the Y direction. This is because three blocks are connected in the X direction. If these blocks are alternately connected in two blocks and four blocks, one type of heater is sufficient. As shown in FIG. 6, the heaters 72 and 72 ′ may be configured by combining small heaters having different sizes, or may be configured by combining small heaters having the same shape. The planar shape of the heaters 72, 72 ′ is not necessarily limited to a rectangle (such as a square or a rectangle). For example, the Y direction end may be uneven. The planar shape of such a small heater is not limited to a rectangular shape, and a polygonal shape such as a triangle or a hexagon may be used.

なお、基板Ｇの表裏で温度差が発生すると基板Ｇに反りが生じるので、基板Ｇの表裏の温度が同程度となるように、ヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６の出力を制御する。ヒータ７２・７２′から基板Ｇの表面までの距離と、ＩＲヒータ７６から基板Ｇの裏面までの距離は異なるので、基板の設定温度に対するヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６の出力の相関関係データをレジスト塗布・現像処理システム１００の制御装置に記憶させておき、基板Ｇの設定処理温度に応じてその相関データを基にヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６とを制御する。   If a temperature difference occurs between the front and back surfaces of the substrate G, the substrate G is warped. Therefore, the outputs of the heaters 72 and 72 'and the IR heater 76 are controlled so that the front and back surfaces of the substrate G have the same temperature. Since the distance from the heaters 72 and 72 'to the front surface of the substrate G and the distance from the IR heater 76 to the back surface of the substrate G are different, the correlation data of the outputs of the heaters 72 and 72' and the IR heater 76 with respect to the set temperature of the substrate Is stored in the control device of the resist coating / development processing system 100, and the heaters 72, 72 'and the IR heater 76 are controlled based on the correlation data in accordance with the set processing temperature of the substrate G.

ヒータ７２どうしの間に形成された隙間７３は交互に、加熱ガス供給装置７４から所定温度に加熱されたガスを供給するために、また、基板Ｇとヒータ７２との間の空間からの吸気を行うために、利用される。加熱ガスを基板Ｇとヒータ７２との間に供給することによって基板Ｇの加熱を促進することができ、このようにして加熱ガスを基板Ｇとヒータ７２との間の空間に給排気を行うことによって、基板Ｇから発生する昇華物等を気流に乗せて、基板Ｇとヒータ７２との間の空間から排除することができる。このような吸気系配管（つまり、吸気口（隙間７３）〜吸気装置７５の手前まで）に昇華物が固化しないように、吸気系配管を所定温度に加熱保持することも好ましい。   The gaps 73 formed between the heaters 72 alternately supply the gas heated to a predetermined temperature from the heating gas supply device 74, and intake air from the space between the substrate G and the heater 72. Used to do. The heating of the substrate G can be promoted by supplying the heating gas between the substrate G and the heater 72, and thus the heating gas is supplied to and exhausted from the space between the substrate G and the heater 72. Thus, the sublimate generated from the substrate G can be put on the airflow and excluded from the space between the substrate G and the heater 72. It is also preferable to heat and hold the intake system pipe at a predetermined temperature so that the sublimate does not solidify in such an intake system pipe (that is, from the intake port (gap 73) to the front of the intake device 75).

ヒータ７２・７２′としてＸ方向長さの短いものを用いて隙間７３を多く形成すると、このような昇華物の排除がより容易となる。但し、その際に基板Ｇの加熱特性が低下しないように、ヒータ７２・７２′の形状および配置を考慮する必要がある。   If many gaps 73 are formed using heaters 72 and 72 'having a short length in the X direction, it becomes easier to eliminate such sublimates. However, it is necessary to consider the shape and arrangement of the heaters 72 and 72 ′ so that the heating characteristics of the substrate G do not deteriorate at that time.

加熱ガスの温度は基板Ｇの設定処理温度より低く、かつ、基板Ｇの設定処理温度とそれよりも１０℃低い温度との間とすることが好ましい。加熱ガスの温度が設定処理温度よりも高いと基板Ｇを加熱しすぎるおそれがあり、また、基板Ｇの設定処理温度よりも１０℃低い温度よりさらに低くなると、加熱ガスが噴射される位置（つまり、空隙７３）の直下において基板Ｇが冷却されてしまい、基板Ｇに反りが生ずるおそれがある。   The temperature of the heating gas is preferably lower than the set processing temperature of the substrate G and between the set processing temperature of the substrate G and a temperature lower by 10 ° C. If the temperature of the heating gas is higher than the set processing temperature, the substrate G may be heated too much. If the temperature is further lower than the temperature lower by 10 ° C. than the setting processing temperature of the substrate G, the position where the heating gas is injected (that is, , The substrate G is cooled immediately below the gap 73), and the substrate G may be warped.

基板搬送機構７１によって搬送される基板Ｇの裏面から基板Ｇを加熱するためのＩＲ（赤外線）ヒータ７６は、基板Ｇのみならず、ローラー部材７１ａを加熱するように配置することが好ましい。これによりローラー部材７１ａからの熱伝達および熱輻射によっても基板Ｇが加熱され、基板Ｇの乾燥時間を短縮することができる。このため、ローラー部材７１ａは、蓄熱性材料（例えば、セラミックス等）で構成されているものを用いることが好ましい。ＩＲヒータ７６に代えて、熱放射能を有するランプを用いてもよい。   The IR (infrared) heater 76 for heating the substrate G from the back surface of the substrate G transported by the substrate transport mechanism 71 is preferably arranged so as to heat not only the substrate G but also the roller member 71a. Thereby, the board | substrate G is heated also by the heat transfer and heat radiation from the roller member 71a, and the drying time of the board | substrate G can be shortened. For this reason, it is preferable to use what is comprised with the heat storage material (for example, ceramics etc.) for the roller member 71a. Instead of the IR heater 76, a lamp having thermal radiation may be used.

ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６から基板Ｇを受け取り、冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７には、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６に設けられた基板搬送機構７１が延設されており、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６から連続的に基板Ｇが略水平姿勢で搬送される。そして、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５７には、基板Ｇをその表面側から冷却するために基板Ｇの搬送ルート上の所定の高さ位置に設けられた冷却板７７と、基板Ｇを裏面から冷却するために基板Ｇの裏面に冷却ガスを吹き付ける冷却ガス噴射装置７８が配設されている。   A substrate transport mechanism 71 provided in the post bake zone (POB) 56 is extended to a cooling zone (COL) 57 that receives the substrate G from the post bake zone (POB) 56 and cools it. The substrate G is continuously conveyed from the POB) 56 in a substantially horizontal posture. In the cooling zone (COL) 57, a cooling plate 77 provided at a predetermined height position on the transport route of the substrate G and the substrate G are cooled from the back surface in order to cool the substrate G from the front surface side. For this purpose, a cooling gas injection device 78 for blowing cooling gas to the back surface of the substrate G is provided.

冷却板７７は、その内部に冷却媒体を通すための配管が埋設されており、チラー７９との間で冷媒が循環するように構成されている。冷却板７７どうしの隙間から、冷却板７７と基板Ｇとの間の空間の温まったガスを吸気する構成とすることも好ましい。   The cooling plate 77 has a pipe embedded therein for passing a cooling medium, and is configured so that the refrigerant circulates between the cooling plate 77 and the chiller 79. It is also preferable that the warmed gas in the space between the cooling plate 77 and the substrate G is sucked from the gap between the cooling plates 77.

また、冷却ガス噴射装置７８としては、例えば、冷媒中に設けられた配管内に窒素ガスまたは空気を通すことでガスを冷却し、ノズル７８ａから基板Ｇに向けて吹き付ける構成のものを用いることができる。このような冷却ガスの雰囲気にさらされることによってローラー部材７１を冷却し、基板Ｇからローラー部材７１ａへの熱伝達により基板Ｇの冷却速度を速めることも好ましい。その場合、冷却されるローラー部材７１ａは、熱伝導性の高い材料、例えば、金属材料で構成することが好ましい。クーリングゾーン（ＣＯＬ）５７に配設されるローラー部材７１ａは、内部に冷却水を循環させて冷却する構造としてもよい。   Further, as the cooling gas injection device 78, for example, a cooling gas injection device that cools the gas by passing nitrogen gas or air through a pipe provided in the refrigerant and blows it toward the substrate G from the nozzle 78a is used. it can. It is also preferable that the roller member 71 is cooled by being exposed to such a cooling gas atmosphere, and the cooling rate of the substrate G is increased by heat transfer from the substrate G to the roller member 71a. In that case, the roller member 71a to be cooled is preferably made of a material having high thermal conductivity, for example, a metal material. The roller member 71a disposed in the cooling zone (COL) 57 may be cooled by circulating cooling water therein.

なお、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７とでは設定温度に大きな差があるために、図示しないシャッタにより、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を簡易的に遮断する、つまり基板Ｇを搬送するための隙間を確保しながら両者を仕切ることも好ましい。処理ブロック１１ｃの構成は、基板Ｇに熱的処理を施す他の処理ブロック１１ｄ・１２ｃにも同様に適用することができ、処理ブロック１１ｃのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２では、加熱したＨＭＤＳガス等の処理ガスが基板Ｇに供給される。   In addition, since there is a large difference in the set temperature between the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57, the post-bake zone (POB) 56 and the cooling zone (COL) 57 are simplified by a shutter (not shown). It is also preferable to partition the two while ensuring a gap for transporting the substrate G. The configuration of the processing block 11c can be similarly applied to the other processing blocks 11d and 12c that thermally process the substrate G. In the adhesion processing zone (AD) 52 of the processing block 11c, a heated HMDS gas or the like is used. The processing gas is supplied to the substrate G.

本発明は、ＬＣＤガラス基板等の大型基板のフォトリソグラフィー工程における加熱処理と冷却処理に好適である。   The present invention is suitable for heat treatment and cooling treatment in a photolithography process of a large substrate such as an LCD glass substrate.

本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態を示す斜視図。1 is a perspective view showing an embodiment of a resist coating / developing system that is an embodiment of a processing apparatus of the present invention. FIG. 図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the resist application | coating / development processing system of FIG. 図１記載のレジスト塗布・現像処理システムにおける基板の搬送順路を示した説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a substrate transfer route in the resist coating / developing system shown in FIG. 1. ポストベークゾーン（ＰＯＢ）とクーリングゾーン（ＣＯＬ）の概略構造を示す側面図。The side view which shows schematic structure of a post-baking zone (POB) and a cooling zone (COL). ローラー部材の概略形状を示す斜視図。The perspective view which shows the schematic shape of a roller member. ポストベークゾーン（ＰＯＢ）に配置されるヒータの概略構造を示す斜視図。The perspective view which shows schematic structure of the heater arrange | positioned at a post-baking zone (POB).

符号の説明Explanation of symbols

１；第１処理部
２；第２処理部
３；第１搬送部
４；第２搬送部
５；インターフェース部
６；容器搬入出部
１１ａ〜１１ｄ・１２ａ〜１２ｄ；処理ブロック
５６；ポストベークゾーン（ＰＯＢ）
５７；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
７ｌ；基板搬送機構
７１ａ；ローラー部材
７２；ヒータ
７４；加熱ガス供給装置
７５；吸気装置
７６；ＩＲ（赤外線）ヒータ
７７；冷却板
７８；冷却ガス噴射装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；基板（ＬＣＤ基板） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; 1st processing part 2; 2nd processing part 3; 1st conveyance part 4; 2nd conveyance part 5; Interface part 6; Container carry-in / out part 11a-11d * 12a-12d; Processing block 56; POB)
57; Cooling zone (COL)
7l; Substrate transport mechanism 71a; Roller member 72; Heater 74; Heated gas supply device 75; Intake device 76; IR (infrared) heater 77; Cooling plate 78; Cooling gas injection device 100; Resist coating / development processing system G; (LCD board)

Claims (8)

基板を略水平姿勢で水平方向に搬送しながら熱的処理する熱的処理装置であって、
基板を水平方向に搬送するための基板搬送機構と、
基板を加熱するために、前記基板搬送機構による基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に当該搬送ルートに沿って所定間隔で隙間を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータと、
を具備し、
前記ヒータはそれぞれ複数の小ヒータから構成され、前記複数の小ヒータの継ぎ目に起因して基板に転写痕が発生することを防止するために、前記複数の小ヒータはその継ぎ目が一定の距離範囲内において基板搬送方向と平行にならないように連結されていることを特徴とする熱的処理装置。 A thermal processing apparatus for performing thermal processing while conveying a substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture,
A substrate transport mechanism for transporting the substrate in a horizontal direction;
In order to heat the substrate, a plurality of panel-shaped heaters arranged at predetermined intervals along the transfer route at predetermined height positions on the transfer route of the substrate by the substrate transfer mechanism,
Comprising
Each of the heaters is composed of a plurality of small heaters, and in order to prevent transfer marks from being generated on the substrate due to the joints of the plurality of small heaters, the joints of the plurality of small heaters have a certain distance range. The thermal processing apparatus is connected so as not to be parallel to the substrate transport direction. 前記ヒータはそれぞれ、大きさの異なる複数種の小ヒータを複数組み合わせて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱的処理装置。   The thermal processing apparatus according to claim 1, wherein each of the heaters is configured by combining a plurality of types of small heaters having different sizes. 前記複数のヒータ間に設けられた隙間へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置と、前記複数のヒータ間に設けられた隙間から吸気を行うための吸気装置と、をさらに具備し、
前記加熱ガス供給装置からのガス供給ポイントと、前記吸気装置からの吸気ポイントは、基板搬送方向に沿って存在する前記複数のヒータ間の隙間に交互に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱的処理装置。 A heating gas supply device that supplies a gas heated to a predetermined temperature to a gap provided between the plurality of heaters; and an intake device for performing intake air from the gap provided between the plurality of heaters. And
The gas supply point from the heating gas supply device and the intake point from the intake device are alternately provided in a gap between the plurality of heaters existing along the substrate transfer direction. The thermal processing apparatus of Claim 1 or Claim 2. 前記基板搬送機構は、基板搬送方向に垂直な方向を長軸方向として基板搬送方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材と、前記複数のローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段と、を有し、
さらに、前記基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から当該基板を加熱するためのＩＲヒータまたは熱放射能を有するランプを具備し、
前記ＩＲヒータまたは前記ランプによって前記ローラー部材が加熱され、前記ローラー部材から基板への熱伝達によっても当該基板が加熱されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の熱的処理装置。 The substrate transport mechanism includes a plurality of cylindrical roller members arranged at predetermined intervals in the substrate transport direction with a direction perpendicular to the substrate transport direction as a major axis direction, and roller driving means for rotating the plurality of roller members And having
Furthermore, it comprises an IR heater for heating the substrate from the back surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism or a lamp having thermal radiation,
The said roller member is heated by the said IR heater or the said lamp | ramp, The said board | substrate is heated also by the heat transfer from the said roller member to a board | substrate, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Thermal processing equipment. 前記ＩＲヒータまたは前記ランプによって加熱されるローラー部材は、蓄熱性材料から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の熱的処理装置。   The thermal processing apparatus according to claim 4, wherein the roller member heated by the IR heater or the lamp is made of a heat storage material. さらに、前記ヒータにより加熱された基板を冷却するために、当該基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に設けられた冷却板を具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱的処理装置。   Furthermore, in order to cool the board | substrate heated by the said heater, the cooling plate provided in the predetermined height position on the conveyance route | root of the said board | substrate is provided, The any one of Claim 1-5 characterized by the above-mentioned. The thermal processing apparatus of Claim 1. さらに、前記基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から当該基板を冷却するために前記基板の裏面に冷却ガスを吹き付けるための冷却ガス噴射装置を具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱的処理装置。   2. The apparatus according to claim 1, further comprising a cooling gas injection device for spraying a cooling gas to the back surface of the substrate to cool the substrate from the back surface of the substrate transported by the substrate transport mechanism. The thermal processing apparatus according to any one of 5. 前記冷却ガスの雰囲気にさらされることによって冷却されるローラー部材は、熱伝導性の高い材料で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の熱的処理装置。   The thermal processing apparatus according to claim 7, wherein the roller member cooled by being exposed to the atmosphere of the cooling gas is made of a material having high thermal conductivity.
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