JP5376872B2 - マルチ−ビットデータを格納するメモリシステム及びその読み出し方法 - Google Patents
マルチ−ビットデータを格納するメモリシステム及びその読み出し方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5376872B2 JP5376872B2 JP2008226200A JP2008226200A JP5376872B2 JP 5376872 B2 JP5376872 B2 JP 5376872B2 JP 2008226200 A JP2008226200 A JP 2008226200A JP 2008226200 A JP2008226200 A JP 2008226200A JP 5376872 B2 JP5376872 B2 JP 5376872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- state
- data
- selected memory
- read
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
例示的な実施の形態において、この読み出し方法は、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別することをさらに含む。
例示的な実施の形態において、この読み出し方法は、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、読み出しフェイルが発生したことを外部に通報することをさらに含む。
例示的な実施の形態において、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記補正されたデータは、外部に出力される。
例示的な実施の形態において、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、読み出しフェイルが発生したことを外部に通報することをさらに含む。
例示的な実施の形態において、前記読み出されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別される時に読み出しフェイルが発生したことが外部に通報されるのに対し、前記読み出されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記読み出されたデータが外部に出力される。
例示的な実施の形態において、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたものと判別されると、前記メモリコントローラは、前記異なる状態より低い状態を有するように前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正する。
例示的な実施の形態において、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記メモリコントローラは、前記補正されたデータを外部に出力するように構成される。
図4に示すように、本発明によるメモリシステム1000は、不揮発性メモリ1100とメモリコントローラ1200とを含む。不揮発性メモリ1100は、N−ビットデータ(Nは、2又はそれより大きな整数)をそれぞれ格納するメモリセルを含む。不揮発性メモリ1100は、磁気メモリ(MRAM)、強誘電体メモリ(FeRAM)、相変化メモリ(PRAM)、抵抗型メモリ(ReRAM)、有機メモリ(PoRAM)、フラッシュメモリ、電荷トラップフラッシュ(CTF)メモリ等のうちの何れか一つである。しかしながら、不揮発性メモリ1100がここに開示されたものに限定されないことは、この分野における通常の知識を有したものにとって自明である。メモリコントローラ1200は、外部(例えば、ホスト)からの要請に応答して、不揮発性メモリ1100を制御する。
前の一般的な説明及び詳細な説明のすべては例示的であると理解すべきであり、請求された発明の付加的な説明が提供されるものと理解すべきである。
Claims (30)
- マルチ−ビットデータを各々格納するメモリセルを有するメモリシステムの読み出し方法であって、
選択されたメモリセルの隣接したメモリセルから各々読み出されたデータに基づいて、前記選択されたメモリセルに対するF−polyカップリングドリフト値と前記選択されたメモリセルの状態を定義するのに使用される電圧との平均値を計算し、当該計算結果に基づいて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かを判別し、
判別結果に応じて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正することを含むことを特徴とする読み出し方法。 - 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたものと判別されると、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータは、前記異なる状態より低い状態を有するように補正されることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別することをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の読み出し方法。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記補正されたデータは、外部に出力されることを特徴とする請求項3に記載の読み出し方法。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、読み出しフェイルが発生したことを外部に通報することをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の読み出し方法。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されないものと判別されると、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータは、補正なしに外部に出力されることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かは、
前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいか否かを判別し、
前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいものと判別されると、前記選択されたメモリセルの状態より低いしきい電圧の状態を有するように前記選択されたメモリセルのデータを決定することにより判別されることを特徴とする請求項1に記載の読み出し方法。 - マルチ−ビットデータを各々格納するメモリセルを有するメモリシステムの読み出し方法であって、
選択されたメモリセルから読み出されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別し、
前記読み出されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、前記選択されたメモリセルの隣接したメモリセルから各々データを読み出し、
前記隣接したメモリセルから各々読み出されたデータに基づいて、前記選択されたメモリセルに対するF−polyカップリングドリフト値と前記選択されたメモリセルの状態を定義するのに使用される電圧との平均値を計算し、当該計算結果に基づいて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かを判別し、
判別結果に応じて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正することを含むことを特徴とする読み出し方法。 - 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたものと判別されると、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータは、前記異なる状態より低い状態を有するように補正されることを特徴とする請求項9に記載の読み出し方法。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されないものと判別されると、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータは、補正なしに外部に出力されることを特徴とする請求項9に記載の読み出し方法。
- 前記選択されたメモリセルのしきい電圧は、前記隣接したメモリセルがプログラムされる時にF−polyカップリング/電界カップリングにより増加することを特徴とする請求項9に記載の読み出し方法。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かは、
前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいか否かを判別し、
前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいものと判別されると、前記選択されたメモリセルの状態より低いしきい電圧の状態を有するように、前記選択されたメモリセルのデータを決定することにより判別されることを特徴とする請求項9に記載の読み出し方法。 - 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の読み出し方法。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記補正されたデータは、外部に出力されることを特徴とする請求項15に記載の読み出し方法。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、読み出しフェイルが発生したことを外部に通報することをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の読み出し方法。
- 選択されたメモリセル及び前記選択されたメモリセルの隣接したメモリセルから各々データを読み出し、
前記隣接したメモリセルから各々読み出されたデータに基づいて、前記選択されたメモリセルに対するF−polyカップリングドリフト値と前記選択されたメモリセルの状態を定義するのに使用される電圧との平均値を計算し、当該計算結果に基づいて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に変化されたか否かを判別し、
判別結果に応じて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正することを含むことを特徴とする読み出し方法。 - 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の読み出し方法。
- 前記読み出されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別される時に読み出しフェイルが発生したことが外部に通報され、前記読み出されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記読み出されたデータが外部に出力されることを特徴とする請求項18に記載の読み出し方法。
- マルチ−ビットデータを各々格納するメモリセルを有する不揮発性メモリ装置と、
前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されたメモリコントローラを含み、
読み出し動作時、前記メモリコントローラは、選択されたメモリセルの隣接したメモリセルから各々読み出されたデータに基づいて、前記選択されたメモリセルに対するF−polyカップリングドリフト値と前記選択されたメモリセルの状態を定義するのに使用される電圧との平均値を計算し、当該計算結果に基づいて、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かを判別するように構成されることを特徴とするメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記判別結果に応じて前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正するように構成されることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたものと判別されると、前記メモリコントローラは、前記異なる状態より低い状態を有するように前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正することを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものであるか否かを判別するように構成されることを特徴とする請求項22または請求項23のいずれかに記載のメモリシステム。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能なものと判別されると、前記メモリコントローラは、前記補正されたデータを外部に出力するように構成されることを特徴とする請求項24に記載のメモリシステム。
- 前記補正されたデータに対するエラーが訂正可能でないものと判別されると、前記メモリコントローラは、読み出しフェイルが発生したことを外部に通報するように構成されることを特徴とする請求項24に記載のメモリシステム。
- 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化しないものと判別されると、前記メモリコントローラは、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータを補正なしに外部に出力するように構成されることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、
前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいか否かを判別し、前記F−polyカップリングドリフト値が前記平均値より大きいものと判別されると、前記選択されたメモリセルの状態より低いしきい電圧の状態を有するように前記選択されたメモリセルのデータを決定することによって、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かを判別することを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。 - 前記選択されたメモリセルから読み出されたデータの状態が前記隣接したメモリセルがプログラムされる時に異なる状態に変化されたか否かは、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータのエラーが訂正可能でないときに行われることを特徴とする請求項21に記載のメモリシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070090618A KR101425958B1 (ko) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | 멀티-비트 데이터를 저장하는 메모리 시스템 및 그것의읽기 방법 |
KR10-2007-0090618 | 2007-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009064440A JP2009064440A (ja) | 2009-03-26 |
JP5376872B2 true JP5376872B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=40431657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226200A Active JP5376872B2 (ja) | 2007-09-06 | 2008-09-03 | マルチ−ビットデータを格納するメモリシステム及びその読み出し方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7898853B2 (ja) |
JP (1) | JP5376872B2 (ja) |
KR (1) | KR101425958B1 (ja) |
CN (1) | CN101458954B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4999921B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-08-15 | アノビット テクノロジーズ リミテッド | メモリ素子用の歪み推定と誤り訂正符号化の組み合せ |
KR101466698B1 (ko) * | 2008-02-19 | 2014-11-28 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 데이터 읽기 방법 |
CN102132350B (zh) * | 2008-07-01 | 2015-06-17 | Lsi公司 | 用于闪存存储器中的软解映射和单元间干扰减轻的方法和设备 |
CN102203876B (zh) | 2008-09-30 | 2015-07-15 | Lsi公司 | 用于存储器器件的软数据生成的方法和装置 |
KR101642465B1 (ko) * | 2008-12-12 | 2016-07-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법 |
US8291297B2 (en) * | 2008-12-18 | 2012-10-16 | Intel Corporation | Data error recovery in non-volatile memory |
KR101556779B1 (ko) | 2009-04-17 | 2015-10-02 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치의 액세스 방법 |
KR101530997B1 (ko) | 2009-06-23 | 2015-06-25 | 삼성전자주식회사 | 셀간 간섭을 집중시키는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR101603099B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2016-03-28 | 삼성전자주식회사 | 불안정 메모리 셀 산포를 검출하는 메모리 시스템 및 상기 불안정 메모리 셀 산포 검출방법 |
US8499227B2 (en) * | 2010-09-23 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Memory quality monitor based compensation method and apparatus |
US9898361B2 (en) | 2011-01-04 | 2018-02-20 | Seagate Technology Llc | Multi-tier detection and decoding in flash memories |
US8467234B2 (en) | 2011-02-08 | 2013-06-18 | Crocus Technology Inc. | Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation |
US9502117B2 (en) | 2011-03-14 | 2016-11-22 | Seagate Technology Llc | Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories |
CN102693758B (zh) * | 2011-03-22 | 2015-05-06 | 群联电子股份有限公司 | 数据读取方法、存储器储存装置及其存储器控制器 |
US8576615B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-11-05 | Crocus Technology Inc. | Magnetic random access memory devices including multi-bit cells |
US8488372B2 (en) | 2011-06-10 | 2013-07-16 | Crocus Technology Inc. | Magnetic random access memory devices including multi-bit cells |
US9076547B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-07-07 | Micron Technology, Inc. | Level compensation in multilevel memory |
US9030870B2 (en) | 2011-08-26 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Threshold voltage compensation in a multilevel memory |
US9093154B2 (en) * | 2012-01-16 | 2015-07-28 | Silicon Motion, Inc. | Method, memory controller and system for reading data stored in flash memory |
US9367391B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-06-14 | Micron Technology, Inc. | Error correction operations in a memory device |
US9218890B2 (en) * | 2013-06-03 | 2015-12-22 | Sandisk Technologies Inc. | Adaptive operation of three dimensional memory |
US9146850B2 (en) * | 2013-08-01 | 2015-09-29 | SMART Storage Systems, Inc. | Data storage system with dynamic read threshold mechanism and method of operation thereof |
JP6405612B2 (ja) | 2013-10-03 | 2018-10-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 強誘電体メモリ装置及びメモリ書き込み方法 |
US9672102B2 (en) * | 2014-06-25 | 2017-06-06 | Intel Corporation | NAND memory devices systems, and methods using pre-read error recovery protocols of upper and lower pages |
US10049733B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-08-14 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Reusing sneak current in accessing memory cells |
KR102246843B1 (ko) * | 2015-01-15 | 2021-05-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
CN104766627B (zh) * | 2015-04-21 | 2018-05-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抗读干扰的阻变存储器读方法 |
KR20170076883A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작방법 |
KR20190022987A (ko) * | 2017-08-25 | 2019-03-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
TWI695386B (zh) | 2018-07-17 | 2020-06-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體電路及其操作方法 |
US11557350B2 (en) * | 2020-10-16 | 2023-01-17 | Western Digital Technologies, Inc. | Dynamic read threshold calibration |
US11393540B2 (en) * | 2020-10-26 | 2022-07-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Adjacent memory cell interference mitigation |
KR20220058127A (ko) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 컴퓨팅 시스템 및 그 동작 방법 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100206709B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-07-01 | 윤종용 | 멀티비트 불휘발성 반도체 메모리의 셀 어레이의 구조 및 그의 구동방법 |
US5867429A (en) * | 1997-11-19 | 1999-02-02 | Sandisk Corporation | High density non-volatile flash memory without adverse effects of electric field coupling between adjacent floating gates |
KR100266745B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-09-15 | 윤종용 | 멀티-비트 데이터를 저장하기 위한 반도체 메모리 장치 |
KR100295135B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2001-07-12 | 윤종용 | 멀티-비트 셀 구조를 갖는 비휘발성 메모리 장치 |
TWI243986B (en) * | 2001-06-01 | 2005-11-21 | Winbond Electronics Corp | Data transmission method |
US6522580B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-02-18 | Sandisk Corporation | Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states |
US6542407B1 (en) | 2002-01-18 | 2003-04-01 | Sandisk Corporation | Techniques of recovering data from memory cells affected by field coupling with adjacent memory cells |
US6956770B2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-10-18 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with bit line compensation dependent on neighboring operating modes |
US7012835B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-03-14 | Sandisk Corporation | Flash memory data correction and scrub techniques |
US7372730B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-05-13 | Sandisk Corporation | Method of reading NAND memory to compensate for coupling between storage elements |
KR100645058B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신뢰성을 향상시킬 수 있는 메모리 관리 기법 |
US7196928B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-03-27 | Sandisk Corporation | Compensating for coupling during read operations of non-volatile memory |
US7196946B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-03-27 | Sandisk Corporation | Compensating for coupling in non-volatile storage |
EP1947855A4 (en) | 2005-10-07 | 2010-09-01 | Sharp Kk | RECEIVING DEVICE, SERVER, TELEVISION RECEIVER, MOBILE DEVICE, SYSTEM, RECEIVING METHOD, INFORMATION PROCESSING AND RECORDING MEDIUM |
US7289344B2 (en) * | 2005-11-10 | 2007-10-30 | Sandisk Corporation | Reverse coupling effect with timing information for non-volatile memory |
JP4575288B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 記憶媒体、記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
KR100683858B1 (ko) | 2006-01-12 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 고온 스트레스로 인한 읽기 마진의 감소를 보상할 수 있는플래시 메모리의 프로그램 방법 |
KR100833600B1 (ko) * | 2006-08-25 | 2008-05-30 | 삼성전자주식회사 | 에러 정정 회로, 그 방법 및 상기 회로를 구비하는 반도체메모리 장치 |
US7865797B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-01-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory device with adjustable read reference based on ECC and method thereof |
KR100907218B1 (ko) * | 2007-03-28 | 2009-07-10 | 삼성전자주식회사 | 읽기 레벨 제어 장치 및 그 방법 |
-
2007
- 2007-09-06 KR KR1020070090618A patent/KR101425958B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-09-03 JP JP2008226200A patent/JP5376872B2/ja active Active
- 2008-09-05 US US12/204,860 patent/US7898853B2/en active Active
- 2008-09-08 CN CN2008101911887A patent/CN101458954B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090067237A1 (en) | 2009-03-12 |
KR101425958B1 (ko) | 2014-08-04 |
KR20090025631A (ko) | 2009-03-11 |
JP2009064440A (ja) | 2009-03-26 |
CN101458954B (zh) | 2013-11-06 |
US7898853B2 (en) | 2011-03-01 |
CN101458954A (zh) | 2009-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5376872B2 (ja) | マルチ−ビットデータを格納するメモリシステム及びその読み出し方法 | |
TWI496275B (zh) | 記憶體系統及其程式化方法以及包含該系統與方法的計算機系統 | |
CN105097028B (zh) | 包括非易失性存储器件的存储装置和该器件的读取方法 | |
US9159440B2 (en) | Read method for nonvolatile memory device, and data storage system using the same | |
US9520185B2 (en) | Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof | |
US8621266B2 (en) | Nonvolatile memory system and related method of performing erase refresh operation | |
KR101516577B1 (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치, 그를 포함하는 메모리 카드와 메모리 시스템 및 그의 리드 전압 추정 방법 | |
US9478298B2 (en) | Memory system and method of reading data thereof | |
US7864574B2 (en) | Memory device and memory programming method | |
US20170148525A1 (en) | Method and System For Adaptively Adjusting a Verify Voltage to Reduce Storage Raw Bit Error Rate | |
KR20090099265A (ko) | 메모리 장치 및 데이터 판정 방법 | |
US8996964B2 (en) | Nonvolatile memory device and related read method using hard and soft decision decoding | |
US9472300B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
US9105359B2 (en) | Nonvolatile memory device and error correction methods thereof | |
US20120147669A1 (en) | Non-volatile memory device and a method for operating the device | |
KR20100088898A (ko) | 플래시 메모리 장치, 및 이의 프로그램 및 독출 방법 | |
KR20160110774A (ko) | 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템 | |
CN112086111A (zh) | 非易失性存储器设备及其编程方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5376872 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |