JP5376071B2 - 送電装置および電力伝送システム - Google Patents
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Description
本発明は電界結合により電力を伝送する電力伝送システムに用いられる電力送電装置およびその電力伝送システムに関するものである。
二つの装置を近接させて装置間で電力を伝送する代表的なシステムとして、電磁界を利用して、送電装置の一次コイルから受電装置の二次コイルに磁界を利用して電力を伝送する磁界結合方式の電力伝送システムが知られている。しかし、磁界結合で電力を伝送する場合、各コイルを通る磁束の大きさが起電力に大きく影響するため、一次コイルと二次コイルとの相対位置関係に高い精度が要求される。また、コイルを利用するため、装置の小型化が難しい。
一方、特許文献1〜3に記載されているような準静電界を利用して送電ユニット側の結合用電極から負荷ユニット側の結合用電極に電力を伝送する電界結合方式のワイヤレス電力伝送システムも知られている。このシステムでは、送電装置の結合電極から受電装置の結合電極に電界を介して電力が伝送される。この方式は、結合電極の相対位置精度が比較的緩く、また、結合電極の小型・薄型化が可能である。
図1は特許文献1の電力伝送システムの基本構成を示す図である。この電力伝送システムは、送電装置と受電装置とで構成される。送電装置には、高周波高電圧発生回路1、パッシブ電極2およびアクティブ電極3を備えている。受電装置には、高周波高電圧負荷回路5、パッシブ電極7およびアクティブ電極6を備えている。そして、送電装置のアクティブ電極3と受電装置のアクティブ電極6とが高電圧電界領域4を介して近接することにより、この二つの電極同士が電界結合する。
静電型の非接触電力伝送回路は、小さな結合部でも伝送効率を高めるため、送電装置と受電装置の結合部を高電圧で結合させることになるが、そのため受電装置には降圧用のトランスが設けられる。また、所望の電圧を負荷回路へ供給するためにDC−DCコンバータが設けられる。受電装置においては、このような降圧トランスやDC−DCコンバータのコイル等で熱が生じる。しかも、送電装置に比べて受電装置は小型・高集積化が要求されるので、受電装置は、受電中に発生した熱を放散するために十分な熱容量が確保できない傾向にある。そのため、受電装置の温度が異常に上昇するおそれがある。
本発明は、上述の温度上昇の問題を解消した送電装置および電力伝送システムを提供することを目的としている。
(1)本発明の送電装置は、
受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を備えた受電装置に対して電力を伝送する送電装置において、
前記受電装置側アクティブ電極に電気的に結合する(対向する)送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に電気的に結合する(対向するまたは導通する)送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を備え、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たすものである。
受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を備えた受電装置に対して電力を伝送する送電装置において、
前記受電装置側アクティブ電極に電気的に結合する(対向する)送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に電気的に結合する(対向するまたは導通する)送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を備え、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たすものである。
(2)前記送電装置側パッシブ電極は前記受電装置側パッシブ電極に電気的に導通することが好ましい。
(3)前記受電装置側パッシブ電極の結合状態を検出する検出電極を前記受電装置の載置部に備え、前記検出電極に対する前記受電装置側パッシブ電極の結合状態によって前記受電装置の載置有無を検知する検知手段を備え、
前記検出電極の厚さは、前記送電装置側パッシブ電極の厚さ以下であることが好ましい。
前記検出電極の厚さは、前記送電装置側パッシブ電極の厚さ以下であることが好ましい。
(4)前記送電装置側アクティブ電極もしくは前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は、凹凸面または孔を備えることが好ましい。
(5)前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の少なくとも一方に熱的に接続される熱伝導体を備えることが好ましい。
(6)前記送電装置側パッシブ電極、前記送電装置側アクティブ電極および前記高周波高電圧発生回路を内部に収める筐体を備え、
前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は前記筐体内で屈曲または拡張されていることが好ましい。
前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は前記筐体内で屈曲または拡張されていることが好ましい。
(7)本発明の電力伝送システムは、
受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を有する受電装置と、
前記受電装置側アクティブ電極に対向する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に導通する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を有する送電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たすものである。
受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を有する受電装置と、
前記受電装置側アクティブ電極に対向する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に導通する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を有する送電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たすものである。
(8)前記受電装置側パッシブ電極は前記送電装置側パッシブ電極に結合する位置から受電装置の筐体の外周囲に沿って延びていることが好ましい。
本発明によれば、送電装置の放熱性が高いので、受電装置を送電装置に装着している状態で、受電装置の放熱性も高まり、受電装置および送電装置の発熱は抑えられる。
《第1の実施形態》
図2は第1の実施形態の電力伝送システム401の外観斜視図である。この電力伝送システム401は送電装置101および受電装置301で構成されている。この例では、端末30とその外周枠に被せられたジャケット201とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット201が被せられた状態の端末30(以下、「ジャケット付き端末」という。)が送電装置101に載置される。後に詳述するが、ジャケット201内には受電回路が構成されていて、ジャケット201内のコネクタを介して受電回路が端末30に接続される。
図2は第1の実施形態の電力伝送システム401の外観斜視図である。この電力伝送システム401は送電装置101および受電装置301で構成されている。この例では、端末30とその外周枠に被せられたジャケット201とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット201が被せられた状態の端末30(以下、「ジャケット付き端末」という。)が送電装置101に載置される。後に詳述するが、ジャケット201内には受電回路が構成されていて、ジャケット201内のコネクタを介して受電回路が端末30に接続される。
図3(A)は、ジャケット付き端末の正面図、図3(B)は送電装置101にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図3(A)に表れているように、端末30の下部に下部ジャケット201Bがスライド式に装着され、端末30の上部に上部ジャケット201Tがスライド式に装着される。下部ジャケットの内部にはコネクタのプラグ29が設けられていて、端末30に下部ジャケット201Bが装着されることによって、プラグ29は端末30の下部に設けられているレセプタクル39に接続される。
図3(B)に表れているように、ジャケット付き端末は送電装置101の溝に挿入されるように載置される。ジャケット付き端末は縦置きに限らず、横置きにもでき、いずれの状態でも電力伝送できる。
図4(A)は送電装置101の側方から見た縦断面図、図4(B)はジャケット付き端末の側方から見た縦断面図、図4(C)は送電装置101にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。
図4(A)に表れているように、送電装置101の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電モジュール13等が設けられている。送電装置側アクティブ電極12はジャケット付き端末が載置される溝の底面に配置されている。送電装置側パッシブ電極11の一部は、ジャケット201Bの背面から僅かに突出している受電装置側パッシブ電極21に対して接触する位置に露出している。この送電装置側パッシブ電極11の一部に複数のフィンを備えたヒートシンク部11Sが形成されている。このヒートシンク部11Sを含むパッシブ電極11は筐体15内で屈曲され且つ拡張されている。送電装置101の筐体15には放熱用の複数のスリット状の開口16が形成されている。
図4(B)に表れているように、受電装置の一部である下部ジャケット201Bの内部に受電装置側パッシブ電極21、受電装置側アクティブ電極22、受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24が設けられている。受電装置側パッシブ電極21は受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24に近接して囲むように形成されている。
図4(C)に示すように、送電装置101にジャケット付き端末を載置すると、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11に対して電気的に導通する。また、受電装置側アクティブ電極22は送電装置側アクティブ電極12に対向する。
ここで、送電装置側パッシブ電極11の厚さt3は受電装置側パッシブ電極21の厚さt1より大きい。また、送電装置側アクティブ電極12の厚さt4は受電装置側アクティブ電極22の厚さt2より大きい。すなわち、
t3/t1>1
t4/t2>1
の関係を満たす。すなわち、送電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量が受電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量より大きく、受電装置の熱が送電装置を介して高い効率で放熱される。
t3/t1>1
t4/t2>1
の関係を満たす。すなわち、送電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量が受電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量より大きく、受電装置の熱が送電装置を介して高い効率で放熱される。
受電装置の熱はジャケット201を介して送電装置101の筐体15へ伝熱されるので、受電装置の熱は送電装置101の筐体15を介しても放熱される。そのため、送電装置101の筐体15およびジャケット201は熱伝導性の高い材料で構成されている方が好ましい。
図5は電力伝送システム401の等価回路図である。送電装置101の送電モジュール13は高周波電圧発生回路OSC、昇圧トランスTGおよびインダクタLGを備えている。高周波電圧発生回路OSCは例えば100kHz〜数10MHzの高周波電圧を発生する。昇圧トランスTGおよびインダクタLGによる昇圧回路は、高周波電圧発生回路OSCの発生する電圧を昇圧してパッシブ電極11とアクティブ電極12との間に印加する。この送電モジュール13が本発明の「高周波高電圧発生回路」に相当する。
受電装置301のジャケット201には受電モジュール23、DC−DCコンバータ24および端末30に相当する負荷回路RLを備えている。受電モジュール23は、アクティブ電極22とパッシブ電極21の間に接続されている。受電モジュール23はインダクタLL、降圧トランスTLによる降圧回路と降圧した交流電圧を直流電圧に変換する整流回路25を備えている。DC−DCコンバータ24は負荷回路RLに対して規定の直流電圧を出力する。
送電装置側パッシブ電極11と受電装置側パッシブ電極21との間に接続されている抵抗rは送電装置側パッシブ電極11と受電装置側パッシブ電極21との接触部に構成される接触抵抗に相当する。送電装置側アクティブ電極12と受電装置側アクティブ電極22との間に接続されているキャパシタCmは、送電装置側アクティブ電極12と受電装置側アクティブ電極22との間に生じる容量に相当する。
前記接触抵抗rの抵抗値をr、容量結合部のキャパシタCmの容量をCmで表すと、
r<<1/ωCmの関係にある。このように、送電装置101とジャケット201のパッシブ電極同士が直接導通することにより、受電装置側パッシブ電極21の電位が送電装置側パッシブ電極11の電位にほぼ等しくなる。その結果、受電装置側パッシブ電極21の電位が安定化し、グランド電位変動および不要電磁界の漏洩が抑制される。また、浮遊容量が抑えられるので、結合度が高まり、高い伝送効率が得られる。
r<<1/ωCmの関係にある。このように、送電装置101とジャケット201のパッシブ電極同士が直接導通することにより、受電装置側パッシブ電極21の電位が送電装置側パッシブ電極11の電位にほぼ等しくなる。その結果、受電装置側パッシブ電極21の電位が安定化し、グランド電位変動および不要電磁界の漏洩が抑制される。また、浮遊容量が抑えられるので、結合度が高まり、高い伝送効率が得られる。
図5に示した回路のうち、特に受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24は発熱量が相対的に大きいが、これらの熱は受電装置側パッシブ電極21を伝搬して送電装置側パッシブ電極11へ伝達される。すなわち、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11に対して熱的にも導通している。したがって、受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24による熱は送電装置側パッシブ電極11で放熱され、受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24の温度上昇が抑えられる。
図6(A)〜図6(D)は前記送電装置側パッシブ電極11の幾つかの他の構造の例を示す図である。これらの図において受電装置側パッシブ電極21は単純な平板で表している。図6(A)に示すように、送電装置側パッシブ電極11はフィンが無くて単純な厚板であってもよい。また、図6(B)に示すように複数の突起が形成されていてもよい。また、図6(C)に示すように内部に複数の孔Hが形成されていてもよい。図6(B)、図6(C)のように送電装置側パッシブ電極11の表面積を大きくすれば、送電電極から周囲の空気への熱放散性が高まる。送電装置側アクティブ電極は図6(D)に示すように、金属や電気絶縁体からなる熱良導体の板11iを金属板11cに貼付したものであってもよい。
《第2の実施形態》
図7(A)は第2の実施形態の電力伝送システム402の正面図、図7(B)は送電装置102にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。
図7(A)に表れているように、送電装置102の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電装置側検出電極17、送電モジュール13等が設けられている。
図7(A)は第2の実施形態の電力伝送システム402の正面図、図7(B)は送電装置102にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。
図7(A)に表れているように、送電装置102の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電装置側検出電極17、送電モジュール13等が設けられている。
受電装置は端末30とこの端末30に装着されたジャケット201とで構成されている。ジャケット201には受電装置側パッシブ電極21、受電装置側アクティブ電極22、受電モジュール23、DC−DCコンバータ24、コネクタのプラグ29が設けられている。受電装置側パッシブ電極21は受電装置のジャケット201の外周の少なくとも三面に亘って形成されている。受電装置のその他の構成は第1の実施形態で示したものと同じである。
送電装置側パッシブ電極11はジャケット付き端末が載置される溝の底面に配置されている。この溝にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11に接触する。この送電装置側パッシブ電極11は筐体15内で屈曲され且つ拡張されている。特に、送電装置側検出電極17の近傍に電気的絶縁状態で且つ熱的結合状態の拡張部11eが形成されている。この送電装置側検出電極17と送電装置側パッシブ電極11との間を、例えば窒化アルミナ等の電気的絶縁体で且つ熱良導体の部材27を用いて熱的に接続することにより、受電装置側の熱を広い面積で送電装置側パッシブ電極11へ伝熱することができ、高い放熱効果が得られる。なお送電装置側パッシブ電極11と受電装置側パッシブ電極21の間および送電装置側検出電極17と受電装置側パッシブ電極21の間は接触導通している。
図8は電力伝送システム402の簡略回路図である。送電装置102にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11および送電装置側検出電極17に導通する。制御回路18は送電装置側パッシブ電極11と検出電極17との電気的導通の有無を検知して、導通状態でなければ送電モジュール13の動作を無効にする。このことにより、受電装置(ジャケット付き端末)が送電装置に適正な位置関係で載置されない状態で電力送電されることなく、異常な状態での電力伝送が無くなるので、電力伝送効率の低下による受電装置および送電装置の異常過熱も抑制される。
このように、送電装置側に受電装置側パッシブ電極21が接する電極が複数ある場合に、それらの電極の熱容量を大きくし、受電装置側パッシブ電極21との熱的結合を図れば、受電装置から送電装置への伝熱効率が高まるので、送電装置側パッシブ電極11の放熱効果が高まる。なお、受電装置側パッシブ電極21は外周囲に沿って延びていて、表面積が大きいので、受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24の熱は受電装置側パッシブ電極21でも放熱される。
《第3の実施形態》
図9は第3の実施形態の電力伝送システム403の側方から見た縦断面図である。
送電装置103の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電モジュール13等が設けられている。
図9は第3の実施形態の電力伝送システム403の側方から見た縦断面図である。
送電装置103の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電モジュール13等が設けられている。
受電装置は端末30とこの端末30に装着されたジャケット201とで構成されている。ジャケット201には受電装置側パッシブ電極21、受電装置側アクティブ電極22、受電モジュール23、DC−DCコンバータ24、シールド板28等が設けられている。その他の受電装置の基本構成は第1・第2の実施形態で示したものと同じである。
送電装置側パッシブ電極11はジャケット付き端末が載置される載置台の底面に配置されている。この載置台にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11に接触する。
送電装置103の送電モジュール13の周囲はシールドケース19で囲まれている。このシールドケース19は配線導体14を介して送電装置側パッシブ電極11と導通している。
受電装置のシールド板28は受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24に近接配置されていて、電気的にシールドするとともに、熱的に結合している。そしてこのシールド板28は送電装置側パッシブ電極11に対向する位置に配置されている。
この構造により、受電装置の受電モジュール23およびDC−DCコンバータ24の熱はシールド板28を介し、且つ受電装置側パッシブ電極21を介して送電装置側パッシブ電極11で放熱される。
《第4の実施形態》
図10は第4の実施形態の電力伝送システム404の側方から見た縦断面図である。
送電装置104の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電装置側検出電極、送電モジュール13等が設けられている。
図10は第4の実施形態の電力伝送システム404の側方から見た縦断面図である。
送電装置104の筐体15に送電装置側パッシブ電極11、送電装置側アクティブ電極12、送電装置側検出電極、送電モジュール13等が設けられている。
受電装置は端末30とこの端末30に装着されたジャケット201とで構成されている。ジャケット201には受電装置側パッシブ電極21、受電装置側アクティブ電極22、受電モジュール23、DC−DCコンバータ24等が設けられている。その他の受電装置の基本構成は第1・第2の実施形態で示したものと同じである。
送電装置側パッシブ電極11は受電装置側パッシブ電極21に沿って、この受電装置側パッシブ電極21に対向するように形成および配置されている。この載置台にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11に対向する。
送電装置側パッシブ電極11は筐体15内で受電装置側パッシブ電極21から離れる方向に拡張されているので、受電装置がパッシブ電極21と送電装置側パッシブ電極11との間の結合容量や浮遊容量を変化させることなく(悪影響なく)送電装置側パッシブ電極11の体積や表面積を大きくすることができる。
図11は電力伝送システム404の簡略回路図である。送電装置104にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極21は送電装置側パッシブ電極11および送電装置側検出電極17に対向する。また、受電装置側アクティブ電極22は送電装置側アクティブ電極12に対向する。
この第4の実施形態は、送電装置と受電装置のパッシブ電極同士、およびアクティブ電極同士がそれぞれ電界結合して、送電装置104から受電装置304へ電力伝送される例である。
制御回路18は送電装置側パッシブ電極11と検出電極17との間のキャパシタンスの大小を検知して、キャパシタンスがしきい値より小さければ送電モジュール13の動作を無効にする。
このように、送電装置側に受電装置側パッシブ電極21が対向する電極が複数ある場合に、それらの電極の熱容量を大きくし、受電装置側パッシブ電極21との熱的結合を図れば、受電装置から送電装置への伝熱効率が高まるので、送電装置側パッシブ電極11の放熱効果が高まる。
以上も幾つかの実施形態で示したように、本発明によれば、受電装置の熱が送電装置を介して高い効率で放熱されるので、受電装置の温度上昇が抑えられる。
H…孔
LG,LL…インダクタ
OSC…高周波電圧発生回路
r…抵抗
RL…負荷回路
TG…昇圧トランス
TL…降圧トランス
11…送電装置側パッシブ電極
11c…金属板
11e…拡張部
11i…板
11S…ヒートシンク部
12…送電装置側アクティブ電極
13…送電モジュール
14…配線導体
15…筐体
16…開口
17…送電装置側検出電極
18…制御回路
19…シールドケース
21…受電装置側パッシブ電極
22…受電装置側アクティブ電極
23…受電モジュール
24…DC−DCコンバータ
28…シールド板
29…プラグ
30…端末
39…レセプタクル
101〜104…送電装置
201…ジャケット
201B…下部ジャケット
201T…上部ジャケット
301,304…受電装置
401〜404…電力伝送システム
LG,LL…インダクタ
OSC…高周波電圧発生回路
r…抵抗
RL…負荷回路
TG…昇圧トランス
TL…降圧トランス
11…送電装置側パッシブ電極
11c…金属板
11e…拡張部
11i…板
11S…ヒートシンク部
12…送電装置側アクティブ電極
13…送電モジュール
14…配線導体
15…筐体
16…開口
17…送電装置側検出電極
18…制御回路
19…シールドケース
21…受電装置側パッシブ電極
22…受電装置側アクティブ電極
23…受電モジュール
24…DC−DCコンバータ
28…シールド板
29…プラグ
30…端末
39…レセプタクル
101〜104…送電装置
201…ジャケット
201B…下部ジャケット
201T…上部ジャケット
301,304…受電装置
401〜404…電力伝送システム
Claims (8)
- 受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を備えた受電装置に対して電力を伝送する送電装置において、
前記受電装置側アクティブ電極に電気的に結合する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に電気的に結合する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を備え、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たす送電装置。 - 前記送電装置側パッシブ電極は前記受電装置側パッシブ電極に電気的に導通する、請求項1に記載の送電装置。
- 前記受電装置側パッシブ電極の結合状態を検出する検出電極を前記受電装置の載置部に備え、前記検出電極に対する前記受電装置側パッシブ電極の結合状態によって前記受電装置の載置有無を検知する検知手段を備え、
前記検出電極の厚さは、前記送電装置側パッシブ電極の厚さ以下である、請求項2に記載の送電装置。 - 前記送電装置側アクティブ電極もしくは前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は、凹凸面または孔を備えた、請求項1〜3のいずれかに記載の送電装置。
- 前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の少なくとも一方に熱的に接続される熱伝導体を備えた、請求項1〜4のいずれかに記載の送電装置。
- 前記送電装置側パッシブ電極、前記送電装置側アクティブ電極および前記高周波高電圧発生回路を内部に収める筐体を備え、
前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は前記筐体内で屈曲または拡張された、請求項1〜5のいずれかに記載の送電装置。 - 受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を有する受電装置と、
前記受電装置側アクティブ電極に対向する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に導通する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を有する送電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
前記受電装置側パッシブ電極の厚さをt1、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをt2、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをt3、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをt4、でそれぞれ表したとき、
第1の不等式 t3/t1>1
第2の不等式 t4/t2>1
の一方または両方を満たす電力伝送システム。 - 前記受電装置側パッシブ電極は前記送電装置側パッシブ電極に結合する位置から受電装置の筐体の外周囲に沿って延びている、請求項7に記載の電力伝送システム。
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