WO2012172930A1

WO2012172930A1 - 送電装置および電力伝送システム

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Publication number: WO2012172930A1
Application number: PCT/JP2012/062903
Authority: WO
Inventors: 加藤数矢; 市川敬一
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2011-06-14
Filing date: 2012-05-21
Publication date: 2012-12-20
Also published as: CN103222153A; US20130270922A1; US9369009B2; DE112012002474T5; JP5376071B2; JPWO2012172930A1; CN103222153B

Abstract

　送電装置（１０１）の筐体（１５）に送電装置側のパッシブ電極（１１）、アクティブ電極（１２）、送電モジュール（１３）等が設けられている。端末に装着されるジャケットには受電装置側のパッシブ電極（２１）、アクティブ電極（２２）、受電モジュール（２３）およびＤＣ－ＤＣコンバータ（２４）等が設けられている。送電装置側パッシブ電極（１１）の一部には複数のフィンを備えたヒートシンク部（１１Ｓ）が形成されている。送電装置（１０１）にジャケット付き端末を載置すると、受電装置側パッシブ電極（２１）は送電装置側パッシブ電極（１１）に対して電気的に導通し、受電装置側アクティブ電極（２２）は送電装置側アクティブ電極（１２）に対向する。この状態で、受電モジュール（２３）およびＤＣ－ＤＣコンバータ（２４）等の熱は送電装置側パッシブ電極（１１）から放熱される。

Description

送電装置および電力伝送システム

　本発明は電界結合により電力を伝送する電力伝送システムに用いられる電力送電装置およびその電力伝送システムに関するものである。

　二つの装置を近接させて装置間で電力を伝送する代表的なシステムとして、電磁界を利用して、送電装置の一次コイルから受電装置の二次コイルに磁界を利用して電力を伝送する磁界結合方式の電力伝送システムが知られている。しかし、磁界結合で電力を伝送する場合、各コイルを通る磁束の大きさが起電力に大きく影響するため、一次コイルと二次コイルとの相対位置関係に高い精度が要求される。また、コイルを利用するため、装置の小型化が難しい。

　一方、特許文献１～３に記載されているような準静電界を利用して送電ユニット側の結合用電極から負荷ユニット側の結合用電極に電力を伝送する電界結合方式のワイヤレス電力伝送システムも知られている。このシステムでは、送電装置の結合電極から受電装置の結合電極に電界を介して電力が伝送される。この方式は、結合電極の相対位置精度が比較的緩く、また、結合電極の小型・薄型化が可能である。

　図１は特許文献１の電力伝送システムの基本構成を示す図である。この電力伝送システムは、送電装置と受電装置とで構成される。送電装置には、高周波高電圧発生回路１、パッシブ電極２およびアクティブ電極３を備えている。受電装置には、高周波高電圧負荷回路５、パッシブ電極７およびアクティブ電極６を備えている。そして、送電装置のアクティブ電極３と受電装置のアクティブ電極６とが高電圧電界領域４を介して近接することにより、この二つの電極同士が電界結合する。

特表２００９－５３１００９号公報特開２００９－２９６８５７号公報特開２００９－０８９５２０号公報

　静電型の非接触電力伝送回路は、小さな結合部でも伝送効率を高めるため、送電装置と受電装置の結合部を高電圧で結合させることになるが、そのため受電装置には降圧用のトランスが設けられる。また、所望の電圧を負荷回路へ供給するためにＤＣ－ＤＣコンバータが設けられる。受電装置においては、このような降圧トランスやＤＣ－ＤＣコンバータのコイル等で熱が生じる。しかも、送電装置に比べて受電装置は小型・高集積化が要求されるので、受電装置は、受電中に発生した熱を放散するために十分な熱容量が確保できない傾向にある。そのため、受電装置の温度が異常に上昇するおそれがある。

　本発明は、上述の温度上昇の問題を解消した送電装置および電力伝送システムを提供することを目的としている。

（１）本発明の送電装置は、
　受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を備えた受電装置に対して電力を伝送する送電装置において、
　前記受電装置側アクティブ電極に電気的に結合する（対向する）送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に電気的に結合する（対向するまたは導通する）送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を備え、
　前記受電装置側パッシブ電極の厚さをｔ１、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをｔ２、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをｔ３、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをｔ４、でそれぞれ表したとき、
　第１の不等式　ｔ３／ｔ１＞１
　第２の不等式　ｔ４／ｔ２＞１
の一方または両方を満たすものである。

（２）前記送電装置側パッシブ電極は前記受電装置側パッシブ電極に電気的に導通することが好ましい。

（３）前記受電装置側パッシブ電極の結合状態を検出する検出電極を前記受電装置の載置部に備え、前記検出電極に対する前記受電装置側パッシブ電極の結合状態によって前記受電装置の載置有無を検知する検知手段を備え、
　前記検出電極の厚さは、前記送電装置側パッシブ電極の厚さ以下であることが好ましい。

（４）前記送電装置側アクティブ電極もしくは前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は、凹凸面または孔を備えることが好ましい。

（５）前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の少なくとも一方に熱的に接続される熱伝導体を備えることが好ましい。

（６）前記送電装置側パッシブ電極、前記送電装置側アクティブ電極および前記高周波高電圧発生回路を内部に収める筐体を備え、
　前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は前記筐体内で屈曲または拡張されていることが好ましい。

（７）本発明の電力伝送システムは、
　受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を有する受電装置と、
　前記受電装置側アクティブ電極に対向する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に導通する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を有する送電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
　前記受電装置側パッシブ電極の厚さをｔ１、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをｔ２、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをｔ３、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをｔ４、でそれぞれ表したとき、
　第１の不等式　ｔ３／ｔ１＞１
　第２の不等式　ｔ４／ｔ２＞１
の一方または両方を満たすものである。

（８）前記受電装置側パッシブ電極は前記送電装置側パッシブ電極に結合する位置から受電装置の筐体の外周囲に沿って延びていることが好ましい。

　本発明によれば、送電装置の放熱性が高いので、受電装置を送電装置に装着している状態で、受電装置の放熱性も高まり、受電装置および送電装置の発熱は抑えられる。

図１は特許文献１の電力伝送システムの基本構成を示す図である。図２は第１の実施形態の電力伝送システム４０１の外観斜視図である。図３（Ａ）は、ジャケット付き端末の正面図、図３（Ｂ）は送電装置１０１にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図４（Ａ）は送電装置１０１の側方から見た縦断面図、図４（Ｂ）はジャケット付き端末の側方から見た縦断面図、図４（Ｃ）は送電装置１０１にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。図５は電力伝送システム４０１の等価回路図である。図６（Ａ）～図６（Ｄ）は送電装置側パッシブ電極１１の幾つかの他の構造の例を示す図である。図７（Ａ）は第２の実施形態の電力伝送システム４０２の正面図、図７（Ｂ）は送電装置１０２にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。図８は電力伝送システム４０２の簡略回路図である。図９は第３の実施形態の電力伝送システム４０３の側方から見た縦断面図である。図１０は第４の実施形態の電力伝送システム４０４の側方から見た縦断面図である。図１１は電力伝送システム４０４の簡略回路図である。

《第１の実施形態》
　図２は第１の実施形態の電力伝送システム４０１の外観斜視図である。この電力伝送システム４０１は送電装置１０１および受電装置３０１で構成されている。この例では、端末３０とその外周枠に被せられたジャケット２０１とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット２０１が被せられた状態の端末３０（以下、「ジャケット付き端末」という。）が送電装置１０１に載置される。後に詳述するが、ジャケット２０１内には受電回路が構成されていて、ジャケット２０１内のコネクタを介して受電回路が端末３０に接続される。

　図３（Ａ）は、ジャケット付き端末の正面図、図３（Ｂ）は送電装置１０１にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図３（Ａ）に表れているように、端末３０の下部に下部ジャケット２０１Ｂがスライド式に装着され、端末３０の上部に上部ジャケット２０１Ｔがスライド式に装着される。下部ジャケットの内部にはコネクタのプラグ２９が設けられていて、端末３０に下部ジャケット２０１Ｂが装着されることによって、プラグ２９は端末３０の下部に設けられているレセプタクル３９に接続される。

　図３（Ｂ）に表れているように、ジャケット付き端末は送電装置１０１の溝に挿入されるように載置される。ジャケット付き端末は縦置きに限らず、横置きにもでき、いずれの状態でも電力伝送できる。

　図４（Ａ）は送電装置１０１の側方から見た縦断面図、図４（Ｂ）はジャケット付き端末の側方から見た縦断面図、図４（Ｃ）は送電装置１０１にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。

　図４（Ａ）に表れているように、送電装置１０１の筐体１５に送電装置側パッシブ電極１１、送電装置側アクティブ電極１２、送電モジュール１３等が設けられている。送電装置側アクティブ電極１２はジャケット付き端末が載置される溝の底面に配置されている。送電装置側パッシブ電極１１の一部は、ジャケット２０１Ｂの背面から僅かに突出している受電装置側パッシブ電極２１に対して接触する位置に露出している。この送電装置側パッシブ電極１１の一部に複数のフィンを備えたヒートシンク部１１Ｓが形成されている。このヒートシンク部１１Ｓを含むパッシブ電極１１は筐体１５内で屈曲され且つ拡張されている。送電装置１０１の筐体１５には放熱用の複数のスリット状の開口１６が形成されている。

　図４（Ｂ）に表れているように、受電装置の一部である下部ジャケット２０１Ｂの内部に受電装置側パッシブ電極２１、受電装置側アクティブ電極２２、受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４が設けられている。受電装置側パッシブ電極２１は受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４に近接して囲むように形成されている。

　図４（Ｃ）に示すように、送電装置１０１にジャケット付き端末を載置すると、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１に対して電気的に導通する。また、受電装置側アクティブ電極２２は送電装置側アクティブ電極１２に対向する。

　ここで、送電装置側パッシブ電極１１の厚さｔ３は受電装置側パッシブ電極２１の厚さｔ１より大きい。また、送電装置側アクティブ電極１２の厚さｔ４は受電装置側アクティブ電極２２の厚さｔ２より大きい。すなわち、
　ｔ３／ｔ１＞１
　ｔ４／ｔ２＞１
の関係を満たす。すなわち、送電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量が受電装置側のパッシブ電極およびアクティブ電極の熱容量より大きく、受電装置の熱が送電装置を介して高い効率で放熱される。

　受電装置の熱はジャケット２０１を介して送電装置１０１の筐体１５へ伝熱されるので、受電装置の熱は送電装置１０１の筐体１５を介しても放熱される。そのため、送電装置１０１の筐体１５およびジャケット２０１は熱伝導性の高い材料で構成されている方が好ましい。

　図５は電力伝送システム４０１の等価回路図である。送電装置１０１の送電モジュール１３は高周波電圧発生回路ＯＳＣ、昇圧トランスＴＧおよびインダクタＬＧを備えている。高周波電圧発生回路ＯＳＣは例えば１００ｋＨｚ～数１０ＭＨｚの高周波電圧を発生する。昇圧トランスＴＧおよびインダクタＬＧによる昇圧回路は、高周波電圧発生回路ＯＳＣの発生する電圧を昇圧してパッシブ電極１１とアクティブ電極１２との間に印加する。この送電モジュール１３が本発明の「高周波高電圧発生回路」に相当する。

　受電装置３０１のジャケット２０１には受電モジュール２３、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４および端末３０に相当する負荷回路ＲＬを備えている。受電モジュール２３は、アクティブ電極２２とパッシブ電極２１の間に接続されている。受電モジュール２３はインダクタＬＬ、降圧トランスＴＬによる降圧回路と降圧した交流電圧を直流電圧に変換する整流回路２５を備えている。ＤＣ－ＤＣコンバータ２４は負荷回路ＲＬに対して規定の直流電圧を出力する。

　送電装置側パッシブ電極１１と受電装置側パッシブ電極２１との間に接続されている抵抗ｒは送電装置側パッシブ電極１１と受電装置側パッシブ電極２１との接触部に構成される接触抵抗に相当する。送電装置側アクティブ電極１２と受電装置側アクティブ電極２２との間に接続されているキャパシタＣｍは、送電装置側アクティブ電極１２と受電装置側アクティブ電極２２との間に生じる容量に相当する。

　前記接触抵抗ｒの抵抗値をｒ、容量結合部のキャパシタＣｍの容量をＣｍで表すと、
ｒ＜＜１／ωＣｍの関係にある。このように、送電装置１０１とジャケット２０１のパッシブ電極同士が直接導通することにより、受電装置側パッシブ電極２１の電位が送電装置側パッシブ電極１１の電位にほぼ等しくなる。その結果、受電装置側パッシブ電極２１の電位が安定化し、グランド電位変動および不要電磁界の漏洩が抑制される。また、浮遊容量が抑えられるので、結合度が高まり、高い伝送効率が得られる。

　図５に示した回路のうち、特に受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４は発熱量が相対的に大きいが、これらの熱は受電装置側パッシブ電極２１を伝搬して送電装置側パッシブ電極１１へ伝達される。すなわち、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１に対して熱的にも導通している。したがって、受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４による熱は送電装置側パッシブ電極１１で放熱され、受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４の温度上昇が抑えられる。

　図６（Ａ）～図６（Ｄ）は前記送電装置側パッシブ電極１１の幾つかの他の構造の例を示す図である。これらの図において受電装置側パッシブ電極２１は単純な平板で表している。図６（Ａ）に示すように、送電装置側パッシブ電極１１はフィンが無くて単純な厚板であってもよい。また、図６（Ｂ）に示すように複数の突起が形成されていてもよい。また、図６（Ｃ）に示すように内部に複数の孔Ｈが形成されていてもよい。図６（Ｂ）、図６（Ｃ）のように送電装置側パッシブ電極１１の表面積を大きくすれば、送電電極から周囲の空気への熱放散性が高まる。送電装置側アクティブ電極は図６（Ｄ）に示すように、金属や電気絶縁体からなる熱良導体の板１１ｉを金属板１１ｃに貼付したものであってもよい。

《第２の実施形態》
　図７（Ａ）は第２の実施形態の電力伝送システム４０２の正面図、図７（Ｂ）は送電装置１０２にジャケット付き端末を載置した状態での側方から見た縦断面図である。
　図７（Ａ）に表れているように、送電装置１０２の筐体１５に送電装置側パッシブ電極１１、送電装置側アクティブ電極１２、送電装置側検出電極１７、送電モジュール１３等が設けられている。

　受電装置は端末３０とこの端末３０に装着されたジャケット２０１とで構成されている。ジャケット２０１には受電装置側パッシブ電極２１、受電装置側アクティブ電極２２、受電モジュール２３、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４、コネクタのプラグ２９が設けられている。受電装置側パッシブ電極２１は受電装置のジャケット２０１の外周の少なくとも三面に亘って形成されている。受電装置のその他の構成は第１の実施形態で示したものと同じである。

　送電装置側パッシブ電極１１はジャケット付き端末が載置される溝の底面に配置されている。この溝にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１に接触する。この送電装置側パッシブ電極１１は筐体１５内で屈曲され且つ拡張されている。特に、送電装置側検出電極１７の近傍に電気的絶縁状態で且つ熱的結合状態の拡張部１１ｅが形成されている。この送電装置側検出電極１７と送電装置側パッシブ電極１１との間を、例えば窒化アルミナ等の電気的絶縁体で且つ熱良導体の部材２７を用いて熱的に接続することにより、受電装置側の熱を広い面積で送電装置側パッシブ電極１１へ伝熱することができ、高い放熱効果が得られる。なお送電装置側パッシブ電極１１と受電装置側パッシブ電極２１の間および送電装置側検出電極１７と受電装置側パッシブ電極２１の間は接触導通している。

　図８は電力伝送システム４０２の簡略回路図である。送電装置１０２にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１および送電装置側検出電極１７に導通する。制御回路１８は送電装置側パッシブ電極１１と検出電極１７との電気的導通の有無を検知して、導通状態でなければ送電モジュール１３の動作を無効にする。このことにより、受電装置（ジャケット付き端末）が送電装置に適正な位置関係で載置されない状態で電力送電されることなく、異常な状態での電力伝送が無くなるので、電力伝送効率の低下による受電装置および送電装置の異常過熱も抑制される。

　このように、送電装置側に受電装置側パッシブ電極２１が接する電極が複数ある場合に、それらの電極の熱容量を大きくし、受電装置側パッシブ電極２１との熱的結合を図れば、受電装置から送電装置への伝熱効率が高まるので、送電装置側パッシブ電極１１の放熱効果が高まる。なお、受電装置側パッシブ電極２１は外周囲に沿って延びていて、表面積が大きいので、受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４の熱は受電装置側パッシブ電極２１でも放熱される。

《第３の実施形態》
　図９は第３の実施形態の電力伝送システム４０３の側方から見た縦断面図である。
　送電装置１０３の筐体１５に送電装置側パッシブ電極１１、送電装置側アクティブ電極１２、送電モジュール１３等が設けられている。

　受電装置は端末３０とこの端末３０に装着されたジャケット２０１とで構成されている。ジャケット２０１には受電装置側パッシブ電極２１、受電装置側アクティブ電極２２、受電モジュール２３、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４、シールド板２８等が設けられている。その他の受電装置の基本構成は第１・第２の実施形態で示したものと同じである。

　送電装置側パッシブ電極１１はジャケット付き端末が載置される載置台の底面に配置されている。この載置台にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１に接触する。

　送電装置１０３の送電モジュール１３の周囲はシールドケース１９で囲まれている。このシールドケース１９は配線導体１４を介して送電装置側パッシブ電極１１と導通している。

　受電装置のシールド板２８は受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４に近接配置されていて、電気的にシールドするとともに、熱的に結合している。そしてこのシールド板２８は送電装置側パッシブ電極１１に対向する位置に配置されている。

　この構造により、受電装置の受電モジュール２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２４の熱はシールド板２８を介し、且つ受電装置側パッシブ電極２１を介して送電装置側パッシブ電極１１で放熱される。

《第４の実施形態》
　図１０は第４の実施形態の電力伝送システム４０４の側方から見た縦断面図である。
　送電装置１０４の筐体１５に送電装置側パッシブ電極１１、送電装置側アクティブ電極１２、送電装置側検出電極、送電モジュール１３等が設けられている。

　受電装置は端末３０とこの端末３０に装着されたジャケット２０１とで構成されている。ジャケット２０１には受電装置側パッシブ電極２１、受電装置側アクティブ電極２２、受電モジュール２３、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４等が設けられている。その他の受電装置の基本構成は第１・第２の実施形態で示したものと同じである。

　送電装置側パッシブ電極１１は受電装置側パッシブ電極２１に沿って、この受電装置側パッシブ電極２１に対向するように形成および配置されている。この載置台にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１に対向する。

　送電装置側パッシブ電極１１は筐体１５内で受電装置側パッシブ電極２１から離れる方向に拡張されているので、受電装置がパッシブ電極２１と送電装置側パッシブ電極１１との間の結合容量や浮遊容量を変化させることなく（悪影響なく）送電装置側パッシブ電極１１の体積や表面積を大きくすることができる。

　図１１は電力伝送システム４０４の簡略回路図である。送電装置１０４にジャケット付き端末が載置された状態で、受電装置側パッシブ電極２１は送電装置側パッシブ電極１１および送電装置側検出電極１７に対向する。また、受電装置側アクティブ電極２２は送電装置側アクティブ電極１２に対向する。

　この第４の実施形態は、送電装置と受電装置のパッシブ電極同士、およびアクティブ電極同士がそれぞれ電界結合して、送電装置１０４から受電装置３０４へ電力伝送される例である。

　制御回路１８は送電装置側パッシブ電極１１と検出電極１７との間のキャパシタンスの大小を検知して、キャパシタンスがしきい値より小さければ送電モジュール１３の動作を無効にする。

　このように、送電装置側に受電装置側パッシブ電極２１が対向する電極が複数ある場合に、それらの電極の熱容量を大きくし、受電装置側パッシブ電極２１との熱的結合を図れば、受電装置から送電装置への伝熱効率が高まるので、送電装置側パッシブ電極１１の放熱効果が高まる。

　以上も幾つかの実施形態で示したように、本発明によれば、受電装置の熱が送電装置を介して高い効率で放熱されるので、受電装置の温度上昇が抑えられる。

Ｈ…孔
ＬＧ，ＬＬ…インダクタ
ＯＳＣ…高周波電圧発生回路
ｒ…抵抗
ＲＬ…負荷回路
ＴＧ…昇圧トランス
ＴＬ…降圧トランス
１１…送電装置側パッシブ電極
１１ｃ…金属板
１１ｅ…拡張部
１１ｉ…板
１１Ｓ…ヒートシンク部
１２…送電装置側アクティブ電極
１３…送電モジュール
１４…配線導体
１５…筐体
１６…開口
１７…送電装置側検出電極
１８…制御回路
１９…シールドケース
２１…受電装置側パッシブ電極
２２…受電装置側アクティブ電極
２３…受電モジュール
２４…ＤＣ－ＤＣコンバータ
２８…シールド板
２９…プラグ
３０…端末
３９…レセプタクル
１０１～１０４…送電装置
２０１…ジャケット
２０１Ｂ…下部ジャケット
２０１Ｔ…上部ジャケット
３０１，３０４…受電装置
４０１～４０４…電力伝送システム

Claims

　受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を備えた受電装置に対して電力を伝送する送電装置において、
　前記受電装置側アクティブ電極に電気的に結合する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に電気的に結合する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を備え、
　前記受電装置側パッシブ電極の厚さをｔ１、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをｔ２、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをｔ３、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをｔ４、でそれぞれ表したとき、
　第１の不等式　ｔ３／ｔ１＞１
　第２の不等式　ｔ４／ｔ２＞１
の一方または両方を満たす送電装置。
　前記送電装置側パッシブ電極は前記受電装置側パッシブ電極に電気的に導通する、請求項１に記載の送電装置。
　前記受電装置側パッシブ電極の結合状態を検出する検出電極を前記受電装置の載置部に備え、前記検出電極に対する前記受電装置側パッシブ電極の結合状態によって前記受電装置の載置有無を検知する検知手段を備え、
　前記検出電極の厚さは、前記送電装置側パッシブ電極の厚さ以下である、請求項２に記載の送電装置。
　前記送電装置側アクティブ電極もしくは前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は、凹凸面または孔を備えた、請求項１～３のいずれかに記載の送電装置。
　前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の少なくとも一方に熱的に接続される熱伝導体を備えた、請求項１～４のいずれかに記載の送電装置。
　前記送電装置側パッシブ電極、前記送電装置側アクティブ電極および前記高周波高電圧発生回路を内部に収める筐体を備え、
　前記送電装置側アクティブ電極または前記送電装置側パッシブ電極の一方または両方は前記筐体内で屈曲または拡張された、請求項１～５のいずれかに記載の送電装置。
　受電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、および前記受電装置側アクティブ電極と前記受電装置側パッシブ電極との間に接続された受電回路を有する受電装置と、
　前記受電装置側アクティブ電極に対向する送電装置側アクティブ電極、前記受電装置側パッシブ電極に導通する送電装置側パッシブ電極、および前記送電装置側アクティブ電極と前記送電装置側パッシブ電極との間に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路を有する送電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
　前記受電装置側パッシブ電極の厚さをｔ１、前記受電装置側アクティブ電極の厚さをｔ２、前記送電装置側パッシブ電極の厚さをｔ３、前記送電装置側アクティブ電極の厚さをｔ４、でそれぞれ表したとき、
　第１の不等式　ｔ３／ｔ１＞１
　第２の不等式　ｔ４／ｔ２＞１
の一方または両方を満たす電力伝送システム。
　前記受電装置側パッシブ電極は前記送電装置側パッシブ電極に結合する位置から受電装置の筐体の外周囲に沿って延びている、請求項７に記載の電力伝送システム。