JP5371505B2 - 温度補償回路ならびに加速度または角速度センサ - Google Patents

Description

この発明は、センサなどの測定器から出力された信号の温度補償を行なう温度補償回路に関する。さらに、この発明は、温度補償回路を備えた加速度または角速度センサに関する。

加速度または角速度センサでは、周囲温度が変化するとそれに伴なって出力も変動する。したがって、高精度の測定を行なうためには温度補償を行なうことが不可欠である。

たとえば、特開平１１−１４８９４６号公報（特許文献１）は、加速度センサの出力にオフセットおよび温度の補償を行なう技術を開示する。この技術によれば、応力が加わる検出軸方向の加速度成分に対しては差動モードとし、他軸方向の加速度成分に対しては同相モードとして出力する差動増幅回路が用いられる。オフセット補償のための補償電圧は差動増幅回路の入力端子に入力される。また、温度補償のための補償電圧は、差動増幅回路の電流源の制御端子に入力される。

上記の先行技術で具体的に温度補償を行なうときには、予め、加速度センサのオフセットおよび感度の温度特性を打ち消すような補償電圧を測定しておき、その補償電圧をＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read-Only Memory）内に補償データとして記憶しておく。そして、その記憶された補償データを実際に温度センサで測定した出力電圧に対応させ、記憶された補償データに対応した値を出力するようにＣＰＵ（Central Processing Unit）はＤ／Ａ（Digital-to-Analog）コンバータに命令を出して補償電圧を発生させる。

特開平１１−１４８９４６号公報

ところで、加速度または角速度センサのセンサ素子は、素子ごとに特性のばらつきが極めて大きい。センサ素子によっては温度係数が正のものもあれば、負のものもある。このように温度係数が正および負のいずれにもなり得る場合には、センサ素子の特性に応じて温度補償を行うのに手間がかかる。

たとえば、前述の先行技術は、予め測定した結果に基づいて作成した補償データをメモリに記憶し、記憶した補償データに基づいて温度補償を行なう方法である。したがって、温度係数の正および負のいずれにも対応可能であるが、想定される温度範囲全てにわたって素子特性を測定して補償データを作成する必要があるので、補償データの作成に手間がかかり効率的でない。

この発明の目的は、入力信号の温度依存性が正負のいずれにもなり得る場合に、簡単な方法で入力信号の温度補償を行なうことができる温度補償回路を提供することである。

この発明は一局面において、温度依存性を有する入力信号の温度補償を行なう温度補償回路であって、第１および第２の電圧生成部と、制御信号生成部と、利得制御回路とを備える。第１の電圧生成部は、周囲温度の変化に比例して出力電圧が変化する。第２の電圧生成部は、周囲温度に対する出力電圧の変化が第１の電圧生成部よりも小さい。制御信号生成部は、第１の電圧生成部の出力電圧と第２の電圧生成部の出力電圧との電圧差に応じた制御信号を生成する。利得制御増幅器は、制御信号に応じた利得で入力信号を増幅する。

好ましくは、制御信号生成部は、第１の電圧生成部の出力電圧と第２の電圧生成部の出力電圧との電圧差を予め定める定数倍して、制御信号として出力する差動増幅器を含む。ここで、予め定める定数は、第１の温度で測定された利得制御増幅器の出力信号と第１の温度と異なる第２の温度で測定された利得制御増幅器の出力信号とが等しくなるように設定される。

さらに好ましくは、制御信号生成部は、入力信号の温度依存性の正負に応じて、第１および第２の電圧生成部の各々の出力ノードと差動増幅器の反転入力端子および非反転入力端子との接続を切替え可能な切替スイッチをさらに含む。

また、好ましくは、第１の電圧生成部は、直列接続された複数の半導体素子と、複数の半導体素子に一定の電流を流す定電流回路とを含む。そして、第１の電圧生成部は、複数の半導体素子の両端にかかる電圧を出力する。

また、好ましくは、入力信号は差動信号である。この場合、利得制御増幅器は、制御電極に入力信号が入力される一対のトランジスタと、一対のトランジスタの各々と接続され、制御電極に制御信号が入力される定電流源用のトランジスタとを含む。

この発明は他の局面において、加速度または角速度センサであって、センサ部と、検出回路と、上記の温度補償回路とを備える。センサ部は、加速度または角速度に応じて電気特性が変化する。検出回路は、センサ部の電気特性の変化に基づいて、加速度または角速度に応じた信号を検出する。温度補償回路は、検出回路から出力された信号の温度補償を行なう。

この発明によれば、周囲温度に比例する第１の電圧生成部の出力電圧と温度依存性の小さな第２の電圧生成部の出力電圧との電圧差に応じた制御信号が生成され、この制御信号に基づいて入力信号の利得が調整される。したがって、入力信号の温度依存性が正負のいずれの場合でも、簡単に入力信号の温度補償を行なうことができる。

この発明の実施の形態による角速度センサ１の構成を示すブロック図である。 図１の温度補償回路２０の詳細な構成を示す回路図である。 温度センサ４０の出力電圧特性を示す図である。 制御信号生成部６０の出力電圧特性を示す図である（切替スイッチ６１が端子ａに切替えられた場合）。 制御信号生成部６０の出力電圧特性を示す図である（切替スイッチ６１が端子ｂに切替えられた場合）。 角速度センサ１の出力電圧Ｖｏｕｔの温度補償の一例を説明するための図である。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。

また、以下では角速度センサを例に挙げて説明するが、この発明の温度補償回路の適用範囲は加速度センサや角速度センサに限らない。この発明は、計測器一般の温度補償回路として広く用いることができる。

（角速度センサの概略的な構成）
図１は、この発明の実施の形態による角速度センサ１の構成を示すブロック図である。

図１を参照して、角速度センサ１は、センサ素子２と、電流−電圧変換回路３，４と、全差動増幅器５と、バンドパスフィルタ６と、検出回路７と、センサ駆動回路８と、温度補償回路２０と、バッファアンプ８０とを含む。

角速度センサ１は、梁に支えられた錘を用いて角速度を検出するセンサである。角速度の検出時には、静電力などによって錘が一定の振幅で周期的に振動している。この状態で錘が回転すると、錘の振動方向（Ｚ方向）と錘の回転軸の方向（Ｙ方向）との各々に直交する方向（Ｘ方向）にコリオリの力が働く。角速度センサ１は、このコリオリの力によって生じた錘の変位量に基づいて角速度を検出する。

センサ素子２は、角速度センサ１の主要部であって、錘と、錘を支える支持体と、錘と支持体とを接続する梁とを含む。このような構造は、半導体微細加工を用いたＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）技術によって作製される。

錘の変位量を測定するために、センサ素子２は、梁の応力集中部に取り付けられた複数個のひずみ検出素子をさらに含む。ひずみ検出素子の抵抗変化は、ブリッジ回路を用いて検出され、差動の電流信号Ｘ１，Ｘ２として出力される。

電流−電圧変換回路３，４は、センサ素子２から出力された差動の電流信号Ｘ１，Ｘ２を差動電圧信号に変換する。変換後の電圧信号は、全差動増幅器５によって増幅された後、バンドパスフィルタ６に入力される。

バンドパスフィルタ６は、全差動増幅器５から出力された差動電圧信号から、センサ素子２の錘に与えられた周期振動の周波数にほぼ等しい周波数成分を取り出す。

検出回路７は、バンドパスフィルタ６の出力を受けて、センサ素子２の錘に与えられた角速度に応じた角速度信号を検出する。具体的には、検出回路７は、バンドパスフィルタ６の出力に対して同期検波を行なう。同期検波によって得られた直流の角速度信号ΔＶｉｎは、温度補償回路２０に入力される。

温度補償回路２０は、入力された角速度信号ΔＶｉｎに対して、周囲温度の変化に応じた温度補償を行なう。温度補償回路２０の出力は、バッファアンプ８０によって増幅されることによって、最終的な角速度センサ１の出力信号Ｖｏｕｔが出力される。

センサ駆動回路８は、センサ素子２の錘を周期的に振動させる駆動回路である。センサ駆動回路８は、センサ素子２に与える駆動信号の大きさを、センサ素子２の出力に基づいて、錘の振動の振幅が一様となるようにフィードバック制御する。

（温度補償回路の構成および動作）
次に、温度補償回路２０の構成および動作について説明する。図１に示すように、温度補償回路２０は、利得制御増幅器３０と、温度センサ４０と、定電圧源５０と、制御信号生成部６０と、メモリ回路などの記憶部７０とを含む。

利得制御増幅器３０は、制御信号Ｖｃに応じた利得で角速度信号ΔＶｉｎを増幅する。制御信号Ｖｃは、後述する制御信号生成部６０によって生成され、周囲温度に応じて変化する。これによって、センサ素子２の錘に与えられる角速度が一定であれば、周囲温度によらず一定の大きさの信号が利得制御増幅器３０から出力されるように調整する。

第１の電圧生成部としての温度センサ４０は、周囲温度の変化に比例した電圧Ｖｔｅｍｐを出力する。これに対して、第２の電圧生成部としての定電圧源５０は、温度センサ４０の出力電圧Ｖｔｅｍｐよりも周囲温度に対する依存性が小さい、ほぼ一定の電圧Ｖｓｔを出力する。

制御信号生成部６０は、周囲温度の変化に比例した電圧Ｖｔｅｍｐと定電圧Ｖｓｔとの電圧差に基づいて制御信号Ｖｃを生成する。具体的には、制御信号生成部６０は差動増幅器によって構成され、電圧Ｖｔｅｍｐと定電圧Ｖｓｔの差電圧を予め設定された定数Ｋ倍することによって制御信号Ｖｃを生成する。このときの定数Ｋは、基準温度Ｔｅｍｐ１（たとえば、３０°Ｃ）における角速度センサ１の出力信号Ｖｏｕｔ１に対して、基準温度Ｔｅｍｐ１と異なる比較温度Ｔｅｍｐ２（たとえば、８５°Ｃ）での角速度センサ１の出力信号Ｖｏｕｔ２が等しくなるように設定される。定数Ｋを決定するための制御信号生成部６０の制御パラメータは、記憶部７０に記憶される。

図２は、図１の温度補償回路２０の詳細な構成を示す回路図である。
図２を参照して、温度センサ４０は、温度によらない一定の電流を出力する定電流源４１と、順バイアス方向に直列接続された複数のダイオード素子４２と、電圧フォロアとして用いられる演算増幅器４３とを含む。

一般に、ダイオード素子の順方向降下電圧は、絶対零度のときバンドギャップエネルギーに等しく、温度が増加するにつれて一定の割合で減少する。そして、このときの比例定数はダイオード素子のバイアス電流に依存することが知られている。

温度センサ４０は、このようなダイオード素子の性質を利用したものである。ダイオード素子のバイアス電流は定電流源４１によって与えられる。電圧フォロアとしての演算増幅器４３は、複数のダイオード素子４２に流れるバイアス電流を一定に保ちつつ、直列接続された複数のダイオード素子４２の両端にかかる電圧Ｖｔｅｍｐを出力する。出力電圧Ｖｔｅｍｐの大きさは、直列接続されるダイオード素子の個数によって調節される。

図３は、温度センサ４０の出力電圧特性を示す図である。図３を参照して、温度センサの出力電圧Ｖｔｅｍｐは温度に負の傾きで比例する。したがって、基準温度Ｔｅｍｐ１（たとえば、３０°Ｃ）のときの出力電圧Ｖｔｅｍｐ１は、基準温度Ｔｅｍｐ１より高い比較温度Ｔｅｍｐ２（たとえば、８５°Ｃ）のときの出力電圧Ｖｔｅｍｐ２よりも大きい。

再び図２を参照して、定電圧源５０の出力電圧Ｖｓｔは、基準温度Ｔｅｍｐ１（たとえば、３０℃）のとき温度センサ４０の出力電圧Ｖｔｅｍｐ１に等しくなるように設定される。したがって、基準温度Ｔｅｍｐ１のとき、温度センサ４０の出力電圧Ｖｔｅｍｐ１と定電圧源５０の出力電圧Ｖｓｔとの差電圧は０になる。基準温度Ｔｅｍｐ１よりも高い比較温度Ｔｅｍｐ２（たとえば、８５°Ｃ）では、差電圧はＶｔｅｍｐ２−Ｖｔｅｍｐ１となって負になる。

制御信号生成部６０は、切替スイッチ６１と、差動増幅器６２とを含む。差動増幅器６２は、演算増幅器６３と、可変抵抗器６４〜６７と、電圧Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈを出力する定電圧源６８とを含む。

可変抵抗器６４は、演算増幅器６３の反転入力端子と切替スイッチの一方の出力ノードとの間に接続される。可変抵抗器６６は、演算増幅器６３の非反転入力端子と切替スイッチの他方の出力ノードとの間に接続される。可変抵抗器６５は、演算増幅器６３の反転入力端子と出力端子との間に接続される。可変抵抗器６５は、演算増幅器６３の非反転入力端子と定電圧源６８の正極との間に接続される。定電圧源６８の負極は接地される。

可変抵抗器６４，６６の抵抗値をＲ１とし、可変抵抗器６５，６７の抵抗値をＲ２とすると、差動増幅器６２は、入力された差動電圧を定数（−Ｒ２／Ｒ１）倍した電圧に、電圧Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈを加算した電圧を制御信号Ｖｃとして出力する。周囲温度が基準温度Ｔｅｍｐ１のとき、入力される差動電圧は０になるので、制御信号Ｖｃは電圧Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈに等しい。可変抵抗器６４〜６７の抵抗値の設定値は、センサ素子２の特性に応じて決定され、記憶部７０に記憶される。

切替スイッチ６１は、温度センサ４０および定電圧源５０の各出力ノードと、差動増幅器６２の反転入力端子および非反転入力端子との接続が切替え可能なように構成される。図２の端子ａに切替スイッチ６１が切替えられた場合には、温度センサ４０の出力が差動増幅器６２の反転入力端子に入力され、定電圧源５０の出力が非反転入力端子に入力される。この場合、差動増幅器６２から出力される制御信号Ｖｃは次式で表わされる。

Ｖｃ＝（Ｖｓｔ−Ｖｔｅｍｐ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈ …(1)
一方、図２の端子ｂに切替スイッチ６１が切り替えられた場合には、温度センサ４０の出力が差動増幅器６２の非反転入力端子に入力され、定電圧源５０の出力が反転入力端子に入力される。この場合、差動増幅器６２から出力される制御信号Ｖｃは次式で表わされる。

Ｖｃ＝（Ｖｔｅｍｐ−Ｖｓｔ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈ …(2)
図４、図５は、制御信号生成部６０の出力電圧特性を示す図である。図４は、切替スイッチ６１が端子ａに切替えられた場合で上式（１）に対応し、図５は、切替スイッチ６１が端子ｂに切替えられた場合で上式（２）に対応する。切替スイッチ６１を端子ａ、端子ｂのいずれに切替えるかは、センサ素子２の温度係数の極性に応じて予め設定される。

再び図２を参照して、利得制御増幅器３０は、ＮＭＯＳトランジスタを利用した差動増幅回路によって構成される。利得制御増幅器３０は、ゲートに差動の角速度信号ΔＶｉｎが入力される一対のＮＭＯＳトランジスタ３１，３２と、負荷抵抗３４，３５と、ゲートに制御信号Ｖｃが入力される電流源としてのＮＭＯＳトランジスタ３３とを含む。

負荷抵抗３４およびＮＭＯＳトランジスタ３１は、この順で電源ノードＶＤＤとノード３６の間に直列接続される。負荷抵抗３５およびＮＭＯＳトランジスタ３２は、この順で電源ノードＶＤＤとノード３６の間に直列接続される。ＮＭＯＳトランジスタ３３は、ノード３６と接地ノードＧＮＤとの間に接続される。

図２の差動増幅回路において、ＮＭＯＳトランジスタ３３を流れる電流Ｉｏは次式（３）で表わされる。また、ＮＭＯＳトランジスタ３１，３２の相互コンダクタンスｇｍは次式（４）で表わされる。

ただし、上式（３）、（４）において、
β＝μ・Ｃｏｘ・Ｗ／Ｌ
である。ここで、μはキャリア移動度であり、Ｃｏｘはゲート酸化膜の単位面積あたりの容量であり、Ｗはゲート幅であり、Ｌはゲート長である。また、ＶｔｈはＮＭＯＳトランジスタ３１，３２，３３のしきい値電圧である。

上式（３）、（４）を用いると、ＮＭＯＳトランジスタ３１，３２の相互コンダクタンスｇｍは次式（５）で表わされる。

すなわち、制御信号Ｖｃと相互コンダクタンスｇｍとは線形な関係にある。
図２のバッファアンプ８０は、演算増幅器８１と、抵抗素子８２〜８５と、定電圧源８６とを含む差動増幅回路である。ここで、抵抗素子８２は、ＮＭＯＳトランジスタ３１のドレインと演算増幅器８１の反転入力端子のとの間に接続され、抵抗素子８４は、ＮＭＯＳトランジスタ３２のドレインと演算増幅器８１の非反転入力端子のとの間に接続される。抵抗素子８３は、演算増幅器８１の反転入力端子と出力端子との間に接続される。抵抗素子８５は、演算増幅器８１の非反転入力端子と定電圧源８６の正極との間に接続される。定電圧源８６の負極は接地される。抵抗素子８２〜８５の抵抗値がすべてＲで等しいとすると、バッファアンプ８０は利得１の差動増幅回路として機能する。

以上の結果、定電圧源８６の電圧を基準にした出力電圧Ｖｏｕｔは、ＮＭＯＳトランジスタ３１，３２の相互コンダクタンスｇｍと負荷抵抗３４，３５の抵抗値ＲＬを用いて、次式（６）、（７）のように表わされる。次式（６）が周囲温度が基準温度Ｔｅｍｐ１の場合であり、このときの相互コンダクタンスをｇｍ１としている。また、次式（７）は周囲温度が比較温度Ｔｅｍｐ２の場合であり、このときの相互コンダクタンスをｇｍ２としている。また、比較温度Ｔｅｍｐ２における角速度信号は、基準温度Ｔｅｍｐ１における角速度信号ΔＶｉｎのα倍であったとしている。

Ｖｏｕｔ１＝ΔＶｉｎ×ｇｍ１×ＲＬ …(6)
Ｖｏｕｔ２＝α×ΔＶｉｎ×ｇｍ２×ＲＬ …(7)
入力信号の温度特性をキャンセルするには、比較温度Ｔｅｍｐ２における出力電圧Ｖｏｕｔ２が基準温度Ｔｅｍｐ１における出力電圧Ｖｏｕｔ１に等しくなるように設定すればよい。すなわち、式（５）、（６）、および（７）から、
α＝ｇｍ１／ｇｍ２＝（Ｖｃ１−Ｖｔｈ）／（Ｖｃ２−Ｖｔｈ） …(8)
となるように設定する。上式（８）で、Ｖｃ１は基準温度Ｔｅｍｐ１における制御信号Ｖｃであり、Ｖｃ２は比較温度Ｔｅｍｐ２における制御信号Ｖｃである。

したがって、角速度信号ΔＶｉｎの温度係数が正のとき、すなわち、α＞１のとき、上式（２）の関係を用いて温度補償が可能である。この場合、切替スイッチ６１は端子ｂに接続される。上式（８）は次式（９）のように表わされる。なお、式（２）の電圧Ｖｓｔは、基準温度Ｔｅｍｐ１のときの温度センサ４０の出力電圧Ｖｔｅｍｐ１に等しく設定される。
α＝Ｖｒｅｆ／（Ｖｒｅｆ＋（Ｖｔｅｍｐ２−Ｖｔｅｍｐ１）×Ｒ２／Ｒ１）…(9)

一方、角速度信号ΔＶｉｎの温度係数が負のとき、すなわち、１＞α＞０のとき、上式（１）の関係を用いて温度補償が可能である。この場合、切替スイッチ６１は端子ａに接続される。上式（８）は次式（１０）のように表わされる。
α＝Ｖｒｅｆ／（Ｖｒｅｆ＋（Ｖｔｅｍｐ１−Ｖｔｅｍｐ２）×Ｒ２／Ｒ１）…(10)

図６は、角速度センサ１の出力電圧Ｖｏｕｔの温度補償の一例を説明するための図である。図６の場合、温度補償を行なわない場合、角速度センサ１の出力信号Ｖｏｕｔは、温度Ｔｅｍｐに対して図６の直線９１のように正の依存性を持っていたとする。この場合、切替スイッチ６１を端子ｂに接続して、上式（９）の抵抗値の比Ｒ２／Ｒ１を調整する。この結果、図６の直線９２のように温度補償を行なうことができる。センサ素子２の特性に応じた適切な抵抗値の値Ｒ１，Ｒ２は記憶部７０に記憶され、角速度の検出時に記憶部７０から読み出された値に差動増幅器６２の可変抵抗器６４〜６７の抵抗値Ｒ１，Ｒ２が設定される。

以上のとおり、温度補償回路２０によれば、基準温度Ｔｅｍｐ１および比較温度Ｔｅｍｐ２で測定された出力電圧Ｖｏｕｔを用いることによって簡単に温度補償ができる。また、切替スイッチ６１を切替えることによって、センサ素子２が正および負のいずれの温度係数を有する場合にも簡単に温度補償ができる。

なお、上記の実施の形態では、出力電圧Ｖｏｕｔを測定する温度の一方を基準温度Ｔｅｍｐ１（温度センサ４０の出力電圧と定電圧源５０の出力電圧とが等しくなる温度）とした。この理由は、式（９）または式（１０）を用いた抵抗値の比Ｒ２／Ｒ１の計算が簡単になるためである。したがって、基準温度Ｔｅｍｐ１に拘らず、任意の２温度での出力電圧Ｖｏｕｔの測定値に基づいて、上記の可変抵抗器６４〜６７の抵抗値を設定してもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 角速度センサ、２ センサ素子、７ 検出回路、２０ 温度補償回路、３０ 利得制御増幅器、３１，３２，３３ ＮＭＯＳトランジスタ、３４，３５ 負荷抵抗、４０ 温度センサ、４１ 定電流源、４２ ダイオード素子、５０ 定電圧源、６０ 制御信号生成部、６１ 切替スイッチ、６２ 差動増幅器、７０ 記憶部、Ｔｅｍｐ１ 基準温度、Ｔｅｍｐ２ 比較温度、Ｖｃ 制御信号、Ｖｏｕｔ 出力信号、Ｖｓｔ 定電圧源５０の出力電圧、Ｖｔｅｍｐ 温度センサ４０の出力電圧。

Claims (4)

1. 温度依存性を有する入力信号の温度補償を行なう温度補償回路であって、
   周囲温度の変化に比例して出力電圧が変化する第１の電圧生成部と、
   周囲温度に対する出力電圧の変化が前記第１の電圧生成部よりも小さい第２の電圧生成部と、
   前記第１の電圧生成部の出力電圧と前記第２の電圧生成部の出力電圧との電圧差に基づいて制御信号を生成する制御信号生成部と、
   前記制御信号に応じた利得で前記入力信号を増幅する利得制御増幅器とを備え、
   前記制御信号生成部は、
   前記第１の電圧生成部の出力電圧と前記第２の電圧生成部の出力電圧との電圧差を予め定める定数倍して、前記制御信号として出力する差動増幅器と、
   前記入力信号の温度依存性の正負に応じて、前記第１および第２の電圧生成部の各々の出力ノードと前記差動増幅器の反転入力端子および非反転入力端子との接続を切替え可能な切替スイッチとを含み、
   前記予め定める定数は、第１の温度で測定された前記利得制御増幅器の出力信号と前記第１の温度と異なる第２の温度で測定された前記利得制御増幅器の出力信号とが等しくなるように設定される、温度補償回路。
2. 前記第１の電圧生成部は、
   直列接続された複数の半導体素子と、
   前記複数の半導体素子に一定の電流を流す定電流回路とを含み、
   前記第１の電圧生成部は、前記複数の半導体素子の両端にかかる電圧を出力する、請求項１に記載の温度補償回路。
3. 前記入力信号は差動信号であり、
   前記利得制御増幅器は、
   制御電極に前記入力信号が入力される一対のトランジスタと、
   前記一対のトランジスタの各々と接続され、制御電極に前記制御信号が入力される定電流源用のトランジスタとを含む、請求項１または２に記載の温度補償回路。
4. 加速度または角速度に応じて電気特性が変化するセンサ部と、
   前記センサ部の電気特性の変化に基づいて、加速度または角速度に応じた信号を検出する検出回路と、
   前記検出回路から出力された信号の温度補償を行なう請求項１〜３のいずれか１項に記載の温度補償回路とを備える、加速度または角速度センサ。

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