JP5365179B2 - 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
そして、パッド電極の上方の絶縁膜を除去する際には、フッ素系ガスをエッチングガスとしたドライエッチング処理が一般になされている(例えば、特許文献1参照。)。
1.第1の実施の形態(パッド電極開口とレンズ形成を同時に行う場合)
2.第2の実施の形態(パッド電極開口後にレンズ形成を行う場合)
3.変形例
[固体撮像装置の説明]
図1は本発明を適用した固体撮像装置の一例を説明するための模式的な断面図である。ここで示す固体撮像装置1は、主として半導体基板2と、パッド電極3と、絶縁膜4と、マイクロレンズ5と、保護膜6とによって構成されている。
即ち、フロロカーボンの膜厚を50nm未満とした場合には、耐湿性が充分では無く、パッド電極表面に残留したフッ素成分と大気中の水分との接触を充分に断つことが困難になると考えられる。一方、フロロカーボンの膜厚を100nmよりも厚くした場合には、パッド電極とワイヤーボンド若しくはバンプとの間の接合強度が低下することが懸念される。更に、パッド電極とワイヤーボンド若しくはバンプとの間の電気伝導性に悪影響を及ぼしてしまうことも懸念される。
従って、耐湿性を充分に確保すると共に、接合強度や電気伝導性をも考慮して充分な撮像特性を得られる様にするためには、上述の通り、フロロカーボンの膜厚は50〜100nm程度とするのが好ましいと考えられる。
以下、上記の様に構成された固体撮像装置の製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の一例について説明を行う。
[固体撮像装置の説明]
第2の実施の形態の固体撮像装置の構成については、上述した第1の実施の形態の固体撮像装置の構成と同一であるために、ここではその説明を省略する。
上述した第1の実施の形態では、ドライエッチング処理を施すことによって、マイクロレンズ5の形状を形成すると共に、パッド電極3の表面を露出する場合を例に挙げて説明を行った。これに対して、第2の実施の形態では、ドライエッチング処理を施すことによってパッド電極3の表面を露出させた後に、マイクロレンズ5のレンズ形状を形成する場合について説明を行う。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の他の一例を説明する。
上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、いずれもマイクロレンズ5が形成された固体撮像装置を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしもマイクロレンズ5が形成される必要はなく、マイクロレンズ5が形成されない固体撮像装置1であっても構わない。なお、マイクロレンズ5が形成されていない場合には、第2の実施の形態と同様に、充分な有機洗浄を行うことができ、より一層パッド電極3の腐食を抑制することができる点は上述の通りである。
2 半導体基板
3 パッド電極
4 絶縁膜
5 マイクロレンズ
5a レンズ材
5b レンズ転写用レジスト
6 保護膜
7 層間絶縁膜
8 レジスト材
Claims (6)
- アルミニウム材料からなるパッド電極が設けられた半導体基板上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜の前記パッド電極に対応する領域をフッ素系ガスを用いてエッチング除去する工程と、
前記絶縁膜をエッチング除去することにより露出した前記パッド電極の表面にフロロカーボンからなる50nm〜100nmの厚さの保護膜を成膜する工程と、
前記保護膜を介して前記パッド電極とワイヤーボンド若しくはバンプとを接合する工程とを備える
固体撮像装置の製造方法。 - 前記保護膜は、前記絶縁膜をエッチング除去する際に用いたフッ素系ガスを堆積することにより成膜する
請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜をエッチング除去する際には、前記絶縁膜の上層に成膜されたレンズ材をエッチングしてレンズ形状を形成する
請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - アルミニウム材料からなるパッド電極が設けられた半導体基板と、
該半導体基板上に成膜され、前記パッド電極の上方領域が開口すると共に、フッ素系ガスでエッチング可能な材料で構成された絶縁膜と、
該絶縁膜の上層に成膜され、前記パッド電極の表面を被覆すると共に、フロロカーボンからなる50nm〜100nmの厚さの保護膜とを備える
固体撮像装置。 - 前記保護膜は前記絶縁膜の上層の全面に成膜された
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記保護膜は受光領域に開口部を有する
請求項4に記載の固体撮像装置。
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