JP5358653B2 - トレンチゲート型トランジスタの製造方法 - Google Patents
トレンチゲート型トランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5358653B2 JP5358653B2 JP2011249593A JP2011249593A JP5358653B2 JP 5358653 B2 JP5358653 B2 JP 5358653B2 JP 2011249593 A JP2011249593 A JP 2011249593A JP 2011249593 A JP2011249593 A JP 2011249593A JP 5358653 B2 JP5358653 B2 JP 5358653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench
- photoresist
- oxide film
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は本実施形態によるトレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法を説明する平面図である。また、図2(A)乃至図14(A)は、図1のA−A線に沿った断面図であり、図2(B)乃至図14(B)は、図1のB−B線に沿った断面図である。以下の説明では、トレンチゲート型トランジスタを、単に、トランジスタと呼ぶことにする。また、このトランジスタの導電型は限定されないが、以下の説明では、Nチャネル型である場合について説明する。
本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。このトランジスタの概略の平面構成については、図1と同様である。
12 N−型半導体層
12A,12B,12C,12D,112C 角部
13,15A,15B シリコン酸化膜
14 トレンチ
15A,15B,35A,35B シリコン酸化膜
16,36 ホトレジスト補強膜 18,38 ゲート電極
18P,38P ポリシリコン層 18S,38S,116S 引き出し部
19 ボディ層 21 ソース層
23 ソース電極 24 層間絶縁膜
25 配線層 26 ドレイン引き出し部
27 ドレイン電極 28 絶縁膜
115 ゲート絶縁膜
H1,H2 コンタクトホール H3 貫通孔
R1〜R5 ホトレジスト層 M1〜M4,13M,15M 開口部
Claims (5)
- 半導体層にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチが形成された半導体層を熱酸化することにより、前記トレンチ内を含めて前記半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上にホトレジスト補強膜を形成する工程と、
前記ホトレジスト補強膜上に前記トレンチ内を含めてホトレジスト層を形成する工程と、
前記ホトレジスト層及び前記ホトレジスト補強膜をエッチバックすることにより、前記トレンチ内にのみ前記ホトレジスト層及び前記ホトレジスト補強膜を残し、前記酸化膜を露出する工程と、
露出された前記酸化膜を前記ホトレジスト層及び前記ホトレジスト補強膜をマスクとしてエッチングし、前記半導体層の表面及び前記トレンチの側壁の上方の前記酸化膜を除去する工程と、
前記ホトレジスト層及び前記ホトレジスト補強膜を除去する工程と、
熱酸化により、前記トレンチの側壁の上方では第1の膜厚を有し、前記トレンチの側壁の下方及び前記トレンチの底面では第1の膜厚より厚い第2の膜厚を有するゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記トレンチの側壁上に前記ゲート酸化膜に接してボディ層を形成する工程と、を備えることを特徴とするトレンチゲート型トランジスタの製造方法。 - 半導体層にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチが形成された半導体層を熱酸化することにより、前記トレンチ内を含めて前記半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上にホトレジスト補強膜を形成する工程と、
前記ホトレジスト補強膜上に前記トレンチ内を含めてBARCを形成する工程と、
前記BARC上に前記トレンチ内を含めてホトレジスト層を形成する工程と、
活性化領域上の前記ホトレジスト層に露光及び現像により開口を形成し、前記活性化領域上のBARCを露出する工程と、
前記ホトレジスト層をマスクとして、前記BARC及び前記ホトレジスト補強膜をエッチングすることにより、前記トレンチの内に前記BARC及び前記ホトレジスト補強膜を残し、前記酸化膜を露出する工程と、
露出された前記酸化膜を前記ホトレジスト層及び前記ホトレジスト補強膜をマスクとしてエッチングし、前記半導体層の表面及び前記トレンチの側壁の上方の前記酸化膜を除去する工程と、
前記ホトレジスト層、前記BARC及び前記ホトレジスト補強膜を除去する工程と、
熱酸化により、前記トレンチの側壁の上方では第1の膜厚を有し、前記トレンチの側壁の下方及び前記トレンチの底面では第1の膜厚より厚い第2の膜厚を有するゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記トレンチの側壁上に前記ゲート酸化膜に接してボディ層を形成する工程と、を備えることを特徴とするトレンチゲート型トランジスタの製造方法。 - 前記ホトレジスト補強膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のトレンチゲート型トランジスタの製造方法。
- 前記酸化膜を形成する工程において、前記酸化膜は前記トレンチ内から前記トレンチの外の前記半導体層上に延びる部分でラウンドするように熱酸化を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のトレンチゲート型トランジスタの製造方法。
- 前記酸化膜を形成する工程は、前記半導体層の表面に形成される高耐圧MOSトランジスタのゲート絶縁膜の形成工程と同一の工程で行われることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のトレンチゲート型トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011249593A JP5358653B2 (ja) | 2011-11-15 | 2011-11-15 | トレンチゲート型トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011249593A JP5358653B2 (ja) | 2011-11-15 | 2011-11-15 | トレンチゲート型トランジスタの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007255091A Division JP2009088188A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012060151A JP2012060151A (ja) | 2012-03-22 |
JP5358653B2 true JP5358653B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=46056789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011249593A Active JP5358653B2 (ja) | 2011-11-15 | 2011-11-15 | トレンチゲート型トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5358653B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020129622A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI739653B (zh) * | 2020-11-06 | 2021-09-11 | 國立陽明交通大學 | 增加溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之溝槽轉角氧化層厚度的製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015733A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3555680B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2004-08-18 | 関西日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6674124B2 (en) * | 2001-11-15 | 2004-01-06 | General Semiconductor, Inc. | Trench MOSFET having low gate charge |
JP3713498B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2005-11-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006344760A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sharp Corp | トレンチ型mosfet及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-11-15 JP JP2011249593A patent/JP5358653B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012060151A (ja) | 2012-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009088188A (ja) | トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法 | |
TWI484567B (zh) | 半導體結構與其製造方法 | |
KR100970282B1 (ko) | 트렌치 mosfet 및 그 제조방법 | |
JP2008166490A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008028357A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
TWI615889B (zh) | 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法 | |
TWI686903B (zh) | 斷閘極金氧半場效電晶體的閘極結構及其製造方法 | |
JP2009065150A (ja) | トレンチトランジスタ及びその形成方法 | |
JP2013105798A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005101334A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5358653B2 (ja) | トレンチゲート型トランジスタの製造方法 | |
JP2004158680A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009088186A (ja) | トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2010182912A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100871976B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2013021077A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR101382328B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP5437602B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009081427A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4890407B2 (ja) | トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法 | |
TWI614898B (zh) | 終止區結構及其製造方法 | |
TWI539497B (zh) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2009147181A (ja) | Soi基板を用いた半導体装置及びその製造方法 | |
JP5683436B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI767143B (zh) | 高電壓電晶體結構及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5358653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |