JP5683436B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、この半導体装置は、n型(第1導電型)を有するワイドバンドギャップ半導体基板であるSiC基板1と、SiCを含むn型のドリフト層2と、p型ウェル領域3と、n型ソース領域4と、ゲート絶縁膜5と、ゲート電極6と、層間絶縁膜7と、ソース電極8と、ドレイン電極9と、金属配線10とを備えている。
本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構成は、実施の形態1とほぼ同じである。本実施の形態では、実施の形態1と製造方法が異なっている。なお、本実施の形態において、実施の形態1と同一または類似する部位には同一の符号を付与し、重複する詳細な説明は省略する。
Claims (5)
- pn接合を有する半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)オフ角を有する半導体基板上に、第1導電型のドリフト層と、絶縁膜と、レジストとをこの順に形成する工程と、
(b)前記絶縁膜に第1開口部を形成するともに、前記レジストに、前記第1開口部と前記第1開口部周囲の前記絶縁膜であるスルー絶縁膜とを露出する第2開口部を形成する工程と、
(c)第2導電型の不純物を、前記絶縁膜及び前記レジストを介して前記ドリフト層にイオン注入することにより、前記ドリフト層と前記pn接合を構成し、かつ、端部が中央部よりも深い前記第2導電型を有する不純物領域を前記ドリフト層の上部に形成する工程と
を備え、
前記不純物領域に含まれる前記第2導電型の不純物の濃度は、前記不純物領域の所定深さから深くなるにつれて低減し、その低減の程度は、前記中央部よりも前記端部のほうが緩やかである、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板は、(0001)面から2〜10°のオフ角を有するSiC基板である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スルー絶縁膜は、厚さが20nm以上100nm以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スルー絶縁膜は、前記第1開口部周辺にテーパ形状を有している、半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記テーパ形状は、0.3μm以上1μm以下の横幅を持つ、半導体装置の製造方法。
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