JP5357561B2 - 表面の研磨代が均一な半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
最初の工程において、ドナー基板101としての単結晶シリコン基板の表面には、一般的には熱酸化等よって酸化膜103を形成するが、酸化膜の形成は必須ではなく、形成しなくてもよい。
次に、単結晶シリコン基板に酸化膜を形成した表面105から水素イオンを注入する。水素イオンの注入により、単結晶シリコン基板の表面近傍の所定の深さにイオン注入層104が形成される。
イオン注入層104を形成した後、予め用意しておいたハンドル基板102との接合、熱処理、および、剥離の3工程を経て貼り合わせウェーハ106を得るが、これらの工程には次の2つの方法がある。
本発明にかかる表面の研磨代が均一な半導体ウェーハの製造方法は、例えば、SOI基板に形成された被処理半導体ウェーハ表面の研磨処理に好適に用いることができる。
上記被処理半導体ウェーハの膜厚としては、充分な研磨代と研磨に耐えうる強度を確保しうる範囲であれば特に限定されず、例えば、150nm〜1000nmとすることができる。
図9(a)(b)に示す一般的な研磨装置111では、研磨定盤113の表面に、研磨布114が貼り付けられ、駆動軸117を介して駆動機構に接続され回転運動120が加えられる。回転運動をしながら研磨布114の回転中心近傍に研磨剤119が流下されるようになっている。
研磨されるウェーハ112は、ウェーハ保持板116に着脱自在に保持されている。ウェーハ保持板116は、セラミック板よりなる剛性が高いものと、ゴムシートよりなる剛性が低く柔軟性が高いものの2種類がある。ウェーハ保持板116は研磨ヘッドに取り付けられ、研磨ヘッドは駆動軸117を介して駆動装置と連結され、揺動運動121並びに回転運動122が与えられる。尚、揺動運動121とは、定盤中心とウェーハ中心との間の距離を変動させる動きをいう。ウェーハ保持板116の背面側には図示しない荷重付与機構が設置され、ウェーハ112を研磨布114に押し付ける荷重を加えることができる。また後述する方法Aを実施する場合、定盤113背面には、定盤113表裏に生じる温度差による熱変形で定盤形状を制御するための熱媒体115が設けられ定盤113と定盤113にボルトで結合した定盤受け123との間に収納されている。
ウェーハ保持板116へのウェーハ112の保持は、ウェーハ保持板116が剛体の場合は真空吸着によって行われるが、ウェーハ保持板の剛性が低い場合は(例えば、ゴム製のシートで作製されている場合)、ウェーハ112の周囲に備えられたリテーナーリングによって行われている。
即ち、図12に示すようにゴム製のシート、プラスチック製の薄板等の柔軟性に富み剛性が低いウェーハ保持板116を用意する。このウェーハ保持板116とシリンダ127によって画定される空間124を、ウェーハ112の中心と同じ位置に中心を有する2つ以上の異径同心円を画定する隔壁126によって3つ以上の領域(124a,124b,124c)にそれぞれ分割する。それぞれの領域を圧力印加部材125によって異なる流体圧力で押圧可能とし、研磨代が少ない(多い)領域の研磨圧力を高く(低く)制御することによって、研磨代を均一する方法である。
ここでウェーハ保持板116とウェーハ112自身は容易に変形し、空間の圧力分布と、ウェーハ112と研磨布114との接触圧力分布とはほぼ等しくなる。研磨代は接触圧力分布に比例するので、上記各領域(124a,124b,124c)の圧力を制御することにより、研磨代の分布を制御することができる。
この方法は、凹形、凸形、波形いずれの研磨代の形状の修正にも対応できる長所はあるが、短所としては、(1)ヘッド構造が複雑である、(2)背面側の部材が複雑となる、(3)ウェーハ剛性の影響を受ける、(4)オリエンテーションフラット[OF]付ウェーハではOF近傍では接触圧力を均一にすることができず、研磨代が均一にならない等の欠点がある。
方法Aは、定盤113表裏に生じる温度差による熱変形で定盤形状を制御するものであり、その手段は、定盤113背面の熱媒体115の温度である。そして、摺擦面と熱媒体との間には研磨布と定盤が存在するため、熱媒体の温度を制御しても、摺擦面の研磨状況に正確に反映させることができない。
方法Bでは、摺擦面と制御因子である流体との間には、ウェーハ112と剛性が低いウェーハ保持板116が存在する。ウェーハ保持板116の剛性を小さくするにも限界があるうえ、ウェーハ112の材質は、シリコン・石英・サファイアであり剛性が高く、また表面に貼り付けられたシリコン薄膜との間に生じる応力により、大きく歪んでいる。このため、流体の圧力を制御しても、研磨代に正確に反映することは困難である。
上記「流体」とは、流動性を有しており、研磨布の表面物性等を変化させうるものであれば、気体であっても、液体であっても、固体であってもよい。
研磨布に加わるウェーハの負荷は、ウェーハの形状が円形であるため、研磨布の半径方向において不均一である。即ち、ウェーハと研磨布とが接触する領域においては、凸形状の曲線で、その両側の接触しない領域ではゼロである。
研磨布とウェーハとの摺擦運動によって研磨布の表面では摩擦熱が発生する。
摩擦熱の発生量は、ウェーハの負荷に比例するので、その半径方向の分布は、ウェーハの負荷と同一であり、不均一である。
点Pが研磨布4と接触する領域は、ウェーハ2の回転運動により、研磨布上の領域ABCである。従って、点Pの研磨のされ方は、領域A、領域B、および、領域Cの研磨状況が総合されたものである。この過程で、研磨布4の半径方向の不均一性は平均化され緩和される。
例えば、図3(a)に示すように、ウェーハ4の研磨代の形状が凹(凸)であり、ウェーハ4の外周領域の研磨代を下げることによって平坦の形状とする際は、前述したように、ウェーハ外周領域と接触する研磨布上の2つの領域を作用領域として選択できる(図2の領域Aおよび領域Cに相当)。2つの領域の内、研磨布の回転中心から遠い領域を選択すると(図2の領域Cに相当)、研磨剤の流れがあっても、選択した領域のみの研磨条件を変えることができる。しかしながら、研磨布の回転中心に近い領域を選択すると(図2の領域Aに相当)、定盤の回転運動による研磨布回転中心から半径方向への研磨剤の流れの影響を受けて、ウェーハ中心部の研磨条件も変わってしまい研磨代の形状を改善する効果はない。
したがって、研磨布において研磨条件を変える領域は、ウェーハの中心近傍に影響を与える領域Eを避け、それよりも外側の領域Dとし、研磨布において光および/または流体を作用させる作用点としては、例えば、領域Fを選択することができる。
また図3(b)のようにウェーハの研磨代の形状が凸(凹)の場合は、ウェーハ中心領域の研磨代を下げることによっても、研磨代を均一にすることができる。研磨布において研磨条件を変える領域Dは、ウェーハの中心近傍と接触する領域を含み、それよりも外側の領域とする。すると、ウェーハの中心部は、研磨布における研磨条件が変更された領域Dと常に接触するが、ウェーハの外周部では、ウェーハが回転するため領域Dと領域Eとの間を交互に行き来することとなり、領域Dと間歇的に接触することとなる。この接触状態の差異により、研磨代形状が修正される。研磨布において流体を作用させる作用点としては、例えば、領域Fを選択することができる。
また定盤3の回転とともに、研磨剤9が研磨布4上に流下されるようになっている。研磨剤9を流下する位置としては、研磨剤が研磨布上で分散し、研磨布の表面を満遍なく濡らすことができる位置を選択すればよく、たとえば、定盤3の回転中心近傍であってもよいし、定盤3の回転中心を基準として、ウェーハ中心とほぼ同じ距離の研磨布上の位置とすることもできる。
さらに、研磨布4の領域のうち、ウェーハ2と摺擦しうる領域に光および/または流体を射出する手段10が配置されている。光および/または流体を射出する手段10としては、例えば、赤外線レーザー等のレーザー、赤外線ランプ等のランプ、噴出ノズル、シャワーノズル等の流体供給用ノズルが挙げられる。ノズルの先端形状としては特に限定されないが、作用させる領域の大きさに応じて例えば、広がり角度、孔個数等を採用することができる。
赤外線を照射するランプは、研磨布の上方に設置する。赤外線の照射強度は印加電圧により調整することができる。また赤外線の照射範囲は赤外線ランプと研磨布の間に介在させたシャッターの開口部で調整することができる。尚、赤外線を照射することにより研磨代は大きくなる。この理由は、必ずしも明確ではなく、以下の説明が本発明の技術的範囲を何ら制限するものではないが、研磨布の温度が上昇することにより、メカノケミカル的に行われるシリコン除去の作用が向上するためと推定される。
噴出ノズルは、空気噴出口を研磨布側に向けて研磨布の上方に取り付ける。噴出ノズルは1本または2本以上とし、それぞれの噴出ノズルは単独で流量調整ができるようにして、研磨布上に空気の噴出流の作用領域、並びに、作用強度が調整できるようにする。
尚、空気の噴出流により研磨代は小さくなる。この理由は、必ずしも明確ではなく、以下の説明が本発明の技術的範囲を何ら制限するものではないが、研磨剤中の水分が蒸発することにより、研磨布の表面温度が低下し、メカノケミカル的に行われるシリコン除去の能力が低下するためと推定される。
通常の研磨剤9の供給口とは別に、研磨布4の上方に1本または2本以上のシャワーを設け噴出口を研磨布側に向ける。
それぞれのシャワーノズルからは純水が研磨布の表面に向けて噴出され、その流量、並びに噴出する純水流が研磨布に作用する領域を調整可能とすることが出来る。純水シャワーにより研磨代は小さくなるが、この理由は必ずしも明確ではなく、以下の説明が本発明の技術的範囲を何ら制限するものではない。ウェーハ2を研磨する際、研磨剤供給口から流下した研磨剤は研磨布の表面を覆い、研磨布の表層の空隙、研磨布表面に刻まれた溝の中に侵入し、研磨布の摺擦運動により、ウェーハの被研磨サイトに到達し、ウェーハの研磨(シリコンの除去)を行う。研磨における除去の作用は、メカノケミカル的に行われるため、研磨サイト近傍に存在する研磨剤の濃度、研磨布の表面温度の影響を受ける。純水のシャワーを噴出することにより、ウェーハの被研磨サイト近傍に存在する研磨剤は希釈され濃度は低下し、研磨布の表面の研磨サイトは冷却され温度が低下し、研磨代は小さくなると考える。尚、純水の変わりに、研磨剤供給口から供給される研磨剤とは濃度、温度が異なる研磨剤を用いることが出来る。研磨代を小さくしたい場合は、研磨剤供給口から供給される研磨剤より低濃度、低温度の研磨剤を供給することが出来る。研磨代を大きくしたい場合は、研磨剤供給口から供給される研磨剤より高濃度、高温度の研磨剤を供給することが出来る。尚、研磨剤シャワーに用いるノズルは、純水シャワーに用いたノズルと共用しても良いし別個に設けても良い。
なお、上述したように光および流体は、波長が異なる光を2種以上組み合わせたり、材質、粘度または流動性が異なる流体を2種以上組み合わせたり、あるいは、光と流体とを組み合わせたりして、同時あるいは時間間隔をあけて、各々独立して連続的または間欠的に研磨布に作用させることができる。
研磨代の形状が平坦でない場合は、次の手順により、形状を修正して平坦な形状に近づけることができる。
(1)ある条件で研磨し、研磨代の形状を測定する。
(2)研磨代の形状は、平均研磨代が100%となるように換算する。
(3)許容値を超えている場合は、研磨代の分布が均一になる様に、手段の種類を選択し、作用領域と作用強度を決める。この際、手段の強度と研磨代への影響度合いを予め求めて置くとよい。
ここまでは、研磨前の膜厚分布がほぼ完全に均一であり、デバイスが許容する膜厚分布を得るため、研磨代をほぼ完全に均一とする場合について記した。
しかしながら、研磨前の膜厚分布が均一で無くとも、膜厚の形状がウェーハの中心を中心とした同心円状ならば、この技術は同じように適用できる。即ち、研磨前の膜厚分布と研磨後の膜厚分布との差から、研磨代分布を求め、その研磨代分布が得られるように、手段の種類を選択し、作用領域と作用強度とを決めればよい。
○研磨機
機種はウェーハを1枚ごとに研磨する毎様式、ウェーハの保持板は剛体のアルミナセラミック板、ウェーハの保持方法は真空吸着とした。
○研磨布の表面条件を制御する射出手段
制御する手段の種類は空気の噴出流とした。空気噴出ノズルは3本とし、各ノズルは流量調整用ニードル弁付の流量計に接続した。各ノズルの向きは空気の噴流が研磨布表面に直角に当たるよう下向きとした。ノズルの位置は、研磨ヘッドが揺動の中心点に位置した際、定盤の回転中心から半径方向に沿って、ウェーハの外周部(中心から45、60、75mm)に相当する研磨布上の位置とした。尚、噴流を形成した空気は、圧縮空気を減圧、オイル除去、濾過したものを使用した。
○研磨布
市販のシリコンウェーハ仕上げ研磨に用いられる研磨布(スエードタイプ、NITTA HAAS社製)を研磨機の定盤に貼り付けて使用した。色は赤外線の吸収性の良い黒色であった。
○研磨剤
市販のコロイダルシリカタイプ(平均粒径:20から40nm)のシリコンウェーハ仕上げ研磨に用いられる研磨剤を使用した。
○被研磨ウェーハ
石英基板上に厚さ300nmのシリコン薄膜を貼り合せた直径Φ150mmのSOQを用いた。シリコン薄膜の表面は、剥離した直後の面であり、研磨前には表面の自然酸化膜を除去するため、1%HF水溶液に浸漬した。
○研磨機運転条件
定盤並びに研磨ヘッドの回転数は20回転/分、揺動の振幅は定盤半径方向で20mm、ウェーハと研磨布との接触圧力は100g/cm2、研磨時間5分とした。研磨代は100nmに設定した。
○実験方法
空気噴出流がある場合と無い場合の2水準とした。
実施結果
半径方向の研磨布表面温度を放射温度計で測定したところ、図5に示すようにノズル直下に対応する領域では約3度低下した。その結果、研磨代は凹形状からほぼ平坦に修正され、膜厚の範囲(=最大膜厚−最小膜厚)は、11nmから5nmへと向上した。
また図6に示すように、空気噴出流がない状態では、研磨代は凹形状であった。かかる研磨代形状を修正し平坦にするため、ウェーハの外周部に相当する研磨布の位置に空気を噴出させ、研磨布表面の湿潤状況、研磨布表面温度、並びに研磨代形状を観察した。研磨布表面の湿潤状況は、ノズル直下では、空気を噴出により研磨剤は排除され研磨布の表面が露出したが、ノズルから離れると研磨剤膜が再形成され、ウェーハへの実効供給量は充分であった。
○研磨装置(実施例1と同じ)
○研磨布の表面条件を制御する手段
制御する手段の種類は赤外線ランプから照射される赤外線とした。500W赤外線ランプを変圧器経由で100Vの電源に接続した。赤外線ランプと研磨布の間にはシャッターを設置し、シャッターの開放口により研磨布加熱領域の調整を可能とした。
○研磨布(実施例1と同じ)
○研磨剤(実施例1と同じ)
○被研磨ウェーハ(実施例1と同じ)
○研磨機運転条件(実施例1と同じ)
○実験方法
赤外線照射のある場合と無い場合の2水準とした。
赤外線が無い状態では、研磨代は凸形状であった。形状を修正し平坦にする為、ウェーハの外周部に相当する研磨布の位置に、シャッターの開放口を合わせた。赤外線ランプへの印加電圧110Vで赤外線を照射し、研磨布表面温度、並びに研磨代形状を観察した。研磨布表面温度はノズルに対応する研磨布上の領域で約3度上昇し、研磨代はほぼ平坦な形状に修正され、膜厚の範囲は12nmから5nmへと向上した。
○研磨装置(実施例1と同じ)
○研磨布表面条件を制御する手段
作用させる流体の種類は、市販のコロイダルシリカタイプのシリコンウェーハの仕上げ研磨に用いられる研磨剤を純水で100倍に希釈し室温で使用した。流体を供給する手段は、流体をシャワー状にして研磨布の表面に噴出させた。シャワーの流量、シャワーが研磨布に作用する領域は調整可能とした。
○研磨布(実施例1と同じ)
○研磨剤 上記した市販の研磨剤を純水で20倍に希釈し、室温で供給した。
○被研磨ウェーハ(実施例1と同じ)
○研磨機運転条件(実施例1と同じ)
○実験方法
流体のシャワーがある場合とない場合の2水準とした。
実験結果
流体のシャワーがない状態では、研磨代は凹形状であった。形状を修正し平坦にする為、シャワーを3箇所同心円状に配置し、ウェーハ外周部に相当する研磨布の位置にシャワーの作用領域を合わせた。研磨布表層、溝に含まれる研磨剤が置換されるように噴出させた。その結果、シャワーを作用させた領域の研磨布の表面温度は約3℃下降し、研磨代はほぼ平坦な形状に修正され、膜厚の範囲は10nmから4nmへ向上した。
2、112 ウェーハ
3、113 定盤
4、114 研磨布
7、117、118 駆動軸
9、119 研磨剤
10 光および/または流体の射出手段
101 ドナー基板
102 ハンドル基板
103 酸化膜
104 イオン注入界面
105 イオン注入した表面
106 貼り合わせウェーハ
107 シリコン薄膜
108 貼り合わせ界面
111 研磨装置
115 熱媒体
116 ウェーハ保持板
120、122 回転
121 揺動
123 定盤受け
124 保持板背面の空間
125 圧力印加部材
126 隔壁
127 シリンダ
Claims (8)
- 表面の研磨代が均一な半導体ウェーハの製造方法であって、
被処理半導体ウェーハ表面に研磨布を接触させながら、前記研磨布に対して前記被処理半導体ウェーハを相対移動させ、研磨布と前記被処理半導体ウェーハの表面とを摺擦させる際に、
前記研磨布の表面における前記被処理半導体ウェーハと摺擦する領域のうち、少なくとも一部の領域に光および/または流体を直接作用させることよりなり、
前記相対移動が、回転および揺動であり、
前記揺動は、定盤中心とウェーハ中心との間の距離を変動させる動きであり、
前記光および/または流体を作用させる工程に先立ち、
研磨前の膜厚分布を測定する工程と、
前記測定された研磨前の膜厚分布および研磨後の目標とする膜厚分布に基づいて、研磨代分布を算出する工程とを含み、
該研磨代分布に基づいて光および/または流体を作用させる半導体ウェーハの製造方法。 - 前記光が、赤外線ランプから照射される赤外線である請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記赤外線を作用させる際、赤外線ランプと研磨布との間に介在させたシャッターで照射領域を限定し、赤外線ランプに印加する電圧によって照射強度を調整する請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記流体が、噴出ノズルから噴出される空気の噴出流である請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記空気の噴出流を作用させる際、噴出ノズルの本数および位置により作用領域を限定し、流量によって研磨の強度を調整する請求項4に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記流体が、純水または研磨剤を含む液体のシャワーである請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記純水または研磨剤を含む液体のシャワーを作用させる際、シャワーノズルの個数および位置によって、シャワーの作用領域を限定し、前記純水もしくは研磨剤を含む液体の流量、温度、および/または、前記研磨剤の濃度によって研磨代のウェーハ面内分布を調整する請求項6に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記光および/または流体を、2種以上組み合わせて前記研磨布に作用させる請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体ウェーハの製造方法。
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