JP5356318B2 - 安定化された半導体ナノクリスタル - Google Patents
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- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims abstract description 165
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 115
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 137
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- GFLXBRUGMACJLQ-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanatohexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN=C=O GFLXBRUGMACJLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 4
- MYRWIORDPCPHHO-UHFFFAOYSA-N methyl 5-isocyanatopentanoate Chemical compound COC(=O)CCCCN=C=O MYRWIORDPCPHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 2
- BUGJBSAHFWRINW-UHFFFAOYSA-N 3-phosphanylpropan-1-ol Chemical compound OCCCP BUGJBSAHFWRINW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 20
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- -1 alkyl phosphines Chemical class 0.000 description 16
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 10
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 9
- GMKMEZVLHJARHF-UHFFFAOYSA-N 2,6-diaminopimelic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CCCC(N)C(O)=O GMKMEZVLHJARHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 8
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 6
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 5
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 5
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 5
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 5
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide Substances CCN=C=NCCCN(C)C LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DYQFCTCUULUMTQ-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanatooctane Chemical compound CCCCCCCCN=C=O DYQFCTCUULUMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007987 MES buffer Substances 0.000 description 3
- 108010090804 Streptavidin Proteins 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propyliminomethylidene-ethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCN=C=NCCCN(C)C FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091003079 Bovine Serum Albumin Proteins 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N Sodium azide Chemical compound [Na+].[N-]=[N+]=[N-] PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 2
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical group [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 2
- 238000001212 derivatisation Methods 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000012894 fetal calf serum Substances 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Chemical group 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical group [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Chemical group 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical group [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005199 ultracentrifugation Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Chemical group 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- GVJXGCIPWAVXJP-UHFFFAOYSA-N 2,5-dioxo-1-oxoniopyrrolidine-3-sulfonate Chemical compound ON1C(=O)CC(S(O)(=O)=O)C1=O GVJXGCIPWAVXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylundecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(S)C(O)=O DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVKJKTZQMQSICC-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-6-oxohexanoic acid;hydrochloride Chemical compound Cl.COC(=O)CCCCC(O)=O JVKJKTZQMQSICC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000936 Agarose Polymers 0.000 description 1
- 0 CC(N*NC(C)=O)=O Chemical compound CC(N*NC(C)=O)=O 0.000 description 1
- 241000819038 Chichester Species 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)sulfide Chemical compound C[Si](C)(C)S[Si](C)(C)C RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N carbonyldiimidazole Chemical compound C1=CN=CN1C(=O)N1C=CN=C1 PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000000132 electrospray ionisation Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 229920001109 fluorescent polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007901 in situ hybridization Methods 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000010494 opalescence Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 238000006053 organic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000010414 supernatant solution Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- IYMHCKVVJXJPDB-UHFFFAOYSA-N tributyl(selanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCP(=[Se])(CCCC)CCCC IYMHCKVVJXJPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIZDWBGWFWWOV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilylselanyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[Se][Si](C)(C)C FKIZDWBGWFWWOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMDCDZDSJKQVBK-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilyltellanyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[Te][Si](C)(C)C VMDCDZDSJKQVBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N trioctyl(selanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCCCCCP(=[Se])(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIOZWDBMINZWGJ-UHFFFAOYSA-N trioctyl(sulfanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCCCCCP(=S)(CCCCCCCC)CCCCCCCC PIOZWDBMINZWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
米国政府は、海軍研究事務局により授与された契約N00014-01-1-0787号に従う本発明において、特定の権利を有することができる。
(技術分野)
本発明は、安定化された半導体ナノクリスタルに関するものである。
半導体ナノクリスタルは、非常に興味のある対象となっており、ディスプレイデバイス、情報記憶、生物学的タグ材料、光電池、センサー、及び触媒を含む、有望で、広範囲の応用が見込まれている。小さい直径を有するナノクリスタルは、分子と物質のバルク形態との間の中間的な属性を有し得る。例えば、小さい直径を有する半導体物質を基礎とするナノクリスタルは、3次元すべてにおいて、該電子及び正孔、双方の量子閉じ込めを示すことができ、微結晶サイズの減少とともに、該物質の有効バンドギャップを増加させる。その結果、該微結晶のサイズ減少に伴い、ナノクリスタルの光吸収、及び発光の双方は、青(すなわち、高エネルギー)にシフトする。半導体ナノクリスタルは、狭い蛍光バンドを有することができ、その発光波長は、該ナノクリスタルのサイズ、及び物質で整調される。
通常、該ナノクリスタルの表面上に多座配位子を有する半導体ナノクリスタルは、該ナノクリスタルの表面上に単座配位子を有するナノクリスタルと比べ、安定化され得る。単座配位子は、容易に交換され、かつ該交換の結果、該ナノクリスタルからの発光を減少し、又は消光され得る。従来の単座配位子を有するナノクリスタルが、希釈され、又は非不動態性環境下(すなわち、過剰な配位子が存在しない場合)に取囲まれた場合、該ナノクリスタルは、例えば、急激な蛍光性の減衰、凝集、及び/又は相分離に見られるような、これらの高い蛍光性、及びこれらの初期の化学的不活性を失う傾向にある。該多座配位子を、ポリホスフィン、ポリホスフィンオキシド、ポリホスフィン酸、又はポリリン酸、又はこれらの塩とすることができる。
他の態様において、半導体ナノクリスタルは、半導体ナノクリスタル、及び3以上の供与基により該ナノクリスタルに結合した多座配位子を有する外層を含み、各供与基は、P、N、P = O、及びN = Oからなる群から、それぞれ独立して選択され、ここで、該ナノクリスタルの蛍光性は、37℃に維持したウシ胎仔血清中で、24時間インキュベーションした後に、50%以下に低下する。
他の態様において、多座配位子の製造方法は、モノマーの多官能性ホスフィンを、多官能性オリゴマー化試薬と接触させ、オリゴマーホスフィンを形成することを含む。該モノマーの多官能性ホスフィンを、トリスヒドロキシプロピルホスフィンとすることができる。該多官能性オリゴマー化試薬を、ジイソシアナートとすることができる。該オリゴマーホスフィンを、式R'-L-NCOのイソシアナートと接触させることができる(式中、Lは、C2-C24アルキレンであり、かつR'は下記式を有する:
さらに、他の態様において、ナノクリスタル-生体分子接合体の製造方法は、反応性基含有多座配位子を含むナノクリスタルを、生体分子と接触させることを含む。該生体分子を、ポリペプチドとすることができる。該ナノクリスタルと該生体分子とを、架橋剤と接触させることができる。該反応性基を、カルボン酸とすることができる。該生体分子は、アミノ基を含むことができ、かつ該架橋剤は、カルボジイミドとなることができる。
該第一半導体物質を、II-VI族の化合物、II-V族の化合物、III-VI族の化合物、III-V族の化合物、IV-VI族の化合物、I-III-VI族の化合物、II-IV-VI族の化合物、又はII-IV-V族の化合物とすることができる。例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、又はこれらの混合物である。各第一半導体物質を、第二半導体物質でオーバーコートすることができる。該第二半導体物質には、例えば、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、又はこれらの混合物がある。該ナノクリスタルを、ナノクリスタルサイズの単分散分布の一構成要素とすることができる。該第一半導体物質は、該第二半導体物質よりも小さいバンドギャップを有することができる。
本発明の他の特徴、目的、及び利点は、本説明と図面から、及び請求項から明らかになるであろう。
ナノクリスタルコアは、熱配位物質中、有機金属前駆体の熱分解により、調製され得る。例えば、Murray, C.B.らの論文(J. Am. Chem. Soc. 1993、115、8706)、及びMikulec, F.の博士論文(MIT、ケンブリッジ、1999)を参照されたい(各論文は、その全体を引用により取り込まれている。)。裸のナノクリスタルコア上のシェル層成長を、従来のオーバーコーティング法の単純な改質により行うことができる。例えば、Peng, X.らの論文(J. Am. Chem. Soc. 1997、119、7019)、Dabbousi, B. O.らの論文(J. Phys. Chem. B 1997、101、9463)、及びCao, Y. W.とBanin U.との論文(Angew. Chem. Int. Edit. 1999、38、3692)を参照されたい(各論文は、その全体が引用により取り込まれている。)。
配位物質は、該ナノクリスタルの成長のコントロールを助けることができる。該配位物質は、例えば、成長するナノクリスタルの表面に配位することができる孤立電子対を有する、ドナー孤立電子対を有する化合物である。該配位物質を、溶媒とすることができる。配位物質は、該成長するナノクリスタルを安定化することができる。典型的な配位物質には、アルキルホスフィン、アルキルホスフィンオキシド、アルキルホスホン酸、又はアルキルホスフィン酸があるが、またピリジン、フラン、及びアミンのような他の配位物質も、該ナノクリスタル製造に適切となり得る。適切な配位物質の例には、ピリジン、トリ-n-オクチルホスフィン(TOP)、及びトリ-n-オクチルホスフィンオキシド(TOPO)がある。工業用等級TOPOを使用することができる。
該ナノクリスタルの外部表面は、該成長プロセスの間に用いた該配位物質から誘導される化合物の層を含むことができる。該表面は、過剰な競合配位基へ繰り返し曝露することにより、修飾され、被覆層を形成することができる。例えば、成長の間に使用した配位物質で覆われたナノクリスタルの分散を、配位性有機化合物(例えば、ピリジン)を用いて処理し、ピリジン、メタノール、及び芳香族化合物中で容易に分散するが、脂肪族溶媒中では、もはや分散しない微結晶を生成することができる。このような表面交換プロセスを、該ナノクリスタルの外部表面と配位、または結合できるすべての化合物(例えば、ホスフィン、チオール、アミン、及びホスフェート(リン酸塩、又はエステル)を含む。)を用いて実施することができる。該ナノクリスタルを、該表面に対して親和性を示し、かつ懸濁液、又は分散媒体に対して親和性を有する部分で終る、短鎖ポリマーに曝露させることができる。そのような親和性は、該懸濁液の安定性を改善し、かつ該ナノクリスタルの凝集を防止する。
単座アルキルホスフィン、及びアルキルホスフィンオキシドは、ナノクリスタルを効果的に不動態化する。該用語ホスフィンは、下記のホスフィン、及びホスフィンオキシド、双方のことを言うことに注意されたい。チオール、又はホスホン酸のような、他の従来の配位子は、長期間、初期の高いナノクリスタル蛍光性を維持する単座ホスフィンよりも低い効果を有し得る。例えば、チオール、又はホスホン酸を用いた配位子交換後に、ナノクリスタルの光蛍光性は、一貫して、低下、又は消光される。
単座配位子の制限を克服するため、オリゴマーの多座ホスフィン配位子の分布のような多座配位子を使用することができる。多座配位子は、該ナノクリスタル表面に対して、高い親和性を示す。すなわち、多座配位子は、化学的に似た単座配位子よりも、ナノクリスタルに結合するための大きい平衡定数を有し得る。オリゴマーホスフィンは、該ナノクリスタル表面に結合する部位が、2以上であり、該ナノクリスタル表面への高い親和性に寄与する。オリゴマーホスフィンは、ナノクリスタル配位子として、二座チオールよりも好ましいとされ得る。その理由は、オリゴマーホスフィンは、成長時のナノクリスタルの高い蛍光性を維持することができるためである。さらに、多座ホスフィンは、二座チオールよりも、該ナノクリスタル表面上に、しっかりと固着され得る(すなわち、より高い親和性を有する。)。例えば、標識付加の適用において、該多座配位子は、単座配位子よりも、その標的に対する、タグのしっかりとした化学的固着を確保し得る。オリゴマーホスフィンの必要最低限量を、ナノクリスタルの不動態化に使用することができる。単座配位子とは異なり、過剰量のオリゴマーホスフィンは必要なく、ナノクリスタルの高い蛍光性を維持する。オリゴマーホスフィンは、その成長溶液とよく似た局所環境を有する、該ナノクリスタル表面を提供することができ、そこで該ナノクリスタルは、ほとんど安定となる。多座ホスフィンは、該ナノクリスタル表面上に、高密度ホスフィン配位子層を形成することができる。ナノクリスタルの凝集、又は相分離を防ぐため、ナノクリスタルの最も外側の表面を、該バルク環境に適合させなければならない。該配位子は、種々の化学的環境に適合するように、容易に官能化することができる。例えば、これらは、疎水性、親水性、又は重合性となるように官能化され得る。
該多座配位子を、オリゴマー、又はオリゴマーの分布とすることができる。該多座配位子は、下記式を有することができる:
該多座配位子は、下記式を有することができる:
該多座配位子は、下記式を有することができる:
特定の状況において、Xは、P、又はP = Oであり、かつLは、少なくとも1のカルバメート結合を含む。特定の状況において、各Yは無置換アルキルとなることができる、各Yはカルボン酸基を含むことができる、又は各Yは、アクリレート基を含むことができる。
該多座配位子は、下記式を有することができる:
該多座配位子は、下記式を有することができる:
該多座配位子は、下記式を有することができる:
該多座配位子は、ナノクリスタルに結合してすぐに、架橋結合され得る。該架橋結合した多座配位子は、下記式を有することができる:
該架橋結合された多座配位子は、下記式を有することができる:
図1は、官能化した枝を有する、代表的なオリゴマーホスフィンの化学構造を示す。示した典型的な官能基は、アルキル、メタクリレート、及びカルボン酸基である。該合成法を少し変更することで、多くの他の官能性基を導入することができる。この柔軟性は、すべての所望の媒体中で、ナノクリスタルの均一な組込みを可能にし得る。
該オリゴマー配位子は、該ナノクリスタル周囲に、3層:ホスフィン層、疎水性層、及び官能化層を創ることができる。該ホスフィン層は、該ナノクリスタル表面を不動態化することができ、該疎水性層は、それを保護することができ、一方、該官能化層は、溶解性、混和性、他の基質を用いて共重合化する能力、該ナノクリスタルの表面上のさらなる架橋結合、及び生体分子に接合するような他の誘導体化を含む、所望の化学的特性を供給することができる。
すべての分子、又は分子の組合せと、さらに反応させることで、化学的官能性を、小さいオリゴマーホスフィンに導入することができる。該官能性は、例えば、未反応ヒドロキシ基を有するオリゴマーホスフィンと、所望の官能基とイソシアナート基とを有する分子との反応により導入することができる。図1を参照されたい。例えば、オクチルイソシアナート、又はヘキサデシルイソシアナートを用いて、疎水性アルキル鎖を導入することができ、かつ重合可能なメタクリレート基を、2-イソシアナトエチルメタクリレートとの反応により導入することができる。ある場合において、所望の官能基上で、従来の保護、及び脱保護方法を、合成を促進するために必要としてもよい。カルボン酸基を有するオリゴマーホスフィン(図1)を、オリゴマーホスフィンのエステル誘導体の加水分解により、調製することができる。該オリゴマーホスフィンエステル誘導体を、該オリゴマーホスフィンと5-イソシアナトペンタ酸メチルとの反応から調製することができる。有利なことに、該エステルは、塩基性加水分解条件下で、該カルバメート結合を保持したまま、選択的に加水分解することができる。
多座配位子の一例において、図2は、未官能化オリゴマーホスフィンの負量スペクトルを示しており、かつオリゴマーの狭い分布を表している。ラベルa)、b)、c)、及びd)は、それぞれスキーム1で示した、n = 1、n = 2、n = 3、及びn = 4を有する該オリゴマーホスフィンに対応するピークを示す。該マススペクトルは、電子スプレーイオン化源を有するブルカーダルトニクスAPEX3(Bruker Daltonics APEX3)で記録した。多価電荷のピークを、一つずつ、荷電した質量数に対して解析し、オリゴマーの分布を示した。
特定の状況において、官能化オリゴマーホスフィンは、該ナノクリスタルに結合してすぐに、架橋結合され得る。そのような架橋結合は、該ナノクリスタルの安定性をさらに増加することができる。架橋結合は、カルボン酸基で官能化したオリゴマーホスフィンに、例えば、2,6-ジアミノピメリン酸のようなジアミン、カルボジイミド脱水剤の添加により行うことができる。該配位子がナノクリスタルに結合したまま、架橋結合を行うことができる。架橋結合のもう一つの例は、メタクリレートで修飾したオリゴマーホスフィンのメタクリレート基のラジカル重合である。
該ナノクリスタルは、一の狭いサイズ分布を有するナノクリスタルの集団の構成要素となり得る。該ナノクリスタルは、球形、棒状、円盤状、又は他の形状であってもよい。該ナノクリスタルは、半導体物質のコアを含むことができる。Mが、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、又はこれらの混合物であり、かつXが、酸素、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、又はこれらの混合物である場合、該ナノクリスタルは、式MXを有するコアを含むことができる。
該コアは、該コアの表面上にオーバーコーティングを有することができる。該オーバーコーティングは、該コアの組成と異なる組成を有する半導体物質であってもよい。該ナノクリスタル表面上の半導体物質のオーバーコーティングは、II−VI族の化合物、II−V族の化合物、III−VI族の化合物、III―V族の化合物、IV−VI族の化合物、I−III−VI族の化合物、II−IV−VI族の化合物、及びII−IV−V族の化合物、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、又はこれらの混合物を含むことができる。該オーバーコーティング物質は、該コア物質のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し得る。代わりに、該オーバーコーティング物質は、エネルギーにおいて、該コア物質の価電子帯と伝導帯との中間に位置するバンド(すなわち、該価電子帯、又は該伝導帯)を有することができる。例えば、米国特許出願第 号(題名”半導体ナノクリスタルヘテロ構造体”、出願日2003年8月12日)を参照されたい(その全体を引用により取り込んでいる。)。
ナノクリスタルの集団は、狭いサイズ分布を有することができる。該集団を単分散性とすることができ、かつ該ナノクリスタル直径の15%rms未満の偏差、好ましくは、10%未満、さらに好ましくは5%未満を示すことができる。最大強度の半値における全幅値(半値全幅)(FWHM)が10から100 nmの狭い範囲のスペクトル発光を観測することができる。半導体ナノクリスタルは、2%、5%、10%、20%、40%、60%、70%、又は80%より大きい発光量子効率を有することができる。
該Mドナーは、無機化合物、有機金属化合物、又は元素金属であってもよい。該無機化合物M含有塩は、金属ハロゲン化物、金属カルボン酸塩、金属水酸化物、又は金属アセチルアセトネートのような金属ジケトネートであってもよい。該塩を、アミンのような配位物質と結合してもよい。例えば、米国特許第6,576、291号(その全体を引用により取り込んでいる。)を参照されたい。Mは、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、又はタリウムである。該Xドナーは、該Mドナーと反応し、一般式MXの物質を形成することができる化合物である。通常、該Xドナーは、カルコゲナニドドナー、又はプニクタイドドナー、例えば、ホスフィンカルコゲニド、ビス(シリル)カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩、またはトリス(シリル)プニクタイドである。適切なXドナーを挙げると、二酸素、ビス(トリメチルシリル)セレニド((TMS)2Se)、トリアルキルホスフィンセレニド(例えば、(トリ-n-オクチルホスフィン)セレニド(TOPSe)、又は(トリ-n-ブチルホスフィン)セレニド(TBPSe))、トリアルキルホスフィンテルリド(例えば、(トリ-n-オクチルホスフィン)テルリド(TOPTe)、又はヘキサプロピルホスホラストリアミドテルリド(HPPTTe))、ビス(トリメチルシリル)テルリド((TMS)2Te)、ビス(トリメチルシリル)スルフィド((TMS)2S)、トリアルキルホスフィンスルフィド(例えば、(トリ-n-オクチルホスフィン)スルフィド(TOPS))、アンモニウム塩(例えば、ハロゲン化アンモニウム(例えば、NH4Cl))、トリス(トリメチルシリル)ホスフィド((TMS)3P)、トリス(トリメチルシリル)アルセニド((TMS)3As)、又はトリス(トリメチルシリル)アンチモニド((TMS)3Sb)がある。特定の実施態様において、該Mドナー、及び該Xドナーは、同一分子内の成分とすることができる。
粒子サイズ分布を、米国特許第6,322、901号(その全体を引用により取り込んでいる。)に記載されている、メタノール/ブタノールのような、該ナノクリスタルの貧溶媒を用いるサイズ選択的沈殿法によって、さらに精製することができる。例えば、ナノクリスタルを、10%ブタノールのヘキサン溶液中で分散することができる。メタノールを、乳白光が持続するまで、攪拌溶液に滴下して加えることができる。遠心分離による上清と凝集物との分離により、サンプル中の最も大きな結晶に富む沈殿物が生成される。この方法を、光学吸収スペクトルのさらなる鋭利化が認められなくなるまで、繰り返すことができる。サイズ選択的沈殿法を、種々の溶媒/非溶媒のペア(ピリジン/ヘキサン、及びクロロホルム/メタノールが挙げられる)中で実施することができる。サイズ選択されたナノクリスタル集団を、平均直径から15%rms以下の偏差、好ましくは10%rms以下の偏差、より好ましくは5%rms以下の偏差を有することができる。
透過型電子顕微鏡(TEM)により、該ナノクリスタル集団のサイズ、形状、及び分布についての情報を得ることができる。粉末X線回折(XRD)パターンにより、該ナノクリスタルの結晶構造のタイプ、及び質に関する最も完全な情報を得ることができる。粒子径が、ピーク幅に対して、X線のコヒーレンス長を介して、反比例するので、サイズの評価も可能である。例えば、該ナノクリスタルの直径を、透過型電子顕微鏡で直接測定することができ、又は例えばシェラーの式を用いて、X線回折データから評価することができる。また、UV/Vis吸収スペクトルからも評価することができる。
オリゴマーホスフィンを、アルキルホスフィンの重合により合成し、次の反応で、さらに官能化した。オリゴマーホスフィンとは、オリゴマー化したホスフィンの分布ことを言う。該オリゴマー化したホスフィンの分布は、n = 1、2、3、及び4を有する主要オリゴマーを含む(スキーム1参照)。
オリゴマーホスフィンを、次のように合成した。トリスヒドロキシプロピルホスフィン(8.00 g)(THPP、Strem社製、90%)を、ジメチルホルムアミド(DMF、Aldrich社製、99.8%)20.0 g中に溶解した。該溶液を強く撹拌しながら、ジイソシアナトヘキサン(4.54 g)(DIH、Aldrich社製、98%)を滴下して添加した。該添加完了後、該溶液を一晩撹拌した。該溶媒を減圧下で除去し、かつ質量分析により、該混合物について、特性を調べた。ESI-MS(m/z):スキーム1のn = 1に対して、実験値961.6(M + H+)、計算値961.6、スキーム1のn = 2に対して、実験値1337.9(M + H+)、計算値1337.8、スキーム1のn = 3に対して、実験値1713.9(M + H+)、計算値1714.0、スキーム1のn = 4に対して、実験値2090.3(M + H+)、計算値2090.2であった(図2参照)。
オリゴマーホスフィンを、オクチルアルキル鎖で官能化し、オクチル修飾オリゴマーホスフィンを形成した。該オクチル修飾オリゴマーホスフィンは、疎水性環境に適合しており、かつ該存在する表面キャップ基と交換後、多くの疎水性環境にも適合できるナノクリスタルを与え得る。
次のように、該オリゴマーホスフィンを、該ナノクリスタル表面のキャップ基と交換した。過剰のトリオクチルホスフィンオキシドのない、CdSe/ZnSナノクリスタル粉末を、0.1 mLの成長溶媒から、非溶媒沈殿法により得た。DMF溶液中のオクチル修飾オリゴマーホスフィン(0.2 mL)(64%wt/wt)、及びTHF 3.0 mLを、該ナノクリスタル粉末に加え、かつ60℃で一晩、強く撹拌した。得られたナノクリスタルを、すぐに、該オクチル修飾オリゴマーホスフィン配位子でキャップした。上述の段階の間に、過剰量の新しい配位子を、該配位子交換完結のために使用した。該過剰の配位子を、沈殿により除去し、続いて、超遠心した。該溶液にメタノールを添加することにより、該沈殿を生じさせることができる。
また、ヘキサデシル修飾オリゴマーホスフィンを、多くの疎水性環境に適合するように調製し、かつ表面のキャップ基と交換後、多くの疎水性環境にも適合できるナノクリスタルを得ることができる。これらの配位子を、オクチルイソシアナート2.31 gの代わりに、ヘキサデシルイソシアナート3.98 g(Aldrich社製、97%)を用いたことを除き、オクチルアルキル鎖を有する、小さいオリゴマーホスフィンと同様の方法により調製した。
キャップ基の交換を、次のように行った。過剰のトリオクチルホスフィンオキシドのない、CdSe/ZnSナノクリスタル粉末を、0.1 mLの成長溶媒から、標準の非溶媒沈殿法により得た。DMF溶液中のメタクリレート基を有するオリゴマーホスフィン(40%wt/wt、0.3 mL)を、該ナノクリスタルに加え、かつ一晩強く撹拌した。該ナノクリスタルは、すぐに、新しい配位子でキャップされ、かつさらに化学的官能性のメタクリレートを有している。上述の段階の間に、過剰量の新しい配位子を、該配位子交換完結のために使用した。該過剰の配位子を、沈殿により除去し、続いて、超遠心した。アセトニトリルの添加により、該沈殿を生じることができる。
カルボン酸基を有するオリゴマーホスフィンは、生物学的環境を含む、水溶性環境に適合できる。該カルボン酸基は、さらに標準の結合性の化学的性質を利用することができる。カルボン酸基を有する小さいオリゴマーホスフィンを、次のように調製した。オリゴマーホスフィン(0.16 g)を、2.0 mLのDMF中に溶解した。5-イソシアナトペンタン酸メチル(0.26 g)(合成法は下記)を滴下により添加した。添加完了後、該溶液を、一晩強く撹拌した。該溶媒を減圧下で除去した。水酸化カリウム(Mallinckrodt社製、88%、0.5 g)、テトラヒドロフラン2.0 mL(Aldrich社製、99.9%)、及び蒸留水2.0 mLを加え、かつ60℃で1日、強く撹拌した。該溶媒を、減圧下で除去した。
次のように、カルボン酸基を有する該オリゴマーホスフィンを、表面キャップ基と交換した。成長溶液1.0 mLから、過剰のトリオクチルホスフィンオキシドのないCdSe/ZnSナノクリスタル粉末を、非溶媒沈殿法により得て、かつジクロロメタン3.0 mL(Aldrich社製、99.6%)中に溶解した。カルボン酸基を有するオリゴマーホスフィン0.2 M/KOH水溶液(上述した)の10 mLを、該粉末に加えた。該混合液を一晩、超音波処理した。該乳状化溶液を、遠心分離により、2つの異なる層に分離した。該ナノクリスタルが完全に移動したことを確認後、静かに注ぐことにより、該水層を得た。これらのナノクリスタルを、ポリホスフィンカルボン酸基で誘導体化した。上述の段階の間、過剰量の新しい配位子を、配位子交換完結のために使用した。該過剰の配位子を、透析法により、例えば、50,000ダルトンの名目上の分子分画の膜遠心透析キットを用いて、希釈、及び濾過を繰り返すことにより、除去することができる。
CdSe/ZnS(コア/シェル)ナノクリスタルを、次のように、カルボン酸基を有するオリゴマーホスフィンと配位子交換した。過剰の配位子を、透析法の繰り返しにより、厳密に除去した。0.1 MのMESを導入し、かつ光吸収測定により、該溶液中の半導体ナノクリスタル粒子数を決定した。Leatherdale, C. A.、Woo, W. K.、Mikulec, F. V.、及びBawendi, M. G.の論文(Journal of Physical Chemistry B 2002、106、7619)を参照されたい(その全体を引用により取り込んでいる。)。1のナノクリスタルにつき、該カルボジイミド架橋剤であるEDC(1-エチル-3-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩、Pierce社製、25,000当量)、及びN-ヒドロキシスルホスクシンイミド(Pierce社製)125,000当量を、該ナノクリスタル溶液に加えた。該溶液を15分間インキュベートし、かつ過剰量の試薬を、0.1 MのMES緩衝液中、透析法により除去した。5,000当量の2,6-ジアミノピメリン酸(Aldrich社製、98%)を含む、PBS溶液を、該MES溶液と混合した。混合後、該最終pHを7.0前後にした。該反応溶液を、4時間インキュベートし、かつ配位子交換し、かつ架橋結合したナノクリスタルを、透析法の繰り返しにより精製した。
カルボン酸基を有するオリゴマーホスフィンと結合した、CdSe/ZnS(コア/シェル)ナノクリスタルのストレプトアビジン接合を、上述の架橋結合法と類似した方法により行った。ストレプトアビジン(Pierce社製)100当量を、2,6-ジアミノピメリン酸の代わりに使用した。また、ストレプトアビジン接合を、前述の2,6-ジアミノピメリン酸により架橋結合したナノクリスタルを用いて行うことができる。蛍光顕微鏡写真は、ナノクリスタルを接合したストレプトアビジンが、ビオチン-アガロースビーズに特異的に結合したことを示した。ストレプトアビジンに接合してないナノクリスタルは結合しない。
メタクリレートを有するオリゴマーホスフィンは、マトリックス内に、TOPのような付加的な遊離の配位子を必要とすることなく、多くの高分子マトリックス内に、ナノクリスタルの均一な組込み(すなわち、共重合化)が可能であり得る。該重合可能な配位子を、ホスト高分子内に組込むことができ、かつ大きさがミクロン、及びサブミクロンの高分子-ナノクリスタル複合体の合成経路を提供する。例えば、半導体ナノクリスタルを組込んだ蛍光性高分子スティックを、次のように製造することができる:CdSe/ZnS(コア/シェル)ナノクリスタルを、メタクリレートを有するオリゴマーホスフィンと配位子交換し、かつヒドロキシプロピルメタクリレート(Aldrich社製、97%)、エチレングリコールジメタクリレート(Aldrich社製、98%)、及び少量(<1%wt/wt)の2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(Aldrich社製、98%)を混合した。該溶液を、ガラスチューブに移動し、かつ〜3時間、該重合が完結するまで、70℃でオイルバス中に部分的に浸漬した。
他の実施態様は、請求項の範囲内である。
Claims (5)
- 請求項1記載の組成物の製造方法であって、
ナノクリスタルを、複数の前記オリゴマー多座配位子と接触させ、安定化したナノクリスタルを形成すること、及び
複数のオリゴマー多座配位子を、架橋剤と接触させて、架橋結合すること
を含む、前記方法。 - 架橋結合が、前記多座配位子を、ジアミン及びカップリング剤と接触させることを含む、請求項2記載の組成物の製造方法。
- 架橋結合が、前記多座配位子を、ラジカル開始剤と接触させることを含む、請求項2記載の組成物の製造方法。
- トリスヒドロキシプロピルホスフィンを、ジイソシアナトへキサンと接触させ、オリゴマーホスフィンを形成すること、及び
該オリゴマーホスフィンを、ヘキサデシルイソシアナート又は5-イソシアナトペンタン酸メチルと接触させ、前記オリゴマー多座配位子を形成することをさらに含む、請求項2記載の組成物の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40336702P | 2002-08-15 | 2002-08-15 | |
US60/403,367 | 2002-08-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004549932A Division JP2006502232A (ja) | 2002-08-15 | 2003-08-15 | 安定化された半導体ナノクリスタル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011006412A JP2011006412A (ja) | 2011-01-13 |
JP5356318B2 true JP5356318B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=32312445
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004549932A Pending JP2006502232A (ja) | 2002-08-15 | 2003-08-15 | 安定化された半導体ナノクリスタル |
JP2010140115A Expired - Lifetime JP5356318B2 (ja) | 2002-08-15 | 2010-06-21 | 安定化された半導体ナノクリスタル |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004549932A Pending JP2006502232A (ja) | 2002-08-15 | 2003-08-15 | 安定化された半導体ナノクリスタル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7160613B2 (ja) |
EP (1) | EP1576655B1 (ja) |
JP (2) | JP2006502232A (ja) |
AU (1) | AU2003301769A1 (ja) |
CA (1) | CA2502669C (ja) |
WO (1) | WO2004042784A2 (ja) |
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- 2003-08-15 AU AU2003301769A patent/AU2003301769A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-15 CA CA2502669A patent/CA2502669C/en not_active Expired - Lifetime
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WO2004042784A2 (en) | 2004-05-21 |
EP1576655A2 (en) | 2005-09-21 |
WO2004042784A8 (en) | 2004-07-15 |
WO2004042784A3 (en) | 2009-04-09 |
US20040091710A1 (en) | 2004-05-13 |
US20070160838A1 (en) | 2007-07-12 |
US8481162B2 (en) | 2013-07-09 |
US7601424B2 (en) | 2009-10-13 |
CA2502669C (en) | 2012-10-23 |
EP1576655B1 (en) | 2014-05-21 |
AU2003301769A1 (en) | 2004-06-07 |
JP2011006412A (ja) | 2011-01-13 |
CA2502669A1 (en) | 2004-05-21 |
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JP2006502232A (ja) | 2006-01-19 |
EP1576655A4 (en) | 2010-05-05 |
US20100102277A1 (en) | 2010-04-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |