JP5354144B2 - インバータ - Google Patents

Description

この発明は、モータ駆動用のインバータに関する。

モータ駆動用のインバータは、直流電圧を交流に変換して出力するスイッチング回路を備えている。このスイッチング回路は、２つのスイッチング素子の直列回路を複数相分有し、これら直列回路における両スイッチング素子の相互接続点がモータの各相巻線に接続される。このスイッチング回路に直流電圧が印加されて各スイッチング素子がオン，オフ駆動されることにより、モータの各相巻線に電流が流れ、モータのロータが回転する。

このようなインバータの駆動に際しては、モータの各相巻線に流れる電流が検出され、その検出電流に基づくベクトル制御等により、各スイッチング素子に対するオン，オフ駆動用のＰＷＭ信号が生成される。各相巻線に流れる電流を検出する手段として、例えば、スイッチング回路に対する直流電圧供給ラインに抵抗器を設け、その抵抗器に生じる電圧を検出するものがある。また、直流電圧供給ラインに２つの抵抗器を直列に設け、一方の抵抗器を電流検出用として使用し、他方の抵抗器は過電流が流れた場合に一方の抵抗器が溶断しないよう自ら発熱して溶断する保護用として使用する例がある（例えば特許文献１）。
特許２６２１０７５号公報

上記のように、直流電圧供給の負側ラインに２つの抵抗器を直列に設けたものでは、過電流等によって保護用の抵抗器が溶断／断線すると、スイッチング素子とその駆動回路との間が切断されることとなる、スイッチング素子と駆動回路の電位が不定になる。このため、スイッチング素子のオン，オフ駆動信号が低レベルになったとき（オフ期間）、そのスイッチング素子の電流流出側端子の電位が駆動信号入力端子の電位よりも高い状態となり、スイッチング素子の電流流出側端子から駆動信号入力端子にかけて大きな逆電圧が加わり、スイッチング素子の逆耐圧を超えて破壊に至る可能性がある。この破壊に際しては、逆にスイッチング素子の駆動信号入力端子を通して駆動回路に高電圧が加わることもあり、駆動回路側の耐圧が低ければ駆動回路まで破壊されてしまう。

この発明は、上記の事情を考慮したもので、万が一電流検出用の抵抗が断線した場合でも、スイッチング素子や駆動回路の破壊を未然に防ぐことができる安全性にすぐれたインバータを提供することを目的とする。

請求項１に係る発明のインバータは、整流回路と、それぞれ２つのスイッチング素子を直列接続して前記整流回路の出力端に接続される複数の直列回路を有し、これら直列回路における各スイッチング素子の相互接続点がモータの各相巻線に接続されるスイッチング回路と、前記整流回路と前記スッチング回路との間の直流電圧供給ラインにおける負側ラインに設けられた電流検出用抵抗と、前記電流検出用抵抗に並列接続され、その電流検出用抵抗よりも大きな抵抗値を有する保護用抵抗と、前記電流検出用抵抗および前記保護用抵抗の並列回路に流れる電流を検出し、その検出電流に基づいて前記スイッチング回路を駆動するための信号を生成する制御回路と、前記電流検出用抵抗よりも前記整流回路側に接続され、前記制御回路で生成される信号に応じて前記スイッチング回路の各スイッチング素子をオン，オフ駆動する駆動回路と、を備える。前記電流検出用抵抗及び前記保護用抵抗は、回路基板の導電パターンに接続され、前記電流検出用抵抗は前記回路基板の導電パターンに面接触して半田付け接続される面実装タイプのシャント抵抗であり、前記保護用抵抗は前記回路基板の導電パターンにリードを介して半田付け接続されるセメント抵抗である。

この発明のインバータによれば、万が一電流検出用の抵抗が断線した場合でもスイッチング素子や駆動回路の破壊を未然に防ぐことができて、安全性が大幅に向上する。

［１］以下、この発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。
図１に示すように、商用交流電源１の交流電圧が整流回路２により直流電圧に変換され、その直流電圧が直流電圧供給ラインである正側ラインＬ１と負側ラインＬ２間に接続された制御用電源回路３およびスイッチング回路１０に印加される。制御用電源回路３は、例えば２８０Ｖの直流電圧を後述する制御回路３０やスイッチング回路１０中のスイッチング素子を駆動する駆動回路４０の動作用電源となる直流１２Ｖや５Ｖに降圧して出力する降圧回路で構成される。スイッチング回路１０は、２つのスイッチング素子たとえばＭＯＳＦＥＴの直列回路をＵ，Ｖ，Ｗの三相分有するもので、Ｕ相の高電圧側にＭＯＳＦＥＴ１１ｕ、低電圧側にＭＯＳＦＥＴ１２ｕ、Ｖ相の高電圧側にＭＯＳＦＥＴ１１ｖ、低電圧側にＭＯＳＦＥＴ１２ｖ、Ｗ相の高電圧側にＭＯＳＦＥＴ１１ｗ、低電圧側にＭＯＳＦＥＴ１２ｗを備えている。

このスイッチング回路１０におけるＭＯＳＦＥＴ１１ｕ，１２ｕの相互接続点に圧縮機モータMの相巻線Ｌｕが接続され、ＭＯＳＦＥＴ１１ｖ，１２ｖの相互接続点に圧縮機モータMの相巻線Ｌｖが接続され、ＭＯＳＦＥＴ１１ｗ，１２ｗの相互接続点に圧縮機モータMの相巻線Ｌｗが接続されている。圧縮機モータＭは、星形結線された３つの相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗを有する固定子、および永久磁石を有する回転子により構成され、相巻線Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗに電流が流れることにより生じる磁界と永久磁石が作る磁界との相互作用により回転子が回転するもので、空気調和機などの冷凍サイクル装置（図示しない）の密閉型圧縮機に収容される。

そして、スイッチング回路１０に対する直流電圧供給の負側ラインＬ２に、電流検出用の複数たとえば２つの抵抗２１，２２を並列接続した抵抗群が挿入接続されている。抵抗２１は許容差１％の数mΩたとえば２mΩの抵抗値を有し、抵抗２２は許容差５％で抵抗２１よりも１０倍程度の大きさを持つ数十mΩたとえば２５mΩの抵抗値を有する。この抵抗値の相互関係により、正常時には電流のほとんどが抵抗２１の方に流れ、抵抗２２には電流があまり流れない。具体的には、各抵抗に流れる電流は、その抵抗値の比率の逆数比となるので、抵抗２２に流れる電流は、抵抗２１に流れる電流の２／２５となる。これにより、抵抗２１がメインの電流検出用抵抗、抵抗２２がサブ（保護用）の抵抗として機能する。以下、抵抗２１を電流検出用抵抗、抵抗２２を保護用抵抗という。

この電流検出用抵抗および保護用抵抗２１，２２の並列回路に生じる電圧が、制御部（制御手段）３０に供給される。制御部３０は、並列回路に生じる電圧をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器３１、このＡ／Ｄ変換器３１の出力が供給される駆動信号生成部３２および保護回路３３を有し、制御用電源回路３から供給される直流電圧により動作する。駆動信号生成部３２は、電流検出用抵抗および保護用抵抗２１，２２の並列回路に流れる電流（主に電流検出用抵抗２１に流れる電流）をＡ／Ｄ変換器３１の出力から検出し、その検出電流に基づくベクトル制御により、スイッチング回路１０を駆動するためのＰＷＭ（パルス幅変調）信号を生成する。このＰＷＭ信号が駆動回路４０に供給される。駆動回路４０は、制御用電源回路３から供給される直流電圧により動作し、駆動信号生成部３２からのＰＷＭ信号に対応するオン，オフ駆動信号をスイッチング回路１０の各ＭＯＳＦＥＴに供給する。

上記保護回路３３も、電流検出用抵抗および保護用抵抗２１，２２の並列回路に流れる電流（主に電流検出用抵抗２１に流れる電流）をＡ／Ｄ変換器３１の出力から検出し、その検出電流がスイッチング回路１０の各素子の保護用に予め定められている所定値以上たとえば５０Ａ以上の場合に圧縮機モータＭの駆動を即時に停止するべく、駆動信号生成部３２に対し停止指令を送る。駆動信号生成部３２は、保護回路３３から停止指令を受けた場合に、ＰＷＭ信号の生成を直ちに停止し、全てのスイッチング素子をオフする。

この構成によれば、各抵抗が正常な状態においては、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２の並列回路に所定値以上の電流が流れたとき、高い応答性をもって、保護回路３３から駆動信号生成部３２に停止指令が送られる。この停止指令により駆動信号生成部３２からＰＷＭ信号が出力されなくなり、スイッチング回路１０における各ＭＯＳＦＥＴの破壊が防止される。ＭＯＳＦＥＴにその許容範囲を超える大きな電流が短期間でも流れると、ＭＯＳＦＥＴが破壊されるため、この保護回路３３の動作にはきわめて高い応答性が確保されている。これら整流回路２、制御用電源回路３、スイッチング回路１０、電流検出用抵抗２１、保護用抵抗２２、制御部３０、および駆動回路４０により、圧縮機モータ駆動用のインバータが構成されている。

そして、このインバータの出力が最小（最小出力周波数）のときに、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２のうち最小抵抗値である電流検出用抵抗２１が何らかの原因で断線して開放状態となった場合に、保護回路３３における検出電流が上記所定値以上となるように、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２の各抵抗値が設定されている。

以上の回路において、正常時にはＡ／Ｄ変換器３１の出力から電流を検出し、その検出電流の大きさに基づくベクトル制御により、スイッチング回路１０を駆動して圧縮機モータが駆動される。

一方、何等かの理由で検出用抵抗２１が断線したときは、保護用抵抗２２のみに電流が流れるが、この時点においては、スイッチング回路１０と負側ラインＬ２との通電路は保護用抵抗２２を介して接続されたままである。このため、スイッチング回路１０と負側ラインＬ２との通電路が開放された場合のように、スイッチング回路１０の低電圧側に存するＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗへのオン，オフ駆動信号が低レベルになったとき（オフ期間）、ＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗのドレイン（電流流出側端子）の電位がゲート（駆動信号入力端子）の電位よりも非常に高い状態となり、ＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗのドレインからゲートにかけて大きな逆電圧が加わり、ＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗおよび駆動回路４０が破壊に至るようなことは生じない。

この検出用抵抗２１の断線に際し、そのままスイッチング回路１０による圧縮機モータの駆動が継続されると、保護用抵抗２２が抵抗値が高いこともあって温度上昇して熱破壊に至る。結局は保護用抵抗２２までも断線してしまい、最終的にスイッチング回路１０や保護ができないという問題が生じる可能性がある。

しかしながら、本実施形態においては、電流検出用抵抗２１が断線すると、Ａ／Ｄ変換器３１は抵抗値の大きい保護用抵抗２２の両端間電圧を読取るので、保護回路３３はそれまでに比して急激に大きな電流を検出することになる。すなわち、Ａ／Ｄ変換器３１の読取り電圧Ｖから電流Ｉへの変換は、正常時の抵抗群の抵抗値Ｒ１に基づき設定され、検出電流値ＩはＩ＝Ｖ／Ｒ１で電圧から電流に換算される。ところが、電流検出用抵抗２１が断線すると、スイッチング回路１０に流れる電流値Ｉは断線前後で同じであるにもかかわらず、実際のＡ／Ｄ変換器３１の読取り対象の抵抗値は、抵抗群の抵抗値Ｒ１から保護用抵抗２２のみの大きい抵抗値Ｒ２（Ｒ２＞＞Ｒ１）となる。このため、Ａ／Ｄ変換器３１の読取り電圧Ｖは、それまでのＶ＝Ｉ×Ｒ１の値からＶ＝Ｉ×Ｒ２へと急激に大きくなる。Ａ／Ｄ変換器３１の読取り電圧Ｖから電流Ｉへの変換式Ｉ＝Ｖ／Ｒ１は変更がなされないため、結果的に、Ａ／Ｄ変換器３１で読取られた電圧Ｖから電流Ｉへの変換の結果、大きな電流が検出されたとみなされる。

その大電流の検出により、保護回路３３は過電流が流れていると判断し、即時にインバータの運転が停止される。この結果、保護用抵抗２２に電流が流れ続けることがなくなり、保護用抵抗２２の熱破壊についても回避できる。

ところで、空気調和機などの冷凍サイクル装置に搭載されるインバータの場合、空調負荷の変化に従い、インバータの出力が最小から最大まで広い範囲で制御される。このような条件の下では、保護回路３３が検出電流に対して保護動作を開始する所定値は、インバータの出力が最大（最大出力周波数）のときの検出電流よりもわずかに上の値に設定される。ここで、インバータの出力が最大のときの検出電流は、出力が最小（最小出力周波数）のときの検出電流の５倍程度である。このことから、保護回路３３が検出電流に対して保護動作を開始する所定値は、インバータの出力が最小のときの検出電流を基準にすると、その６倍程度に設定する必要がある。例えば、電流値としては、インバータ出力が最小のときの電流が１０Ａ、インバータ出力が最大のときの電流が５０Ａ、保護回路３３の保護動作を開始する所定値が６０Ａ等に設定される。

そこで、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２の抵抗群のうち最小抵抗値である電流検出用抵抗２１が断線して開放状態となった場合に、同抵抗群の抵抗値がその開放状態となる前の６倍以上となるように、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２の各抵抗値が予め設定される。この設定により、万一、インバータの運転中に電流検出用抵抗２１が開放状態となったとき、インバータが最小出力で運転していても、検出電流は、保護回路３３が保護動作を開始する所定値以上に達し、インバータの運転が即時に停止される。これにより、保護用抵抗２２の熱破壊による断線を確実に防ぐことができ、ひいてはＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗおよび駆動回路４０の破壊を確実に防ぐことができる。

一方、電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２の好ましい具体的な構成を図２および図３に示している。図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図である。

まず、電流検出用抵抗２１は、回路基板５０の導電パターン（銅箔）５１，５２に面接触して半田付け接続される面実装タイプのシャント抵抗であり、回路基板５０から離間した状態に配置される矩形状かつ板状の本体と、この本体の相対向する両側部から回路基板５０側に延びるＬ字形の一対の脚部２１ａ，２１ｂと、この脚部２１ａ，２１ｂとの間にわずかな隙間を空けて回路基板５０側に延びるＬ字形の一対の電流測定用端子（ケルビン端子ともいう）２１ｃ，２１ｄとからなる。クリーム状の半田Ｈが塗られた導電パターン５１，５２上に脚部２１ａ，２１ｂのフランジが面接状態で載置され、この状態で回路基板５０が加熱炉に通されることにより、電流検出用抵抗２１が導電パターン５１，５２に半田付け接続される。この面実装タイプのシャント抵抗は、小形、許容差が小さくて高精度、放熱性が高いなどの長所があり、許容差１％の数mΩオーダーの低い抵抗値を精度よく設定することができる。但し、面実装タイプのシャント抵抗の場合、クリーム状の半田Ｈが素子の脚部２１ａ，２１ｂのフランジの下面側に存するため、半田Ｈが導電パターン５１，５２に確実に接続されているか確認できない。

一方、保護用抵抗２２は、回路基板５０の導電パターン５１，５２にリードを介して半田付け接続されるリードタイプのセメント抵抗（無誘導タイプ）であり、導電パターン５１，５２および回路基板５０に形成されている挿通孔５１ａ，５２ａにリードピン２２ａ，２２ｂが挿入されて半田Ｈが流し込まれることにより、接続および固定がなされる。このリードタイプのセメント抵抗は、面実装タイプに比べて大形ではあるが、安価で、しかも半田付け接続が確実で電気的な接続の信頼性が高いという長所がある。

このように、役割の異なる電流検出用抵抗２１および保護用抵抗２２として、それぞれが適切な構造および取付け方法を用いることで、信頼性の高い回路を得ることができる。例えば、仮に、振動等の影響で、面実装タイプの電流検出用抵抗２１の接続が外れたとしても、リードタイプの保護用抵抗２２の接続は強固でそれくらいでは外れない。この点でも、ＭＯＳＦＥＴ１２ｕ，１２ｖ，１２ｗおよび駆動回路４０の破壊を防ぐことができる。

［２］第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態では、電流検出用抵抗２１の接続および固定のために押さえ部材が追加される。この構成を図４および図５に示している。図５は、図４のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図である。

まず、回路基板５０の導電パターン５１，５２上に電流検出用抵抗２１の脚部２１ａ，２１ｂのフランジが面接触状態で載置されて半田付け接続される。ここまでは第１の実施形態と同じである。この状態で、導電パターン５１，５２に対する脚部２１ａ，２１ｂのフランジ（面接触部分）およびそのフランジから導電パターン５１，５２にかけての段状部に、導電性で板状の押さえ部材６１，６２が、それぞれ重ねた状態で半田付け接続される。押さえ部材６１，６２は、バスバーとも称され、上記段状部にうまく重なり合うよう形に屈曲されている。なお、押さえ部材６１，６２の板厚は例えば３００〜５００μｍ、導電パターン５１，５２の厚みは例えば３５〜５０μｍである。

この押さえ部材６１，６２の採用により、万一、脚部２１ａ，２１ｂのフランジの下面と導電パターン５１，５２との面接触部分に空気層や隙間が生じていても、電流検出用抵抗２１の取付けを強固にすることができる。しかも、脚部２１ａ，２１ｂのフランジは、下面側が導電パターン５１，５２に面接触し、上面側が押さえ部材６１，６２に面接触する。この両面接触により、電流検出用抵抗２１と導電パターン５１，５２との間の良好な導通状態を確保することができる。また、電流は、押さえ部材６１，６２からも流れるので、電流分散が計れ、導電パターン５１，５２における部分的な電流集中を避けることができる。また、両面接触によって半田付け面積が拡がるので、半田付け箇所の導体比抵抗が押さえ部材なしの場合に比べて１／１０程度に小さくなり、半田付け箇所の発熱量を大幅に低減することができる。この発熱量の低減により、半田付け接続が外れ難くなり、半田付け接続の信頼性が向上する。

また、図６に示すように、押さえ部材６２は、脚部２１ａ，２１ｂのフランジ（面接触部分）に重なる面の先端縁に、複数の切欠き６２ａを有している。これら切欠き６２ａを通して、脚部２１ａ，２１ｂのフランジと押さえ部材６２との間の半田Ｈの状態を目視することが可能であり、その目視により、半田付け接続の良否を容易に判断することができる。図示していないが、押さえ部材６１にも、同様に複数の切欠き６１ａが形成されている。

さらに、切欠き６１ａ，６２ａの部分を覆う状態に半田Ｈを追加することにより（いわゆる追い半田）、押さえ部材６１，６２の半田付け接続がさらに強固となり、半田による接続状態を上方から目視確認することも可能となる。この追い半田に際しては、切欠き６１ａ，６２ａの部分が段形状となっていることから、半田Ｈが浸み込み易くなるとともに、脚部２１ａ，２１ｂのフランジと導電パターン５１，５２との間の半田Ｈにおけるフラックスを素早く放出させることができる。これにより、半田付け接続の作業効率が大幅に向上する。

保護用抵抗２２の回路基板５０の導電パターン５１，５２への接続等の他の構成および作用は第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。

［３］第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態では、押さえ部材６１，６２が追加されることに加え、押さえ部材６１，６２の固定をさらに強固にするための構成が採用されている。この構成を図７および図８に示している。図８は、図７のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図である。

まず、回路基板５０の導電パターン５１，５２上に電流検出用抵抗２１の脚部２１ａ，２１ｂのフランジが面接触状態で載置されて半田付け接続され、導電パターン５１，５２に対する脚部２１ａ，２１ｂのフランジ（面接触部分）およびそのフランジから導電パターン５１，５２にかけての段状部に、押さえ部材６１，６２がそれぞれ重ねた状態で半田付け接続される。ここまでは第２の実施形態と同じである。

第２の実施形態と異なるのは、押さえ部材６１，６２の後端縁が回路基板５０側に屈折され、その屈折部が導電パターン５１，５２の挿通孔５１ｂ，５２ｂおよび回路基板５０の挿通孔５０ａ，５０ｂに挿入されて半田Ｈが流し込まれる点である。この構成により、押さえ部材６１，６２の固定が第２の実施形態の場合よりもさらに強固となる。

回路基板５０は、上面側に導電パターン５１，５２を有するほかに、下面側にも導電パターン５３，５４を有している。導電パターン５３，５４には上記挿通孔５０ａ，５０ｂと対応する位置に挿通孔５３ａ，５４ａが形成されており、挿通孔５１ｂ，５２ｂおよび挿通孔５０ａ，５０ｂに流し込まれた半田Ｈが導電パターン５３，５４の挿通孔５３ａ，５４ａにも流入する構成となっている。この流入により、電流検出用抵抗２１のフランジ２１ａ、導電パターン５１、押さえ部材６１、導電パターン５３が電気的に導通するとともに、電流検出用抵抗２１のフランジ２１ｂ、導電パターン５２、押さえ部材６２、導電パターン５４が電気的に導通する。とくに、回路基板５０の上面と下面にそれぞれ導電パターン５１，５２，５３，５４を設けていることで、電流は上面と下面を並行して流れるため、回路基板５０に流せる電流容量が増大し、モータ駆動用の大電流への対処が可能となる。すなわち、電流検出用抵抗２１のフランジ２１ａを流れる電流は、導電パターン５１、押さえ部材６１を並行して流れ、その後、導電パターン５１，５３を並行して流れる。一方、電流検出用抵抗２１のフランジ２１ｂを流れる電流は、導電パターン５２、押さえ部材６２を並行して流れ、その後、導電パターン５２，５４を並行して流れる。したがって、電流検出用抵抗２１の前後で回路基板５０の導電パターンを流れる電流は常に２つの電流経路を持つことになり、流れる電流が分散される。

保護用抵抗２２の回路基板５０の導電パターン５１，５２への接続等の他の構成および作用は第１および第２の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。

［４］なお、この発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。

各実施形態の構成を示すブロック図。 第１の実施形態における回路基板の具体的な構成を示す図。 図２のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図。 第２の実施形態における回路基板の具体的な構成を示す図。 図４のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図。 第２および第３の実施形態における抑え部材の要部の構成を示す図。 第３の実施形態における回路基板の具体的な構成を示す図。 図７のＡ−Ａ線に沿う断面を矢印方向に見た図。

符号の説明

１…商用交流電源、２…整流回路、３…制御用電源回路、１０…スイッチング回路、１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ，１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ…ＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）、２１…電流検出用抵抗、２２…保護用抵抗、３０…制御部、３１…Ａ／Ｄ変換器、３２…駆動信号生成部、３３…保護回路、４０…駆動回路、Ｍ…圧縮機モータ、Ｌｕ，Ｌｖ，Ｌｗ…相巻線

Claims (3)

1. 整流回路と、
   それぞれ２つのスイッチング素子を直列接続して前記整流回路の出力端に接続される複数の直列回路を有し、これら直列回路における各スイッチング素子の相互接続点がモータの各相巻線に接続されるスイッチング回路と、
   前記整流回路と前記スッチング回路との間の直流電圧供給ラインにおける負側ラインに設けられた電流検出用抵抗と、
   前記電流検出用抵抗に並列接続され、その電流検出用抵抗よりも大きな抵抗値を有する保護用抵抗と、
   前記電流検出用抵抗および前記保護用抵抗の並列回路に流れる電流を検出し、その検出電流に基づいて前記スイッチング回路を駆動するための信号を生成する制御回路と、
   前記電流検出用抵抗よりも前記整流回路側に接続され、前記制御回路で生成される信号に応じて前記スイッチング回路の各スイッチング素子をオン，オフ駆動する駆動回路と、
   を備え、
   前記電流検出用抵抗及び前記保護用抵抗は、回路基板の導電パターンに接続され、
   前記電流検出用抵抗は、前記回路基板の導電パターンに面接触して半田付け接続される面実装タイプのシャント抵抗であり、
   前記保護用抵抗は、前記回路基板の導電パターンにリードを介して半田付け接続されるセメント抵抗である、
   ことを特徴とするインバータ。
2. 前記導電パターンに対する前記電流検出用抵抗の面接触部分およびその面接触部分から前記導電パターンにかけての段状部に重ねて半田付け接続される導電性の押さえ部材、
   をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のインバータ。
3. 前記押さえ部材は、前記電流検出用抵抗の面接触部分に重なる面の縁に複数の切欠きを有する、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインバータ。

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