JP5342411B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- TFTのソース部と接続するソース電極の上に塗布型絶縁膜が形成され、前記塗布型絶縁膜の上方に画素電極が形成され、前記ソース電極と前記画素電極とがスルーホールを介して接続している液晶表示装置であって、
前記ソース電極は第1の金属の上に第2の金属が積層された構成であり、前記スルーホールにおいては、前記第2の金属は除去されて、前記画素電極と前記第1の金属が接続しており、
前記塗布型絶縁膜は前記スルーホールにおいて、前記第2の金属の端部の側部を覆っており、
前記塗布型絶縁膜はSi x O y N z によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1の金属は、Mo、W、Cr、Ti、あるいはこれらの合金によって形成され、前記第2の金属はAlまたはAl合金によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記塗布型絶縁膜はSiO 2 によって形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置。
- 第1の金属の上に第2の金属が積層された構成のソース電極がTFTと接続し、前記ソース電極を覆って塗布型絶縁膜が形成され、前記塗布型絶縁膜の上方に画素電極が形成され、前記画素電極がスルーホールにおいて前記ソース電極の前記第1の金属と接続した構成を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記ソース電極の上に前記塗布型絶縁膜を塗布し、仮焼成したあと、前記仮焼成した前記塗布型絶縁膜を露光し、現像して前記スルーホールを形成し、
前記塗布型絶縁膜を現像する際、前記スルーホールにおいて、前記ソース電極の前記第2の金属を同時にエッチングして除去し、
その後、前記塗布型絶縁膜を本焼成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 第1の金属の上に第2の金属が積層された構成のソース電極がTFTと接続し、前記ソース電極を覆って塗布型絶縁膜が形成され、前記塗布型絶縁膜の上方に画素電極が形成され、前記画素電極がスルーホールにおいて前記ソース電極の前記第1の金属と接続した構成を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記ソース電極の上に前記塗布型絶縁膜を塗布し、仮焼成したあと、前記仮焼成した前記塗布型絶縁膜を露光し、現像して前記スルーホールを形成し、
前記塗布型絶縁膜を現像する際、前記スルーホールにおいて、前記ソース電極の前記第2の金属を同時にエッチングして除去し、
その後、前記塗布型絶縁膜を第1の時間、第1の温度によって焼成して前記塗布型絶縁膜をリフローし、その後、前記塗布型絶縁膜を第2の時間、第2の温度によって焼成し、
前記第1の時間は前記第2の時間よりも短く、前記第2の温度は前記第1の温度よりも低いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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