JP5341769B2 - 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム - Google Patents

Description

本出願は、２００６年１２月６日に出願された、「方法、設計、欠陥レビュー・ツール、および欠陥レビュー・プロセスのシステマティック欠陥を位置決めするためのシステム」と題された米国仮出願番号６０／８６８,７６９についての優先権を主張する。それは、完全に説明されたかのように参照によって本出願に組み込まれる。

本発明は、一般に、欠陥レビューの間に検査されるべきウェーハ上の位置を決定するための、方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステムに関する。いくつかの実施形態は、その位置で行われた欠陥検査の結果が、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができるように、欠陥の座標を欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標に変換することを含むコンピュータ実装方法に関する。ここで、上記欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。

以下の記載および例は、この節でのそれらの包含により先行技術であるとは認められない。

集積回路（ＩＣ）設計は、コンピュータによる設計の自動化（ＥＡＤ）、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）、および他のＩＣ設計ソフトウェアのような方法またはシステムを使用して開発されることができる。そのような方法およびシステムは、ＩＣ設計からの回路パターン・データベースを生成するために使用されてもよい。回路パターン・データベースは、ＩＣの様々な層のための複数のレイアウトを表すデータを含んでいる。回路パターン・データベース中のデータは、複数のレチクル用レイアウトを決定するためには使用されてもよい。レチクルのレイアウトは、一般に、レチクル上のパターンに特徴を定義する複数の多角形を含んでいる。各レチクルは、ＩＣの様々な層のうちの１つを製造するために使用される。ＩＣの層は、例えば、半導体基板の結合パターン、ゲート誘電性パターン、ゲート電極パターン、レベル間の誘電体の接触パターン、および金属化層上の相互接続パターンを含むことができる。

本出願で一般に使用されるような用語「設計データ」は、物理設計から複雑なシミュレーションまたは単純幾何学およびブール演算まで派生したＩＣとデータの物理設計（レイアウト）を参照する。設計データは、レイアウト情報だけでなく、電気的な材料設計情報も同様に含むことができる。基本的に、設計データは、「デバイス」の生成で使用されるどのような設計情報をも含むことができる。

半導体デバイス設計は、ＩＣの製造の前に異なる手続きによって特定される。例えば、半導体デバイス設計は、全ての特徴が製造でリソグラフィの後に正確にプリントされるだろうということを特定するために、ソフトウェア・シミュレーションによってチェックされる。そのようなチェックは、一般に、設計ルールチェック（ＤＲＣ）、光学ルールチェック（ＯＲＣ）、およびより精巧なソフトウェアに基づいた検証アプローチのようなステップを含んでいる。検証アプローチは、特定の製造工場およびプロセスに調整されたプロセス・シミュレーションを含んでいる。物理設計検証ステップの出力は、設計で「ホット・スポット」としばしば呼ばれる、潜在的に多数の臨界点を特定するために使用することができる。

ロジックデバイスおよびメモリデバイスのような半導体デバイスの製造は、典型的には、半導体デバイスの様々な特徴および多数のレベルを形成するために多くの半導体製造プロセスを使用して、半導体ウェーハのような基板を処理することを含んでいる。例えば、リソグラフィは、半導体ウェーハ上に配置されたレチクルからレジストまでパターンを転送することを必要とする半導体製造プロセスである。半導体製造プロセスの追加の例は、化学機械研磨（ＣＭＰ）、エッチング、蒸着およびイオン注入を含んでいるが、制限はされない。多数の半導体デバイスは、単一の半導体ウェーハ上の配置で製造され、次に、個々の半導体デバイスへ分離されてもよい。

検査プロセスは、製造プロセス中のより高い歩留まり、およびこれによる高収益を促進するためにウェーハ上の欠陥を検出するために、半導体製造プロセス中に様々なステップで使用される。検査は、常にＩＣのような半導体デバイスを製造する重要な部分だった。しかし、半導体デバイスの寸法が小さくなるに従って、より小さな欠陥がデバイスを機能させなくするので、検査は、条件を満たしている半導体デバイスのうまくいった製造にとってさらに重要になる。例えば、半導体デバイスの寸法が縮小するに従って、比較的小さな欠陥さえ半導体デバイスに不要な異常を引き起こすかもしれないので、寸法を縮小させる欠陥の検出が必要になった。

欠陥の原因を修正し、これによって他のウェーハ上の欠陥の数を減らすことができるように、製造量の制御の他の重要な部分は、ウェーハ上の欠陥の原因を決定することである。しばしば、欠陥の原因の決定は、欠陥タイプ、およびサイズ、形、構成などのような欠陥の他の属性を特定することを含んでいる。検査は、典型的には、ウェーハ上の欠陥を検出すること、ならびにウェーハ上の位置、ウェーハ上の欠陥の数、およびときどき欠陥サイズのような欠陥に関する限られた情報の提供することだけなので、欠陥レビューは、検査結果から決定することができるものより個々の欠陥に関してより多くの情報を決定するためにしばしば使用される。例えば、欠陥レビュー・ツールは、ウェーハ上で検出された欠陥を再検討し、およびある方法で欠陥をさらに自動的にまたは手動で調べるために使用されてもよい。

欠陥レビューは、典型的には、高拡大光学系または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のいずれかを使用した、より高い解像度で、欠陥に関する追加情報を生成することを含んでいる。欠陥検査によって生成された欠陥のより高い解像度データは、プロフィール、粗さ、より正確なサイズ情報などのような欠陥の属性を決定するのによりふさわしい。欠陥分析も、電子散布Ｘ線分光学（ＥＤＳ）システムのようなシステムの使用によって行うことができる。そのような欠陥分析は、欠陥の構成のような情報を決定するために行うことができる。検査、レビュー、分析、またはそれらのいくつかの組合せによって決定された欠陥の属性は、欠陥タイプ（つまり、欠陥分類）および場合により欠陥の根本的原因を特定するために使用することができる。この情報は、その後、欠陥を縮小または除去する１つ以上の半導体製造プロセスの１つ以上のパラメータをモニタおよび変更することに使用することができる。

しかしながら、設計ルールが縮小するに従って、半導体製造プロセスは、プロセスの実行能力に対する限界に接近して作動するかもしれない。さらに、設計ルールが縮小するに従って、デバイスの電気的なパラメータに影響を及ぼすことができるより小さな欠陥は、より敏感な検査を推進する。それゆえ、設計ルールが縮小するに従って、検査によって検出された欠陥に関連して潜在的に生み出された集団が劇的に成長し、そして検査によってさらに検出された虚偽欠陥の集団も劇的に増加する。したがって、ますます多くの欠陥がウェーハ上で検出されるかもしれず、そして、欠陥を全て除去するためにプロセスを修正することは、困難で、高価になるだろう。そのように、デバイスおよび歩留まりの電気的なパラメータにどの欠陥が実際に効果を持つかを決めることは、プロセス制御方法に、大部分は他のものを無視する間に、それらの欠陥に集中することを可能にするだろう。さらに、より小さな設計ルールでは、失敗を引き起こすプロセスは、いくつかの場合に、システマティックな傾向があるであろう。すなわち、失敗を引き起こすプロセスは、設計内に何度も繰り返され、しばしば前もって定義された設計パターンで失敗する傾向がある。空間にシステマティックで、電気的に適切な欠陥の除去は、そのような欠陥の除去が歩留まりに重要な全面的な影響を及ぼすかもしれないので、重要である。

従って、設計中および／またはレチクル上の欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができるように、欠陥レビューの結果が、欠陥レビューの間にウェーハ上の位置を決めるための方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステムを開発することは、好都合であるかもしれない。

方法の様々な実施形態、担持媒体、およびシステムの以下の記載は、追加された請求項の主題を制限するものとして決して解釈することができない。

１つの実施形態は、コンピュータによって実行される、欠陥レビューの間に検査されるべきウェーハ上の位置を決定する方法に関する。本方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることを含んでいる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。本方法は、欠陥がウェーハ上にシステマティックな欠陥を引き起こすかどうかを決定するために、その位置で行われた欠陥検査の結果を使用することができるように欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標をさらに決定することを含んでいる。

１つの実施形態では、欠陥は、設計中の欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含み、２つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含んでいる。

１つの実施形態では、座標の単一セットとして検査されるべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、位置の座標を使用する欠陥レビューのためのレシピおよびウェーハのための設計を作成することを含んでいる。そのような１つの実施形態では、レシピの作成は、ウェーハのイメージングまたはウェーハ上の欠陥なしで、オフ・ラインで行われる。

いくつかの実施形態では、本方法は、ウェーハの検査によってウェーハ上で検出されたシステマティックな欠陥が、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関連づけられるかどうかを決定することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを作成することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、位置の座標で欠陥レビューの間に得られたイメージをウェーハのための設計と比較することにより、欠陥レビューの間にウェーハ上の位置を特定することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、ウェーハのための設計に基づいて自動欠陥位置決めのための全ての利用可能な方法から欠陥レビューの間に行われるべき自動欠陥位置決めのための方法を選択することを含んでいる。追加実施形態では、本方法は、位置の座標で欠陥レビューの間に得られたイメージを、ウェーハのための設計、およびウェーハ上で行われたプロセスの１つ以上のパラメータの異なる値でウェーハ上に設計がどのようにプリントされるか示すシミュレートされたイメージと比較することにより、欠陥レビューの間にウェーハ上の位置を特定することを含んでいる。そのような１つの実施形態では、本方法は、比較ステップの結果に基づいたプロセスに関する情報を決定することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間に、ウェーハ上の追加位置がその位置での欠陥検査の結果およびその位置に隣接したウェーハのための設計に基づいてレビューされるかどうかを決定することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間に、追加操作がウェーハ上の位置で欠陥検査の結果およびウェーハのための設計に基づいて行われるかどうかを決定することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、ウェーハの検査結果を得ること、および欠陥レビューの間にレビューのための検査結果からウェーハの検査によって検出された欠陥をランダムに選択することを含んでいる。ウェーハ上の位置は、システマティックな欠陥サンプルを構成し、ランダム選択欠陥は、ランダム・サンプルを構成する。システマティックな欠陥サンプルおよびランダム・サンプルのための欠陥検査は、同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる。

そのような１つの実施形態では、欠陥検査に先立って、ウェーハの検査によって検出された１つ以上の欠陥がシステマティックな欠陥であることを検査の結果の分析が示す場合、本方法は、システマティックな欠陥サンプルに１つ以上の欠陥を加えることを含み、そして、１つ以上の欠陥がランダム・サンプルに含まれている場合、ランダム・サンプルから１つ以上の欠陥を取り除くことを含んでいる。他のそのような実施形態では、本方法は、システマティックな欠陥サンプルおよびランダム・サンプルの欠陥検査の結果を示すパレート図を生成することを含んでいる。そのような追加実施形態では、本方法は、設計に基づいたビニングを使用して、欠陥レビューによってシステマティックな欠陥であると特定されたランダム・サンプルの欠陥を分類することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、ウェーハ上のシステマティックな欠陥の位置を決定するために欠陥レビューの結果を使用すること、およびシステマティックな欠陥を見つけることができるウェーハ上の追加位置を決定するためにウェーハのための設計を使用することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、見つけられた欠陥をウェーハのための設計と比較することにより欠陥レビューの間に見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および欠陥レビューの間に見つけられた欠陥の寸法を設計の寸法と比較することにより欠陥レビューの間に見つけられた欠陥のための歩留まりインパクトを決定するために、欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、欠陥レビューの結果に基づいて２つ以上の検査システムの少なくとも１つの１つ以上のパラメータを変更することを含んでいる。他の実施形態では、本方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を、システマティックな欠陥のためのデータベースに記憶することを含んでいる。

１つの実施形態では、本方法は、テスト対象のための設計を生成するために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。設計は、ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含んでいる。他の実施形態では、本方法は、システマティックな欠陥のためにモニタされるように構成されたテスト構造の設計を生成するために、および設計に製品ウェーハ上にプリントされる設計を加えるために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。追加実施形態では、本方法は、製品ウェーハを備えたモニタ・ウェーハの処理の後にシステマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を生成するために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。設計は、製品ウェーハの最終設計および最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の変形例を含んでいる。

上記の方法の各実施形態の各ステップは、本出願にさらに記載されるように、さらに行うことができる。加えて、上記の方法の各実施形態は、本出願に記載されたその他の方法（群）のその他のステップ（群）も含むことができる。さらに、上記の方法の各実施形態は、本出願に記載されたシステムのいずれかによって行うことができる。

他の実施形態は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法をコンピュータによって実行するためのコンピュータ・システム上で実行可能なプログラム命令を含んでいる担持媒体に関する。コンピュータ実装方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることを含んでいる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。本方法は、また、位置で行われた欠陥検査の結果が、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができるように、欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。

上記の担持媒体は、本出願に記載されるように、さらに構成されてもよい。コンピュータ実装方法のステップは、本出願にさらに記載されるように実行されることができる。加えて、プログラム命令が実行可能なコンピュータ実装方法は、本出願に記載されたその他の方法（群）のその他のステップ（群）も含むことができる。

追加実施形態は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムに関する。システムは、欠陥を検出するように構成された２つ以上の検査システムを含んでいる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。システムは、また、コンピュータ・システムが２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることができるように、２つ以上の検査システムに接続されたコンピュータ・システムを含んでいる。コンピュータ・システムは、位置で行われた欠陥検査の結果が、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができるように、欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定するように構成される。上記のシステムの実施形態は、本出願にさらに記載されるように構成されてもよい。

本発明のさらなる利点は、好ましい実施形態の以下の詳細な記載の利益を持って、および添付の図面への参照によって、当業者に明らかになるだろう。
欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法の１つの実施形態を示すフローチャートである。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムの１つの実施形態、および欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するためのコンピュータ実装方法の実施形態に含まれてもよいステップの実施形態を示すブロック図である。 本出願に記載された実施形態が特に有用であるための適用を示す概念図である。 本出願に記載された実施形態が特に有用であるための適用を示す概念図である。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムの１つの実施形態、および欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法の１つの実施形態を示すブロック図である。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムの１つの実施形態、および欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法の実施形態に含まれていてもよいステップの１つの実施形態を示すブロック図である。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法の実施形態に含まれていてもよいステップの１つの実施形態を示すフローチャートである。 本出願に記載された実施形態によって生成されてもよい出力の様々な実施形態の例を示す概略図である。 本出願に記載された実施形態によって生成されてもよい図表の実施形態の例を含んでいる。 本出願に記載された実施形態によって生成されてもよいウェーハ・マップの実施形態の例を含んでいる。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法の実施形態に含まれていてもよいステップの１つの実施形態を示す概略図である。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法を行うためのコンピュータ・システム上で実行可能なプログラム命令を含む担持媒体の１つの実施形態を示すブロック図である。 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムの１つの実施形態を示すブロック図である。

本発明は、種々の変更形態および代替形態の余地があるが、その特定の実施形態は例として図面に示され、本出願で詳細に説明されるだろう。図面は、目盛り通りでないかもしれない。しかしながら、本出願の図面および詳細な説明は、開示される特定の形態に本発明を限定するものではなく、逆に、添付の請求項によって定義されるような本発明の精神および範囲内に入る全ての修正形態、均等物、代替形態を範囲に含むことを意図していることを理解すべきである。

本出願で使用されるように、用語「ウェーハ」は、一般に、半導体または非半導体から作られた基板を意味する。そのような半導体または非半導体の例は、単結晶シリコン、ガリウム砒素、およびインジウム燐化物を含んでいるが、制限されるものではない。そのような基板は、半導体製造設備の中で一般に見出されおよび／または処理されてもよい。

ウェーハは、基板上に形成された１つ以上の層を含むことができる。例えば、そのような層は、レジスト、誘電体、導体材料、および半導体材料を含むことができるが、制限されるものではない。様々なタイプのそのような層は、当技術分野で周知であり、本出願で使用されるような用語ウェーハは、全てのタイプのそのような層を含むウェーハを包含するように意図されている。

ウェーハ上に形成された１つ以上の層は、パターン化されても、またはパターン化されなくてもよい。例えば、ウェーハは、各ダイが反復可能にパターン化された特徴を持つ複数のダイを含むことができる。材料のそのような層の構成および処理は、結局は完成デバイスに結果するだろう。集積回路（ＩＣｓ）のような様々に異なるタイプのデバイスは、ウェーハ上で形成されてもよく、本出願に使用されるような用語ウェーハは、当技術分野で周知の任意のタイプのデバイスが製造されるウェーハを包含するように意図される。

用語「レチクル」および「マスク」は、本出願において交換可能に使用される。レチクルは、一般に、ガラス、硼珪酸ガラス、およびそれらの上に形成された不透明材料のパターン化された部位を持つ石英ガラスのような透明基板を含んでいる。不透明な部位は、透明基板にエッチングされた部位と取り替えられてもよい。様々に異なるタイプのレチクルが当技術分野で周知であり、本出願で使用されるような用語レチクルは、レチクルの全てのタイプを包含するように意図されている。

本出願で使用されるような用語「設計」は、一般に、ＩＣの物理設計（レイアウト）、および複雑なシミュレーションまたは単純幾何学およびブール演算を通じて物理設計から派生したデータを指す。設計は、レイアウト情報だけでなく、電気的および材料的な設計情報も同様に含むことができる。基本的に、設計は、「デバイス」の生成で使用されるいずれの設計情報も含むことができる。加えて、レチクル検査システムによって得られるレチクルのイメージおよび／またはその派生物は、設計の「代理」または「代理群」として使用することができる。そのようなレチクル・イメージまたはその派生物は、設計を使用する本出願に記載された任意の実施形態中の設計レイアウトの代わりとして役立つことができる。設計は、他の設計データ、またはＫｕｌｋａｒｎｉ他によって共有される米国特許出願シリアル番号１１／５６１,７３５の、２００７年７月５日に公表された米国特許出願公報２００７／０１５６３７９、およびＺａｆａｒ他による米国特許出願シリアル番号１１／５６１，６５９に記載されていた設計データ代理も含むことができる。両者は、２００６年１１月２０日に出願され、あたかも完全に開示されたかのように参照によって本出願に組み込まれる。

いま、図に戻ると、図が目盛り通りに描かれていないことには留意すべきである。特に、図の要素のうちのいくつかの目盛りは、要素の特性を強調するために、非常に誇張される。図が同じ目盛りに描かれないことにも留意すべきである。２つ以上の図の中で示される同様に構成されていてもよい要素は、同じ参照番号を使用して示されている。

１つの実施形態は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法に関する。本方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることを含んでいる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。欠陥の座標を得ることは、２つ以上の検査システムまたは欠陥の座標を収容するデータ構造（群）を記憶した２つ以上の検査システムがある他のシステム（群）から、座標または座標を収容しているファイル（群）のようなデータ構造（群）を要求することを含むことができる。欠陥の座標を得ることは、同様にまたは二者択一に、座標またはデータ構造（群）が（例えば、検査システムによって）記憶された１つ以上の記憶媒体から、座標または座標を含んでいるファイル（群）のようなデータ構造（群）を検索することを含むことができる。１つ以上の記憶媒体は、２つ以上の検査システムの独立した記憶媒体、または２つ以上の検査システム（例えば、１つ以上の製造データベース）に接続された１つ以上の他の記憶媒体を含むことができる。

このように、コンピュータ実装方法を実行するように構成されたシステムは、システムが欠陥の座標を得ることができるような方法で、２つ以上の検査システム、他のシステム（群）、または１つ以上の記憶媒体に接続されていてもよい。コンピュータ実装方法を行うように構成されたシステムは、任意の適切な方法で（例えば、システムが欠陥の座標を受け取ることができるデータ・リンク（群）として役立つ１つ以上の伝送媒体によって）、２つ以上の検査システムに接続されていてもよい。それゆえ、本出願にさらに記載されるように、様々な検査システムの固有値および検査システムの出力は、検査システムの接続性の拡張によりシステマティック欠陥検査まで延長されてもよい、

１つの実施形態では、欠陥は、設計の欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含んでおり、２つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含んでいる。そのように、２つ以上の検査システムは、ウェーハ上のシステマティック欠陥を生成するかもしれない欠陥を検出するように構成される検査システムを含んでいる。それゆえ、本出願に記載された実施形態は、（レチクル、設計およびリソグラフィ検査システムのような）システマティック欠陥検査システムに対する接続性を持つことができる。このように、製造プロセスでの種々のフェーズ中で、異なる検査システムは、システマティック欠陥の異なる潜在的な原因を検出するために使用されてもよいし、異なる検査システムの結果は、システマティック欠陥が位置しているかもしれないウェーハ上の位置を決定するように組み合わせられる。

特に、設計フェーズでは、光近接効果補正（ＯＰＣ）特徴のような分解能向上技術（ＲＥＴ）特徴は、設計に加えられてもよく、設計検査システムは、「飾り立てた」設計を検査するために使用されてもよい。設計検査システムの出力は、例えば、ホット・スポットおよび設計欠陥を含むことができる。例えば、図１に示されるように、設計検査システム１０は、ＯＰＣ特徴のようなＲＥＴ特徴を含むかもしれない設計１２を検査するように構成されてもよい。設計１２は、当技術分野で周知であるどのような適切なフォーマットを持っていてもよい。例えば、設計は、グラフィカル・データ・ストリーム（ＧＤＳ）ファイル、その他の標準機械読み取り可能ファイル、当技術分野で周知のその他の適切なファイル、または設計データベースに記憶されてもよい。本出願で使用される用語「ＧＤＳ」は、一般に、幾何学的設計レイアウト情報を参照し、そのデータの任意の表現であることができる。そのような表現は、一般に、ＧＤＳＩＩまたはＯＡＳＩＳフォーマットのいずれかにあるだろうが、その他の適切な表現と二者択一的であってもよい。例えば、ＧＤＳＩＩファイルは、設計レイアウト情報の表現に使用されたファイルのクラスのうちの１つである。そのようなファイルの他の例は、ＧＬ１およびＯＡＳＩＳファイルを含んでいる。そのような全ての表現は、ＧＤＳおよびＧＤＳＩＩに関して本出願に記載されるような実施形態において使用されてもよい。

設計検査システムは、当技術分野で周知のどのような適切な設計検査システムも含むことができる。設計検査のための方法およびシステムの例は、２００４年１２月３日に出願され、Ｈｅｓｓ他により共有され、２００６年３月９日に米国特許出願発行番号２００６／００５１６８２として公開された米国特許出願シリアル番号１１／００３,２９１において、２００５年１月３１日に出願され、ＳａＩｄＩｎ他により共有され、２００６年１０月１９日に米国特許出願発行番号２００６／０２３６２９４として公開された米国特許出願シリアル番号１１／０４８,６３０において、および２００５年９月１４日に出願され、Ｖｅｒｍａ他により共有され、２００６年３月２３日に米国特許出願発行番号２００６／００６２４４５として公開された米国特許出願シリアル番号１１／２２６,６９８に例示されている。これらは、あたかも本出願で完全に記載されているかのように、それらの全ては参照によって組み込まれる。本出願に記載された実施形態は、これらの特許出願に記載されていたいずれの方法のどのようなステップも行うように、含んでいるか、または構成されることができる。設計検査システム１０によって行われた設計検査の結果１４は、ホット・スポット、設計欠陥、および当技術分野で周知の設計検査の他の結果を含むことができる。

マスク製造フェーズの間に、マスク検査システムは、製造されたマスクを検査するために使用することができる。マスク検査システムの出力は、レチクル欠陥およびレチクル汚染を含むことができる。例えば、図１に示されるように、マスク検査システム１６は、マスク製造１８によって製造されたマスク上の欠陥を検出するように構成されてもよい。マスク製造は、当技術分野で周知のいずれの適切なマスク製造プロセスを含むことができる。マスク検査システムは、どのような適切なマスク検査システムも含むことができる。例えば、マスク検査システムは、ＳＴＡＲｌＩｇｈｔ、ＳＴＡＲｌＩｇｈｔ―２、およびカリフォルニア州サンノゼのＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能なＴｅｒａＳｃａｎシステムのような、商業的に利用可能な検査システムであることができる。マスク検査システムの追加例は、Ｓｔｏｋｏｗｓｋｉ他に共有された米国特許番号７,０２７,１４３、およびＳｔｏｋｏｗｓｋｉ他に共有された米国特許番号７,１２３,３５６、ならびに２００３年１０月６日に出願され、Ｓｔｏｋｏｗｓｋｉ他に共有された米国特許出願番号１０／６７９,６７１に記載されている。それらの全ては、本出願にあたかも完全に記載されているかのように参照によって組み込まれる。マスク検査システム１６は、これらの特許およびこの特許出願の中で記載されるように構成されてもよい。マスク検査システムによって生成された結果２０は、マスク欠陥およびマスク汚染を含むことができるが、制限されるものではない。

写真かリソグラフィ・プロセス・ウィンドウ特性解析フェーズの間に、プロセス・ウィンドウ資格（ＰＷＱ）検査システムは、製造されたマスクに使用することができるプロセス・ウィンドウを特徴づけるために使用されてもよい。ＰＷＱシステムの出力は、リソグラフィ・ホット・スポットを含むことができる。例えば、図１に示されるように、ＰＷＱ検査システム２２は、製造されたマスクを使用する写真プロセス・ウィンドウ特性解析２４を行うように構成されてもよい。ＰＷＱ検査システムは、Ｐｅｔｅｒｓｏｎ他に共有される米国特許番号６,９０２,８５５、ならびに、２００３年７月１５日にＰｅｔｅｒｓｏｎ他により出願され共有される米国特許出願シリアル番号１０／６１９,９４３（２００４年５月１３日に米国特許出願公報２００４／００９１１４２として公開された）、２００４年１２月７日にＷｕ他により出願され共有される米国特許出願シリアル番号１１／００５,６５８、（２００６年１２月２８日に米国特許出願公報２００６／０２９１７１４として公開された）Ｋｅｋａｒｅ他により２００５年１２月２０日に出願され共有される米国特許出願シリアル番号１１／３１４,８１３（２００７年２月１５日に米国特許出願公報２００７／００３５７２８として公開された）、およびＰｅｔｅｒｓｏｎ他による２００７年５月９日に出願され共有される米国特許出願シリアル番号６０／９１６,９１５に記載されるように、ＰＷＱまたは写真プロセス・ウィンドウ特性解析を行うように構成されてもよい。それらの全ては、あたかも完全に本出願に記載されたかのように、参照によって組み込まれる。本出願に記載された実施形態は、この特許およびこれらの特許出願に記載されていた任意の方法（群）のどのようなステップ（群）も含んでいるか、または行うように構成されてもよい。ＰＷＱ検査システム２２によって生成された結果２６は、リソ・ホット・スポットを含むことができる。

コンピュータ実装方法は、また、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができる位置で行われた欠陥レビューの結果のような、欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューすべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。レビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することは、レチクル欠陥座標、設計欠陥座標、写真（リソグラフィ）欠陥座標、またはそれらのいくつかの組合せを、レビューのためのウェーハ座標に変換することを含むことができる。例えば、図１に示されるように、結果１４、２０、および２６は、システマティック欠陥ための個別欠陥検査（ＤＤＲ）２８の間にレビューされるべき位置の座標を決定するために併用して使用されてもよい。より具体的には、本方法は、結果１４のホット・スポットおよび設計欠陥の座標、結果２０のマスク欠陥およびマスク汚染の座標、ならびに結果２６のリソ・ホット・スポットの座標を、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標に変換することを含むことができる。このように、本方法は、ウェーハ空間以外の空間で決定された座標を、ウェーハ空間の座標に変換することを含むことができる。加えて、座標の変換は、２つ以上の検査システムによって報告された座標を、欠陥レビュー・システムによって使用可能なフォーマットでの座標に変換することを含むことができる。そのような座標の変換は、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他、およびＺａｆａｒ他による上記特許出願に記載されているようにさらに行うことができる。

１つの実施形態では、座標の決定は、座標の単一セットとしてレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。例えば、座標の決定は、（例えば、結果１４、２０および２６における）欠陥座標のいくつかの原因を、欠陥レビューのためのサンプルを構成するだろう欠陥座標３０の１つの単一原因に組み合わせることを含むことができる。座標の決定は、欠陥座標を欠陥座標の１つの単一原因に組み合わせるために、原因によって生成された１つのファイルまたは多数のファイルを使用することを含むことができる。組み合わせられる欠陥座標の多数の原因は、例えば、設計検査、レチクル検査、およびＰＷＱ検査からの出力を含むことができる。方法は、ユーザが欠陥座標の原因を選択することができるように、さらに柔軟性があってもよい。

それゆえ、本出願に記載された実施形態は、システマティック欠陥のためにレビューされるべきウェーハ上の位置のサンプルを生成するために使用することができる。例えば、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標は、本出願に記載されるように、位置で行われた欠陥レビューの結果が、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用することができるように決定される。それゆえ、本出願に記載されるように決定された欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標は、システマティック（または潜在的システマティック）欠陥サンプルを構成してもよい。したがって、図１に示されるように、ＤＤＲ２８は、設計検査システム、マスク検査システム、およびＰＷＱ検査システムの２以上の出力の組合せを使用して行うことができる。

本出願に記載された実施形態は、それゆえ、実質的にシステマティック欠陥のためのそれらの位置を基本的にレビューするために、ウェーハ上の離散位置で欠陥検査を行うための欠陥レビュー・システムを使用する。加えて、ウェーハ上のそれらの離散位置は、ウェーハの検査によってウェーハ上で欠陥が検出されたかどうかにかかわらず、欠陥レビュー・システムを使用して検査されてもよい。代わりに、本出願にさらに記載されるように、それらの位置は、設計および／またはレチクル中で潜在的システマティック欠陥を引き起こすメカニズムが、ウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こしたかどうかを決定するために、欠陥レビュー・システムによって検査される。そのように、本出願に記載された実施形態では、欠陥レビュー・ツールは、本出願に記載されたイン・ライン・モニタリングおよび他の出願ためのウェーハの個別の検査に実質的に使用されてもよい。本出願に記載された実施形態に対して、欠陥レビュー・ツールの処理能力が検査ツールより実質的に低いので、検査目的に現在使用されない。これにより、欠陥レビュー・ツールを使用する検査を、特にイン・ライン・モニタリングのために高度に不利にしている。しかしながら、本出願にさらに記載されるように、ウェーハ上の離散位置は、システマティック欠陥が、本出願に記載された実施形態中のウェーハ上で存在するかどうかを決定するために、欠陥レビュー・ツールを使用して検査される。これにより、欠陥レビュー・ツールによって検査されるウェーハ上の領域を縮小し、検査目的のための欠陥レビュー・ツールを使用する処理能力の懸念を実質的に除去する。

システマティック欠陥のためのＤＤＲ２８の間に検査されるべき位置の座標は、図１に示される欠陥レビュー・システム３２に提供されてもよい。例えば、コンピュータ実装方法を行うように構成されたシステムは、システムがＤＤＲの間にレビューされるべき位置の座標を欠陥レビュー・システムに送ることができるように、欠陥レビュー・システムに結合または接続されていてもよい。本出願に記載された１つ以上の実施形態を行うように構成されたシステムは、（例えば、１つ以上のレチクル検査システム、１つ以上の設計検査システム、１つ以上のＰＷＱ検査システム、本出願で記載された１つ以上の他のシステムなどの）全ての適切なシステムに接続するために使用することができるどのような適切なアーキテクチャをも含むことができる。例えば、本出願に記載された１つ以上の実施形態を行うように構成されたシステムは、コンピュータ・システムがシステムのいずれかからも出力を受け取ることができ、システムのいずれにも出力を送ることができるように、本出願に記載されたように、上記システムと検査システムとを接続する「スタンド・アロン」コンピュータ・システムを含むことができる。このように、本出願に記載された１つ以上の実施形態を行うように構成されたシステムは、図１に示される欠陥レビュー・システムのような検査システムによって、１つ以上の原因（例えば、レチクル欠陥座標、設計欠陥座標、写真欠陥座標またはそれらのいくつかの組合せ）から座標をレビューのためのウェーハ座標に変換するために、上記のもののようなシステマティック欠陥レビュー・システムに対して接続を持つように構成されてもよい。他の例では、コンピュータ実装方法を行うように構成されたシステムは、欠陥レビュー・システムかもしれない。欠陥レビュー・システム３２は、（例えば、本出願に記載された機能性を加える適切な修正を備えた）ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能なｅＤＲ-５ｘｘｘシステムのような当技術分野で周知のどのような適切な欠陥レビュー・システムも含むことができる。欠陥レビュー・システム３２は、また、電子線イメージングおよび／または光学イメージング、ならびに本出願に記載された他の欠陥レビューおよび／または分析機能を行うように構成されてもよい。そのようなシステムは、本出願に記載されるように、さらに構成されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、それゆえ、システマティック欠陥レビューのためのウェーハ上の位置を決定することを有利に含んでいる。このように、本方法は、システマティック欠陥レビュー・サンプルを有効に作成する。例えば、本出願にさらに記載されるように、本出願に記載された実施形態は、システマティック欠陥のためのＤＤＲのためのウェーハ上の位置を決定することを含んでいる。しかしながら、本出願に記載された実施形態は、さらにシステマティック欠陥レビューおよびランダム欠陥レビューの両方のためにウェーハ上の位置を決定することを有利に含むことができる。加えて、本出願に記載された、いくつかの実施形態は、システマティックおよびランダム欠陥レビューを行うことを含むことができる。

例えば、１つの実施形態では、本方法は、ウェーハの検査の結果を得ること、および欠陥レビューの間にレビューのための検査の結果からウェーハの検査によって検出された欠陥を選択することを含んでいる。座標が上記のように決定されるためのウェーハ上の位置はシステマティック欠陥サンプルを構成し、ランダム選択欠陥はランダム・サンプルおよびシステマティック欠陥サンプルのための欠陥レビューを構成し、ならびにランダム・サンプルは同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる。例えば、エッチング、蒸着、化学機械研磨（ＣＭＰ）などのウェーハ処理を含むことができるウェーハ処理フェーズの間に、ウェーハ検査システムは、処理されたウェーハを検査するために使用されてもよい。ウェーハ検査システムの出力は、プロセス欠陥に関する情報（例えば、処理されたウェーハ上で検出された欠陥に関する情報）を含むことができる。

特に、図１に示されるように、ウェーハ検査システム３４は、ウェーハ処理３６の後に、ウェーハを検査するために使用されてもよい。それは、上記のウェーハ処理のいずれかを含むことができる。ウェーハ検査システムは、２３ｘｘシリーズ・ツール、２８ｘｘシリーズ・ツール、ＡｌＴツール、ピューマ９０００シリーズ・ツール、およびプーマ９１ｘｘシリーズ・ツールのような当技術分野で周知であるいずれかの適切なウェーハ検査システムも含むことができる。これらは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能である。ウェーハ検査システムによって生成された結果３８は、プロセス欠陥、またはウェーハ処理によって引き起こされる欠陥を含むことができる。本方法は、結果３８を得、欠陥レビューの間にレビューのために結果３８からのランダムに欠陥を選択することを含むことができる。結果３８は、本出願に記載されるように得られてもよく、欠陥は、いずれかの適切な方法で結果３８からランダムに選択されてもよい。結果３８からランダムに選択された欠陥は、図１に示されるように、電子線レビューおよび分類（ＥＢＲＣ）４０によってレビューされてもよい。それは、欠陥レビュー・システム３２によって行うことができる。このように、ウェーハ検査システムによって検出されたプロセス欠陥は、ＥＢＲＣシステムのようなレビュー・システムによってレビューされてもよい。しかしながら、同じ欠陥レビュー・システムは、システマティック欠陥または潜在的システマティック欠陥のＤＤＲ、およびランダム欠陥サンプルのためのＥＢＲＣの両方を行うために使用されてもよい。そのような欠陥レビュー・システムは、本出願に記載されるように、さらに構成されてもよい。

１つの実施形態では、欠陥レビューに先立って、ウェーハの検査結果の分析が、ウェーハの検査によって検出された１つ以上の欠陥がシステマティック欠陥であることを示す場合、本方法は、システマティック欠陥サンプルに１つ以上の欠陥を加えること、およびランダム・サンプルに１つ以上の欠陥が含まれているならば、ランダム・サンプルから１つ以上の欠陥を取り除くことを含んでいる。例えば、ウェーハの検査の結果の分析は、設計ベース・ビニング（ＤＢＢ）４２を含むことができる。それは、ウェーハ検査システム、本出願に記載されたコンピュータ実装方法の実施形態を行うように構成されたシステム、他のスタンド・アロンのコンピュータ・システム、欠陥レビュー・システム、またはその他の適切なシステムによって行うことができる。ＤＢＢは、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他、およびＺａｆａｒ他による上記で参照された特許出願で記載されるように行うことができる。ＤＢＢは、ウェーハ検査結果を使用して、ウェーハ上のシステマティック欠陥または潜在的システマティック欠陥であるプロセス欠陥を特定するために使用されてもよい。

それゆえ、ＤＢＢが、ウェーハの検査によって検出された欠陥がシステマティック欠陥であるか潜在的システマティック欠陥であるかを決める場合、それらの欠陥は、システマティック欠陥サンプルに加えられてもよい（例えば、ＤＤＲ２８が行われる欠陥座標３０が単一の原因に含まれるように、結果１４、２０および２６に含まれていた座標から変換されたウェーハ上の座標を備えた、それらの欠陥の座標を組み合わせることによって）。ＤＢＢによってシステマティック欠陥または潜在的システマティック欠陥であるとして特定されたウェーハ上の欠陥が、結果１４、２０および２６から変換された座標に既に含まれているウェーハ上の座標を持つ場合、それらの座標に対応するウェーハ上の位置がシステマティック欠陥のために一度だけレビューされるように、欠陥座標の単一の原因は、それらの座標のただ１つのインスタンスを含むことができる。ＤＢＢによってシステマティック欠陥または潜在的システマティック欠陥であるとして特定されたウェーハ上の欠陥が、欠陥レビューのためにランダムに選択された欠陥サンプルに含まれている場合、それらの欠陥は、ＥＢＲＣ中に欠陥がレビューされないように、ランダム欠陥サンプルから取り除かれてもよい。このように、欠陥または潜在的欠陥の位置は、ＤＤＲおよびＥＢＲＣの両方の間に２度レビューされることはないだろう。ＤＢＢは、また、リソグラフィ・ホット・スポットを特定するために、および／または、ＰＷＱ検査システムによって生成された結果２６のリソグラフィ・ホット・スポットを変更する（例えば、修正する）ために、ウェーハ検査システムと組み合わせて使用されてもよい。

図２に示されるような他の実施形態では、本方法は、レビュー・ツール４６が多くの他の異なるシステムに接続されてもよいように、本出願に記載された実施形態を行うように構成されたシステムにおけるステップ４４に接続することを含んでいる。例えば、システムが他のシステムから１つ以上のユーザ定義パラメータ４８を受け取ることができるように、レビュー・ツール（ｅＤＲ−５ｘｘｘシステムを含むことができる）は、他のシステムに接続されてもよい。１つ以上のユーザ定義パラメータが受け取られるシステムは、例えば、スタンド・アロン・コンピュータ・システムであってもよい。１つ以上のユーザ定義パラメータは、例えば、ウェーハ上で行われる欠陥レビューのパラメータを含むことができる。加えて、レビュー・ツールは、プロセス検査システム５０に連結されてもよい。それは、エッチング、蒸着、およびＣＭＰのようなプロセスがウェーハ上で行われた後に、ウェーハを検査するように構成される。プロセス検査システムまたはウェーハ検査システムは、本出願に記載されるように、さらに構成されてもよい。レビュー・ツールは、またエッジ検査システム５２に連結されてもよい。それは、ウェーハのエッジを検査するように構成された当技術分野で周知であるどのような適切なエッジ検査システムも含むことができる。レビュー・ツールは、設計検査システム５４、リソグラフィ関連検査を行うように構成されたシステム（図２に示されない）、ＰＷＱ検査システム（図２に示されない）、または設計もしくはレチクル上のリソグラフィ関連欠陥を検出するように構成された他のシステムにさらに連結されてもよい。これらのシステムは、本出願に記載されるように、さらに構成されてもよい。さらに、レビュー・ツールは、レチクル検査システム５６に接続されてもよい。それは、本出願に記載されるように構成されてもよい。さらにまた、レビュー・ツールは、ウェーハ検査システム５８に接続されてもよい。それは、本出願に記載されるように構成されてもよい。レビュー・ツールによって得られたウェーハ検査システムの出力は、ＫＬＡＲＦファイルのような任意の適切なフォーマットで得られてもよい。加えて、レビュー・ツールは、その他の適切なシステムに接続されてもよい。

レビュー・ツールは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能なような、閉じたフォーマット技術を使用する、これらの他のシステムの各々に接続されてもよい。レビュー・ツールは、レビュー・ツールがレビュー・ツールによって生成された出力を１つ以上の他のシステムに送ることができ、１つ以上の他のシステムから出力を受け取ることができるように、これらの他のシステムのそれぞれに接続されてもよい。レビュー・ツールは、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために、その位置で行われた欠陥検査の結果を使用することができるように、欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定するために、他のシステムから得られた出力を使用してもよい。レビュー・ツールは、本出願に記載された実施形態のいずれかに従って位置の座標を決定するように構成されてもよい。

図２に示されるように、本方法は、検出アルゴリズム開発６０を含むことができる。検出アルゴリズム開発は、ウェーハ上の欠陥を検出するために、または他のシステムまたは方法によりウェーハ上、レチクル上、または設計中の欠陥を検出するために、本出願に記載された実施形態で使用することができる１つ以上のアルゴリズムを開発することを含むことができる。そのような検出アルゴリズムは、１つ以上のダイ対ダイ検出アルゴリズム、パッチ・イメージ対ダイ検出アルゴリズム、ダイ対参照イメージ検出アルゴリズム、参照無し欠陥検出方法、およびダイ対データベース検出アルゴリズムを含むことができる。ダイ対ダイ検出アルゴリズムは、ウェーハ上の欠陥を検出のために使用されてもよい。パッチ・ダイ・イメージ検出アルゴリズムは、ウェーハのエッジ上、設計中、またはレチクル上の欠陥を検出するために、エッジ検査システム、設計検査システム、ＰＷＱ検査システム、またはレチクル検査システムによって使用されてもよい。可視パターン無しのウェーハ位置のために、参照無し欠陥検出方法が使用されてもよい。加えて、ダイ対参照イメージ検出アルゴリズム、およびダイ対データベース検出アルゴリズムは、本出願に記載された欠陥のいずれかを検出するために、本出願に記載された検査システムのいずれかによって使用されてもよい。さらに、検出アルゴリズム開発６０は、ウェーハ上の欠陥を検出するために、レビュー・ツールによって使用することができる１つ以上のアルゴリズムを開発することを含むことができる。それは、本出願に記載されたアルゴリズム（群）のいずれかを含むことができる。検出アルゴリズム開発は、場合により本出願に記載された検査システムのいずれかによって生成された結果のいずれかと組み合わせて、レビュー・ツールによって生成されたどのような結果も使用して行うことができる。検出アルゴリズム開発は、本出願に記載されたシステムのいずれによって行うことができる。

図２にさらに示されるように、本方法は、検出技術開発６２を含むことができる。検出技術開発は、どの技術が本出願に記載された実施形態で使用するのに最も適しているかを決めることを含むことができる。そのような技術は、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージング、光学顕微鏡（ＯＭ）イメージング、電子分散Ｘ線分光学（ＥＤＸまたはＥＤＳ）、電流測定、傾斜ＳＥＭイメージングを、階層削減技術、またはそれらのいくつかの組合せを含むことができる。階層削減技術の例は、２００５年３月２２日に出願され、２００５年１０月６日に米国特許出願公報２００５／０２２１２２９として公開された、Ｎａｓｓｅｒ−Ｇｈｏｄｓｉ他によって共有される米国特許出願番号１１／０８６,０４８に記載されている。そして、それは、あたかも完全に本出願に記載されるかのように参照によって組み込まれる。検出技術開発は、場合により本出願に記載された検査システムのいずれかによって生成された結果のいずれかと組み合わせて、レビュー・ツールによって生成されたどのような結果も使用して行うことができる。検出技術開発は、本出願に記載されたシステムのいずれかによって行うことができる。開発されている検出技術は、欠陥レビューのためのレビュー・ツールによって、および／またはレビュー・ツールによって行われたその他の機能のために使用されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、レチクル欠陥および汚染のイン・ライン・モニタリングのようなアプリケーションで使用するためには、特に有利かもしれない。例えば、図３に示されるように、第１の時点（ｔ１）では、レチクル検査は、Ｓｔａｒｌｉｇｈｔシステムのようなシステムを使用して行われる。レチクルが製造にリリースされる前に、ｔ１で行われたレチクル検査は、レチクル資格のために行うことができる。図３に示されるように、ｔ１では、多くの欠陥は、レチクル上で検出され、欠陥は、多くのプリント可能な欠陥（つまり、ウェーハ上にプリントする欠陥）を含んでいる。

第２の時点（ｔ２）では、レチクル検査は、上記のそのようなシステムを使用して、再び行われる。ｔ２で行われたレチクル検査は、レチクルが製造にリリースされた後のある期間、レチクル再資格のために行うことができる。図３に示されるように、ｔ１およびｔ２では、ほぼ同じ数の完全な欠陥が、レチクル上で検出された。しかしながら、第２の時点で検出された多くの欠陥は、プリント可能な欠陥である。それゆえ、ｔ１とｔ２との間では、レチクル欠陥のいくつかのプリント適性は、変化する。例えば、図３に示されるように、ｔ１で検出された円で囲まれた欠陥の数部分６４、およびｔ２で検出された円で囲まれた欠陥の数部分６６は、２つの異なる時点、および２つの時点間でプリント可能になってもよい欠陥の数で検出されたプリント可能な欠陥の違いを示す。

レチクル上の欠陥のプリント適性のそのような変化は、プリント可能な欠陥になり、プリントされるレチクル上の汚染を結果することになるだろう。それは、歩留まり損失を引き起こすかもしれない。例えば、レチクル欠陥のプリント適性のそのような変化は、最初はプリント可能ではないが、時間とともにプリント可能になる結晶成長欠陥を含むことができる。プリント適性は、ｔ１の後に比較的ゆっくり変化していくが、図３のｔ１およびｔ２で検出された欠陥数の間の上方への傾斜線６８によって示されるように、ｔ２に近づくにつれて非常に速く変化していくだろう。以前はプリントできない欠陥がプリント可能な欠陥になり、ウェーハ上にプリントされるならば、これらの欠陥は歩留まり損失を引き起こすことになるだろう。それゆえ、できるだけ早い時期に、そのような欠陥を検出することが有利になるだろう。特に、プリント可能な欠陥の数が増加し始めた後（例えば、図３に楕円形７０までに示される時間の間）、できるだけ直に新しくプリント可能な欠陥を検出することは、有利になるだろう。しかしながら、現在利用可能なシステムおよび方法は、時間とともにプリント可能になる欠陥を検出することができなくなるかもしれない。例えば、現在利用可能なシステムおよび方法は、以前はプリントできない欠陥がプリント可能になるサイズの欠陥を検出することができなくなるかもしれない。

しかしながら、本出願に記載された実施形態は、ｔ１とｔ２との間の時点で欠陥サンプルのＤＤＲを数回行うために使用されることができる。特に、ＤＤＲは、レチクル上で検出された欠陥がプリントされるだろうウェーハ上の位置のサンプルのために行うことができる。例えば、ＤＤＲは、レチクル座標のｔ１で生成されたプリントできない欠陥の位置が、レチクル座標に対応するウェーハ座標のウェーハ上で検査されるプロセスを生成するために、ｔ１で生成されたレチクル検査結果を使用して行うことができる。加えて、本出願に記載された実施形態は、場合によりＤＤＲが行われている時点に対応する時点で得られたウェーハ検査結果と組み合わせて、ｔ１で生成されたレチクル検査結果に基づいたウェーハ上でレビューされるべき位置のウェーハ座標を決定するように構成されてもよい。このように、本出願に記載された実施形態は、ＤＤＲが、ｔ１で生成されたレチクル検査結果、およびＤＤＲが行われる時点に対応する時点で得られるウェーハ検査結果に基づいて行われるＤＤＲのためのサンプル欠陥を決定のために使用されてもよい。それゆえ、ＤＤＲ結果は、ｔ１とｔ２との間のある時点で、レチクル欠陥がプリント可能になることを決めるために使用されてもよい。そのような欠陥の一例は、図３に含まれたイメージ７２によって示される。加えて、ＤＤＲ結果は、ｔ１とｔ２との間の他の遅い時点で、他のレチクル欠陥がプリント可能になることを決めるために使用されてもよい。その一例は、図３に示されるイメージ７４によって図示される。例えば、プリント可能になる欠陥に関する情報は、プリント可能になった欠陥の歩留まり関連性を決めることに使用されてもよい。それは、レチクル（例えば、修理）に関する１つ以上の決定を下すために使用されてもよい。そのような情報も、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他、およびＺａｆａｒ他による上記で参照された特許出願に記載されたいずれかの方法のいずれかのステップで使用されてもよい。

上記のレチクル欠陥および汚染のイン・ライン・モニタリングは、重要な値を提供する。例えば、上記の実施形態は、できるだけ早くプリント可能なマスク欠陥を検出するために使用されてもよい。それは、主要な歩留まり損失を回避させることができる。加えて、上記の実施形態は、欠陥を検出、レビュー、および／または測定するための欠陥レビュー・ツールによって、実質的に高解像度イメージングを、場合により測定をすべき欠陥に対して実質的に高感度を持つ。さらに、本出願に記載された実施形態は、モニタ・ウェーハに対して比較的速く、高価でない解決策を提供する。それは、比較的速く、比較的正確なＥＢＲＣによって、ＤＤＲとともに行うことができる。

本出願に記載された実施形態は、また、レチクル欠陥およびレチクル欠陥分類のイン・ラインのモニタリングのために多くの利点を備えている。例えば、本出願に記載された実施形態は、Ｓｔａｒｌｉｇｈｔのようなレチクル検査システムへの直接リンクを提供する。加えて、ＤＤＲは、実質的に高い位置精度を提供する。さらに、本出願に記載された実施形態は、比較的多くの欠陥に対処することができるオフ・ライン自動レシピ・セットアップを提供する。例えば、本出願に記載された実施形態は、最近終わったレチクル検査を自動的に検出し、レチクル検査結果と同様にウェーハのための設計のいくつかの組合せに基づいたモニタ計画を自動的に作成するために構成されてもよい。このモニタ・レシピは、その後、検査されたレチクルを使用してプリントされたウェーハのあるサブセット上で自動的に実行されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、また、設計ホット・スポットおよびプロセス・ウィンドウのイン・ライン・モニタリングに使用されてもよい。例えば、図４に示されるように、３つの異なるプロセス・ウィンドウ（例えば、ＰＷ１、ＰＷ２、およびＰＷ３）は、時間とともにモニタされてもよい。第１のプロセス・ウィンドウＰＷ１は、図４にプロット７６によって示されるように、蒸着プロセスの１つ以上のパラメータの異なる値およびエッチング・プロセスの１つ以上のパラメータの異なる値にわたるプロセス・ウィンドウである。蒸着プロセスおよびエッチング・プロセスの１つ以上のパラメータは、これらのプロセスのどのような制御可能なパラメータをも含むことができる。そのようなプロセス・ウィンドウは、蒸着プロセスの１つ以上のパラメータの値、およびエッチング・プロセスの１つ以上のパラメータの値の異なるセットで処理された多くのウェーハを使用して決定されてもよい。そのようなウェーハ上で欠陥を検出することは、ウェーハ対ウェーハ比較を行うことを含むことができる。それは、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他、およびＺａｆａｒ他による上記で参照された特許出願に記載されるように行うことができる。ウェーハ対ウェーハ比較は、本出願に記載された実施形態では、Ｂｈａｓｋａｒ他により２００７年９月２０日に出願され共有される米国特許出願番号６０／９７４,０３０に記載されたように行うことができる。それは、あたかも完全に本出願に記載されているかのように、参照によって組み込まれる。そのようなプロセス・ウィンドウ検査は、プロセス間で引き起こされた相互作用と、ウェーハ・レベル・プロセス・パラメータの様々な値によって引き起こされた相互作用とによって生じた欠陥を検出するために有利に行うことができる。第２のプロセス・ウィンドウＰＷ２は、図４にプロット７８によって示されるように、露出の様々な値と、リソグラフィ・プロセスのための線量の様々な値とにわたるプロセス・ウィンドウである。第３のプロセス・ウィンドウＰＷ３は、その他の適切なプロセス・ウィンドウであってよい。

プロセス・ウィンドウ検査のいずれかによって検出された欠陥は、プロセス・ウィンドウからドリフトしたプロセスが、プロセス・ウィンドウの内部で行っているか、図４に示されるウェーハ・マップによって示されるように、プロセス・ウィンドウのエッジの近くで行っているかどうかを決定するために使用されてもよい。特に、ウェーハ・マップ８０はプロセス・ウィンドウの外にあるプロセスを示し、ウェーハ・マップ８２はプロセス・ウィンドウ内にあるプロセスを示し、そしてウェーハ上のダイが次第に薄くなって変わることを示すウェーハ・マップ８４は、プロセス・ウィンドウのエッジに近いプロセスを示す。図４中のプロット８６でさらに示されるように、どこでプロセスが時間内に様々な点でプロセス・ウィンドウに関して作動しているかは、どれだけの欠陥が時間内の様々な点でウェーハ上で検出されるかに影響する。例えば、プロセスが、ウェーハ・マップ８０に対応するシェーディングによってプロット８６が示されるように、そのプロセス・ウィンドウから出て行く場合、ホット・スポットは、ウェーハ上で欠陥に変わるだろう。それは、歩留まり損失を引き起こすだろう。そのプロセス・ウィンドウ内にあるプロセスは、ウェーハ・マップ８２に対するシェーディングによってプロット８６で示される一方、そのプロセス・ウィンドウのエッジに近いプロセスは、ウェーハ・マップ８４に対するシェーディングによってプロット８６に示される。

それゆえ、ＤＤＲは、図４に示されるように、様々な時点でのプロセス欠陥以外の欠陥によってシステマティック欠陥が引き起こされるかもしれないウェーハ上の位置のサンプルをレビューすることにより、イン・ライン・モニタリングに有利に使用されてもよい。例えば、ＤＤＲは、一例がイメージ８８に示される欠陥が、図４に示される第４の時点で１つ以上のウェーハに現われる一方、一例がイメージ９０に示される異なる第２の欠陥が、遅れた時点で１つ以上のウェーハに現われることを決めるために使用することができる。ＤＤＲは、プロセスがそのプロセス・ウィンドウから出て行くときに、欠陥へ変わるホット・スポットを検出するために、上記されるように有利に行うことができる。それは、歩留まり損失を引き起こすかもしれない。

そのようなＤＤＲは、設計検査システムによって生成されてもよい設計ホット・スポット情報、およびＰＷＱ検査システムによって生成されてもよいプロセス・ウィンドウ情報に基づいて行うことができる。例えば、欠陥サンプルは、ウェーハ上の設計ホット・スポットの位置を含んでいてもよく、ウェーハ上の設計ホット・スポットの位置は、本出願にさらに記載されるような設計検査システムの出力に基づいて決定されてもよい。本出願に記載された実施形態は、プロセスがプロセス・ウィンドウから出ているかどうかを決定するために、設計ホット・スポットで検出された欠陥を使用することができる。本出願に記載された実施形態は、また、１つ以上のプロセスがウェーハ上で行われた１つ以上のパラメータの値を決定するために、設計ホット・スポットで検出された欠陥を使用することができる。例えば、本出願に記載された実施形態は、ＰＷＱ検査システムによって生成された出力を備えた欠陥のイメージのような検査システムの出力を比較することを含むことができる。そして、ＰＷＱ検査が、ＤＤＲによって検出された欠陥に、少なくともある点で、一致する欠陥に対応して行われた１つ以上のパラメータの値は、プロセスがウェーハ上で行われた１つ以上のパラメータの値として決定されてもよい。

ＤＤＲ、ホット・スポット情報、およびプロセス・ウィンドウ検査出力を使用して、上記されるように行われたイン・ライン・モニタリングは、半導体製造のための重要な値を提供する。例えば、ＤＤＲは、設計および／または写真欠陥によって引き起こされたウェーハ上の欠陥の検出をできるだけ早くすることを許す。それは、主な歩留まり損失が回避されることを可能することができる。加えて、上記されるようなイン・ライン・モニタリングにＤＤＲを使用することは、ＤＤＲに使用することができる、実質的に高解像度イメージングおよび場合によっては測定により、欠陥ための高感度を実質的に供給する。さらに、設計検査の結果は、欠陥が光学検査システムまたは電子線検査システムによって検出されなかったかどうかを決定するために使用されてもよい。特に、ＤＤＲは、光学または電子線検査によって検出することができなかった欠陥を検出するために使用することができる。そのようなＤＤＲは、例えば、比較的高解像度ＳＥＭイメージングを、比較的高解像度傾斜ＳＥＭイメージング、集中したイオンビーム（ＦＩＢ）イメージング、またはそれらのいくつかの組合せを使用して行うことができる。さらに、上記されるようなイン・ライン・モニタリングためにＤＤＲを使用することは、ウェーハをモニタするために比較的速く、高価でない解決策を提供する。それは、比較的速く、比較的正確なＥＢＲＣとともに行うことができる。

ＤＤＲを使用して上記されるように行われたイン・ライン・モニタリングは、また、イン・ライン・モニタリングのために他の方法およびシステムに対する多くの利点を備えている。例えば、本出願に記載された実施形態は、設計検査およびＰＷＱ検査への直接リンクを提供する。加えて、ＤＤＲは、実質的に高い位置精度を提供する。さらに、本出願に記載された実施形態は、比較的多くの欠陥が有効に扱われることを可能にするオフ・ライン自動レシピ・セットアップを提供する。例えば、本出願に記載された実施形態は、最近終わったプロセス・ウィンドウ検査を自動的に検出し、プロセス・ウィンドウ検査結果と同様にウェーハのための設計のいくつかの組合せに基づいたモニタ計画を自動的に作成するために構成されてもよい。その後、このモニタ・レシピは、プロセスが行われるウェーハ（プロセス・ウィンドウ検査が行われたプロセスを使用して処理されたウェーハ）のあるサブセット上で自動的に実行されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、特に、システマティック欠陥検出およびレビューのために構成される。それは、本出願にさらに記載されるように、他のタイプの欠陥の欠陥検査と組み合わせて行うことができる。これに対して、現在使用されている欠陥レビュー・システムおよび方法は、一般に欠陥のタイプに配慮をせずに、標本上で検出された欠陥の集団のサンプルのための欠陥検査を行う。このように、現在使用されている欠陥レビュー・システムおよび方法は、標本上で検出されたほとんどの欠陥がランダム欠陥であるかもしれないので、標本上のランダム欠陥の実質的な数をレビューする傾向がある。そのような欠陥検査は、ランダム欠陥に関してシステマティック欠陥がもっと産出されてもよいので、不利かもしれない。そして、そういうものとして、システマティック欠陥に関するより多くの情報は、システマティック欠陥情報に基づいて歩留まりが改善されるように、より適切に生成される。

しかしながら、本出願に記載されるように、異なるタイプの欠陥は、標本上で検出されて、個別に検出された欠陥のタイプが特定され、および／または、欠陥の異なるタイプがビニングによって互いに分けられることができる。それゆえ、本出願に記載された実施形態は、本出願にさらに記載されるように、全てのタイプの欠陥をモニタし、かつ全てのタイプの欠陥をともにモニタするために、欠陥タイプに関するそのような情報を使用することができる。加えて、本出願に記載された出願の全面的なセットに使用することができるシステムは、現在利用可能ではない。ある手動の厄介なステップ・バイ・ステップのプロセスは、本出願に記載された機能のうちのいくつかを行うために使用されてもよい。しかしながら、そのようなプロセスは、多くの不利益を持つだろう。例えば、そのようなプロセスは、実質的に長い時間をとり、手動で、実装するために複雑になり、広範囲な専門知識を要求し、反復可能でなく、それゆえ、実装して維持することが難しい。これに対して、本出願に記載された実施形態は、増強されたソフトウェアおよび／またはアルゴリズムとともにいくつかのサブシステムまたはシステムからの情報の統合に、ユーザに使いやすさを備えたシステマティック欠陥を検出およびレビューするスタンド・アロンのアプリケーションを提供することを可能にする。加えて、本出願に記載された実施形態は、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能なＥＢＲＣシステムのような既存の欠陥レビュー・システムの改造により、または完全に新しい欠陥レビュー・システムの作成により実装されることができる。

本出願に記載された実施形態は、さらに多くの追加の長所を持つ。例えば、本出願に記載された実施形態は、全ての欠陥重要度指数（ＤＯＩｓ）の検出および分類ができる。加えて、本出願に記載された実施形態は、信頼度およびコストの両方の点から高い要求生産量を満たす。本出願に記載された実施形態は、また、高解像度および高コントラストＳＥＭ、およびＯＭイメージングのような４５ｎｍおよび３２ｎｍの技術ノードで主要な画像技術を使用する。本出願に記載された実施形態は、さらに、自動欠陥位置決め（ＡＤＬ）の１００％の自動化成功、および４５ｎｍの技術ノードの９５％のＡＤＬ成功を提供する。そのようなＡＤＬは、ＳＥＭおよびＯＭの技術の組合せを使用して行うことができる。加えて、本出願に記載された実施形態は、検査レシピを変更して均一に最適化するために、検査システムによって生成された結果を使用することにより、レビュー検査サイクル最適化（ＲＩＣＯ）のために使用されるようにしてもよい。

さらに、本出願に記載された実施形態は、欠陥分類のための破壊的および非破壊技術を使用することができる。本出願に記載された欠陥分類は、欠陥分類の他の方法を増強するために、電子線パワー支援分類（ｅＰＡＣ）のような他の欠陥分類法と組み合わせて使用することができる。ｅＰＡＣを行うために使用することができる方法およびシステムの例は、Ｔｅｈ他によって２００５年１０月１２日に出願され共有される米国特許出願番号１１／２４９,１４４（２００６年４月２０日に米国特許出願公報２００６／００８２７６３として公開された）に記載されている。それは、あたかも完全に本出願に記載されるかのように参照によって組み込まれる。加えて、本出願に記載された実施形態は、約２０ｎｍより大きなサイズを持つ欠陥のための要素分析を行うことができる。本出願に記載された実施形態は、また、Ｎａｓｓｅｒ−Ｇｈｏｄｓｉ他によって２００５年３月２２日に出願され共有される米国特許出願番号１１／０８６,０４８（２００５年１０月６日に米国特許出願公報２００５／０２２１２２９としての公開された）に記載されているような、「イン・フィルム」に配置された新しいＤＯＩの欠陥分類、および階層削減方法またはシステムを使用する高アスペクト比欠陥と組み合わせて本出願に記載されるような欠陥分類を行うことができる。それは、あたかも完全に本出願に記載されるかのように参照によって組み込まれる。

さらにまた、本出願に記載された実施形態は、全面的な欠陥検出および分類を増加させてもよい。それゆえ、本出願に記載された実施形態は、高価値ユース・ケースで使用されてもよい革新的な技術を提供する。

図５に示される他の実施形態では、設計９４の設計検査９２は、ＲＥＴおよび／またはＯＰＣ特徴が設計に加えられた後で行うことができる。マスク製造９６は、設計９４を使用して行うことができる。マスク検査９７は、マスク製造９６の後にマスク上で行うことができる。リソグラフィ・プロセス・ウィンドウ定義９８は、マスク製造９６によって製造されたマスクを使用して行われたフォトリソグラフィ・プロセス・ウィンドウ特性解析１００の結果を使用して行うことができる。ウェーハ検査１０２は、ウェーハ処理１０４の後に行うことができる。ウェーハ処理１０４に含まれた１つ以上のプロセスは、マスク製造９６によって製造されたマスクを使用して行われたプロセスである。これらのステップの各々は、本出願にさらに記載されるように行うことができる。

１つの実施形態では、本方法は、本出願に記載されるように決定された位置の座標を使用する欠陥レビューのためのレシピ、およびウェーハのための設計を作成することを含んでいる。そのような１つの実施形態では、レシピの作成は、ウェーハまたはウェーハ上の欠陥をイメージングせずに、オフ・ラインで行われる。このように、本出願に記載された実施形態は、システマティック欠陥レビュー・レシピを作成することを含むことができる。それは、図５に示されるシステマティック欠陥レビュー・サンプルおよびレシピ作成モジュール１０６によって行うことができる。例えば、欠陥位置へ比較的正確に駆動する能力は、システマティック欠陥レビューには特に有利である。システマティック欠陥検査レシピ作成モジュールは、レビュー・システムがシステマティック欠陥を配置することを可能にするレシピを自動的にセットアップするために、ある設計情報（例えば、ウェーハ、および設計がプリントされるレイアウト上にプリントされる設計に関する情報）を使用する設計ベースのセットアップ・エンジンかもしれない。加えて、図５に示されるように、システマティック欠陥レビュー・サンプルおよびレシピ生成は、本出願にさらに記載されるように、設計検査、マスク検査、およびリソグラフィ・プロセス・ウィンドウ定義によって生成された出力を使用して行うことができる。セットアップは、ウェーハおよび／またはウェーハ上の欠陥のイメージングの必要無しに「オフ・ライン」で行うことができる。

図５に示されるように、本方法は、システマティック欠陥サンプルおよびレシピ（ＳＤＳＲ）ファイル１０８を生成することを含むことができる。１つの実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを生成することを含んでいる。例えば、ＳＤＳＲファイルは、欠陥のイメージを捉えるためにシステマティック欠陥位置へ実質的に正確に駆動されるシステムを可能にする全ての必要な情報を含んで保護する暗号化保護ファイルであるかもしれない。このように、ファイルは、設計情報の安全な交換を許容することができる。

本出願に記載された実施形態も、システマティック欠陥抽出のために構成されてもよい。それは、図５に示されるシステマティック欠陥抽出モジュール１１０によって行うことができる。システマティック欠陥抽出は、ウェーハ検査によって生成された出力を使用して行うことができる。例えば、モジュールは、ウェーハ検査によって検出された欠陥の集団のランダム欠陥からシステマティック欠陥を分けて、および以前に記載されたサンプルにシステマティック欠陥を加えるように構成されてもよい。それは、本出願に記載されるように行うことができる。抽出は、また、ＤＢＢによって、または欠陥のための設計情報を使用して行うことができる。加えて、実施形態は、場合により本出願に記載された他の情報のいずれかと組み合わせて、設計情報および臨界寸法（ＣＤ）測定を利用するシステマティック欠陥のための検出方法を行うように構成されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、システマティック欠陥原因を特定することを含むことができる、それは、図５に示されるように、システマティック欠陥原因識別子モジュール１１２によって行うことができる。図５にさらに示されるように、システマティック欠陥原因識別子モジュールは、システマティック欠陥抽出モジュール１１０、ならびにシステマティック欠陥レビュー・サンプルおよびレシピ作成モジュール１０６を使用して生成された出力を使用して、システマティック欠陥原因を特定するように構成されてもよい。１つの実施形態では、本方法は、ウェーハの検査によってウェーハ上で検出されたシステマティック欠陥が、２つ以上の検査システム（例えば、設計検査システム、マスク検査システム、ＰＷＱ検査システム、またはそれらのいくつかの組合せ）によって検出された欠陥に関連づけられるかどうかを決定することを含んでいる。例えば、本方法は、ウェーハ検査システムによって見つけられたシステマティック欠陥を、全てのシステマティック欠陥検査からの結合された情報を使用して、前に検出され特定されたシステマティック欠陥に関連させることを含むことができる。これにより、ウェーハ上で検出されたシステマティック欠陥の原因を特定する。システマティック欠陥原因識別子モジュールは、全ての検査結果（例えば、レチクル、設計など）を含むデータベースのようなデータ構造、およびシステマティック欠陥の原因を特定するために使用することができるデータ・マイニング・エンジンを含むことができる。データ構造は、本出願にさらに記載されるように作られてもよい。

さらなる実施形態では、欠陥レビュー・システムは、図５の欠陥レビュー・システム１１４によって示されるように、結合されたランダムおよびシステマティック欠陥レビュー・システムとして構成される。それは、システマティック欠陥レビュー・モジュール１１６およびランダム欠陥レビュー・モジュール１１８を含んでいる。しかしながら、単一レビュー・モジュールは、システマティックおよびランダム欠陥検査のために構成されてもよい。図５に示されるように、ＳＤＳＲファイル１０８は、システマティック欠陥レビュー・モジュール１１６に、ＫＬＡＲＦファイルがランダム欠陥検査モジュール１１８に提供されてもよいように、ウェーハ検査１０２の出力に提供されてもよい。例えば、欠陥レビュー・システムは、ランダム欠陥検査のための従来のＫＬＡＲＦファイル、およびシステマティック欠陥検査のためのＳＤＳＲファイルの両方を読むように、かつウェーハについて両方のタイプのレビューを同時に行うように構成されてもよい。欠陥レビュー・システムからの出力は、システマティックおよびランダム欠陥の両レビューからの結果を含むことができる。

上記のシステマティック欠陥レビュー・モジュールによって行うことができるシステマティック欠陥検出の１つの実施形態は、図６に示される。図６に示されるように、システマティック欠陥レビュー・サンプルおよびレシピ作成モジュール１０６の出力は、欠陥レビュー・システム１１４に提供されてもよい。本出願に記載された実施形態は、１つ以上のシステマティック欠陥検出モードを行うように構成されてもよい。例えば、図６に示されるように、欠陥位置決定ステップ１２０において、実施形態は、欠陥を配置するために設計ベース・パターン認識（ＰＲ）１２２を使用してもよい。１つの実施形態では、本方法は、ウェーハのための設計の配置の座標で欠陥レビューの間に得られたイメージを比較することにより、欠陥レビューの間に（本出願に記載されるように決定された）ウェーハ上の位置を特定することを含んでいる。そのような１つの例において、システマティック欠陥位置へ実質的に正確に駆動するために、欠陥レビュー・システムは、ある設計情報を、欠陥レビュー・システムによって得られたダイのイメージと一致させるように構成されてもよい。ＰＲと呼ばれる方法は、欠陥レビュー・システムが、欠陥の位置を実質的に正確に特定することを可能にするだろう。そのような実施形態では、本出願に記載された実施形態は、ＰＲを含むオフ・ライン設計ベース・レシピ生成を行うことを含むことができる。

１つの実施形態では、本方法は、ウェーハのための設計に基づいたＡＤＬのための全ての利用可能な方法から欠陥レビューの間に行われるＡＤＬのための方法を選択することを含んでいる。例えば、図６に示されるように、システムは、設計ベース検出方法選択モジュール１２４を含むことができる。それは、選択モジュールに提供される欠陥情報１２６に基づいて検出方法を選択することができる。欠陥情報は、パッチ・イメージのように本出願に記載された検査システムのいずれかからの欠陥情報および結果のいずれかを含むことができる。このように、本方法は、設計ベース動的ＡＤＬ方法を選択することを含むことができる。例えば、本方法は、利用可能な方法の選択からＡＤＬを行う最良の方法を決定するための設計情報を使用することを含むことができる。

本出願に記載された実施形態で使用するのに利用されるかもしれない１つのＡＤＬ本方法は、図６に示されるダイ対ＧＤＳ ＡＤＬ１２８である。この本方法は、ウェーハのイメージ（例えば、ＳＥＭイメージ、ＯＭイメージ、またはその他のタイプのイメージ）を、ウェーハのための設計情報と比較することを含むことができる。ダイのイメージは、エッジ地図生成のようないくつかのイメージ・プロセシング操作を受け、設計情報が比較されるためにサイズ変更をすることを受けてもよい。結果として生じる差分イメージングは、欠陥候補のリストを生成し、かつ最もありそうな原因を特定するために使用されてもよい。例えば、多数の違いは、差分イメージングで検出または決定されてもよい。また、差分イメージングの最もありそうな欠陥が決定されてもよい。その後、最もありそうな欠陥の座標は、欠陥位置として決定されてもよい。

本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれない他のＡＤＬ方法は、図６に示されるように、比較エッジ置換エラー（ＥＤＥ）１３０である。この方法は、設計によって定義されるように、ユーザに、ウェーハ上にプリントされたパターンと予期されたパターンとの間のどのような差も視覚化することを可能にすることができる。精密イメージ・プロセシングと測定アルゴリズムとの組合せは、パターンのＥＤＥイメージを作成するために使用されてもよい。ＥＤＥ分析は、以前にイメージされたあらゆる単一パターンのために行うことができる。また、統計的な相違点は、欠陥として捉えられるだろう。このＡＤＬ方法で使用される設計情報は、ＧＤＳＩＩファイル自体中の情報、またはレチクル検査システムからの実質的に高解像度光学イメージ情報を含むことができる。

本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれない追加ＡＤＬ方法は、図６に示されるように、ダイ対レンダリングされたＳＥＭイメージ（ＧＤＳＩＩまたはパッチ・イメージからレンダリングされた）ＡＤＬ１３２である。このＡＤＬ方法は、ウェーハのイメージ（例えば、ＳＥＭイメージ、ＯＭイメージ、またはその他のタイプの可能なイメージ）を、設計情報の処理されたイメージと比較することを含むことができる。それは、一般に、「レンダリングされたイメージ」として引用されてもよい。設計スケッチ・ダイは、比較的高解像度ＯＭ、ＳＥＭ、またはその他のタイプのイメージング・システムでイメージングされたときに、特定の特徴がどのように見えるだろうかをシミュレートする意図で、いくつかのイメージ・プロセシング操作を受けてもよい。

本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれないＡＤＬ方法のさらになる例は、図６に示されるように、ダイ対類似位置ＡＤＬ１３４である。類似位置は、ウェーハのための設計または設計情報を使用して定義されてもよい。例えば、設計ベースＰＲ１２２は、欠陥位置の１つに隣接するパターンと実質的に一致し、予期された欠陥位置から異なる領域に位置するパターンを位置するのに使用されてもよい。欠陥位置は、欠陥の位置を特定するために、上記のＡＤＬ方法のいずれかを使用して同様の位置と比較されてもよい。

さらに、本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれないＡＤＬ方法の他の例は、比較的大きな領域検査である。例えば、図６に示されるように、ＡＤＬ方法１３６は、比較的大きな領域スキャンを含んでいて、ダイ対レンダー済イメージ比較を使用してもよい。この本方法は、上記の方法のうちの１つの利用に、欠陥レビュー・システムのイメージング・エンジンの視界（ＦＯＶ）の典型的なフィールドを超過する領域を許すことができる。システムは、ユーザによって以前に定義された領域をカバーするために、生成するイメージのリストを自動的に決定することができる。いくつかの欠陥は、スキャンされた領域を横切って位置し、報告されてもよい。ＡＤＬ方法の他の例は、単一ＳＥＭ欠陥イメージのみを使用するものになるだろう。イメージ自体の変則の発見によって、欠陥位置は、比較する基準イメージを使用することなしに遂行することができる。

１つの実施形態では、本方法は、ウェーハのための設計への位置の座標で欠陥レビューの間に得られたイメージを、ウェーハ上で行われたプロセスの１つ以上のパラメータの異なる値でウェーハ上に設計がどのようにプリントされるか示すシミュレートされたイメージと比較することにより、欠陥レビューの間にウェーハ上の位置を特定することを含んでいる。例えば、図６に示されるように、本出願に記載された実施形態で使用されるかもしれない他のＡＤＬ方法は、ダイ対プロセス・ウィンドウ・マトリックスＡＤＬ１３８である。この本方法は、図７に示されたように、本出願に記載されるように、決定された位置の座標での欠陥レビュー・システムによって得られたダイ（ウェーハ・イメージ）のイメージ１４０を、ダイの設計ばかりでなく、異なるプロセス条件の下でのダイのイメージ１４２のシミュレートされた（またはレンダーされた）プロセス・ウィンドウ・マトリックスへの設計と比較することを含むことができる。シミュレートされたマトリックスは、プロセス・ウィンドウ（例えば、焦点および露出）の２つ以上のパラメータが変わる場合に、与えられた設計のためのダイの結果するイメージを予言することにより、作成されてもよい。加えて、現在のサンプル・イメージは、プロセス・ウィンドウに様々な点を表す複数のサンプル・イメージと比較されてもよいし、複数のサンプル・イメージは、ライブラリのようなデータ構造に記憶されてもよい。それゆえ、実施形態は、現在のサンプル・イメージを、プロセス・ウィンドウに様々な点を表す、記憶されたサンプル・イメージのライブラリと照合する（または、照合することを試みる）のために構成されてもよい。

そのような１つの実施形態では、本方法は、上記の比較ステップの結果に基づいたプロセスに関する情報を決定することを含んでいる。例えば、上記されるように、本方法は、イメージがマトリックス・コンポーネントのうちの１つと一致するかどうかを決定するために、ダイのイメージをシミュレートされたマトリックスと比較することを含むことができる。それゆえ、そのようなＡＤＬは、ユーザにダイを製造するために使用されるプロセスに関するいくつかの情報を提供してもよい。例えば、図７に示されるように、シミュレートされたプロセス・ウィンドウ・マトリクス・イメージのうちの１つは、ウェーハ・イメージと一致することを決定されてもよい。そして、ウェーハ・イメージと一致すると決定されたシミュレート・プロセス・ウィンドウ・マトリクス・イメージは、プロセス・ウィンドウ・マトリックス内のウェーハ・イメージと一致したシミュレート・プロセス・ウィンドウ・マトリクス・イメージの位置が、図７に示されたシェーディング１４６により、示された結果１４４に示される。それゆえ、上記の比較は、欠陥を引き起こした焦点および／または露光指数を決定するために使用されてもよい。このように、設計検査およびＰＷＱが行われるとき、設計のプリントへの焦点および露出の影響を決定することができる。その結果、どのように欠陥がウェーハのイメージに現われるかは、どれほどパラメータの値がプロセス・ウィンドウ・センタから離れているかで決定されるように使用されてもよい。このように、本出願に記載された実施形態は、プロセス・ツールの１つ以上のパラメータのドリフトを検出およびモニタするために使用することができる。そのような情報は、欠陥が検出されたウェーハを製造するのに使用されるプロセスのパラメータの値を変更および／または修正するために使用することができるプロセス・システムまたは他のシステムにフィード・バックすることができる。

本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれないＡＤＬ方法の他の例は、ダイ対レチクル検査光学パッチ・イメージＡＤＬ１４８である。図６に示されるように、このパッチ・イメージは、ＯＭイメージを含むことができる。この方法は、ダイの比較的高解像度光学イメージを、レチクル検査システムによって以前に生成された比較的高解像度光学イメージと比較することを含むことができる。その比較は、実質的に高精度で欠陥の再配置を可能にする。

本出願に記載された実施形態で使用するために利用できるかもしれないＡＤＬ方法の追加例は、図６に示されるように、ダイ対３次元（３Ｄ）シミュレート済プロファイル１５０である。この方法は、システム上で、またはシステムから離れて生成されたダイの横断面図の実質的に高解像度イメージを、横断面図のシミュレートされたイメージと比較することを含むことができる。横断面図のシミュレーションは、設計およびプロセス（例えば、エッチング、蒸着など）情報を使用して作成されてもよい。ダイ横断面図は、ＦＩＢ、化学または物理エッチング、傾斜イメージングおよび透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）イメージングのようないずれかの適切な技術を使用して生成することができる。

本出願に記載された実施形態は、ユーザに、出力獲得ステップ１５２で欠陥のためにいくつかのタイプの出力を提供してもよい。例えば、図６に示されるように、欠陥が配置された後、任意の選択されたＡＤＬ方法の出力は、欠陥のイメージ１５４、寸法１５６、またはプロファイル１５８が使用されてもよい。加えて、出力獲得ステップ１５２の間に行われた機能は、欠陥のために行われたＡＤＬのタイプに依存して変化してもよい。例えば、ダイ対ＧＤＳ ＡＤＬ１２８、ダイ対レンダー済ＳＥＭイメージＡＤＬ１３２、ダイ対類似位置ＡＤＬ１３４、および大領域スキャン−ダイ対レンダー済イメージＡＤＬ１３６のために、出力獲得ステップは、イメージングおよび測定を含むことができる。これに対して、ダイ対３Ｄシミュレート済プロファイルＡＤＬ１５０のために、出力獲得ステップは、イメージングおよびプロファイリングを含むことができる。

欠陥のイメージングのために、いくつかのイメージング・モードは、欠陥のイメージを生成するのに利用できるかもしれない。差分イメージング・モードは、システムの異なるバージョンを表すことができる。適切なイメージング・モードの例は、比較的高解像度ＳＥＭ、比較的イメージング、いくつかの光学モードでの比較的高解像度イメージング、比較的高解像度傾斜ＳＥＭイメージング、実質的高解像度イオンビーム・イメージング、実質的高解像度ＴＥＭイメージング、および実質的高解像度原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）イメージングを含んでいる。実施形態は、また、欠陥の１つ以上の測定を行うことを含むことができる。例えば、上記の適切なイメージング・モードのいずれかを使用して、欠陥の測定は、得られたイメージおよび１つ以上のアルゴリズムを使用して行うことができる。本出願に記載された実施形態は、また、欠陥のプロファイリングを含むことができる。例えば、傾斜および３Ｄイメージング能力（例えば、ＡＦＭ、あるいはＳＥＭまたはＴＥＭを備え横断面図の実質的高解像度イメージングによって提供された）は、欠陥位置のプロファイルを提供するために使用されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、また、動的、「オン・ザ・フライ」、サンプリングを含むことができる、例えば、１つの実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間に、ウェーハ上の追加位置が、本出願に記載されるように決定された欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置での欠陥レビューの結果、および位置に隣接するウェーハのための設計に基づいて、レビューされるべきかどうかを決定することを含んでいる。このように、本出願に記載された実施形態は、設計ベース動的サンプリングのために構成されてもよい。設計ベース動的サンプリングは、さらなるサンプリングが必要かどうかを決定する欠陥位置のための設計情報を使用することを含むことができる。例えば、「ＣＤ欠陥」が危険速度パスの点で検出されれば、パスの中の他の位置は、回路に対する全面的な影響を決定するために、レビューすることができるだろう。または、他のダイは、欠陥がシステマティックかどうかを決定するためにレビューされてもよい。

他の実施形態では、本方法は、欠陥レビューの間に、追加操作が、位置での欠陥検査の結果およびウェーハのための設計に基づいてウェーハ上の位置で行われるかどうかを決定することを含んでいる。このように、本出願に記載された実施形態は、設計ベース動的レビュー・アクションを含むことができる。設計ベース動的レビュー・アクションは、いずれの所定の欠陥のための追加レビュー操作を行うべきかどうかをラン・タイムで決定するために設計情報を使用することを含むことができる。追加レビュー操作は、例えば、欠陥位置の設計情報および地形学分析に自動的に基づいてＥＤＸを行うことを含むことができる。そのような一例では、本出願に記載された実施形態は、ＳＥＭイメージングが分類に十分かどうかを決定するために構成されてもよい。実施形態が、ＳＥＭイメージングが分類に十分ではないことを決定したならば、実施形態は、ＳＥＭイメージングによって分類することができなかった欠陥のために適切な追加レビュー操作が、他のＳＥＭイメージング、欠陥に隣接するウェーハの階層削減、要素分析、またはそれらのいくつかの組合せを含むことを決めるだろう。階層削減は、Ｎａｓｓｅｒ−Ｇｈｏｄｓｉ他によって上記で参照された特許出願に記載されるように行うことができる。追加レビュー操作は、また、欠陥をさらに特徴づけるために、ダイを横切ってさらなるサンプリングを行うことを含むことができる、

追加例では、本出願に記載された実施形態は、ＤＤＲおよびＥＢＲＣのための動的サンプル生成のために構成されてもよい。例えば、動的サンプル生成は、最適サンプルを作成するために、検出された欠陥の蓄積された履歴を使用することを含むことができる。そのような一例では、本出願にさらに記載されるように、ウェーハ検査システムによって検出された欠陥がシステマティック欠陥であると決定されたならば、欠陥は、ＥＢＲＣサンプルから取り除かれている間に、ＤＤＲ実行のためのサンプルに加えられるだろう。

本出願に記載された実施形態の出力は、欠陥パースペクティブ、パレート、図表、ウェーハ・マップ、欠陥ファイル、またはそれらのいくつかの組合せを含むことができる。本出願にさらに記載されるように、出力は、システマティック欠陥のための新しいタイプの報告書および出力を含むことができる。

異なる欠陥パースペクティブの例は、図８に示される。欠陥パースペクティブの一例は、欠陥イメージおよびＧＤＳのオーバーレイである。欠陥イメージおよびＧＤＳのオーバーレイの一例は、図８に例１６０で示される。そのような欠陥パースペクティブは、ユーザがプリントされたパターンと設計との間の差を視覚化できるようにするために、ライン１６２によって示された対応する設計のオーバーレイを備えた欠陥レビュー・システムのイメージング・エンジン（例えば、ＯＭ、ＳＥＭ、など）のうちの１つによって生成されたイメージを表示してもよい。

欠陥パースペクティブの他の例は、埋め込まれたパッチ・イメージである。埋め込まれたパッチ・イメージの一例は、図８の例１６４に示される。埋め込まれたパッチ・イメージの欠陥パースペクティブは、ユーザに欠陥情報プレＤＤＲおよびポストＤＤＲの全てを提供する欠陥の、異なる欠陥情報１６８および１７０（例えば、設計クリップ、ＯＭパッチ・イメージ、など）を備えた欠陥レビュー・システムのイメージング・エンジン（例えば、ＯＭ、ＳＥＭ、など）の１つによって生成されたイメージ１６６を表示してもよい。

欠陥パースペクティブの追加例は、イメージおよびＣＤ測定である。そのような欠陥パースペクティブの一例は、図８の例１７２に示される。このパースペクティブは、欠陥レビュー・システムのイメージング・モードの１つを使用して得られた欠陥のイメージ１７４を含むことができる。ライン１７６は、対応する設計を示し、長方形１７８は、測定が行われた位置および場合により結果が生じた測定（図示せず）の値を示す。

欠陥パースペクティブのさらなる例は、イメージおよびＥＤＥである。そのような欠陥パースペクティブの一例は、図８の例１８０に示される。このパースペクティブは、ＥＤＥ測定（例えば、ネガティブ・エッジ位置決定エラー（ＥＰＥ）、ポジティブＥＰＥ、およびＣＡＤグラフィック）の結果１８４を備えた欠陥レビュー・システムのイメージング・モードの１つを使用して得られた欠陥のイメージ１８２を含むことができる。

さらに、欠陥パースペクティブの他の例は、多層パースペクティブである。例えば、本出願に記載された実施形態は、上記のパースペクティブの全てを含むことができる設定可能なイメージ・ファイル（例えば、マルチ・パースペクティブ・ファイル）を作成してもよい。このように、各層は、ユーザに利用可能になるだろう。

パレートおよび図表を含んでいる出力は、結合したシステマティックおよびランダム欠陥パレートを含むことができる。例えば、１つの実施形態では、欠陥レビューが、システマティック欠陥サンプルおよびランダム・サンプル（それらは、本出願に記載されるように生成されてもよい）の欠陥レビューを含んでいるならば、本方法は、システマティック欠陥サンプルおよびランダム・サンプルの欠陥レビューの結果を示すパレート図を生成することを含んでいる。そのような一例では、図５に示されるように、欠陥レビュー・システムの出力は、システマティックおよびランダム欠陥を備えた結合欠陥パレート１８６を含むことができる。そのような欠陥パレートを生成することは、ＤＤＲおよびＥＢＲＣ実行の両方からの情報を組み合わせることを含めてもよい。この実施形態で使用されるＥＢＲＣ実行の出力は、欠陥の位置および欠陥に割り当てられた分類を含んでいるＫＬＡＲＦを含むことができる。１つの実施形態では、本方法は、ＤＢＢを使用してシステマティック欠陥であると欠陥検査によって特定されたランダム・サンプルでの欠陥を分類することを含んでいる。例えば、ランダム・モード・レビューの間に見つかったシステマティック欠陥は、ＤＢＢを使用して分類されてもよい。それは、本出願にさらに記載されるように行うことができる。このように、出力は、実施形態自体の座標のセットを含む非標準出力（例えば、ＫＬＡＲＦでない）を含むことができる。この新しいタイプの出力は、Ｋｌａｒｉｔｙのようなソフトウェア・モジュールに送られてもよい。それは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから商業的に利用可能である。

パレートおよび図表出力は、また、設計ベースの推定されたパレートを含めてもよい。例えば、１つの実施形態では、本方法は、ウェーハ上のシステマティック欠陥の位置を決定するために欠陥レビューの結果を使用すること、および、システマティック欠陥を見つけることができるウェーハ上の追加位置を決定するためにウェーハのための設計を使用することを含んでいる。そのような１つの実施形態では、実施形態は、システマティック欠陥が見つかってもよいウェーハ上で位置へのサンプルのレビューの間に、見つけられたシステマティック欠陥の位置を推定するために、ダイを横切って類似する設計を特定してもよい。それゆえ、システマティック欠陥の設計ベース推定は、システマティック欠陥を検出すること、システマティック欠陥のサンプルまたはサブセットだけをレビューすること、およびシステマティック欠陥サンプルの欠陥検査の出力をウェーハ上の他の欠陥に適用することを含むことができる。

そのようなパレート図の一例は、図９のパレート図１８８によって図示される。このパレート図中で示されるように、ＤＤＲによって検出されたシステマティック欠陥は、ＥＢＲＣによって検出されてもよいランダム欠陥とは、同じパレート図に別々に例示されているかもしれない。例えば、パレート図は、システマティック欠陥部分１９０およびランダム欠陥部分１９２を含むことができる。パレート図のシステマティック欠陥部分およびランダム欠陥部分の両方では、ウェーハのための設計の異なる部分に検出されたか、または検出されてもよい欠陥の数は、設計の異なる部分の機能として示される。それゆえ、パレート図中で示される各棒は、設計の異なる部分に相当する。加えて、システマティック欠陥部分およびランダム欠陥部分の棒は、（例えば、システマティック欠陥およびランダム欠陥が設計の同じ部分に検出されてもよいので、）設計の同じ部分に相当してもよい。システマティック欠陥は、ＤＤＲによって検出されてもよい。それは、本出願にさらに記載されるように行うことができる。パレート図のシステマティック欠陥部分１９０に示されるように、システマティック欠陥は、（例えば、ＤＤＲおよびＤＢＢによって）測定されたサンプル上で検出されるかもしれず、設計ベース推定によって「検出される」かもしれない。それは、本出願にさらに記載されるように行うことができる。

１つの実施形態では、本方法は、見つけられた欠陥をウェーハのための設計と比較することにより欠陥レビューの間に見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および欠陥レビューの間に見つけられた欠陥の寸法を設計の寸法と比較することにより欠陥レビューの間に見つけられた欠陥のための歩留まりインパクトを決定するために、欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。例えば、パレートおよび図表出力は、設計ベース致命率をさらに含むことができる。そのような一例では、欠陥は、ウェーハのための設計と比較されてもよく、歩留まりインパクトは、欠陥寸法を設計寸法と比較することにより欠陥のために決定されてもよい。システマティック欠陥のために決定されたそのような設計ベース歩留まりインパクト情報は、また、図９に示されるパレート図において例示されていてもよい。ランダム欠陥のために決定されたそのような設計ベースの歩留まりインパクト情報は、また、図９に示されるパレート図において例示されていてもよい。

このように、本出願に記載された実施形態は、設計認識分類および欠陥パレートのために構成されてもよい。加えて、図５に示されるように、システマティックおよびランダム欠陥出力の両方を備えた結合欠陥パレートは、欠陥タイプおよび実質的に正確な欠陥サイジング（例えば、ＣＤ）を含む追加出力１９４を生成するために使用されてもよい。追加出力は、システマティック欠陥およびランダム欠陥の両方のための欠陥タイプおよび欠陥サイジングを含むことができる。追加出力は、また、異なる部分を含むことができる。その１つの部分は、システマティック欠陥のための欠陥タイプおよび欠陥サイジングを含み、その異なる部分は、ランダム欠陥のための欠陥タイプおよび欠陥サイジングを含んでいる。

ウェーハ・マップおよび欠陥ファイルを含んでいる出力は、多数のＫＬＡＲＦフォーマットおよび統計プロセス制御（ＳＰＣ）ファイルを含むことができる。例えば、図５に示されるように、システマティック欠陥レビュー・モジュールの出力は、ＳＰＣ図表１９６を含むことができる。そのようなＳＰＣ図表の例は、図９に示されている。例えば、図９に示されるように、ＳＰＣ図表１９８は、欠陥タイプのための歩留まりインパクトを示すように生成されてもよい。ＳＰＣ図表１９８に示される異なるラインの各々は、異なる欠陥タイプに相当する。それゆえ、ＳＰＣ図表１９８は、時間の関数として異なる欠陥タイプの歩留まりインパクトを別々に示す。異なる欠陥タイプの歩留まりインパクトは、任意の適切な方法で決定されてもよい。他の例において、図９に示されるように、ＳＰＣ図表２００は、測定されたシステマティック欠陥のためのＣＤを示すように生成されてもよい。ＳＰＣ図表２００に示される異なるラインの各々は、異なる欠陥タイプに相当する。それゆえ、ＳＰＣ図表２００は、時間の関数として異なる欠陥タイプの測定されたＣＤを別々に示す。

ウェーハ・マップおよび／または多数のＫＬＡＲＦを含むシステマティック欠陥出力の例は、図１０に示されている。図１０に示されるように、第１のＫＬＡＲＦ（ＫＬＡＲＦ１）から生成されたウェーハ・マップ２０２は、全体ＤＤＲサンプルを示す。図１０に同様に示されるように、他のＫＬＡＲＦ（ＫＬＡＲＦ２）から生成されたウェーハ・マップ２０４は、欠陥だけのためのＤＤＲの出力を示す。それゆえ、ウェーハ・マップ２０４は、ＤＤＲが行われた全ての位置を示さない。代わりに、ウェーハ・マップ２０４は、ＤＤＲが行われ、欠陥を検出したそれら位置だけを示す。図１０にさらに示されるように、追加ＫＬＡＲＦ（ＫＬＡＲＦ３）から生成されたウェーハ・マップ２０６は、ＥＢＲＣによって検出された全ての欠陥を示す出力を図示する。加えて、図１０に示されるように、さらに他のＫＬＡＲＦ（ＫＬＡＲＦ４）から生成されたウェーハ・マップ２０８は、ＥＢＲＣおよびＤＤＲによって検出された欠陥だけを示す出力を図示する。換言すれば、ウェーハ・マップ２０８は、基本的にウェーハ・マップ２０６で覆われたウェーハ・マップ２０４である。

本出願に記載された実施形態は、「真の」自動欠陥分類（ＡＤＣ）のための設計分析のために構成されてもよい。そのような設計分析は、真のＡＤＣを行うために、画像解析（例えば、明視野（ＢＦ）、暗視野（ＤＦ）、傾斜、など）、レイアウト、および設計および／またはプロセス情報を組み合わせることを含むことができる。設計分析は、同様に、ＥＤＸ、ＦＩＢなどのような第２の分析を含むことができる。

１つの実施形態では、本方法は、欠陥レビューの結果に基づいて２つ以上の検査システムの少なくとも１つの、１つ以上のパラメータを変更することを含んでいる。例えば、図５に示されるように、システマティック欠陥レビュー・モジュールは、検査、設計、レチクル、写真（リソグラフィ）、または（図５に矢２１２によって示されたように）それらのいくつかの組合せへのシステム・フィードバック２１０を生成するために構成されてもよい。実施形態は、同様に、システマティック欠陥レビュー・システムを使用して、システマティック欠陥検査システムの最適化を含むことができる。例えば、実施形態は、検査システム（例えば、設計検査システム、レチクル検査システムなど）測定を含むことができる。そのような実施形態では、ＤＤＲの結果は、オリジナル・システマティック欠陥検査システムに提供されてもよい。各欠陥について、実施形態は、検査システムの微調整および／または測定を可能にするために、ユーザに検査システム・パラメータおよびレビュー結果を提供してもよい、

本出願に記載された実施形態によって生成されてもよいシステム・フィードバックの一例は、図１１に図示されている。図１１に示されるように、システム・フィードバックは、図１１に示されるウェーハ・マップ２１４のようなウェーハ・マップを含むことができる。このウェーハ・マップは、ＫＬＡＲＦから生成されてもよく、ＤＤＲによって検出された欠陥だけを図示してもよい。加えて、そのようなシステム・フィードバックは、ＤＤＲによって検出された欠陥が位置する設計の部分を示す設計チップ２１６を同様に含むことができる。

実施形態は、システマティック欠陥レビューのサンプル設計およびモニタリングを含むことができる。例えば、１つの実施形態では、本方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を、システマティック欠陥のためのデータベースに記憶することを含んでいる。このように、実施形態は、データベースのようなシステマティック欠陥データ構造を作ることを含むことができる。そのような一例では、図１１に示されるシステム・フィードバックは、図１１に示されるシステマティック欠陥データベース２１８を作成するために使用されてもよい。データベースは、いつでも、任意のデバイス上で検出された任意のシステマティック欠陥に関係する全ての情報を含むことができる。この情報は、設計、プロセス・ウィンドウ、および設計ホット・スポット、レチクル欠陥および汚染などの全てを同様に含むことができる単一データ構造に結合されたシステマティック欠陥のためのウェーハ位置を含むことができる。

システマティック欠陥レビューおよびモニタリングのためのサンプル設計のために構成された実施形態は、同様に、または二者択一的に、ビヒクル生成をモニタするために構成されてもよい。例えば、１つの実施形態では、本方法は、テスト対象の設計を生成するために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報、および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。そのような１つの実施形態では、設計は、ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含んでいる。例えば、上記のデータ構造は、テスト構造の精密設計、および／または、特定のプロセスをモニタするのに必要な全ての適切な設計を収容しているウェーハを生成するために使用されてもよい。そのような一例では、図１１に示されるように、上記されるように生成されたシステマティック欠陥データベース２１８は、ダイおよび／またはウェーハ・モニタリング・デザイナーまたはモジュール２２０に提供されてもよい。システマティック欠陥データベースは、新しいテスト構造を作るために、ダイおよび／またはウェーハ・モニタリング・デザイナーまたはモジュールによって使用されてもよい。例えば、上記されるように利用できるかまたは生成することができる比較的大規模情報量は、どのタイプの設計が最も問題であるか決めるために使用されてもよい。そこで、これらの問題となる設計のタイプは、新しいテスト構造または新しいテスト・ウェーハを作るために使用されてもよい。テスト構造またはテスト・ウェーハは、異なるプロセスのための異なる設計を含むことができ、テスト構造またはテスト・ウェーハをプリントするために使用することができる新しいレチクルを作成するために使用されてもよい。テスト構造の一例は、図１１に示されるＧＤＳクリップ２２２から生成されたテスト構造を含むことができる。テスト構造は、図１１のウェーハ・マップ２２４に示されるクロス・ハッチに位置されてもよい。テスト構造のための情報は、同様に、ダイ位置、ダイ設計、サンプル、およびプロセス・ウィンドウ・パラメータを含むことができる。

１つの実施形態では、本方法は、システマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたテスト構造の設計を生成するために、および製品ウェーハ上にプリントされる設計に設計を加えるために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。テスト構造は、最も最終的な設計を含むことができる。例えば、そのようなテスト構造は、システマティック欠陥の効率的なモニタリングを可能にするために、既存の製品ウェーハに加えられてもよい。

他の実施形態では、本方法は、製品ウェーハを備えたモニタ・ウェーハの処理後にシステマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を生成するために、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥に関する情報、および欠陥レビューの結果を使用することを含んでいる。そして、設計は、最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の製品ウェーハおよび変形例のための最終設計を含む。ウェーハは、１つ以上のモニタリング・ウェーハを含むことができる。例えば、モニタリング・ウェーハは、モニタされるだろう最も最終的な設計に対応するプロセス・ウィンドウの周りの、最も最終的な設計およびいくつかの変形例を含む完全ウェーハであるかもしれない。モニタリング・ウェーハ（群）は、残る製品ウェーハとともに処理され、あらゆる可能なシステマティック欠陥ばかりでなく、潜在的ランダム欠陥も効率的にモニタするために使用されてもよい。そのような処理は、従来から行われていたような製品ウェーハの検査および／またはレビューをする必要性を抑えるために使用されてもよい。

本出願に記載された実施形態は、同様に、ＧＤＳベースのサンプリング、分類、および欠陥レビュー・システム上の正規化を含むことができる。上記のように、本出願に記載された実施形態は、ウェーハ検査の結果と組み合わせて、本出願に記載されるように決定された欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上での位置を使用するように構成されてもよい。例えば、本出願にさらに記載されるように、ウェーハ検査によって検出されたシステマティック欠陥は、非ウェーハ処理欠陥に基づいて作成されたシステマティック欠陥サンプルに加えられてもよく、および／または、ウェーハ検査結果は、ランダム欠陥サンプルの作成に使用されてもよい。それは、別々におよび／または同時に、システマティック欠陥サンプルとしてレビューされてもよい。本出願に記載された実施形態で使用されてもよいウェーハ検査の結果は、任意の適切なフォーマットも持つことができる。例えば、ウェーハ検査の結果は、ロット結果を含むことができる。それらは、パッチ・イメージのようなウェーハ上で検出された欠陥に関する任意の情報、および、ＫＬＡＲＦファイルのような標準ファイルフォーマットを含むことができる。ウェーハ検査システムは、ＢＦウェーハ検査システム、ＤＦウェーハ検査システム、および電子線検査（ＥＢｌ）システムのような任意の適切なウェーハ検査システムも含むことができる。本出願にさらに記載されるように、実施形態は、設計のダミー領域に位置する欠陥（「ダミー欠陥」）のような欠陥および虚偽欠陥を、サンプリング計画から削除することを含むことができる。加えて、本出願にさらに記載されるように、実施形態は、ＤＤＲユース・ケースを従来のＳＥＭレビューと組み合わせることを含むことができる。実施形態は、ＳＥＭレビュー効率を改善することに有利に使用することができる。加えて、本出願にさらに記載されるように、実施形態は、ＳＥＭレビューの後にＳＥＭパレートを正規化することを含むことができる。

１つの実施形態では、設計ベース分類（ＤＢＣ）は、実際の欠陥または虚偽欠陥に対する公知のシステマティック・パターンをモニタするために使用される。ここでは、ウェーハ検査の結果は、最終欠陥レビュー・サンプルを生成するために欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の決定された位置と組み合わせて使用される。例えば、本方法は、ウェーハ上で検出された欠陥のための設計クリップを抽出することを含むことができる。設計クリップの抽出は、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他およびＺａｆａｒ他による上記で参照された特許出願に記載されるように行うことができる。検出された欠陥のために抽出された設計クリップは、興味のパターン（ＰＯＩ）のための設計クリップを含むデータ構造と比較されてもよい。データ構造は、ＤＢＣライブラリと呼ばれてもよく、ＰＯＩは、ユーザによって定義されてもよい。このように、ＤＢＣライブラリは、異なるＤＢＣビンに関連した異なるＰＯＩを含むことができる。本方法は、ウェーハ上で検出された欠陥のために抽出された設計クリップを、ＤＢＣライブラリの設計クリップと比較することを含むことができる。比較の結果は、ＤＢＣビンをウェーハ上で検出された欠陥に割り当てるために使用されてもよい。例えば、抽出された設計クリップがＤＢＣライブラリの設計クリップと一致したならば、設計クリップがそのために抽出された欠陥は、ＤＢＣライブラリの一致する設計クリップに対応するＤＢＣビンを割り当てられてもよい。抽出された設計クリップがＤＢＣライブラリの設計クリップのいずれとも一致しなければ、設計クリップがそのために抽出された欠陥は、設計クリップがＤＢＣライブラリのＰＯＩのいずれにも相当しないので、空のＧＤＳクリップ（またはダミー・フィルタ）に対応するＤＢＣビンを割り当てられてもよい。その後、そのような欠陥は、欠陥集団のサンプリングに先立って欠陥集団からフィルタをかけられてもよい。ＤＢＣは、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他およびＺａｆａｒ他による上で参照された特許出願に記載されるようにさらに行うことができる。

いくつかの実施形態では、本方法は、欠陥のために決定された欠陥臨界インデックス（ＤＣＩ）によってウェーハ上で検出された欠陥を優先順位付けすることを含んでいる。優先順位付けされた欠陥は、レビュー・サンプルを改善するために使用されてもよい。欠陥のためのＤＣＩは、欠陥が検出されるパターンおよび欠陥のサイズの複雑さの関数として決定されてもよい。より具体的には、パターンの複雑さが増加すると、欠陥のＤＣＩが増加する。加えて、欠陥のサイズが増加すると、欠陥のＤＣＩが増加する。このように、比較的単純なパターンに位置する比較的小さな欠陥は、最低のＤＣＩを割り当てられてもよい一方、比較的複雑なパターンに位置する比較的大きな欠陥は、最も高いＤＣＩを割り当てられてもよい。このように、欠陥に割り当てられたＤＣＩ値は、欠陥がデバイスの上に持つ潜在的歩留まりインパクトに反映されてもよい。全ての欠陥は、ウェーハ検査の終わりに１つのインデックスを割り当てられてもよい。ＤＣＩは、０と１との間の値を持っていてもよい。０のＤＣＩは、歩留まりインパクトを持たない欠陥に相当する一方、１のＤＣＩは、高い歩留まりインパクトを持つ欠陥に相当する。加えて、欠陥が設計のダミー領域に位置するならば、欠陥は、ＤＣＩ番号を割り当てられなくてもよい。欠陥のためのＤＣＩは、Ｋｕｌｋａｒｎｉ他およびＺａｆａｒ他の上で参照された特許出願に記載されるような欠陥を優先順位付けするために、さらに決定および使用されてもよい。

ＧＤＳベース・サンプリングは、ウェーハ検査の結果を使用して行うことができる。例えば、現在行われているようなウェーハ検査結果における任意のサンプリング欠陥の代わりに、レチクル検査の結果のような予備的知識、レチクル・イメージングの結果（例えば、Ｋｅｋａｒｅ他への上で参照された特許出願に記載されたような露出システムに配置されたセンサを使用するレチクルの空中イメージングの結果）、ＧＤＳクリップ、および本出願に記載されるような他の情報は、「システマティック欠陥」および「ランダム欠陥」の両方をカバーするサンプリング計画を作成するために使用されてもよい。サンプリング計画の作成のために使用された入力は、ＫＬＡＲＦ、または本出願にさらに記載されたような任意のウェーハ検査システムからのロット結果であってよい。

サンプリング計画の準備では、本方法は、システマティック欠陥または虚偽欠陥の外でビンへのＤＢＣを行うことを含むことができる。ＤＢＣを行うことは、同様に、ダミー完全構造または公知の非ＰＯＩに降りかかる欠陥を削除するだろう。このように、サンプリング計画の準備は、ＤＢＣによる「ダミー完全」欠陥をビニングすること、および公知の非ＰＯＩの欠陥をビニングすることを含むことができる。ダミー完全欠陥をビニングすることは、欠陥集団をサンプリングする前に、集団の欠陥の実質的な数を削除することができる。サンプリングに先立って、そのような欠陥を削除することは、ユーザが一般にそのような欠陥に注意を払うことなく、そのような欠陥が歩留まりに影響しないので、有利である。加えて、サンプル計画のための準備は、公知のＰＯＩ内に位置する欠陥を特定することを含むことができる。公知のＰＯＩ内の欠陥の特定は、本出願に記載されるように作られたデータ構造を使用して行うことができる。それは、ＤＤＲによって生成されたＰＯＩのライブラリとして構成されてもよい。

本方法は、同様に、５μｍ×５μｍクリップ・サイズを使用して残留欠陥のためのＤＣＩを決定することを含むことができる。加えて、本方法は、欠陥のために決定されたＤＣＩに基づいて残留欠陥をグループ化することを含むことができる。例えば、残留欠陥は、１０の異なるＤＣＩグループ（例えば、０.１から０.２までのＤＣＩ値を持つあるグループ、０.２から０.３までのＤＣＩ値を持つ他のグループなど）にグループ化されてもよい。上記のステップで決定され、使用されるＤＣＩ値は、低解像度で欠陥のために得られた情報を使用して決定されたＤＣＩ値であるだろう。それゆえ、そのようなＤＣＩ値は、「低解像度ＤＣＩ」と簡便に呼ばれてもよい

本方法は、同様に、システマティック欠陥およびランダム欠陥の両方のためにサンプル計画を作成することを含むことができる。特に、システマティック欠陥のためのサンプル計画は、ＤＢＣビンを使用して作成することができる。それは、ＤＤＲ使用の場合である。加えて、ランダム欠陥のためのサンプル計画は、ＤＣＩグループを使用して作成することができる。それは、従来のＳＥＭレビュー使用の場合により似ている。一般に、ウェーハ検査によって検出されたいずれかの欠陥集団に含まれる欠陥の本質的な部分は、低ＤＣＩ値を持っている欠陥になるだろう。これらの欠陥が歩留まりの効果をほとんどまたは全く持たないので、そのような欠陥のレビューは、欠陥レビュー結果の歩留まり関連を減少させるだろう。それゆえ、いくつかの実施形態では、ＤＣＩグループに基づいた欠陥レビューのためのサンプリング欠陥は、最低ＤＣＩ値に対応する欠陥グループからのあったとしてもごく少ない欠陥のサンプリングを含むことができる、

ＳＥＭレビュー・サンプル計画を作成するための１つの実施形態は、それゆえ、ＫＬＡＲＦのようなウェーハ検査の結果を得ることを含むことができる。サンプル計画の作成は、同様に、ＤＣＩグループおよびＤＢＣビンを作成するために、ＤＢＣおよびＤＣＩを使用することを含むことができる。それらは、ランダム欠陥からシステマティック欠陥を分けるために使用されてもよい。本出願にさらに記載されるように、ＤＣＩグループおよびＤＢＣビンは、正規化の基礎として使用されてもよい。加えて、サンプル計画を作成することは、重大ＤＢＣビンのそれぞれから同数の欠陥をサンプリングすることを含むことができる。例えば、サンプル計画を作成することは、重大ＤＢＣビンからそれぞれ１つの欠陥をサンプリングすることを含むことができる。サンプル計画を作成することは、同様に、各ＤＣＩグループから多くの欠陥をサンプリングすることを含むことができる。サンプリングされた欠陥は、その後、レビューのために欠陥レビュー・システムに送られてもよい。

ユーザは、同様に、サンプリング計画を作成するために使用されるＤＢＢサンプリングの１つ以上のパラメータを選択することができる。例えば、ユーザは、サンプリングされるべき欠陥の最大数を選択することができる。ユーザは、同様に、欠陥がサンプリングされることになっている欠陥の分類および／またはグループ化の結果を選択してもよい。例えば、ユーザは、欠陥がＤＢＣ結果、ＤＢＧシステマティック結果、ＤＢＧランダム結果、またはそれらのいくつかの組合せからサンプリングされることになっているかどうかを選択することができる。結果の各セットについては、ユーザは、サンプリングのための１つ以上のパラメータを選択することもできる。例えば、ＤＢＣ結果からサンプリングすることについては、ユーザは、サンプル・サイズ（例えば、５）、フィルタ（例えば、非視覚的ＳＥＭ）、ビン優先度（例えば、カウント）、および内ビン・サンプリング・スキーム（例えば、ランダム）を選択することができる。ＤＢＧシステマティック結果からサンプリングすることについては、ユーザは、サンプル・サイズ（例えば、１０）、ビン優先度（例えば、ランダム）、および内ビン・サンプリング・スキーム（例えば、欠陥サイズによって優先順位付けされた）を選択することができる。加えて、ＤＢＧランダム結果からサンプリングすることについては、ユーザは、内ビン・サンプリング・スキーム（例えば、欠陥サイズによって優先順位付けされた）を選択することができる。ユーザは、いずれかの適切な配置を持ついずれかの適切なユーザ・インターフェースも使用して、そのような選択をすることができる。

同じまたは異なるユーザ・インターフェースでは、ユーザは、独立ビンまたはグループ内でサンプリングするための１つ以上のパラメータを選択することができる。例えば、ユーザ・インターフェースは、グループまたはビン（例えば、ＤＢＧグループ、ＤＢＣビン、ＤＢＢマニュアル・ビン、ラフ・スーパー・グループ、およびファイン・クラス）のカテゴリを並べるカラムを収容しているテーブルを表示するように構成されてもよい。ユーザは、（各カテゴリの独立グループまたはビンのリストを拡張することまたは折り畳むことによって、）行で各カテゴリ内の独立グループまたはビンを示すことを選択することができる。ユーザは、各カテゴリのためのサンプリングを集団的にするための、またはカテゴリ内の各ビンまたはグループのためのサンプリングを独立してするためのパラメータを選択することができる。例えば、ユーザは、各独立ＤＢＣビンからサンプリングするためのパラメータがテーブルから別々に選択することができるように、カラムの独立ＤＢＣビンを示すことを選択することができる。加えて、ユーザは、カラムのＤＢＢマニュアル・ビニングから結果する独立ビンを示すことを選択することができる。それは、各独立ＤＢＢマニュアル・ビンからサンプリングするためのパラメータが、別々に選択することができるように、ラフ・コードによって表示されるようにしてもよい。

多くの追加カラムも、テーブルに表示されてもよい。１つのカラムは、ユーザが各カテゴリ、独立ビン、または示された独立グループを選択することができる、異なるアクション（例えば、更新、または削除）のためのボタンを含むことができる。他のカラムは、各カテゴリ、独立ビン、または示された独立グループのコードを含むことができる。カテゴリについては、このカラムは、ユーザがカテゴリ内のゼロでないグループまたはビンを全て選択できるようにしてもよい。テーブルに示される独立ビンまたはグループについては、このカラムは、各独立ビンまたはグループに割り当てられたコードを示してもよい。テーブルは、ユーザが、各カテゴリ、独立ビン、または独立グループから選ばれる欠陥数またはパーセンテージを入力することを可能にするカラム、および、ユーザが、どの選択されている欠陥の数または欠陥のパーセンテージであるかを特定させることを可能にする他のカラムも含むことができる。加えて、テーブルは、ユーザが、内ビン・サンプリング・スキーム（例えば、ランダム、欠陥サイズによって優先順位付けされた、パターン密度によって優先順位付けされた、など）を選択できるようにする１つのカラムも含むことができる。テーブルは、ユーザが、サンプリングされたコード欠陥の最大数を選択できるようにしてもよい。このユーザ・インターフェースは、さらに当技術分野で周知であるどのような適切な構成を持っていてもよい。

ＳＥＭレビューの後、本方法は、全てのレビューされた欠陥のためのＧＤＳベース分類を行うことを含むことができる。ＧＤＳベース分類は、どのような「座標エラー」も取り除くために、ＧＤＳでＳＥＭイメージを整列させることを含むことができる。ＧＤＳベース分類は、ＤＣＩ（「高解像度ＤＣＩ」）を再計算するために、０．５μｍクリップ・サイズによって０.５μｍを使用することを含むこともできる。ＧＤＳベース分類は、多くのカテゴリのうちの１つに、自動的に欠陥を分類することをさらに含むこともできる。例えば、カテゴリは、例えば、目的だけ、配列パターン失敗、配列大粒子、配列中間粒子、配列小粒子、非配列パターン失敗、非配列大粒子、非配列中間粒子、および非配列小粒子を含むことができる。ＧＤＳベース分類の後、全てのレビューされた欠陥は、１つの公知のカテゴリに属することができ、１つの「高解像度ＤＣＩ値」を持つことができ、そして、１つのＤＣＩグループに属することができる。例えば、ＤＣＩ値が０.７５であるならば、欠陥は、ＤＣＩグループ８（０．７および０.８の間のＤＣＩ値を持つ欠陥のためのグループ）に属する。

ＧＤＳベース分類は、欠陥の位置での設計情報と同様に、欠陥位置の１つ以上のＳＥＭイメージから抽出されたデータの組合せを使用するだろう。これは、ＧＤＳベース分類を参照するが、この分類に使用された設計情報は、電気ネット・リストまたはフィルム厚情報のような追加データを含むことができる。ＧＤＳベース分類方法論は、欠陥がパターンまたは外部材料タイプ欠陥かどうか、欠陥が衝突または低下かどうか、および、欠陥がウェーハ上の非ダミーパターンに影響するかどうかのようなデータを使用することを含むことができる。

欠陥レビュー・システム上で行われた欠陥のＧＤＳベース分類は、多くの長所を持つ。例えば、そのような分類は、欠陥のマニュアル分類の必要を除去するか、または縮小することができる。マニュアル分類を除去または縮小することは、分類中のヒューマン・エラーを減少させることができる。加えて、正規化された欠陥レビュー・パレートは、ＳＰＣコントロールを駆動するために使用されてもよい。このように、システマティックまたはランダム偏位は、より速く検出されるかもしれない。さらにまた、ＧＤＳベース分類は、全てのレビューされた欠陥の「ラフＣＤ」または「致命確率」を提供することができる。ＧＤＳベース分類の追加使用は、その後、欠陥分類が、それまたは他の欠陥位置で追加アクションを駆動できるということである。この一例は、落下オン粒子であると分かった欠陥上の材料分析を行っているかもしれない。他の例は、欠陥が公知の設計ホット・スポットでパターン欠陥として分類されたならば、ウェーハ上の複数ダイで同じ欠陥位置の測定により、追加プロセス・ウィンドウ特性解析を行うべきかもしれない。

欠陥のＣＤおよび他の特性は、国際ＳＥＭＡＴＥＣ製造イニシアチブ（ＩＳＭＩ）によって開発された故意欠陥配列（ＩＤＡ）ウェーハに関する出力および／または情報と組み合わせて欠陥レビュー・システムの出力を使用して決定することができる。それは、テキサス州オースティンにあるＳＥＭＡＴＥＣＨの完全所有子会社である。例えば、ポリ・ゲート・レベルのＩＤＡのウェーハは、プリントされた欠陥の約７５％より大きな、約１５０ｎｍから約１５ｎｍまでのサイズを持つ欠陥を備えた４５ｎｍのラインを含むことができる。金属１トレンチ・レベルのためのＩＤＡのウェーハは、プリントされた欠陥の約８０％より大きな、約１７０ｎｍから約１７ｎｍまでのサイズを持つ欠陥を備えた６５ｎｍのラインを含むことができる。故意欠陥タイプは、例えば、中心島、ｘ軸でのブリッジ、ｙ軸でのブリッジ、ｘ軸でのライン端拡張、ｙ軸でのライン端拡張、内部コーナー拡張、消失構造、ｘ軸で置き違い、ｙ軸での置き違い、バイアス（−５０％〜＋２００％）、外部コーナー拡張、中心侵入、ｘ軸でのエッジ侵入、およびライン中心侵入を含むことができる。欠陥は、設計ルールの２００％から設計ルールの２５％までの範囲で寸法付けされてもよい。欠陥を収容するセルは、不完全ダイ構造のブロックを形成するセルの配列の中心に置かれる。欠陥を収容するダイは、ブロックの２次元配列で構築される。ブロックは、配列の１次元に跨った設計ルールの２００％から２５％までのサイズに減少する不完全なセルを収容する。異なる欠陥タイプは、配列の他の次元を横切って異なるブロックで見つけられてもよい。ＩＤＡのウェーハのさらなる記載は、国際ＳＥＭＡＴＥＣによって２００５年１０月５日に発行された「要約：６５ｎｍ技術およびそれを越えた故意欠陥配列」に見出すことができる。それは、あたかも完全に本出願に記載されるかのように参照によって組み込まれる。１つ以上のＩＤＡウェーハのための出力は、欠陥レビュー・システムを使用して得られてもよい。そして、ＩＤＡのウェーハ（群）のための出力は、ＣＤおよびＩＤＡウェーハ上の欠陥への他の欠陥特性を正規化するために、他のウェーハ上の欠陥のために欠陥レビュー・システムによって得られた出力と組み合わせて使用されてもよい。

ＧＤＳベース正規化は、ＤＣＩグループ（例えば、ＤＣＩグループは、０から０.１までのＤＣＩ値を持っている欠陥のためのグループ、０.１から０.２までＤＣＩ値を持っている欠陥のためのグループ、などを含む）による欠陥レビューによって生成されたパレートを正規化することを含むことができる。ＧＤＳベース正規化は、システマティック欠陥を含んでいるＤＢＣビンのために行うこともできる。加えて、ＧＤＳベース正規化は、ＤＣＩグループのために行うことができる。それは、ランダム欠陥を含む。次のステップは、ＤＣＩグループのための欠陥パレートを正規化するために行うことができる。レビューされた欠陥のＤＣＩグループは、全欠陥集団にリンクし、かつ欠陥検査パレートを正規化するために使用されてもよい。欠陥密度（ＤＯ）は、その後、決定されてもよい。そのような一例では、多く（例えば、１０）の欠陥または欠陥の割合は、各ＤＣＩグループからサンプリングされてもよい。サンプリングされた欠陥は、欠陥タイプ（例えば、パターン失敗、大粒子、中間粒子、小粒子など）によってレビューされ、分類されてもよい。そして、各ＤＣＩグループでの各タイプの欠陥の数は、決定されてもよい。各ＤＣＩグループ中のレビューによって決定された各タイプの欠陥の数、および各ＤＣＩグループの欠陥の総数は、その後、欠陥レビュー・パレートを正規化するために使用されてもよい。

正規化された欠陥パレートは、欠陥タイプの関数として欠陥の数を示すことができる。例えば、ウェーハ上のポリ埋込み欠陥の数は、ウェーハ上の粒子タイプ欠陥の数とは別に、パレートの中に示されてもよい。それらの両方は、ウェーハ上の残留タイプ欠陥の数とは別に示されてもよい。加えて、異なるウェーハ上で検出された異なるタイプの欠陥の数は、パレート図の中で示されてもよい。さらに、異なるウェーハ上で検出された異なるタイプの欠陥の数は正規化されるので、異なるウェーハ上で検出された異なるタイプの欠陥の数は、互いに直接的に比較されてもよい。このように、プロセスでの偏位は、そのようなパレート図を使用して比較的正確に検出することができる。

ＧＤＳベース正規化は、多くの長所を持つ。例えば、現在の正規化は、欠陥レビュー・システムのユーザによって行われる。それは、多くの明白な理由のために不利である。加えて、ＧＤＳベース正規化は、正規化されたＳＥＭレビュー・パレートからのウェーハ・レベル収量予測を許容する。それは、重要な値を提供する。さらに、歩留まりまたは欠陥チームは、正規化されたパレートに基づいて処置を決定し講ずることができる。

本出願に記載された方法のいずれもが、本出願に記載された１つ以上の方法の１ステップ以上の結果を、記憶媒体に記憶することを含むことができる。結果は、本出願に記載された結果のいずれかを含むことができる。結果は、当技術分野で周知の任意の方法で記憶されてもよい。加えて、記憶媒体は、本出願に記載されたどのような記憶媒体、または当技術分野で周知のその他の適切な記憶媒体を含むことができる。結果が記憶された後、結果は、記憶媒体にアクセスし、本出願に記載された方法またはシステムの実施形態のいずれか、あるいはその他の方法またはシステムによって使用することができる。さらにまた、結果は、「永久に」、「半永久に」、一時的に、または、ある期間の間だけ記憶されてもよい。例えば、記憶媒体は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）であってもよく、結果は、必ずしも記憶媒体に存在しなくてもよい。

上記の方法の各実施形態は、本出願に記載されたその他の方法（群）のその他のステップ（群）も含むことができる。加えて、上記の方法の各実施形態は、本出願に記載されたシステムのいずれかによって行うことができる。

他の実施形態は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するためのコンピュータ実装方法を行うためのコンピュータ・システム上で実行可能なプログラム命令を含んでいる担持媒体に関する。そのような１つの実施形態は、図１２に図示されている。特に、図１２に示されるように、担持媒体２２６は、コンピュータ・システム２３０上で実行可能なプログラム命令２２８を含んでいる。コンピュータ実装方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることを含んでいる。欠陥の座標を得ることは、本出願に記載された実施形態のいずれかによって行うことができる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。欠陥は、本出願に記載された欠陥のいずれかを含むことができる。そして、２つ以上の検査システムは、本出願に記載された検査システムのいずれかを含むことができる。

コンピュータ実装方法は、さらに、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために、その位置で行われた欠陥検査の結果を使用することができるように欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。レビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することは、本出願に記載された実施形態のいずれかによって行うことができる。コンピュータ実装方法（群）は、本出願に記載されたその他の実施形態（群）のその他のステップ（群）を行うことを含むことができる。

本出願に記載されたような方法を実行するプログラム命令２２８は、担持媒体２２６上で伝送されるか、または記憶されてもよい。担持媒体は、ワイヤ、ケーブル、または無線伝送リンクのような伝送媒体であることができる。担持媒体は、さらに読出し専用メモリ、ランダム・アクセス・メモリ、磁気または光ディスク、または磁気テープのような記憶媒体であることができる。

コンピュータ・システム２３０は、パーソナル・コンピュータ・システム、メインフレーム・コンピュータ・システム、ワークステーション、イメージ・コンピュータ、パラレル・プロセッサ、または当技術分野で周知のその他のデバイスを含む、様々な形式をとってもよい。一般に、用語「コンピュータ・システム」は、広く１台以上のプロセッサを持つどのようなデバイスも包含すると定義されてもよい。それは、メモリ媒体からの命令を実行する。

追加実施形態は、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムに関する。そのようなシステムの１つの実施形態は、図１３に示される。システムは、欠陥を検出するように構成された２つ以上の検査システムを含んでいる。欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。例えば、図１３に示されるように、システムは、設計検査システム２３２、マスク検査システム２３４、およびＰＷＱ検査システム２３６を含んでいる。検査システムは、本出願に記載されたどのような検査システムも含むことができる。加えて、そのような検査システムによって検出された欠陥は、本出願に記載された欠陥のいずれかを含むことができる。さらにまた、図１３に示される実施形態は、３つの検査システムを含んでいるが、システムは、図１３に示される検査システムのうちのどのような２つも含むことができる。

システムは、さらにコンピュータ・システムが２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることができるように、２つ以上の検査システムに接続されたコンピュータ・システム２３８を含んでいる。コンピュータ・システムは、本出願に記載された実施形態のいずれによっても２つ以上の検査システムに接続されてもよい。コンピュータ・システムは、欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために、その位置で行われた欠陥検査の結果を使用することができるように欠陥の座標をウェーハ上の座標に変換することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定するように構成される。コンピュータ・システムは、本出願に記載された実施形態のいずれによってもウェーハ上の位置の座標を決定するように構成されてもよい。コンピュータ・システムは、本出願に記載されたその他の方法（群）のその他のステップ（群）も行うように構成されてもよい。本出願に記載されたシステムは、本出願に記載された任意の実施形態（群）によってさらに構成されてもよい。

上記のコンピュータ・システムは、プロセス、検査、計測、レビュー、または他のツールの一部を形成しないスタンド・アローン・システムとして構成されてもよい。そのような実施形態では、コンピュータ・システムは、「有線」および／または「無線」部分を含むことができる伝送媒体によって他のシステムからのデータまたは情報（例えば、検査システムからの検査結果）を受信および／または得るように構成されてもよい。このように、伝送媒体は、コンピュータ・システムと他のシステムとの間のデータ・リンクとして役立ってもよい。加えて、コンピュータ・システムは、伝送媒体によって他のシステムにデータを伝送してもよい。そのようなデータは、例えば、本出願に記載された方法の結果、検査レシピ、または他のレシピ、あるいはそれらのいくつかの組合せを含むことができる。他の実施形態では、しかしながら、コンピュータ・システムは、欠陥レビュー・システムに含まれている。欠陥レビュー・システムは、本出願に記載されるように構成されてもよい。

本発明の様々な態様のさらなる修正および代替の実施形態は、この説明を考慮すれば、当業者にとって自明であるだろう。例えば、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法、設計、欠陥レビュー・ツール、およびシステムが提供されている。従って、この説明は、単に例証として解釈すべきであり、本発明を実施する一般的な方法を当業者に教示する目的のためのものである。本出願に図示され説明された本発明の形式は、現在の好ましい実施形態として捉えるべきであることを理解されたい。要素および材料は、本出願で例証され説明されたものに置き換えることができ、部分およびプロセスは、逆にすることができ、さらに本発明のいくつかの特徴は、本発明のこの説明の恩恵を得た後で当業者には全て明らかになるように、独立して用いることができる。添付の請求項に記載されるような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本出願で説明された要素に対しては変更を行うことができる。
適用例１：コンピュータによって実行される、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法であって、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥であって、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥の座標を得ること、および前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定することを備える方法。
適用例２：前記欠陥は、設計での欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含み、前記２つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含む適用例１に記載の方法。
適用例３：前記決定することは、レビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を座標の単一セットとして決定することを含む適用例１に記載の方法。
適用例４：前記位置の座標および前記ウェーハのための設計を使用して前記欠陥レビューのためのレシピを作成することをさらに備え、前記作成することは、前記ウェーハまたは前記ウェーハ上の欠陥をイメージングすることなしにオフ・ラインで行われる適用例１に記載の方法。
適用例５：前記ウェーハの検査によって前記ウェーハ上で検出されたシステマティックな欠陥が前記２つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥に相関するか否かを決定することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例６：前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを作成することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例７：前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを前記ウェーハのための設計と比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例８：前記ウェーハのための設計に基づいた自動欠陥位置決めのための全ての利用可能な方法から、前記欠陥レビューの間に行われるべき自動欠陥位置決めのための方法を選択することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例９：前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを、前記ウェーハのための設計、および前記ウェーハ上で行われたプロセスの１つ以上のパラメータの異なる値で前記ウェーハ上に前記設計がどのようにプリントされるかを示すシミュレートされたイメージと比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例１０：前記比較の結果に基づいて前記プロセスに関する情報を決定することをさらに含む適用例９に記載の方法。
適用例１１：前記ウェーハ上の追加位置が、前記位置で欠陥レビューの結果および前記位置に隣接する前記ウェーハのための設計に基づいてレビューされるべきかどうかを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例１２：追加操作が、前記位置での前記欠陥レビューの結果および前記ウェーハのための設計に基づいて前記ウェーハ上の位置で行われるべきかどうかを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例１３：前記ウェーハの検査の結果を得ること、および前記欠陥レビューの間にレビューのための検査の結果から前記ウェーハの検査によって検出された欠陥を任意に選択することをさらに含み、前記ウェーハ上の位置がシステマティックな欠陥サンプルを構成し、前記ランダムに選択された欠陥がランダム・サンプルを構成し、そして前記システマティックな欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルのための前記欠陥レビューが同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる適用例１に記載の方法。
適用例１４：前記欠陥レビューに先立って、前記検査の結果の分析が前記ウェーハの検査によって検出された１つ以上の欠陥がシステマティック欠陥であることを示す場合、前記１つ以上の欠陥を前記システマティック欠陥サンプルに加えることさらに含み、前記１つ以上の欠陥が前記ランダム・サンプルに含まれている場合、前記ランダム・サンプルから前記１つ以上の欠陥を取り除くことをさらに含む適用例１３に記載の方法。
適用例１５：前記システマティック欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルの前記欠陥レビューの結果を示すパレート図を生成することをさらに含む適用例１３に記載の方法。
適用例１６：設計ベース・ビニングを使用して前記欠陥レビューによってシステマティックな欠陥であると特定された前記ランダム・サンプルで欠陥を分類することをさらに含む適用例１３に記載の方法。
適用例１７：前記ウェーハ上の前記システマティックな欠陥の位置を決定するために前記欠陥レビューの結果を使用すること、および前記システマティック欠陥が見つけられた前記ウェーハ上の追加位置を決定するために前記ウェーハのための設計を使用することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例１８：前記見つけられた欠陥を前記ウェーハのための設計と比較することにより前記欠陥レビューの間に前記見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥の寸法を前記設計の寸法と比較することにより前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥に関する歩留まりのインパクトを決定するために、前記欠陥レビューの結果を使用することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例１９：前記欠陥レビューの結果に基づいて前記２つ以上の検査システムの少なくとも１つの１つ以上のパラメータを変更することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例２０：前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を、システマティックな欠陥のためのデータベースに記憶することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例２１：テスト対象のための設計を生成するために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記設計が前記ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含む適用例１に記載の方法。
適用例２２：システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含む適用例１に記載の方法。
適用例２３：システマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を、ウェーハ製品ウェーハを使って前記モニタ・ウェーハを処理した後に生成するために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記設計が前記製品ウェーハのための最終設計、および前記最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の変形例を含む適用例１に記載の方法。
適用例２４：欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法をコンピュータによって実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む担持媒体であり、前記コンピュータ実装方法は、２つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥の座標を得ること、および前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用できる位置で行われた前記欠陥レビューの結果のように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定することを備える、担持媒体。
適用例２５：欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムであって、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥であって、前記欠陥を検出するように構成された２つ以上の検査システム、および前記２つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥の座標を得ることができるように前記２つ以上の検査システムに接続されているコンピュータ・システムとを備え、前記コンピュータ・システムは、前記位置で行われた欠陥レビューの結果が、前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために使用できるように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定するように構成されている、システム。

Claims (24)

1. コンピュータによって実行される、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法であって、
   ２つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない、設計での欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含む欠陥の座標を得ること、
   前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定すること、
   システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用すること、
   を備える方法。
2. 前記２つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含む請求項１に記載の方法。
3. 前記決定することは、レビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を座標の単一セットとして決定することを含む請求項１に記載の方法。
4. 前記位置の座標および前記ウェーハのための設計を使用して前記欠陥レビューのためのレシピを作成することをさらに備え、前記作成することは、前記ウェーハまたは前記ウェーハ上の欠陥をイメージングすることなしにオフ・ラインで行われる請求項１に記載の方法。
5. 前記ウェーハの検査によって前記ウェーハ上で検出されたシステマティックな欠陥が前記２つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥に相関するか否かを決定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
6. 前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを作成することをさらに含む請求項１に記載の方法。
7. 前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを前記ウェーハのための設計と比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
8. 前記ウェーハのための設計に基づいた自動欠陥位置決めのための全ての利用可能な方法から、前記欠陥レビューの間に行われるべき自動欠陥位置決めのための方法を選択することをさらに含む請求項１に記載の方法。
9. 前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを、前記ウェーハのための設計、および前記ウェーハ上で行われたプロセスの１つ以上のパラメータの異なる値で前記ウェーハ上に前記ウェーハのための前記設計がどのようにプリントされるかを示すシミュレートされたイメージと比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
10. 前記比較の結果に基づいて前記プロセスに関する情報を決定することをさらに含む請求項９に記載の方法。
11. 前記ウェーハ上の追加位置が、前記位置で欠陥レビューの結果および前記位置に隣接する前記ウェーハのための設計に基づいてレビューされるべきか否かを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
12. 前記位置での前記欠陥レビューの結果および前記ウェーハのための設計に基づいて前記ウェーハ上の位置で行われるべきか否かを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
13. 前記ウェーハの検査の結果を得ること、および前記欠陥レビューの間にレビューのための検査の結果から前記ウェーハの検査によって検出された欠陥を任意に選択することをさらに含み、前記ウェーハ上の位置がシステマティックな欠陥サンプルを構成し、前記ランダムに選択された欠陥がランダム・サンプルを構成し、そして前記システマティックな欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルのための前記欠陥レビューが同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる請求項１に記載の方法。
14. 前記欠陥レビューに先立って、前記検査の結果の分析が前記ウェーハの検査によって検出された１つ以上の欠陥がシステマティック欠陥であることを示す場合、前記１つ以上の欠陥を前記システマティック欠陥サンプルに加えることさらに含み、前記１つ以上の欠陥が前記ランダム・サンプルに含まれている場合、前記ランダム・サンプルから前記１つ以上の欠陥を取り除くことをさらに含む請求項１３に記載の方法。
15. 前記システマティック欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルの前記欠陥レビューの結果を示すパレート図を生成することをさらに含む請求項１３に記載の方法。
16. 設計ベース・ビニングを使用して前記欠陥レビューによってシステマティックな欠陥であると特定された前記ランダム・サンプルで欠陥を分類することをさらに含む請求項１３に記載の方法。
17. 前記ウェーハ上の前記システマティックな欠陥の位置を決定するために前記欠陥レビューの結果を使用すること、および前記システマティック欠陥が見つけられた前記ウェーハ上の追加位置を決定するために前記ウェーハのための設計を使用することをさらに含む請求項１に記載の方法。
18. 前記見つけられた欠陥を前記ウェーハのための設計と比較することにより前記欠陥レビューの間に前記見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥の寸法を前記ウェーハのための前記設計の寸法と比較することにより前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥に関する歩留まりのインパクトを決定するために、前記欠陥レビューの結果を使用することをさらに含む請求項１に記載の方法。
19. 前記欠陥レビューの結果に基づいて前記２つ以上の検査システムの少なくとも１つの１つ以上のパラメータを変更することをさらに含む請求項１に記載の方法。
20. 前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を、システマティックな欠陥のためのデータベースに記憶することをさらに含む請求項１に記載の方法。
21. テスト対象のための設計を生成するために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記テスト対象のための前記設計は、前記ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含む請求項１に記載の方法。
22. システマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を、製品ウェーハを用いて前記モニタ・ウェーハを処理した後に生成するために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記モニタ・ウェーハのための前記設計が前記製品ウェーハのための最終設計、および前記最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の変形例を含む請求項１に記載の方法。
23. 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法をコンピュータによって実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む担持媒体であり、前記コンピュータ実装方法は、
    ２つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない欠陥の座標を得ること、
    前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定すること、
    システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用すること、を備える
    担持媒体。
24. 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムであって、
    前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない欠陥を検出するように構成された２つ以上の検査システム、および
    前記２つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥の座標を得ることができるように前記２つ以上の検査システムに接続されているコンピュータ・システムとを備え、前記コンピュータ・システムは、前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定するように構成され、前記コンピュータ・システムはさらに、システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記２つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用するように構成されている、
    システム。

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