JP5341769B2 - 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム - Google Patents
欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5341769B2 JP5341769B2 JP2009540472A JP2009540472A JP5341769B2 JP 5341769 B2 JP5341769 B2 JP 5341769B2 JP 2009540472 A JP2009540472 A JP 2009540472A JP 2009540472 A JP2009540472 A JP 2009540472A JP 5341769 B2 JP5341769 B2 JP 5341769B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- wafer
- defects
- design
- review
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 1049
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 361
- 238000012552 review Methods 0.000 title claims abstract description 321
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 292
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 301
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 claims abstract description 200
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 135
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 47
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 386
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 4
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007418 data mining Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000012942 design verification Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
適用例1:コンピュータによって実行される、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法であって、2つ以上の検査システムによって検出された欠陥であって、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥の座標を得ること、および前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定することを備える方法。
適用例2:前記欠陥は、設計での欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含み、前記2つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含む適用例1に記載の方法。
適用例3:前記決定することは、レビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を座標の単一セットとして決定することを含む適用例1に記載の方法。
適用例4:前記位置の座標および前記ウェーハのための設計を使用して前記欠陥レビューのためのレシピを作成することをさらに備え、前記作成することは、前記ウェーハまたは前記ウェーハ上の欠陥をイメージングすることなしにオフ・ラインで行われる適用例1に記載の方法。
適用例5:前記ウェーハの検査によって前記ウェーハ上で検出されたシステマティックな欠陥が前記2つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥に相関するか否かを決定することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例6:前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを作成することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例7:前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを前記ウェーハのための設計と比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例8:前記ウェーハのための設計に基づいた自動欠陥位置決めのための全ての利用可能な方法から、前記欠陥レビューの間に行われるべき自動欠陥位置決めのための方法を選択することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例9:前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを、前記ウェーハのための設計、および前記ウェーハ上で行われたプロセスの1つ以上のパラメータの異なる値で前記ウェーハ上に前記設計がどのようにプリントされるかを示すシミュレートされたイメージと比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例10:前記比較の結果に基づいて前記プロセスに関する情報を決定することをさらに含む適用例9に記載の方法。
適用例11:前記ウェーハ上の追加位置が、前記位置で欠陥レビューの結果および前記位置に隣接する前記ウェーハのための設計に基づいてレビューされるべきかどうかを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例12:追加操作が、前記位置での前記欠陥レビューの結果および前記ウェーハのための設計に基づいて前記ウェーハ上の位置で行われるべきかどうかを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例13:前記ウェーハの検査の結果を得ること、および前記欠陥レビューの間にレビューのための検査の結果から前記ウェーハの検査によって検出された欠陥を任意に選択することをさらに含み、前記ウェーハ上の位置がシステマティックな欠陥サンプルを構成し、前記ランダムに選択された欠陥がランダム・サンプルを構成し、そして前記システマティックな欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルのための前記欠陥レビューが同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる適用例1に記載の方法。
適用例14:前記欠陥レビューに先立って、前記検査の結果の分析が前記ウェーハの検査によって検出された1つ以上の欠陥がシステマティック欠陥であることを示す場合、前記1つ以上の欠陥を前記システマティック欠陥サンプルに加えることさらに含み、前記1つ以上の欠陥が前記ランダム・サンプルに含まれている場合、前記ランダム・サンプルから前記1つ以上の欠陥を取り除くことをさらに含む適用例13に記載の方法。
適用例15:前記システマティック欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルの前記欠陥レビューの結果を示すパレート図を生成することをさらに含む適用例13に記載の方法。
適用例16:設計ベース・ビニングを使用して前記欠陥レビューによってシステマティックな欠陥であると特定された前記ランダム・サンプルで欠陥を分類することをさらに含む適用例13に記載の方法。
適用例17:前記ウェーハ上の前記システマティックな欠陥の位置を決定するために前記欠陥レビューの結果を使用すること、および前記システマティック欠陥が見つけられた前記ウェーハ上の追加位置を決定するために前記ウェーハのための設計を使用することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例18:前記見つけられた欠陥を前記ウェーハのための設計と比較することにより前記欠陥レビューの間に前記見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥の寸法を前記設計の寸法と比較することにより前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥に関する歩留まりのインパクトを決定するために、前記欠陥レビューの結果を使用することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例19:前記欠陥レビューの結果に基づいて前記2つ以上の検査システムの少なくとも1つの1つ以上のパラメータを変更することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例20:前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を、システマティックな欠陥のためのデータベースに記憶することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例21:テスト対象のための設計を生成するために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記設計が前記ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含む適用例1に記載の方法。
適用例22:システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含む適用例1に記載の方法。
適用例23:システマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を、ウェーハ製品ウェーハを使って前記モニタ・ウェーハを処理した後に生成するために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記設計が前記製品ウェーハのための最終設計、および前記最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の変形例を含む適用例1に記載の方法。
適用例24:欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法をコンピュータによって実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む担持媒体であり、前記コンピュータ実装方法は、2つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥の座標を得ること、および前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために使用できる位置で行われた前記欠陥レビューの結果のように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定することを備える、担持媒体。
適用例25:欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムであって、前記ウェーハ上で検出された欠陥を含まない欠陥であって、前記欠陥を検出するように構成された2つ以上の検査システム、および前記2つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥の座標を得ることができるように前記2つ以上の検査システムに接続されているコンピュータ・システムとを備え、前記コンピュータ・システムは、前記位置で行われた欠陥レビューの結果が、前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために使用できるように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定するように構成されている、システム。
Claims (24)
- コンピュータによって実行される、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するための方法であって、
2つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない、設計での欠陥、レチクル上で検出された欠陥、プロセス・ウィンドウ特性解析によって検出されたレチクル上の欠陥、またはそれらのいくつかの組合せを含む欠陥の座標を得ること、
前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定すること、
システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用すること、
を備える方法。 - 前記2つ以上の検査システムは、設計検査システム、レチクル検査システム、プロセス・ウィンドウ特性解析システム、またはそれらのいくつかの組合せを含む請求項1に記載の方法。
- 前記決定することは、レビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を座標の単一セットとして決定することを含む請求項1に記載の方法。
- 前記位置の座標および前記ウェーハのための設計を使用して前記欠陥レビューのためのレシピを作成することをさらに備え、前記作成することは、前記ウェーハまたは前記ウェーハ上の欠陥をイメージングすることなしにオフ・ラインで行われる請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハの検査によって前記ウェーハ上で検出されたシステマティックな欠陥が前記2つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥に相関するか否かを決定することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を含む暗号化保護ファイルを作成することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを前記ウェーハのための設計と比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハのための設計に基づいた自動欠陥位置決めのための全ての利用可能な方法から、前記欠陥レビューの間に行われるべき自動欠陥位置決めのための方法を選択することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記位置の座標で前記欠陥レビューの間に得られたイメージを、前記ウェーハのための設計、および前記ウェーハ上で行われたプロセスの1つ以上のパラメータの異なる値で前記ウェーハ上に前記ウェーハのための前記設計がどのようにプリントされるかを示すシミュレートされたイメージと比較することにより、前記欠陥レビューの間に前記ウェーハ上の位置を特定することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記比較の結果に基づいて前記プロセスに関する情報を決定することをさらに含む請求項9に記載の方法。
- 前記ウェーハ上の追加位置が、前記位置で欠陥レビューの結果および前記位置に隣接する前記ウェーハのための設計に基づいてレビューされるべきか否かを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記位置での前記欠陥レビューの結果および前記ウェーハのための設計に基づいて前記ウェーハ上の位置で行われるべきか否かを、前記欠陥レビューの間に決定することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハの検査の結果を得ること、および前記欠陥レビューの間にレビューのための検査の結果から前記ウェーハの検査によって検出された欠陥を任意に選択することをさらに含み、前記ウェーハ上の位置がシステマティックな欠陥サンプルを構成し、前記ランダムに選択された欠陥がランダム・サンプルを構成し、そして前記システマティックな欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルのための前記欠陥レビューが同じ欠陥レビュー・プロセスで行われる請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥レビューに先立って、前記検査の結果の分析が前記ウェーハの検査によって検出された1つ以上の欠陥がシステマティック欠陥であることを示す場合、前記1つ以上の欠陥を前記システマティック欠陥サンプルに加えることさらに含み、前記1つ以上の欠陥が前記ランダム・サンプルに含まれている場合、前記ランダム・サンプルから前記1つ以上の欠陥を取り除くことをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記システマティック欠陥サンプルおよび前記ランダム・サンプルの前記欠陥レビューの結果を示すパレート図を生成することをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 設計ベース・ビニングを使用して前記欠陥レビューによってシステマティックな欠陥であると特定された前記ランダム・サンプルで欠陥を分類することをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記ウェーハ上の前記システマティックな欠陥の位置を決定するために前記欠陥レビューの結果を使用すること、および前記システマティック欠陥が見つけられた前記ウェーハ上の追加位置を決定するために前記ウェーハのための設計を使用することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記見つけられた欠陥を前記ウェーハのための設計と比較することにより前記欠陥レビューの間に前記見つけられた欠陥のための致命率を決定するために、および前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥の寸法を前記ウェーハのための前記設計の寸法と比較することにより前記欠陥レビューの間に見つけられた前記欠陥に関する歩留まりのインパクトを決定するために、前記欠陥レビューの結果を使用することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥レビューの結果に基づいて前記2つ以上の検査システムの少なくとも1つの1つ以上のパラメータを変更することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を、システマティックな欠陥のためのデータベースに記憶することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- テスト対象のための設計を生成するために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記テスト対象のための前記設計は、前記ウェーハ上で行われたプロセスをモニタするために使用することができる全ての設計を含む請求項1に記載の方法。
- システマティック欠陥のためにモニタされるように構成されたモニタ・ウェーハのための設計を、製品ウェーハを用いて前記モニタ・ウェーハを処理した後に生成するために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用することをさらに含み、前記モニタ・ウェーハのための前記設計が前記製品ウェーハのための最終設計、および前記最終設計のためのプロセス・ウィンドウに対応する最終設計の変形例を含む請求項1に記載の方法。
- 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するコンピュータ実装方法をコンピュータによって実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む担持媒体であり、前記コンピュータ実装方法は、
2つ以上の検査システムによって検出された、前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない欠陥の座標を得ること、
前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された前記欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定すること、
システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用すること、を備える
担持媒体。 - 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定するように構成されたシステムであって、
前記ウェーハ上で検出された欠陥ではない欠陥を検出するように構成された2つ以上の検査システム、および
前記2つ以上の検査システムによって検出された前記欠陥の座標を得ることができるように前記2つ以上の検査システムに接続されているコンピュータ・システムとを備え、前記コンピュータ・システムは、前記欠陥が前記ウェーハ上でシステマティック欠陥を引き起こすか否かを決定するために前記ウェーハ上の位置で実行された欠陥レビューの結果が用いられ得るように、前記欠陥の座標を前記ウェーハ上の座標に変換することにより、前記欠陥レビューの間にレビューされるべき前記ウェーハ上の位置の座標を決定するように構成され、前記コンピュータ・システムはさらに、システマティックな欠陥がモニタされるように構成されたテスト構造のための設計を生成するために、および前記設計に対して製品ウェーハ上にプリントされるべき設計を加えるために、前記2つ以上の検査システムによって検出された欠陥および前記欠陥レビューの結果に関する情報を使用するように構成されている、
システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US86876906P | 2006-12-06 | 2006-12-06 | |
US60/868,769 | 2006-12-06 | ||
US11/950,961 | 2007-12-05 | ||
US11/950,961 US7904845B2 (en) | 2006-12-06 | 2007-12-05 | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
PCT/US2007/086635 WO2008070772A1 (en) | 2006-12-06 | 2007-12-06 | Methods, designs, defect review tools, and systems for determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010522972A JP2010522972A (ja) | 2010-07-08 |
JP5341769B2 true JP5341769B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=39492627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009540472A Active JP5341769B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-12-06 | 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7904845B2 (ja) |
JP (1) | JP5341769B2 (ja) |
IL (1) | IL198417A (ja) |
WO (1) | WO2008070772A1 (ja) |
Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7853920B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
EP1982160A4 (en) | 2006-02-09 | 2016-02-17 | Kla Tencor Tech Corp | METHOD AND SYSTEMS FOR DETERMINING A WAFER FEATURE |
CN101479730B (zh) * | 2006-06-27 | 2011-06-08 | 日本电气株式会社 | 基板或电子部件的翘曲分析方法、基板或电子部件的翘曲分析系统及基板或电子部件的翘曲分析程序 |
KR100846633B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-07-16 | 삼성전자주식회사 | 패턴 결함 검출 방법 및 장치 |
US8611637B2 (en) * | 2007-01-11 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects |
US8103086B2 (en) * | 2007-01-11 | 2012-01-24 | Kla-Tencor Corporation | Reticle defect inspection with model-based thin line approaches |
US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7937179B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Dynamic inline yield analysis and prediction of a defect limited yield using inline inspection defects |
US7962864B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-06-14 | Applied Materials, Inc. | Stage yield prediction |
US8799831B2 (en) * | 2007-05-24 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Inline defect analysis for sampling and SPC |
US8924904B2 (en) * | 2007-05-24 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining factors for design consideration in yield analysis |
US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
TWI469235B (zh) * | 2007-08-20 | 2015-01-11 | Kla Tencor Corp | 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法 |
US8863056B2 (en) * | 2007-08-23 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated design-for-manufacturing platform |
US8156451B2 (en) * | 2007-09-14 | 2012-04-10 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing photomask |
US8126255B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
US20090273669A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Nadav Wertsman | Method and system for detecting critical defects |
WO2009152046A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combination thereof |
WO2009155502A2 (en) | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for determining one or more characteristics of a wafer |
KR101729669B1 (ko) | 2008-07-28 | 2017-04-24 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
US8111903B2 (en) * | 2008-09-26 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Inline low-damage automated failure analysis |
JP4852083B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | パタンデータの作成方法およびパタンデータ作成プログラム |
EP2394295A2 (en) * | 2009-02-06 | 2011-12-14 | KLA-Tencor Corporation | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9768082B2 (en) * | 2009-02-13 | 2017-09-19 | Hermes Microvision Inc. | Method and machine for examining wafers |
US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
JP5719843B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2015-05-20 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 設計データおよび欠陥データを使用したスキャナ性能の比較およびマッチング |
US10235269B2 (en) | 2009-09-11 | 2019-03-19 | International Business Machines Corporation | System and method to produce business case metrics based on defect analysis starter (DAS) results |
US8527955B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | System and method to classify automated code inspection services defect output for defect analysis |
US8539438B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | System and method for efficient creation and reconciliation of macro and micro level test plans |
US8578341B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | System and method to map defect reduction data to organizational maturity profiles for defect projection modeling |
US8893086B2 (en) | 2009-09-11 | 2014-11-18 | International Business Machines Corporation | System and method for resource modeling and simulation in test planning |
US8745554B2 (en) * | 2009-12-28 | 2014-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Practical approach to layout migration |
US8396583B2 (en) * | 2010-03-25 | 2013-03-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for implementing virtual metrology in semiconductor fabrication |
US8108805B2 (en) * | 2010-03-26 | 2012-01-31 | Tokyo Electron Limited | Simplified micro-bridging and roughness analysis |
US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
US8227752B1 (en) * | 2011-02-17 | 2012-07-24 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Method of operating a scanning electron microscope |
US8487252B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-16 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam microscope and method for operating the particle beam microscope |
JP2012199338A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Fujitsu Ltd | 故障診断支援方法、プログラム及び装置 |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US8669523B2 (en) * | 2011-05-25 | 2014-03-11 | Kla-Tencor Corporation | Contour-based defect detection using an inspection apparatus |
JP5581286B2 (ja) | 2011-09-09 | 2014-08-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US9087367B2 (en) * | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US8755045B2 (en) * | 2012-01-06 | 2014-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Detecting method for forming semiconductor device |
US9733640B2 (en) * | 2012-01-13 | 2017-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for database-assisted requalification reticle inspection |
US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
US9310317B2 (en) * | 2012-01-25 | 2016-04-12 | The Boeing Company | Automated system and method for tracking and detecting discrepancies on a target object |
JP5809997B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-11-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体計測装置及びコンピュータープログラム |
US8826200B2 (en) * | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
KR102019534B1 (ko) | 2013-02-01 | 2019-09-09 | 케이엘에이 코포레이션 | 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출 |
US9222895B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Generalized virtual inspector |
CN105432075B (zh) * | 2013-03-20 | 2019-09-06 | 生活时间品牌公司 | 用于移动质量管理检查的系统 |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US8869077B1 (en) * | 2013-05-23 | 2014-10-21 | Globalfoundries Inc. | Selection of replacement patterns for reducing manufacturing hotspots and constraint violations of IC designs |
US10114368B2 (en) * | 2013-07-22 | 2018-10-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Closed-loop automatic defect inspection and classification |
US9347862B2 (en) * | 2013-08-06 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corp. | Setting up a wafer inspection process using programmed defects |
US9043743B2 (en) * | 2013-10-22 | 2015-05-26 | International Business Machines Corporation | Automated residual material detection |
WO2015114833A1 (ja) | 2014-02-03 | 2015-08-06 | 株式会社プロスパークリエイティブ | 画像検査装置及び画像検査プログラム |
US9116108B1 (en) | 2014-02-12 | 2015-08-25 | Macronix International Co., Ltd. | Electron beam inspection optimization |
CN104851817B (zh) * | 2014-02-13 | 2017-12-22 | 旺宏电子股份有限公司 | 电子束检测优化方法 |
US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
US10127653B2 (en) * | 2014-07-22 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Determining coordinates for an area of interest on a specimen |
US9582869B2 (en) * | 2014-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic binning for diversification and defect discovery |
US10483081B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corp. | Self directed metrology and pattern classification |
US9286675B1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-03-15 | Applied Materials Israel Ltd. | Iterative defect filtering process |
US9696268B2 (en) | 2014-10-27 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
US10786948B2 (en) | 2014-11-18 | 2020-09-29 | Sigma Labs, Inc. | Multi-sensor quality inference and control for additive manufacturing processes |
US9816940B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corporation | Wafer inspection with focus volumetric method |
US20160217240A1 (en) | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Dmo Systems Limited | Methodology Of Incorporating Wafer Physical Measurement With Digital Simulation For Improving Semiconductor Device Fabrication |
US9891538B2 (en) * | 2015-03-16 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive sampling for process window determination |
US10012689B2 (en) | 2015-03-25 | 2018-07-03 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of inspecting a specimen and system thereof |
US10030965B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-07-24 | Kla-Tencor Corporation | Model-based hot spot monitoring |
US9500945B1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-11-22 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Pattern classification based proximity corrections for reticle fabrication |
KR102294366B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2021-08-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 결함 검증을 위한 방법들 |
CN107923856B (zh) * | 2015-08-05 | 2021-02-26 | 科磊股份有限公司 | 以范围为基础的实时扫描电子显微镜的非视觉分格器 |
US10207489B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-02-19 | Sigma Labs, Inc. | Systems and methods for additive manufacturing operations |
US10181185B2 (en) | 2016-01-11 | 2019-01-15 | Kla-Tencor Corp. | Image based specimen process control |
KR102353216B1 (ko) | 2016-05-12 | 2022-01-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 측정치 획득 방법, 프로세스 단계 수행 장치, 계측 장치, 디바이스 제조 방법 |
US11010886B2 (en) | 2016-05-17 | 2021-05-18 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching |
US10902576B2 (en) * | 2016-08-12 | 2021-01-26 | Texas Instruments Incorporated | System and method for electronic die inking after automatic visual defect inspection |
JP6353008B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-07-04 | ファナック株式会社 | 検査条件決定装置、検査条件決定方法及び検査条件決定プログラム |
US10190991B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-01-29 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for adaptive sampling in examining an object and system thereof |
JP7113613B2 (ja) | 2016-12-21 | 2022-08-05 | エフ イー アイ カンパニ | 欠陥分析 |
US11138507B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-10-05 | Applied Materials Israel Ltd. | System, method and computer program product for classifying a multiplicity of items |
US10664966B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-05-26 | International Business Machines Corporation | Anomaly detection using image-based physical characterization |
US11138722B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-05 | Kla-Tencor Corporation | Differential imaging for single-path optical wafer inspection |
US11055840B2 (en) * | 2019-08-07 | 2021-07-06 | Kla Corporation | Semiconductor hot-spot and process-window discovery combining optical and electron-beam inspection |
DE102019216267A1 (de) | 2019-10-23 | 2021-04-29 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
WO2021088027A1 (en) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Automatic assessment method and assessment system thereof for yield improvement |
EP3940124B1 (de) | 2020-07-14 | 2024-01-03 | Siltronic AG | Kristallstück aus monokristallinem silizium |
JP7467284B2 (ja) * | 2020-08-27 | 2024-04-15 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の不良解析システム、半導体装置の不良解析方法、およびプログラム。 |
US20230255527A1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-08-17 | Informed Data Systems Inc. D/B/A One Drop | Wearable electronic biosensors and manufacturing methods |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19726696A1 (de) | 1997-06-24 | 1999-01-07 | Jenoptik Jena Gmbh | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
US5985497A (en) * | 1998-02-03 | 1999-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for reducing defects in a semiconductor lithographic process |
US6020957A (en) | 1998-04-30 | 2000-02-01 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inspecting semiconductor wafers |
US6407373B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
US6806951B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen |
US6701259B2 (en) * | 2000-10-02 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Defect source identifier |
JP3678133B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2005-08-03 | 株式会社日立製作所 | 検査システムおよび半導体デバイスの製造方法 |
US6880136B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Method to detect systematic defects in VLSI manufacturing |
US6902855B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns |
AU2003247868A1 (en) | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables |
US7123356B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-10-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection |
US7027143B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-04-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths |
JP4130115B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-08-06 | アルプス電気株式会社 | 照明装置、及び液晶表示装置 |
US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
US8151220B2 (en) | 2003-12-04 | 2012-04-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data |
KR101056142B1 (ko) | 2004-01-29 | 2011-08-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법 |
DE112005000660T5 (de) | 2004-03-22 | 2007-02-08 | Kla-Tencor Technologies Corp., Milpitas | Methoden und Systeme zum Messen einer Eigenschaften eines Substrats oder zur Vorbereitung eines Substrats zur Analyse |
JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
US8532949B2 (en) | 2004-10-12 | 2013-09-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen |
JP4788131B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2011-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 欠陥解析方法 |
US7729529B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle |
JP4413767B2 (ja) | 2004-12-17 | 2010-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン検査装置 |
US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7570796B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
-
2007
- 2007-12-05 US US11/950,961 patent/US7904845B2/en active Active
- 2007-12-06 JP JP2009540472A patent/JP5341769B2/ja active Active
- 2007-12-06 WO PCT/US2007/086635 patent/WO2008070772A1/en active Application Filing
-
2009
- 2009-04-27 IL IL198417A patent/IL198417A/en active IP Right Revival
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL198417A0 (en) | 2010-02-17 |
US7904845B2 (en) | 2011-03-08 |
WO2008070772A1 (en) | 2008-06-12 |
US20080163140A1 (en) | 2008-07-03 |
JP2010522972A (ja) | 2010-07-08 |
IL198417A (en) | 2014-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5341769B2 (ja) | 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム | |
US7711514B2 (en) | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan | |
US9710903B2 (en) | System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features | |
US8194968B2 (en) | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions | |
KR101931834B1 (ko) | 설계 기반 소자 위험성 평가 | |
KR101285967B1 (ko) | 검사 데이터와 조합하여 설계 데이터를 활용하는 방법 및시스템 | |
US8139844B2 (en) | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers | |
JP4918598B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
KR20120125273A (ko) | 검사 유도 오버레이 메트롤러지 | |
US9733640B2 (en) | Method and apparatus for database-assisted requalification reticle inspection | |
CN108351913B (zh) | 在设计文件内存储动态层内容的方法 | |
TW202300900A (zh) | 以經呈現設計影像之設計照護區域之分段 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130304 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5341769 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |