JP5341148B2 - 光共振器構造および作製方法 - Google Patents
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Description
rn=r0×{1−(n/m)2)} 式(1)
2、11、22 シリコン酸化膜層
3、12 1次元フォトニック結晶
4、14 サイドスラブ層
5、13、26 穴
6、23 シリコン層
Claims (5)
- 1次元フォトニック結晶を用いた光共振器において、
低屈折率材料層の上に形成された高屈折率材料層をエッチングすることによって形成された概ね直方体形状のフォトニック結晶であって、その内部に、前記直方体の長手方向に周期的に配列された低屈折率の複数の要素構造を備え、前記複数の要素構造の底面が前記低屈折率材料層と一定の間隔を置いて配置されたフォトニック結晶と、
前記フォトニック結晶の前記長手方向に平行な両側面に接して、前記高屈折率材料層をエッチングすることにより前記高屈折率材料が除去されて残存する前記高屈折率材料により形成されたサイドスラブであって、その上面の高さが、前記複数の要素構造の底面と概ね同一の高さとなるように形成された厚さ60nm以下のサイドスラブとを備え、
前記低屈折率材料層および前記高屈折率材料層は、それぞれ、SOI(Silicon On Insulator)基板のシリコン酸化膜層およびSOI層を利用して構成されることを特徴とする光共振器。 - 前記複数の要素構造は、前記サイドスラブを形成するのと同時に、前記高屈折率材料層をエッチングすることによって前記フォトニック結晶内に形成された柱状もしくは円柱の穴であることを特徴とする請求項1に記載の光共振器。
- 前記フォトニック結晶の上方および前記複数の要素構造の内部が、第2の低屈折率材料層で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の光共振器。
- 1次元フォトニック結晶を用いた光共振器の作製方法において、
基板、低屈折率材料層および高屈折率材料層が順次形成された多層構造上にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層をパターニングして、フォトニック結晶の外形、および、前記フォトニック結晶の長手方向に周期的に配置される複数の要素構造を形成するためのマスクを形成するステップと、
前記マスクを通して、前記高屈折率材料層をエッチングするステップであって、エッチングによって、前記複数の要素構造、および、前記フォトニック結晶の前記長手方向に平行な両側面に接して該エッチングの後で残存する前記高屈折率材料層によって形成される厚さ60nm以下のサイドスラブを同時に形成し、前記複数の要素構造の底面の高さと前記サイドスラブ上面の高さが概ね一致する、エッチングするステップとを備え、
前記低屈折率材料層および前記高屈折率材料層は、それぞれ、SOI(Silicon On Insulator)基板のシリコン酸化膜層およびSOI層を利用して構成されることを特徴とする光共振器の作製方法。 - 前記複数の要素構造は、前記サイドスラブを形成するのと同時に、前記高屈折率材料層をエッチングすることによって前記フォトニック結晶内に形成された柱状もしくは円柱の穴であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
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