JP5326394B2

JP5326394B2 - 薄膜センサ装置

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Publication number: JP5326394B2
Application number: JP2008183927A
Authority: JP
Inventors: 郁博山口; 克彦両澤; 広松本; 啓和小林
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2008-07-15
Filing date: 2008-07-15
Publication date: 2013-10-30
Anticipated expiration: 2028-07-15
Also published as: JP2010027674A

Description

本発明は、薄膜プロセスにて作成される薄膜センサを用いた薄膜センサ装置に関する。

アモルファスシリコンやポリシリコン等から構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を応用して作成される薄膜センサが知られている。この種の薄膜センサは、ガラス基板上等に形成できるため、例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）やＯＬＥＤ（有機ＥＬディスプレイ）等の表示装置と同一基板上に形成することも可能である。このため、薄膜センサに関して各種の応用例が提案されている。例えば、特許文献１においては、薄膜トランジスタを用いた光センサに関する提案がなされている。

ここで、特許文献１において提案されているような従来の薄膜プロセスを応用した光センサは、ＴＦＴのゲート電極に負の電圧（例えば、−５Ｖ〜−１０Ｖ程度）を印加したときに、光の照度に応じてＴＦＴのドレイン−ソース間に流れる電流を検出するものである。この出力電流は、非常に小さいため、上記特許文献１において提案されているような薄膜センサを光センサとして利用するためには、光センサからの電流を増幅してから取り出すことが望ましい。このため、通常は、薄膜センサを用いる場合には、薄膜センサの作成プロセスとは別プロセスで作成された増幅回路を接続した薄膜センサ装置として用いることが多い。
特開平３−８２１７１号公報

ここで、従来の薄膜センサ装置においては、薄膜センサから出力される電流が増幅回路に入力される際に、各種のノイズ電流が混入することが知られている。薄膜センサの出力電流がノイズ電流に対して十分大きければ、多少のノイズ電流の混入は問題にはならないが、実際には薄膜センサの素子サイズの制約から、薄膜センサの出力電流を必要以上に大電流とすることができず、ノイズ電流が非常に大きな問題となっている。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の薄膜センサ装置は、電源用の接続端子と、検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、前記電流出力端子に接続され、前記電流出力端子から出力される電流を増幅する増幅回路と、前記電流出力端子と前記電源用の接続端子との間に設けられ、接地電位に固定されたダミー端子とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜センサ装置を備えた表示装置の一例としての液晶表示装置の全体構成を示す図である。なお、本実施形態においては、薄膜センサを光センサに応用した例について説明する。

図１に示す表示装置は、表示パネル１０と、光センサ２０と、バックライトコントローラ３０とを有している。

表示パネル１０は、表示部１１及びドライバ１２が実装されたガラス基板上にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１３が接続されるとともに、表示部１１の背面にバックライト１４が配されて構成されている。表示部１１は、複数の走査線Ｓと複数のデータ線Ｄと各走査線Ｓと各データ線Ｄの各交点近傍に形成されたａ−ＳｉのＴＦＴ１９と該ＴＦＴに接続された液晶層ＬＣ等からなる画素が配されて構成されている。表示部１１の各画素は、ドライバ１２からの電圧印加を受けて光の透過率を変化させる特性を有している。表示パネル１０は、この特性を利用して階調表示を行う。ドライバ１２は、ＦＰＣ１３を介して入力される表示データに基づいて表示部１１に電圧印加を行う。ＦＰＣ１３は、外部の図示しない電源等と表示パネル１０とを接続している。バックライト１４は、例えばＬＥＤとＬＥＤからの光を表示部１１に導く導光板等から構成され、表示部１１の背面から光照射を行う。

光センサ２０は、表示パネル１０のガラス基板上に実装され、表示部１１の周囲の明るさ（表示部１１に入射する外光の照度）を検出し、検出した外光の照度に応じた電流信号Ｉｏｕｔをバックライトコントローラ３０に出力する電流出力型の薄膜センサである。この光センサ２０は画素を構成するＴＦＴ１９と同様の薄膜プロセスによって製作することが可能である。なお、光センサ２０の詳細については後述する。

バックライトコントローラ３０は、光センサ２０とフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０を介して接続されている。このバックライトコントローラ３０は、光センサ２０からの電流信号Ｉｏｕｔを取り込み、取り込んだ電流信号の大きさに応じてバックライト１４の輝度を制御する。

図２は、バックライトコントローラ３０の内部構成を示すブロック図である。図２に示すように、バックライトコントローラ３０は、Ｉ−Ｖ変換部３１と、レベル変換部３２と、ＬＥＤドライバ３３とを有している。Ｉ−Ｖ変換部３１は、光センサ２０から入力される電流信号Ｉｏｕｔを電圧信号Ｖｏｕｔ（Ｖｏｕｔ＝−Ｉｏｕｔ×Ｒ）に変換する。ここで、Ｉ−Ｖ変換部３１は、単なる電流−電圧変換だけを行うものではなく、増幅回路としても機能する。即ち、Ｒの値を大きくすることにより、光センサ２０から出力される電流信号が微小であっても大きな電圧信号を取り出すことが可能である。レベル変換部３２は、Ｉ−Ｖ変換部３１において得られた電圧信号Ｖｏｕｔをレベル変換（ゲイン調整）する。ＬＥＤドライバ３３は、レベル変換部３２で得られた電圧信号に従ってバックライト１４のＬＥＤを駆動するための電圧を生成して、バックライト１４に供給する。ＬＥＤドライバ３３は、光センサ２０によって検出される外光の照度に比例するように、ＬＥＤ１４ａの駆動電圧を制御する。ＬＥＤ１４ａの駆動電圧の変化は連続的であっても離散的であってもよい。光センサ２０によって検出される外光の照度が強い場合にはＬＥＤ１４ａの輝度が高くなるようにＬＥＤ１４ａの駆動電圧が上昇する。これによって表示部１１の見えを改善することができる。一方、光センサ２０によって検出される外光の照度が弱い場合にはＬＥＤ１４ａの輝度が低くなるようにＬＥＤ１４ａの駆動電圧が降下する。これによって低消費電力化を図ることができる。

以下、光センサ２０の詳細について説明する。図３は、本実施形態における光センサ２０の構成を示す図である。図３に示す光センサ２０は、ａ−Ｓｉの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０ａから構成されている。図３に示すように、ＴＦＴ２０ａのゲート電極は光センサ２０における制御端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのゲート電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ｃに例えば異方性導電膜を介して接続され、接続端子５０ｃは、ＦＰＣ５０上に設けられた配線５０ｌｃを介してバックライトコントローラ３０の内部に設けられた負の電圧源Ｖｇ（例えば所定の基準電位ＧＮＤに対して−１０Ｖの電圧源）に接続されている。また、ＴＦＴ２０ａのソース電極は光センサ２０における電源用の接続端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのソース電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ｂに接続され、接続端子５０ｂはＦＰＣ５０上に設けられた配線５０ｌｂを介してバックライトコントローラ３０の内部に設けられた正の電圧源Ｖｄ（例えば所定の基準電位ＧＮＤに対して＋１０Ｖの電圧源）に接続されている。また、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極は光センサ２０における電流出力端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ａに接続され、接続端子５０ａはＦＰＣ５０上に設けられた配線５０ｌａを介してバックライトコントローラ３０のＩ−Ｖ変換部３１に接続されている。

なお、接続端子５０ａと、接続端子５０ｂと、接続端子５０ｃとはそれぞれ例えば絶縁膜によって絶縁されているものである。

図４は、光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの断面図を示す図である。図４に示すＴＦＴにおいて、表示パネル１０のガラス基板１０１上にはゲート電極１０２が形成されている。このゲート電極１０２は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属膜をスパッタリングによってガラス基板１０１上に形成し、この金属膜をエッチングすることによって形成される。また、図４において、ゲート電極１０２が形成されたガラス基板１０１上にはＳｉＯ_２やＳｉＮ_ｘ等からなるゲート絶縁膜１０３が形成されている。ゲート絶縁膜１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。

また、図４において、ゲート絶縁膜１０３上には真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５とが形成されている。真性ａ−Ｓｉ層１０４は、後述する如く、受光量に対応した検出電流を出力する検出部の機能を有する。これら真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。また、真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５の間にはエッチングストッパ１０６が形成されている。

また、図４において、ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５上にはソース電極及びドレイン電極１０７が形成されている。これらソース電極及びドレイン電極１０７は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属膜をスパッタリングによってｎ^＋ａ−Ｓｉ層１０５上に形成し、この金属膜をエッチングすることによって形成される。エッチングストッパ１０６は、ドレイン電極及びソース電極１０７を形成するためのエッチングの際に、真性ａ−Ｓｉ層１０４にダメージを与えないようにするために形成されるものである。

このような構成において、ＴＦＴ２０ａのゲート電極に−１０Ｖ程度の負電圧が印加されているときにＴＦＴ２０ａの真性ａ−Ｓｉ層１０４に光照射がなされると、その光の照度に応じた光電流信号が電流出力端子であるＴＦＴ２０ａのドレイン電極から出力される。図５は、ＴＦＴへの光照射時のゲート電圧Ｖｇ−ドレイン電流Ｉｄ特性を示している。この電流Ｉｄを検出することでＴＦＴを光センサとして用いることが可能である。なお、ＴＦＴ２０ａのチャネル長Ｌを小さくするか又はチャネル幅Ｗを長くすることで電流出力端子から出力される電流Ｉｄを大きくすることが可能である。

ここで、本実施形態においては、ＦＰＣ５０の接続端子５０ａと接続端子５０ｂとの間にダミー端子５０ｄを設けるようにし、このダミー端子５０ｄの電位を、接続端子５０ａの電位と同電位（図３の例ではＧＮＤ）に保つようにしている。接続端子５０ａはＦＰＣ５０上に設けられた配線５０ｌａを介してバックライトコントローラ３０のＧＮＤ電位部に接続されている。

以下、ダミー端子５０ｄの作用について説明する。
比較のために、まず、ダミー端子５０ｄを設けない場合について説明する。図６は、ダミー端子５０ｄを設けない場合の光センサ２０、ＦＰＣ５０、バックライトコントローラ３０（図にはＩ−Ｖ変換部３１のみを示している）の等価回路図である。

上述したように、接続端子５０ａと、接続端子５０ｂと、接続端子５０ｃとはそれぞれ絶縁されている。しかしながら、接続端子５０ａと接続端子５０ｂとの間には電位差があるため、接続端子５０ａを介して流れる電流Ｉｏｕｔ＿０（＝Ｉｄ）に、接続端子５０ｂを介して流れる電流の一部Ｉ＿ｌｅａｋが混入する場合がある。このリーク電流Ｉ＿ｌｅａｋは、ＴＦＴ２０ａの各電極とＦＰＣ５０の各接続端子との接続部分の異方性導電膜を介して流れたり、ＴＦＴ２０ａの各電極とＦＰＣ５０の各接続端子との接続時に絶縁膜に付着した汚れ等を介して流れたりするものであり、接続端子５０ａと接続端子５０ｂとの間が絶縁されていても流れ得るものである。このようなリーク電流Ｉ＿ｌｅａｋを根絶することは実質的に不可能である。また、リーク電流Ｉ＿ｌｅａｋは、数ｐＡ程度であり、図５に示したＴＦＴに入射する光の照度が低い時にＴＦＴに流れる電流Ｉｄとほぼ同じオーダーである。したがって、このようなリーク電流Ｉ＿ｌｅａｋが光センサ２０の出力電流に混入すると、光センサ２０としてのＳ／Ｎが大きく損なわれることになる。

図７は、ダミー端子５０ｄを設けた場合の光センサ２０、ＦＰＣ５０、バックライトコントローラ３０（図にはＩ−Ｖ変換部３１のみを示している）の等価回路図である。

図２に示すように、Ｉ−Ｖ変換部３１はオペアンプを利用して構成されている。このため、オペアンプの−入力端子の電位（即ち接続端子５０ａを含むラインの電位）はオペアンプの＋入力端子の電位（ここではＧＮＤ電位）と等しくなっている。

ここで、ダミー端子５０ｄの電位をＧＮＤ電位に保つようにしておけば、接続端子５０ａと接続端子５０ｂとが同電位となる。この場合、接続端子５０ｂからリークする電流は、ダミー端子５０ｄの側に流れ、接続端子５０ａの側に流れることはない。

以上説明したように、本実施形態によれば、光センサ２０の電流出力端子が接続される接続端子５０ａと光センサ２０の電源用の接続端子が接続される接続端子５０ｂとの間にダミー端子５０ｄを設け、このダミー端子５０ｄの電位を接続端子５０ａの電位と同電位とすることにより、光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａを必要以上に大型化することなく、光センサ２０から出力される電流信号に、絶縁膜に付着した汚れ等に起因するノイズ電流が混入することを防止することが可能である。

ここで、上述の例では、ダミー端子５０ｄを、光センサ２０の電流出力端子と接続される接続端子５０ａと光センサ２０の電源用の接続端子が接続される接続端子５０ｂとの間にのみ設けている。しかしながら、ダミー端子５０ｄを、光センサ２０の電流出力端子と接続される接続端子５０ａの両隣に設けるようにしても良い。即ち、ダミー端子５０ｄを、光センサ２０の電流出力端子と接続される接続端子５０ａと光センサ２０の電源用の接続端子が接続される接続端子５０ｂとの間の他、接続端子５０ａの反対側にも設けるようにしても良い。

［変形例１］
以下、本実施形態の変形例について説明する。上述の実施形態においては、バックライトコントローラ３０を表示パネル１０のガラス基板とは別途に形成した例について説明している。しかしながら、本実施形態は、バックライトコントローラ３０を表示パネル１０のガラス基板上にＣＯＧ（Chip On Glass）実装する構成にも適用可能である。

図８は、バックライトコントローラ３０をＣＯＧ実装する構成の液晶表示装置に本実施形態を適用する場合の例を示す図である。図１では説明を省略したが、実際の液晶表示装置の表示パネル１０は、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すようにガラス基板１１ｂ上に対向基板１１ａが配されて構成されている。そして、ガラス基板１１ｂ上には表示部１１の走査線Ｓ、データ線Ｄ、ＴＦＴ１９、液晶層ＬＣを挟む一方の電極（画素電極等と呼ばれる）が図１に示したようにして実装される。また、対向基板１１ａには液晶層ＬＣを挟むもう一方の電極（コモン電極等と呼ばれる）が実装される。

このように、ドライバ１２と、光センサ２０と、バックライトコントローラ３０とをガラス基板１１ｂ上に実装する場合には、図８（ｃ）に示すように、バックライトコントローラ３０に、ＴＦＴ２０ａのゲート電極を接続するための接続端子３０ｃ、ＴＦＴ２０ａのソース電極を接続するための接続端子３０ｂ、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極を接続するための接続端子３０ａをそれぞれ設けるとともに、接続端子３０ａと接続端子３０ｂとの間にダミー端子３０ｄを設け、且つダミー端子３０ｄの電位を接続端子３０ａの電位と等しくしておく。

このような構成とすることで、バックライトコントローラ３０をガラス基板１１ｂにＣＯＧ実装する場合であっても、光センサ２０から出力される電流信号に、絶縁膜に付着した汚れ等に起因するノイズ電流が混入することを防止することが可能である。

［変形例２］
変形例１においては、ドライバ１２とバックライトコントローラ３０とを個別にガラス基板１１ｂにＣＯＧ実装する例について示している。これに対し、本実施形態は、バックライトコントローラ３０とドライバ１２とを一体的に表示パネル１０のガラス基板上にＣＯＧ実装する構成にも適用可能である。

図９（ａ）は、ドライバ１２にバックライトコントローラ３０の機能を組み込んだドライバ１２０をＣＯＧ実装する構成の液晶表示装置に本実施形態を適用する場合の例を示す図である。この図９（ａ）のような構成においても、図９（ｂ）に示すように、ドライバ１２０に、ＴＦＴ２０ａのゲート電極を接続するための接続端子１２０ｃ、ＴＦＴ２０ａのソース電極を接続するための接続端子１２０ｂ、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極を接続するための接続端子１２０ａをそれぞれ設けるとともに、接続端子１２０ａと接続端子１２０ｂとの間にダミー端子１２０ｄを設け、且つダミー端子１２０ｄの電位を接続端子１２０ａの電位と等しくしておけば良い。

このような構成とすることで、バックライトコントローラ３０が組み込まれたドライバ１２０をガラス基板１１ｂにＣＯＧ実装する場合であっても、光センサ２０から出力される電流信号に、絶縁膜に付着した汚れ等に起因するノイズ電流が混入することを防止することが可能である。

［変形例３］
上述した実施形態及びその変形例では、表示装置が液晶表示装置である場合を例に説明している。しかしながら、本実施形態は、表示装置が必ずしも液晶表示装置である必要はない。例えば、本実施形態を有機ＥＬ表示装置に適用することも可能である。図１０（ａ）は、光センサ２０を実装した有機ＥＬ表示装置を示す図である。図１０（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置は、表示部１１と、ドライバ１６と、光センサ２０とを有している。表示部１１は、有機ＥＬ素子からなる画素が配列されて構成されている。各画素はドライバ１６から入力される電流の大きさに応じて発光する。ドライバ１６は、光センサ２０から出力される電流信号を増幅する増幅回路および表示データに基づいて表示部１１の各画素に駆動電流を出力するＥＬ駆動回路を含んでいる。この場合、ドライバ１６のＥＬ駆動回路は、外光の照度に対応して光センサ２０から出力される電流の大きさに基づいて、表示部１１の各画素を構成する有機ＥＬ素子に供給する駆動電流を調整してその発光輝度を調整する、周囲照度に対応する輝度調整回路部を含んでいる。

図１０（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置に本実施形態を適用した場合の構成を示す図である。なお、図１０（ｂ）においては、表示部１１の輝度調整に係る部分の構成について特に示している。本実施形態においては、光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａのドレイン電極をドライバ１６の接続端子ＲＥＬ１６ａに接続し、さらに、接続端子ＲＥＬ１６ａを挟み込むように接続端子ＶＥＬ１６ｄ、１６ｅを配置する。接続端子１６ｄが上述のダミー端子に相当する。また、ＴＦＴ２０ａのゲート電極は所定の負電位に固定された接続端子Ｖｇ１６ｃに接続するとともに、ＴＦＴ２０ａのソース電極は所定の基準電位（例えば０Ｖ）に固定された接続端子ＧＮＤ１６ｂに接続する。

このような構成において、接続端子ＶＥＬ１６ｄ、１６ｅにはＧＮＤに対して負の基準電圧ＶＥＬ（例えば−５．４Ｖ）を印加する。このとき、光センサ２０のＴＦＴ２０ａに光照射がなされると、ＴＦＴ２０ａに照射された光の照度に応じた大きさの基準電流が接続端子ＲＥＬ１６ａに流入する。この基準電流を基準として各画素へ供給される電流量が決定されるため、基準電流を調整することによって表示部１１の輝度を調整することが可能である。なお、接続端子ＲＥＬ１６ａに基準電流が流入するとき、接続端子ＲＥＬ１６ａの電位は負の基準電位ＶＥＬとなっている。

ここで、図１０（ｂ）の構成においては、接続端子ＶＥＬ１６ｄ、１６ｅの電位がともに接続端子ＲＥＬ１６ａと同電位であるので、接続端子ＲＥＬ１６ａに他の接続端子からのノイズ電流が混入することがない。

［変形例４］
上述した実施形態及び各変形例においては、薄膜センサを光センサとして利用する例について示している。しかしながら、本実施形態は薄膜センサを光センサとして利用した場合にのみ適用されるものではない。即ち、本実施形態は、検出部にて検出した対象物に関する検出電流を出力する電流出力型の各種の薄膜センサについて適用可能である。ここでは、その一例として薄膜センサを温度センサとして利用する例について説明する。

図１１（ａ）は、温度センサを構成するＴＦＴの断面図を示す図である。ＴＦＴを温度センサとして用いる場合には、図１１（ａ）に示すように、保護膜１０８と遮光層１０９とによって真性ａ−Ｓｉ層（検出部）１０４を遮光する。

ａ−ＳｉＴＦＴは、単結晶やポリシリコンのＴＦＴに比べると電流の温度依存性が大きい。この電流の温度依存性は活性化エネルギーに関連している。さらに、活性化エネルギーは図１１（ｂ）に示すように、ａ−ＳｉＴＦＴのゲート電圧に依存している。図１１（ｂ）に示すように、ゲート電圧が大きい（ＴＦＴを流れる電流が大きい）領域よりもゲート電圧が小さい（ＴＦＴを流れる電流が小さい）領域のほうが、活性化エネルギーが大きいので、電流の温度依存性も強くなる。したがって、ａ−ＳｉＴＦＴを温度センサとして用いる場合にはＴＦＴを流れる電流を小さくする、即ちゲート電圧を小さくしておくことが望ましい。なお、ＴＦＴを流れる電流を小さくしておくことにより、ＴＦＴの発熱による温度上昇も防ぐことが可能となるという効果も生じる。

以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。

さらに、上記した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組合せにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、上述したような課題を解決でき、上述したような効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。

本発明の一実施形態に係る薄膜センサ装置を備えた表示装置の一例としての液晶表示装置の全体構成を示す図である。バックライトコントローラの内部構成を示すブロック図である。本発明の一実施形態における光センサの構成を示す図である。光センサを構成するＴＦＴの断面図を示す図である。ＴＦＴへの光照射時のゲート電圧Ｖｇ−ドレイン電流Ｉｄ特性を示す図である。ダミー端子を設けない場合の光センサ、ＦＰＣ、バックライトコントローラの等価回路図である。ダミー端子を設けた場合の光センサ、ＦＰＣ、バックライトコントローラの等価回路図である。バックライトコントローラをＣＯＧ実装する構成の液晶表示装置に本発明の一実施形態を適用する変形例を示す図である。バックライトコントローラの機能を組み込んだドライバをＣＯＧ実装する構成の液晶表示装置に本発明の一実施形態を適用する変形例を示す図である。有機ＥＬ表示装置に本発明の一実施形態を適用する変形例を示す図である。ＴＦＴを温度センサとして利用する場合の変形例を示す図である。

符号の説明

１０…表示パネル、１１…表示部、１１ａ…対向基板、１１ｂ…ガラス基板、１２，１６，１２０…ドライバ、１３，５０…フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、１４…バックライト、１４ａ…ＬＥＤ、１６…ドライバ、５０ｄ…ダミー端子

Claims

電源用の接続端子と、検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、
前記電流出力端子に接続され、前記電流出力端子から出力される電流を増幅する増幅回路と、
前記電流出力端子と前記電源用の接続端子との間に設けられ、接地電位に固定されたダー端子と、
を具備することを特徴とする薄膜センサ装置。
前記薄膜センサの前記電流出力端子と前記増幅回路とはフレキシブルプリント基板上で接続され、前記ダミー端子は前記フレキシブル基板上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜センサ装置。
前記薄膜センサの前記電流出力端子と前記増幅回路とはガラス基板上で接続され、前記ダミー端子は前記増幅回路に設けられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜センサ装置。
前記薄膜センサと前記増幅回路とは前記ガラス基板上に一体的に形成されることを特徴とする請求項３に記載の薄膜センサ装置。
前記ダミー端子は、前記電流出力端子と前記電源用の接続端子との間の他、前記電流出力端子の反対側にも設けられていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜センサ装置。
前記薄膜センサは、照度の変化に従った電流を出力する光センサであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
前記薄膜センサは、温度の変化に従った電流を出力する温度センサであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。