JP5493321B2 - 薄膜センサ装置 - Google Patents
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Description
図1(a)、図1(b)は、本発明の一実施形態に係る薄膜センサ装置を備えた表示装置の一例としての液晶表示装置の全体構成を示す図である。なお、本実施形態においては、薄膜センサを光センサに応用した例について説明する。
比較のために、まず、シールド配線21を設けない場合について説明する。図6は、シールド配線21を設けない場合の光センサ20、FPC50、COM配線14a、バックライトコントローラ30(図にはI−V変換部31のみを示している)の等価回路図である。
I=C×V×Ng×f0
ここで、f0はフレーム周波数、VはCOM電圧の電位変動幅、Ngは走査線Sの本数である。上式から、約10pA程度のノイズ電流Iが光センサ20の出力電流に混入してしまうことが分かる。このノイズ電流Iは図5に示したTFTに入射する光の照度が低い時にTFTに流れる電流Idとほぼ同じオーダーである。したがって、このようなリーク電流Iが光センサ20の出力電流に混入すると、光センサ20としてのS/Nが大きく損なわれることになる。
以下、本実施形態の変形例について説明する。上述の実施形態においては、シールド配線21を光センサ20とCOM配線14aとの間にのみ設けている。これに対し、図8に示すように、光センサ20を囲むようにシールド配線21を設けるようにしても良い。ただし、図8のようにして光センサ20を囲むようにシールド配線21を設ける場合、シールド配線21の一端は所定の電位(ここではGND電位)に固定しておく必要があるが、他端については開放状態としておく必要がある。これは、シールド配線21が回路ループを形成してしまうと、その中を時間変動する磁束が貫いた場合の磁気誘導による起電力が新たなノイズ電流の混入の原因となってしまうためである。
上述した各例においては、シールド配線21の電位をGND電位に固定している。しかしながら、上述したようにシールド配線21の電位は時間的に変動しないのであれば、任意の電位に固定して良い。このため、例えば図9に示すようにしてシールド配線21を光センサ20の配線と共通に接続するようにしても良い。図9の例では、シールド配線21を光センサ20の制御端子と共通の接続端子50cに接続することでシールド配線21の電位をVgに固定している。シールド配線21を光センサ20の電源用の接続端子と共通の接続端子50bに接続するようにしても良い。
上述した実施形態及びその変形例では、薄膜センサを光センサとして利用する例について示している。しかしながら、本実施形態は薄膜センサを光センサとして利用した場合にのみ適用されるものではない。即ち、本実施形態は、検出部にて検出した対象物に関する検出電流を出力する電流出力型の各種の薄膜センサについて適用可能である。ここでは、その一例として薄膜センサを温度センサとして利用する例について説明する。
Claims (10)
- 検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、
電位レベルが時間的に変動する信号が供給される信号配線と前記電流出力端子との間に介在するように設けられたシールド配線と、
を具備し、
前記薄膜センサは、前記シールド配線と前記電流出力端子との間に、接地電位と異なる一定の電位に設定される制御端子と電源用の接続端子とを有し、
前記シールド配線は前記制御端子と前記接続端子の何れかに接続されていることを特徴とする薄膜センサ装置。 - 前記シールド配線は、前記薄膜センサを囲むように延伸されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜センサ装置。
- 前記シールド配線は一端が開放状態であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜センサ装置。
- 前記シールド配線の幅は、少なくとも前記配線の幅と同じであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の薄膜装置。
- 前記信号配線は、前記薄膜センサに隣接するように設けられていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の薄膜装置。
- 前記薄膜センサ装置と同一基板上に前記薄膜センサ装置と別の回路が設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の薄膜センサ装置。
- 前記薄膜センサ装置は、画像を表示する表示装置に設けられ、前記別の回路は前記表示装置の駆動回路であることを特徴とする請求項6に記載の薄膜センサ装置。
- 前記表示装置は液晶表示装置であって、前記配線は前記液晶表示装置のコモン電極用の配線であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜センサ装置。
- 前記薄膜センサは、照度の変化に従った電流を出力する光センサであることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の薄膜センサ装置。
- 前記薄膜センサは、温度の変化に従った電流を出力する温度センサであることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の薄膜センサ装置。
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