JP5324116B2 - 発光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記発光構造体の上面と接合した電流拡散層と、
前記電流拡散層の上側面に被着された電極層とを有し、
前記発光構造体は、前記発光構造体の下面の側から、前記発光構造体の前記上面の側に近づくにしたがって、前記上面に平行な断面の面積がより小さくなるメサ形状に構成され、
前記電極層は、前記境界の周縁線よりも外側領域に配置されており、
前記電流拡散層および前記発光構造体は、前記電流拡散層のエッチングレートが前記発光構造体のエッチングレートに比べてより小さいエッチング剤によってエッチングされて形成されていることを特徴とする発光デバイスである。
2 n型GaAs基板
3 発光構造体
4 p型GaP電流拡散層
5 第1電極
6 第2電極
7 n型AlInPクラッド層
8 p型AlInPクラッド層
9 AlGaInP発光層
11 樹脂材
Claims (6)
- 一導電型半導体層と逆導電型半導体層とが積層されてなる、前記一導電型半導体層と前記逆導電型半導体層との境界を含む発光部分を有する発光構造体と、
前記発光構造体の上面と接合した電流拡散層と、
前記電流拡散層の上側面に被着された電極層とを有し、
前記発光構造体は、前記発光構造体の下面の側から、前記発光構造体の前記上面の側に近づくにしたがって、前記上面に平行な断面の面積がより小さくなるメサ形状に構成され、
前記電極層は、前記境界の周縁線よりも外側領域に配置されており、
前記電流拡散層および前記発光構造体は、前記電流拡散層のエッチングレートが前記発光構造体のエッチングレートに比べてより小さいエッチング剤によってエッチングされて形成されていることを特徴とする発光デバイス。 - 前記発光構造体の、前記境界の前記周縁線が露出した側面が、樹脂層で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 前記樹脂層は透光性樹脂層であることを特徴とする請求項2記載の発光デバイス。
- 前記樹脂層は反射性樹脂層であることを特徴とする請求項2記載の発光デバイス。
- 前記発光構造体は、AlInP、AlGaInPの少なくともいずれかから構成され、
前記電流拡散層はGaPからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光デバイス。 - 基板上に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層との境界を含む発光部分を有する発光構造体と、前記発光構造体の上面と接合した電流拡散層と、前記電流拡散層の上側面に被着された電極層と、を形成する工程と、
前記電流拡散層のエッチングレートが前記発光構造体のエッチングレートに比べてより小さいエッチング剤を用いて、前記電流拡散層と前記発光構造体とをエッチングする工程を有し、
前記エッチング工程では、前記電極層が、前記境界の周縁線よりも外側領域に位置されるまでエッチングを行うことを特徴とする発光デバイスの製造方法。
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