CN207082541U - 具有接触层的发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管，尤其涉及一种可通过简单的工艺而形成接触层的发光二极管。
背景技术
通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等的III族元素的氮化物的热稳定性优秀且具有直接迁移型的能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而受到较多的关注。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色及绿色发光二极管被应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多样的应用领域。
发光二极管包括n型半导体层、p型半导体层及夹设于其间的活性层。为了注入电子和空穴，在n型半导体层和p型半导体层金属接触层。但是，欧姆接触于n型半导体层和p型半导体层的物质层互不相同，因此利用专门的工艺分别形成接触层。因此，发光二极管的制造工艺变得复杂，进而，发光二极管的芯片结构也变得复杂。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种可通过更加简单的工艺形成接触层的发光二极管及其制造方法。
本实用新型所要解决的另一技术问题在于提供一种可靠性优秀的发光二极管及其制造方法。
根据本实用新型的实施例，提供如下的发光二极管，包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及第二接触层，与所述上部n型半导体层接触，其中，所述第一接触层和第二接触层包括与所述下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
优选地，所述相同物质层为Al层。
优选地，所述p型半导体层包括电子阻挡层。
优选地，在所述高浓度p型半导体层与所述高浓度n型半导体层之间的界面夹设有氧。
优选地，还包括：绝缘层，覆盖所述上部n型半导体层、所述第一接触层及第二接触层，并具有暴露所述第一接触层和第二接触层的开口部；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述绝缘层上，并通过所述开口部分别电连接于所述第一接触层和第二接触层。
优选地，暴露所述第一接触层的开口部和暴露第二接触层的开口部在彼此相向的所述下部n型半导体层的边缘部位附近分开布置。
优选地，夹设于所述第一电极焊盘与所述第一接触层之间的绝缘层是与夹设于所述第二电极焊盘与所述第二接触层之间的绝缘层相同的物质层。
优选地，所述绝缘层是将折射率互不相同的介电层重复层叠的分布式布拉格反射器。
优选地，还包括多个台面，所述多个台面分别包括所述活性层、p型半导体层、高浓度p型半导体层、高浓度n型半导体层及上部n型半导体层，所述第一接触层以包围各个所述台面的方式与所述下部n型半导体层接触，
所述第二接触层布置于各个所述台面上。
优选地，所述绝缘层在各个所述台面上具有暴露所述第二接触层的开口部。
优选地，还包括基板，所述下部n型半导体层布置于所述基板上。
根据本实用新型的又一实施例，提供如下的发光二极管的制造方法，包括如下步骤：使下部n型半导体层在基板上生长；使活性层在所述n型半导体层上生长；使p型半导体层在所述活性层上生长；使比所述p型半导体层更高浓度的高浓度p型半导体层在所述p型半导体层上生长；使比所述下部n型半导体层更高浓度的高浓度n型半导体层在所述高浓度p型半导体层上生长；使上部n型半导体层在所述高浓度n型半导体层上生长；蚀刻所述上部n型半导体层、所述高浓度n型半导体层、所述高浓度p型半导体层、所述p型半导体层及活性层而暴露所述下部n型半导体层；以及在暴露的所述下部n型半导体层和所述上部n型半导体层上分别形成第一接触层和第二接触层，其中，利用相同的物质通过相同的工艺形成所述第一接触层和第二接触层。
优选地，在使所述高浓度p型半导体层生长之后，在使所述高浓度n型半导体层生长之前，还包括使所述高浓度p型半导体层暴露于大气中的步骤。
优选地，还包括如下步骤：形成绝缘层，所述绝缘层用于覆盖所述第一接触层、第二接触层、所述上部n型半导体层及暴露的所述下部n型半导体层，其中，所述绝缘层具有暴露所述第一接触层和第二接触层的开口部。
优选地，还包括如下步骤：在所述绝缘层上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，其中，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘分别通过所述绝缘层的开口部电连接于所述第一接触层和第二接触层。
优选地，所述第一接触层和第二接触层分别包括与所述下部n型半导体层和所述上部n型半导体层接触的相同物质层。
优选地，所述相同物质层为Al层。
根据本实用新型的实施例，可利用相同的物质通过相同的工艺形成第一接触层和第二接触层，因此用于形成接触层的工艺得到简化。据此，发光二极管的整体结构也简化，因此提高可靠性。
关于本实用新型的其他特征及技术优点，将会在以下记载的详细说明中阐述，或者可通过记载的详细说明容易理解。
附图说明
图1a和图1b为根据本实用新型的一个实施例的发光二极管的示意性平面图及剖面图。
图2是用于说明根据本实用新型的实施例的发光二极管的层叠结构的剖剖面图。
图3a至图6b是用于说明根据本实用新型的一个实施例的发光二极管制造方法的示意性平面图及沿各个平面图的截断线A-A截取的剖面图。
图7是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本实用新型的实施例。为了将本实用新型的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本实用新型并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
根据本实用新型的一个实施例的发光二极管包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层的上部；p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及第二接触层，与所述上部n型半导体层接触。进而，所述第一接触层和第二接触层可包含与所述下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。通过采用上部n型半导体层，并使第一接触层与第二接触层由相同物质层形成，可以使得用于形成接触层的工艺简化。
所述相同物质层可以是Al层。据此，可利用第一接触层和第二接触层而将在活性层生成的光反射，从而可以改善光提取效率。
所述p型半导体层可包括电子阻挡层。电子阻挡层例如可由AlGaN形成，并可位于活性层侧。
在所述高浓度p型半导体层与所述高浓度n型半导体层之间的界面可夹设有氧。高浓度p型半导体层和/或n型半导体层可以是Delta掺杂层。通过使高浓度p型半导体层和高浓度n型半导体层接合，可借助于隧穿而注入载流子。并且，氧有助于载流子的隧穿。
在若干实施例中，所述第一接触层和第二接触层可分别被用作电极焊盘。可提供水平型或倒装芯片型的发光二极管。
在另一实施例中，所述发光二极管还可以包括：绝缘层，覆盖所述上部n型半导体层、所述第一接触层及第二接触层，并具有暴露所述第一接触层和第二接触层的开口部；第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述绝缘层上，并通过所述开口部分别电连接于所述第一接触层和第二接触层。由于这种结构，可提供芯片级封装的发光二极管。
另外，暴露所述第一接触层的开口部与暴露第二接触层的开口部可在彼此相向的所述下部n型半导体层的边缘部位附近分开布置。即，暴露第一接触层的开口部偏向于下部n型半导体层的一侧边缘部位侧而布置，暴露第二接触层的开口部可偏向于与下部n型半导体层的相向的另一侧边缘部位而布置。通过将开口部相互隔开布置，可以使电流在发光二极管内均匀分散。
夹设于所述第一电极焊盘与所述第一接触层之间的绝缘层是与夹设于所述第二电极焊盘与所述第二接触层之间的绝缘层相同的物质层。所述绝缘层可包括通过将折射率互不相同的介电层重复层叠的分布式布拉格反射器。据此，可以在未被第一接触层和第二接触层所覆盖的区域利用所述绝缘层反射光，因此可以改善发光效率。
在若干实施例中，所述发光二极管还可以包括多个台面。所述多个台面分别包括所述活性层、p型半导体层、高浓度p型半导体层、高浓度n型半导体层及上部n型半导体层。此外，所述第一接触层可以以分别包围所述台面的方式接触于所述下部n型半导体层，所述第二接触层可布置于所述各个台面上。据此，即使在具有相对宽的面积的发光二极管中，也可以使电流均匀地分散。
并且，所述绝缘层可具有在所述各个台面上暴露所述第二接触层的开口部，据此，可将电流供应到所述各个台面。
所述发光二极管还可以包括基板，所述下部n型半导体层布置于所述基板上。
根据本实用新型的另一实施例的发光二极管的制造方法包括如下步骤：使下部n型半导体层在基板上生长；使活性层在所述n型半导体层上生长；使p型半导体层在所述活性层上生长；使比所述p型半导体层更高浓度的高浓度p型半导体层在所述p型半导体层上生长；使比所述下部n型半导体层更高浓度的高浓度n型半导体层在所述高浓度p型半导体层上生长；使上部n型半导体层在所述高浓度n型半导体层上生长；蚀刻所述上部n型半导体层、所述高浓度n型半导体层、所述高浓度p型半导体层、所述p型半导体层及活性层而暴露所述下部n型半导体层；以及在暴露的所述下部n型半导体层和所述上部n型半导体层上分别形成第一接触层和第二接触层。可以利用相同的物质通过相同的工艺形成所述第一接触层和第二接触层。
进而，在使所述高浓度p型半导体层生长之后，在使所述高浓度n型半导体层生长之前，还可以包括使所述高浓度p型半导体层暴露于大气中的步骤。通过将高浓度p型半导体层暴露于大气中，可以使氧残留于高浓度p型半导体层与高浓度n型半导体层之间，并可利用此而降低接合阻抗。
所述发光二极管的制造方法还可以包括如下步骤：形成绝缘层，所述绝缘层用于覆盖所述第一接触层、第二接触层、所述上部n型半导体层及暴露的所述下部n型半导体层。所述绝缘层具有暴露所述第一接触层和第二接触层的开口部。
并且，所述方法还可以包括如下步骤：在所述绝缘层上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘可以分别通过所述绝缘层的开口部电连接于所述第一接触层和第二接触层。
另外，所述第一接触层和第二接触层可以分别包括与所述下部n型半导体层和所述上部n型半导体层接触的相同物质层。所述相同物质层可以是Al层。
以下，参照附图对本实用新型的实施例进行更加详细的说明。
图1a和图1b是用于说明根据本实用新型的一个实施例的发光二极管的示意性平面图(a)和剖面图(b)。其中，所述剖面图(b)是在平面图(a)中沿截取线A-A截取的图。此外，图2是用于说明根据本实用新型的一个实施例的发光二极管的半导体层叠结构的示意性剖面图。
首先，参照图1a和图1b，根据本实施例的发光二极管包括下部n型半导体层23、台面M、第一接触层35及第二接触层37。进而，所述发光二极管可包括基板21、绝缘层39、第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b。如图2所示，所述台面M还包括活性层25、p型半导体层27、高浓度p型半导体层29、高浓度n型半导体层31及上部n型半导体层33。
所述基板21只要是可以使氮化镓系半导体层生长的基板就不会特别受限。作为基板21之例，可以有蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板、Si基板等多样的基板。如在平面图(a)所示，基板21可具有矩形或正方形的外形。基板21的大小并不特别受限，而可以多样地选择。
下部n型半导体层21布置于基板21上。下部n型半导体层21作为基板21上生长的层，可以是掺杂有n型杂质(例如Si)的氮化镓系半导体层。
在下部n型半导体层上布置有台面M。台面M可限于被下部n型半导体层23所包围的区域的内侧而布置，因此，下部n型半导体层的边缘部位附近区域不被台面M所覆盖，而暴露于外部。
参照图2，在基板21上布置有下部n型半导体层23，并在其上布置有活性层25、p型半导体层27、高浓度p型半导体层29、高浓度n型半导体层31及上部n型半导体层33。台面M包括布置于所述下部n型半导体层23上的半导体层25、27、29、31、33。
所述活性层25夹设于下部n型半导体层23与p型半导体层27之间。活性层25可具有单一量子阱结构或多量子阱结构。在活性层25内，阱层的组成及厚度决定生成的光的波长。尤其，通过调节阱层的组成，可以提供用于生成紫外线、蓝色光或绿色光的活性层。
另外，p型半导体层27可以是掺杂有p型杂质(例如Mg)的氮化镓系半导体层。下部n型半导体层23和p型半导体层27可分别为单层，然而并不限定于此，也可以是多层，而且还可以包括超晶格层。并且，所述p型半导体层27可在与活性层25的界面包括AlGaN或AlInGaN的电子阻挡层。
高浓度p型半导体层29是以比所述p型半导体层27更高的浓度掺杂p型杂质(例如Mg)的层。例如，对于所述p型半导体层27而言，p型杂质的浓度平均可以在1E19/cm3至1E20/cm3范围内，然而高浓度p型半导体层29的p型杂质的浓度可以超过1E20/cm3。所述高浓度p型半导体层29也可以是Delta掺杂层。
另外，高浓度n型半导体层31是以比所述下部n型半导体层23更高的浓度掺杂n型杂质(例如Si)的层。例如，对于所述下部n型半导体层27而言，n型杂质的浓度平均可以在1E18/cm3至5E19/cm3范围内，然而对于高浓度n型半导体层31而言，n型杂质的浓度可以超过1E20/cm3。所述高浓度n型半导体层29还可以是Delta掺杂层。
通过使高浓度p型半导体层29与高浓度n型半导体层31接合，可形成隧穿接合。进而，在所述高浓度n型半导体层31与高浓度p型半导体层29的界面可残留有氧。氧预计有助于载流子的隧穿。
上部n型半导体层33可以是掺杂有n型杂质(例如Si)的氮化镓系半导体层。上部n型半导体层33可以与下部n型半导体层23类似地，具有1E19/cm3至5E19/cm3范围内的杂质掺杂浓度。
所述半导体层23、25、27、29、31、33可通过有机金属化学气相生长、分子束外延或氢化物气相生长等技术生长于基板21上。并且，在高真空状态下，使下部n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27及高浓度p型半导体层29生长，然后在使高浓度n型半导体层31生长之前，可将生长腔室的真空中断，从而使高浓度p型半导体层29暴露于大气中。然后，可以再使高浓度n型半导体层31和上部n型半导体层33生长。相比于使高浓度p型半导体层29和高浓度n型半导体层31连续生长的发光二极管，通过使高浓度p型半导体层29暴露于大气中，可以使正向电压大幅度降低。这被判断为由如下的原因所致：在高浓度p型半导体层29与高浓度n型半导体层31之间残留有氧，从而强化隧穿效应。
再次参照图1a和图1b，多个台面M可相互隔开而布置于下部n型半导体层23上。在台面M之间的区域中，下部n型半导体层23被暴露。在布置多个台面M的情况下，下部n型半导体层23沿着台面M的周围而暴露，因此有利于电流分散。然而，本实用新型并不限定于此，也可以使单个的台面M布置于下部n型半导体层23上。在此情况下，可形成凹入到台面M的内部的凹入部，借助于凹入部，可以使n型半导体层23的上表面暴露。或者，在单个的台面M的内部，也可以形成用于使下部n型半导体层23暴露的贯通孔。
在本实施例中，以4个台面M平行排列的情形为例进行了说明，然而并不限定于此，也可以形成更多的的台面M或者更少的的台面M。
第一接触层35接触于在台面M的周围暴露的下部n型半导体层23。第一接触层35可包围各个台面M。第一接触层还可以沿着下部n型半导体层23的边缘部位布置。第一接触层35可由能够欧姆接触于下部n型半导体层23的物质层形成，例如可由Al层形成。
此外，第二接触层37与上部n型半导体层33接触。第二接触层37可由与第一接触层35相同的物质层形成，例如可由Al层形成。
在将第一接触层35和第二接触层37由Al层形成的情况下，在如倒装芯片的可从基板21侧发射光的发光二极管中，可利用第一接触层35和第二接触层37而反射光，从而可以改善发光效率。然而，本实用新型的实施例并不限定于此，第一接触层35和第二接触层37也可以是Al层以外的其他欧姆接触层。
绝缘层39布置于第一接触层35和第二接触层37上，并具有暴露第一接触层35的开口部39a和暴露第二接触层37的开口部39b。如图1a和图1b所示，开口部39a和开口部39b可偏向于基板21的彼此相向的边缘部位侧而布置。例如，暴露第一接触层35的开口部39a在下部n型半导体层23的一侧边缘部位附近偏向一侧而布置，暴露第二接触层37的开口部39b在下部n型半导体层23的相反侧边缘部位附近偏向一侧而布置。据此，可以使第一接触层35及第二接触层37与第一电极焊盘41a及第二电极焊盘41b所接触的位置相隔较远，据此可以使电流均匀地分散。
此外，第一接触层35可形成为在与开口部39a重叠的区域中具有相对宽的区域35a。据此，可防止开口部39a使第一接触层35以外的下部n型半导体层23暴露。
绝缘层39可由SiO2的单层形成，然而并不限定于此。例如，还可以具有包含绝缘层39氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，且还可以是氧化硅膜与氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。尤其，当绝缘层39由反射率较高的分布式布拉格反射器形成时，可将入射到绝缘层39的光以高反射率反射，从而可以增加光提取效率。
第一电极焊盘41a通过绝缘层39的开口部39a电连接于第一接触层35，第二电极焊盘41b可通过开口部39b电连接于第二接触层37。第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b可通过所述开口部39a、39b直接与第一接触层35及第二接触层37接触。
根据本实施例，可以通过在p型半导体层27上布置高浓度p型半导体层29、高浓度n型半导体层31及上部n型半导体层33，而使第一接触层35和第二接触层37由相同物质层形成，据此，可以提供制造工艺简单的发光二极管。
图3a至图6b是用于说明根据本实用新型的一个实施例的发光二极管制造方法的图，在图3a至图6b的各个附图中，(a)表示平面图，(b)表示沿截取线A-A截取的剖面图。
参照图3a和图3b，下部n型半导体层23生长于基板21上，并在其上部形成台面M。
如图2所示，在下部n型半导体层23上，生长有活性层25、p型半导体层27、高浓度p型半导体层29、高浓度n型半导体层31及上部n型半导体层33，并对这些层进行图案化而形成台面M。台面M还可以包括下部n型半导体层23的一部分厚度。并且，如上所述，在形成高浓度p型半导体层29之后，可通过中断真空而使高浓度p型半导体层29暴露于大气或氧气中。
可利用有机金属化学气相生长(MOCVD)法而在基板21上生长所述半导体层23、25、27、29、31。在此，所述下部n型半导体层23可掺杂有n型杂质，例如Si。
在图3a和图3b中图示出形成有沿一个方向平行的4个台面M的情形，但是台面M的数量并不特别受限。另外，随着台面M之间的区域及下部n型半导体层23的边缘部位区域形成所述台面M而暴露于外部。此时，可形成下部n型半导体层23的暴露区域中相对宽的区域23a。该区域23a对应于形成后述的绝缘层39的开口部39a的位置。
另外，可以应用如光致抗蚀剂回流的技术而使所述台面M的侧面倾斜地形成。台面M的侧面的倾斜的轮廓可以提高在活性层25生成的光的提取效率。
参照图4a和图4b，在下部n型半导体层23和台面M上分别形成有第一接触层35和第二接触层37。可利用相同物质层并通过相同的工艺形成第一接触层35和第二接触层37。例如，可借助于利用电子束蒸发法的涂覆技术而形成第一接触层35和第二接触层37。第一接触层35和第二接触层37可包括作为欧姆接触于下部n型半导体层23和上部n型半导体层33的金属层而包括Al层。然而，本实用新型并不限定于此，也可以包括其他金属层或透明导电层。
第一接触层35可形成于在台面M之间暴露的下部n型半导体层及下部n型半导体层23的边缘部位区域，且可以包围台面M。并且，第一接触层35可在下部n型半导体层23的暴露区域中，在相对宽的区域23a上形成为具有比起其他部分更宽的宽度。
第二接触层37形成于台面M上，尤其形成于上部n型半导体层33上，从而接触于上部n型半导体层33。
参照图5a和图5b，形成覆盖所述第一接触层35和第二接触层37的绝缘层39。绝缘层39还可以覆盖下部n型半导体层23和台面M区域。绝缘层39具有暴露第一接触层35的开口部39a和暴露第二接触层37暴露的开口部39b。
尤其，暴露第一接触层35的开口部39a可形成于具有相对宽的宽度的第一接触层区域35a上。
绝缘层39可利用化学气相沉积(CVD)等技术而由SiO2等氧化膜、SiNx等氮化膜、MgF2的绝缘膜形成，且可以利用光刻和蚀刻技术而进行图案化。或者，下部绝缘层33可由交替层叠低折射物质层与高折射物质层的分布式布拉格反射器(DBR)形成。例如，可通过层叠SiO2/TiO2或SiO2/Nb2O5等层而形成高反射率的绝缘反射层。
参照图6a和图6b，在所述绝缘层39上形成第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b。第一电极焊盘41a通过绝缘层39的开口部39a连接于第一接触层35，第二电极焊盘41b通过绝缘层39的开口部39b连接于第二接触层41b。所述第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b用于将发光二极管贴装于基座或印刷电路板等。第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b并不特别受到限定，例如可由AuSn形成，且可以通过共晶键合而被贴装于基座等。
另外，所述第一电极焊盘39a和第二电极焊盘39b可通过同一工序一起形成，例如可使用剥离技术而形成。
接着，通过激光划片及裂化等工艺而分割成个别发光二极管，从而提供单独分离的发光二极管。
根据本实施例的发光二极管例如可制造成倒装芯片型发光二极管或芯片级封装型发光二极管。然而，本实用新型并不限定于此，也可以制造成水平型结构的发光二极管。图7是用于说明水平型结构的发光二极管的剖面图。
参照图7，如图2所示，在基板21上使半导体层23、25、27、29、31、33依次生长，然后蚀刻上部n型半导体层33、高浓度n型半导体层31、高浓度p型半导体层29、p型半导体层27及活性层25，而使下部n型半导体层23暴露。
接着，在所述下部n型半导体层23和上部n型半导体层33上分别形成第一电极焊盘(或第一接触层41a)和第二电极焊盘(或第二接触层41b)，从而可以制造水平型结构的发光二极管。可利用相同的物质层并通过相同的工序形成第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b。
在本实施例中，所述第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b欧姆接触于下部n型半导体层23和上部n型半导体层33，从而发挥作为接触层的功能。本实施例的第一电极焊盘41a和第二电极焊盘41b可包括Al层。
以上，已对本实用新型的多样的实施例进行了说明，然而本实用新型并不限定于这些实施例。并且，在不脱离本实用新型的技术思想的限度内，对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于其他实施例。
Claims (11)
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
下部n型半导体层；
上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层上部；
p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；
活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；
高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；
高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；
第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及
第二接触层，与所述上部n型半导体层接触，
其中，所述第一接触层和第二接触层包括与所述下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述相同物质层为Al层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述p型半导体层包括电子阻挡层。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述高浓度p型半导体层与所述高浓度n型半导体层之间的界面夹设有氧。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
绝缘层，覆盖所述上部n型半导体层、所述第一接触层及第二接触层，并具有暴露所述第一接触层和第二接触层的开口部；以及
第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述绝缘层上，并通过所述开口部分别电连接于所述第一接触层和第二接触层。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，暴露所述第一接触层的开口部和暴露第二接触层的开口部在彼此相向的所述下部n型半导体层的边缘部位附近分开布置。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，夹设于所述第一电极焊盘与所述第一接触层之间的绝缘层是与夹设于所述第二电极焊盘与所述第二接触层之间的绝缘层相同的物质层。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层是将折射率互不相同的介电层重复层叠的分布式布拉格反射器。
9.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还包括多个台面，
所述多个台面分别包括所述活性层、p型半导体层、高浓度p型半导体层、高浓度n型半导体层及上部n型半导体层，
所述第一接触层以包围各个所述台面的方式与所述下部n型半导体层接触，
所述第二接触层布置于各个所述台面上。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层在各个所述台面上具有暴露所述第二接触层的开口部。
11.如权利要求1至10中的任意一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括基板，所述下部n型半导体层布置于所述基板上。
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