JP5323874B2 - マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、マスクおよび反射型マスク並びにこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
特に、レーザー光等のエネルギー光によって、ガラス基板面を融解または昇華させることでマーカを形成する場合、凹部の縁部の周囲に盛り上がり部が形成されてしまうので、この盛り上がり部を研磨によって除去する必要があるが、その際、強度が低い部分が研磨時に係る力によって割れや欠け等が特に発生しやすい。このような部分に割れや欠けが生じると、研磨等を行っても除去できず、後のマスクブランクやマスクの精度にも影響が生じるおそれが大きくなる。
本発明によれば、凹部の縁部を頂点のない略円形の丸孔で形成することで、平面視形状において、強度の低下を抑制でき、隣接する複数の凹部間の距離を所定以上確保することにより、凹部間に挟まれる部分の強度の低下を抑制でき、マーカの形成部分での割れや欠け等に起因する発塵を抑制されたマスクブランク用ガラス基板を提供できる。
(実施例1)
マーカ18を形成するためにレーザ照射工程を行う以外は公知のマスクブランク用基板の製造方法と同一又は同様にして、実施例1に係るガラス基板12を製造した。尚、本実施例においては、例えば公知の端面研磨工程と同一又は同様にして、ガラス基板12の端面を所定の表面粗さに研磨する端面研磨工程を行った。また、レーザ照射工程は、端面研磨工程よりも先に行った。これにより、端面研磨工程では、レーザ光の照射により凹部20が形成された端面を所定の表面粗さに研磨した。
レーザ光の光径を0.06mmとする以外は実施例1と同様にして、実施例2に係るガラス基板12を製造した。実施例2においても、実施例1と同様に、凹部20は、平面視で略円形であり、断面が略V字形となる孔となった。また、凹部20の縁部の径L1、深さDも、実施例1とほぼ同様の範囲内のものとなった。
凹部20の縁部同士における平均の間隔が100μmとなるように他の諸条件を調整(レーザマーカ装置を、レーザ光の光径を0.1mmに調整し、レーザーパワー、スキャン速度等の各種設定も凹部20が、図3(b)に示したような好ましい形状となるように調整など。)した以外は実施例1と同様にして、実施例3に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の縁部同士における間隔が約50μmであり、かつこれを下回らないように他の諸条件(レーザマーカ装置を、レーザ光の光径を0.15mmに調整し、レーザーパワー、スキャン速度等の各種設定も凹部20が、図3(b)に示したような好ましい形状となるいように調整など。)を調整した以外は実施例1と同様にして、実施例4に係るガラス基板12を製造した。
凹部20間の間隔が約40μmとなるように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、比較例1に係るガラス基板12を製造した。比較例1において、それぞれの凹部20の形状自体は、実施例1と同様になった。
レーザ照射工程において、図4を用いて説明した方法と同一又は同様にしてレーザマーカ装置の照射強度等を調整し、光径が0.05mmである炭酸ガスレーザを照射するようにし、凹部20を形成した。このとき、凹部20を縁部の径L1が約80μmであり、かつこれを下回らないように形成した。マーカ18としては、ブロックサイズが1.68mm×1.68mmのデータマトリックスを形成した。データマトリックスにおいて、シンボルサイズは、12×12(固定:10桁)とした。この場合、セルサイズは、0.14mmとなる。
凹部20の縁部の径L1を約70μmとなるように他の諸条件を調整した以外は、実施例5と同様にして、比較例2に係るガラス基板を製造した。比較例2において、それぞれの凹部20の形状自体は、実施例5と同様になった。
レーザ照射工程において、図4を用いて説明した方法と同一又は同様にしてレーザマーカ装置の照射強度等を調整し、光径が0.2mmである炭酸ガスレーザを照射するようにし、凹部20を形成した。このとき、凹部20を縁部の径L1が約250μmであり、かつこれを上回らないように形成した。マーカ18としては、ブロックサイズが3.6mm×3.6mmのデータマトリックスを形成した。データマトリックスにおいて、シンボルサイズは、12×12(固定:10桁)とした。この場合、セルサイズは、0.3mmとなる。
凹部20の深さDの平均が20μmとなるように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、実施例7に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の深さDの平均が10μmとなるように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、実施例8に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の深さDが約4μmであり、かつこれを下回らないように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、実施例9に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の深さDの平均が3μmとなるように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、比較例3に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の深さDが約50μmであり、かつこれを上回らないように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、実施例10に係るガラス基板12を製造した。
凹部20の深さDの平均が55μmとなるように他の諸条件を調整した以外は実施例1と同様にして、比較例4に係るガラス基板12を製造した。
実施例1〜10、及び比較例1〜4について、それぞれのガラス基板12を100枚製造し、ArFエキシマレーザ(波長193nm)露光用のマスクの製造に用いる場合に必要とされる基準で、マーカ18内における割れや欠け等の欠陥の有無を含んだ基板検査を行った。また、マーカ読取機によるマーカ読取検査も実施した。実施例1〜10において、検査結果は、全数合格であった。しかし、比較例1においては、一部(15枚)のガラス基板12が不合格となった。これは、比較例1においては、凹部20の縁部間の間隔が40μmと狭いため、例えば端面研磨工程での衝撃等により割れや欠けが生じたためであると考えられる。
レーザ光の光径を0.04mmとする以外は実施例1と同様に、形成する凹部20の縁部の径を100μmとし、その形成する凹部20の中心を軸にレーザ光を1周だけ周回軌道で移動させ、参考例1に係るガラス基板12を製造した。また、同じくレーザ光の印字線幅を0.04mmとし、レーザ光の軌道同士が一部重なるように螺旋軌道で移動させること以外は、実施例1と同様の条件で、参考例2に係るガラス基板12を製造した。
Claims (6)
- マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用ガラス基板を製造するための製造方法であって、
前記マスクブランク用ガラス基板は、合成石英ガラスまたは低熱膨張ガラスからなり、
前記マスクブランク用ガラス基板の端面に、前記マスクブランク用ガラス基板を識別又は管理するための情報を複数の凹部で表現したマーカが形成され、
前記マーカは、複数のセルを二次元に配置し、所定のセル内に凹部を形成することで情報を示す二次元コードであり、
前記マーカは、1つのセルのサイズが0.13〜0.3mmであり、
前記マーカを構成する凹部は、その縁部が略円形の丸孔であり、その縁部の周囲に盛り上がり部がなく、その縁部から中心近傍の最深部に向かって深さが漸増する断面形状を有し、
前記凹部の深さは、25〜40μmであり、
前記凹部の縁部の径は、80〜250μmであり、
隣接する凹部同士の縁部間での距離が50μm以上であり、
前記凹部の縁部の径と凹部の深さとの比が2〜5であり、
前記マスクブランク用ガラス基板を製造するための製造方法は、
レーザ光を照射して掘込部を形成するレーザ照射工程と、
前記掘込部の縁部の周囲に形成された盛り上がり部を含む端面を研磨し、前記凹部を形成する研磨工程を備えることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 - 前記レーザ照射工程で使用されるレーザ光は、炭酸ガスレーザーであることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- フォトリソグラフィ用のマスクの製造に用いられるマスクブランクの製造方法であって、請求項1または2に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法で製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、転写パターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 反射系リソグラフィ用の反射型マスクの製造に用いられるマスクブランクの製造方法であって、請求項1または2に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法で製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、転写パターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項3に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの転写パターン用薄膜をパターニングすることを特徴とするフォトリソグラフィ用のマスクの製造方法。
- 請求項4に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの転写パターン用薄膜をパターニングすることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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